JPH076992A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH076992A JPH076992A JP14247393A JP14247393A JPH076992A JP H076992 A JPH076992 A JP H076992A JP 14247393 A JP14247393 A JP 14247393A JP 14247393 A JP14247393 A JP 14247393A JP H076992 A JPH076992 A JP H076992A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハを立てた状態で保持するための溝
を有する半導体装置の製造装置において、ウェハ移載時
に、ウェハ周辺部に傷が発生することを防止するととも
に、ウェハのパーティクル付着量を低減する。 【構成】ウェハを処理槽内で保持するためのガイドの内
部に液体通路を設け、溝部にポーラス石英を使用、また
は穴を設けることにより、溝から液体を入出できる構造
とする。 【効果】液体がウェハと溝面間の潤滑剤の役目を果し、
ウェハが溝側面に接触する摩擦を緩和し、ウェハ周辺部
に傷が発生することを防止できる。
を有する半導体装置の製造装置において、ウェハ移載時
に、ウェハ周辺部に傷が発生することを防止するととも
に、ウェハのパーティクル付着量を低減する。 【構成】ウェハを処理槽内で保持するためのガイドの内
部に液体通路を設け、溝部にポーラス石英を使用、また
は穴を設けることにより、溝から液体を入出できる構造
とする。 【効果】液体がウェハと溝面間の潤滑剤の役目を果し、
ウェハが溝側面に接触する摩擦を緩和し、ウェハ周辺部
に傷が発生することを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に係わり、特に半導体基板（以下、ウェハと称す）を立
てた状態で保持するための溝を有する半導体装置の製造
装置に関する。
に係わり、特に半導体基板（以下、ウェハと称す）を立
てた状態で保持するための溝を有する半導体装置の製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、ウェハを立てた状態で保持すた
めの溝を有する従来の半導体装置の製造装置の斜視図で
ある。
めの溝を有する従来の半導体装置の製造装置の斜視図で
ある。
【０００３】チャック１に取付けられたチャック棒２に
は、複数のウェハを支持する溝が形成されており、ガイ
ド３に取付けられたガイド棒４にも、チャック棒２の溝
と等ピッチでウェハ５を支持する溝が形成されている。
ガイド３は、位置の微調整ができるように支持板６に取
付けられ、ガイド棒４は、処理槽７内に浸漬されてい
る。チャック１，ガイド３の材質は、剛性、耐薬品性、
耐熱性、純度の点で、最も優れている石英を使用してい
る。
は、複数のウェハを支持する溝が形成されており、ガイ
ド３に取付けられたガイド棒４にも、チャック棒２の溝
と等ピッチでウェハ５を支持する溝が形成されている。
ガイド３は、位置の微調整ができるように支持板６に取
付けられ、ガイド棒４は、処理槽７内に浸漬されてい
る。チャック１，ガイド３の材質は、剛性、耐薬品性、
耐熱性、純度の点で、最も優れている石英を使用してい
る。
【０００４】ウェハ５を処理槽７に入れる時、チャック
１はウェハをチャッキングしたまま処理槽７内に下降
し、ウェハをガイド３に移載し、移載されたウェハ５
は、ガイド棒４上に立設支持されるようになっている。
また、ウェハ５を処理槽７から取り出す時は、チャック
１が処理槽７内に下降し、チャック１がウェハ５をチャ
ッキングして槽から取出し、別の槽へ移送する。
１はウェハをチャッキングしたまま処理槽７内に下降
し、ウェハをガイド３に移載し、移載されたウェハ５
は、ガイド棒４上に立設支持されるようになっている。
また、ウェハ５を処理槽７から取り出す時は、チャック
１が処理槽７内に下降し、チャック１がウェハ５をチャ
ッキングして槽から取出し、別の槽へ移送する。
【０００５】図８は、従来の半導体装置の製造装置の構
成図である。処理槽７のオーバフローした薬液をポンプ
８により、フィルター９を通過させ、給液パイプ１０か
ら薬液を再び処理槽７内に噴流させることにより、循環
フィルタリングを行う構成となっている。
成図である。処理槽７のオーバフローした薬液をポンプ
８により、フィルター９を通過させ、給液パイプ１０か
ら薬液を再び処理槽７内に噴流させることにより、循環
フィルタリングを行う構成となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造装置では、チャック棒２とガイド棒４の溝に接触
するウェハ周辺部に傷が発生する問題を生じる。また溝
に接触するウェハ周辺部及びその上方部にパーティクル
が付着するという問題を生じる。
の製造装置では、チャック棒２とガイド棒４の溝に接触
するウェハ周辺部に傷が発生する問題を生じる。また溝
に接触するウェハ周辺部及びその上方部にパーティクル
が付着するという問題を生じる。
【０００７】ウェハ周辺部に傷が発生する原因を下記に
記す。
記す。
【０００８】ウェハをガイド３に移載する時、すなわち
移し替える時においては、溝に接触するウェハ５周辺部
は、図７（Ｂ）に示すように溝側面１１に接触しながら
移載される。単に接触しながら移載されるのみならず、
通常、ウェハ５が溝側面１１に押さえつけられながら移
載されることが多い。その理由は、移載時においては、
チャック棒２とガイド棒４の合計７本の棒の溝内にウェ
ハ５が挿入されているので、７個の溝が同一面上にない
場合、ウェハ５周辺部が溝側面１１に押さえつけられる
のである。
移し替える時においては、溝に接触するウェハ５周辺部
は、図７（Ｂ）に示すように溝側面１１に接触しながら
移載される。単に接触しながら移載されるのみならず、
通常、ウェハ５が溝側面１１に押さえつけられながら移
載されることが多い。その理由は、移載時においては、
チャック棒２とガイド棒４の合計７本の棒の溝内にウェ
ハ５が挿入されているので、７個の溝が同一面上にない
場合、ウェハ５周辺部が溝側面１１に押さえつけられる
のである。
【０００９】ところで、溝の寸法は、図７（Ａ）に示す
ように、寸法ａ＝ウェハ厚さ＋０．２ｍｍ程度、寸法ｂ
＝数ｍｍ、寸法ｃ＝数ｍｍである。従って、７個の溝を
同一面上にそろえるためには、７個の溝の位置を±０．
１ｍｍ程度の範囲内に入れるように、チャック１とガイ
ド３の位置調整をしなければならないが、実際には、こ
の調整は非常に困難で、通常、位置がずれている。
ように、寸法ａ＝ウェハ厚さ＋０．２ｍｍ程度、寸法ｂ
＝数ｍｍ、寸法ｃ＝数ｍｍである。従って、７個の溝を
同一面上にそろえるためには、７個の溝の位置を±０．
１ｍｍ程度の範囲内に入れるように、チャック１とガイ
ド３の位置調整をしなければならないが、実際には、こ
の調整は非常に困難で、通常、位置がずれている。
【００１０】なお、溝の幅寸法ａやｂを大きくすると、
ウェハ５が倒れて隣りのウェハに接触するため、上記し
た寸法が限界である。また、チャック１とガイド３の材
質を石英でなくテフロン系のものを使用すれば、傷は発
生しないと思われるが、テフロンは熱膨張するため７０
℃以上の薬液の場合、溝のピッチがずれて、搬送信頼性
が低下するという問題がある。そのため、現状、材質と
しては石英が最も優れている。
ウェハ５が倒れて隣りのウェハに接触するため、上記し
た寸法が限界である。また、チャック１とガイド３の材
質を石英でなくテフロン系のものを使用すれば、傷は発
生しないと思われるが、テフロンは熱膨張するため７０
℃以上の薬液の場合、溝のピッチがずれて、搬送信頼性
が低下するという問題がある。そのため、現状、材質と
しては石英が最も優れている。
【００１１】次にパーティクルが多発する原因として
は、第一にウェハ５の移載時にウェハ５周辺部に傷がつ
くことによって発生するパーティクル、第二にウェハ５
が溝側面１１に接触することによって、ガイド棒４の溝
内に蓄積しているパーティクルがウェハ５に付着した
り、舞上ることによって、ウェハ５に付着するパーティ
クルという二つの原因がある。
は、第一にウェハ５の移載時にウェハ５周辺部に傷がつ
くことによって発生するパーティクル、第二にウェハ５
が溝側面１１に接触することによって、ガイド棒４の溝
内に蓄積しているパーティクルがウェハ５に付着した
り、舞上ることによって、ウェハ５に付着するパーティ
クルという二つの原因がある。
【００１２】以上、一個のチャックとガイドについて説
明をしたが、実際は、１台の装置で処理槽は複数個有
り、例えば、洗浄工程においては、１台の装置で数十回
処理される。従って、ウェハの移載回数は、半導体製品
が完成するまでに、数百回以上になり、ウェハが受ける
損傷は多大なものになる。
明をしたが、実際は、１台の装置で処理槽は複数個有
り、例えば、洗浄工程においては、１台の装置で数十回
処理される。従って、ウェハの移載回数は、半導体製品
が完成するまでに、数百回以上になり、ウェハが受ける
損傷は多大なものになる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板を立てた状態で保持するための溝を有する半導体装
置の製造装置において、前記溝の側面及び底面から液体
が噴出する半導体装置の製造装置にある。
基板を立てた状態で保持するための溝を有する半導体装
置の製造装置において、前記溝の側面及び底面から液体
が噴出する半導体装置の製造装置にある。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１は本発明の第１の実施例の半導体装置
の製造装置を示す斜視図であり、図２はその断面図であ
る。
の製造装置を示す斜視図であり、図２はその断面図であ
る。
【００１６】図１において切断線Ｓ−Ｓ，Ｔ−Ｔ，Ｈ−
ＨおよびＧ−Ｇで示した部分の断面がそれぞれ図２
（Ａ）における断面Ｓ−Ｓ，断面Ｔ−Ｔ，断面Ｈ−Ｈお
よび断面Ｇ−Ｇである。また図２（Ａ）のＡ−Ａ部の断
面が図２（Ｂ）である。
ＨおよびＧ−Ｇで示した部分の断面がそれぞれ図２
（Ａ）における断面Ｓ−Ｓ，断面Ｔ−Ｔ，断面Ｈ−Ｈお
よび断面Ｇ−Ｇである。また図２（Ａ）のＡ−Ａ部の断
面が図２（Ｂ）である。
【００１７】図２に示すように、薬液を流すための配管
１４を刻設した石英棒１２にポーラス石英棒１３を溶接
して、ガイド棒を形成する（図２（Ｂ））。
１４を刻設した石英棒１２にポーラス石英棒１３を溶接
して、ガイド棒を形成する（図２（Ｂ））。
【００１８】ポーラス石英とは、流体が通過できる小孔
晶の石英である。そのガイド棒を薬液を流すための配管
１４を刻設したガイド板１５に配管１４が連結するよう
に３本溶接によって取付ける。もう一方には、ガイド板
１６を溶接する。以上のようにして製作されたガイドの
３本のガイド棒に同時に同一ピッチで溝を切削形成す
る。
晶の石英である。そのガイド棒を薬液を流すための配管
１４を刻設したガイド板１５に配管１４が連結するよう
に３本溶接によって取付ける。もう一方には、ガイド板
１６を溶接する。以上のようにして製作されたガイドの
３本のガイド棒に同時に同一ピッチで溝を切削形成す
る。
【００１９】また、配管１４に流入する薬液のオン／オ
フ及び流量調整ができるように、導入管１７には、流量
調整ニードル付エアーオペレートバルブ１８を取付け
る。
フ及び流量調整ができるように、導入管１７には、流量
調整ニードル付エアーオペレートバルブ１８を取付け
る。
【００２０】薬液は、図３で示すように、フィルター９
の後から、処理槽７の給液パイプ１０への配管を分岐し
て、導入管１７に接続することにより配管１４に供給さ
れる。
の後から、処理槽７の給液パイプ１０への配管を分岐し
て、導入管１７に接続することにより配管１４に供給さ
れる。
【００２１】図４は、溝２１からの薬液の噴出方向を矢
印で示した断面図である。薬液は、溝２１の側面２２及
び底面２３と溝の形成されていない部分からも噴出され
る。
印で示した断面図である。薬液は、溝２１の側面２２及
び底面２３と溝の形成されていない部分からも噴出され
る。
【００２２】噴出のタイミングは、ウェハが無い時とウ
ェハ移載中である。ウェハの移載を完了した後に薬液を
噴出すると、ウェハが振動し、発塵の原因となるため、
ウェハがガイドに移載された後は、薬液の噴出を止め
る。ウェハが無い時に噴出させる理由は、パーティクル
が溝内に蓄積することを防止するためである。ウェハ移
載中に薬液を噴出させる理由は、薬液が潤滑剤の役目を
果し、ウェハが溝側面に接触する摩擦を緩和し、ウエハ
に傷がつくことを防止するためである。
ェハ移載中である。ウェハの移載を完了した後に薬液を
噴出すると、ウェハが振動し、発塵の原因となるため、
ウェハがガイドに移載された後は、薬液の噴出を止め
る。ウェハが無い時に噴出させる理由は、パーティクル
が溝内に蓄積することを防止するためである。ウェハ移
載中に薬液を噴出させる理由は、薬液が潤滑剤の役目を
果し、ウェハが溝側面に接触する摩擦を緩和し、ウエハ
に傷がつくことを防止するためである。
【００２３】図５は、本発明の第２の実施例のガイドの
部分斜視図である。溝を刻設した石英棒２０に配管１４
に連結する穴１９を溝の側面と底面に加工して開け、そ
の石英棒２０を石英棒１２に溶接によって取付け、ガイ
ド棒を形成する。
部分斜視図である。溝を刻設した石英棒２０に配管１４
に連結する穴１９を溝の側面と底面に加工して開け、そ
の石英棒２０を石英棒１２に溶接によって取付け、ガイ
ド棒を形成する。
【００２４】第２の実施例では、第１の実施例と比較し
て、次に示す利点がある。
て、次に示す利点がある。
【００２５】第一に、溝以外の部分からの薬液の噴出が
無いため、溝から噴出する薬液流量が増加して、ウェハ
と溝の摩擦緩和の効果が増大する。
無いため、溝から噴出する薬液流量が増加して、ウェハ
と溝の摩擦緩和の効果が増大する。
【００２６】第二に、第１の実施例の場合、ポーラス石
英に目づまりが生じ、薬液の噴出が減ることもあるが、
第２の実施例ではそのようなことは発生しない。
英に目づまりが生じ、薬液の噴出が減ることもあるが、
第２の実施例ではそのようなことは発生しない。
【００２７】以上、薬液槽で実施例を記載したが、純水
水洗槽においても同様に適用できる。
水洗槽においても同様に適用できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガイドの
溝から薬液または純水を噴出することにより、ウェハと
ガイド溝との接触摩擦の緩和を実現したので、ウェハ周
辺部の傷が激減し、ウェハに付着するパーティクルも低
減できるという効果を有する。
溝から薬液または純水を噴出することにより、ウェハと
ガイド溝との接触摩擦の緩和を実現したので、ウェハ周
辺部の傷が激減し、ウェハに付着するパーティクルも低
減できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例を示す構成図である。
【図４】本発明の第１の実施例のガイドの溝から薬液の
噴出方向を拡大して示した断面図である。
噴出方向を拡大して示した断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例のガイドの部分を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図６】従来技術を示す斜視図である。
【図７】従来技術のガイドの溝を示す断面図である。
【図８】従来技術を示す構成図である。
１ チャック ２ チャック棒 ３ ガイド ４ ガイド棒 ５ ウェハ ６ 支持板 ７ 処理槽 ８ ポンプ ９ フィルター １０ 給液パイプ １１ 溝側面 １２ 石英棒 １３ ポーラス石英棒 １４ 配管 １５ 配管刻設ガイド板 １６ ガイド板 １７ 導入管 １８ 流量調整ニードル付エアーオペレートバルブ １９ 穴 ２０ 溝刻設石英棒 ２１ 溝 ２２ 溝の側面 ２３ 溝の底面
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板を立てた状態で保持するため
の溝を有する半導体装置の製造装置において、前記溝の
側面及び底面から液体が噴出することを特徴とする半導
体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記溝を構成する部材はポーラス石英で
あり、このポーラス石英の小孔より前記液体が噴出する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項３】 前記溝に小孔が加工形成され、該加工形
成された小孔より前記液体が噴出することを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 前記液体は前記半導体基板を処理する薬
液であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
の製造装置。 - 【請求項５】 前記液体は前記半導体基板を洗修処理す
る純水であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14247393A JP2586378B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14247393A JP2586378B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076992A true JPH076992A (ja) | 1995-01-10 |
| JP2586378B2 JP2586378B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=15316143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14247393A Expired - Fee Related JP2586378B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586378B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148289A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
| JPH09186126A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-07-15 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウエーハの洗浄装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461330A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Fujitsu Ltd | ウェーハキャリア |
| JPH0550739U (ja) * | 1991-12-04 | 1993-07-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハ保持ホルダ |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14247393A patent/JP2586378B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461330A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Fujitsu Ltd | ウェーハキャリア |
| JPH0550739U (ja) * | 1991-12-04 | 1993-07-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ウエハ保持ホルダ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09148289A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
| JPH09186126A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-07-15 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウエーハの洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586378B2 (ja) | 1997-02-26 |
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