JPH0770006B2 - 磁気抵抗効果ヘツドの駆動方式 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果ヘツドの駆動方式に係り、特に、
磁気記録媒体に書き込まれた磁気信号を読み出す磁気効
果ヘツドの駆動を制御するに好適な磁気抵抗効果ヘツド
の駆動方式に関する。

〔従来の技術〕

磁気抵抗効果ヘツドは、磁気抵抗効果素子により形成さ
れた磁性薄膜の磁化の方向と、磁性薄膜に流す電流の方
向との相対角度に依存して抵抗が変化することを利用し
たヘツドであり、誘導型の薄膜ヘツドに代わるヘツドと
して実用化されている。誘導型磁気ヘツドは磁界の変化
を誘導コイルで検出するように構成されているので、磁
気テープのスピードが早くなるに従つて磁気ヘツドの出
力は高くなるが、磁気テープのスピードが遅くなると磁
気ヘツドの出力が低下し、磁気テープの速度によつては
磁気テープに書き込まれた情報を十分に読み出すことが
できない恐れがあつた。ところが磁気抵抗効果ヘッドの
場合には、磁界の強さを抵抗値の変化で検出するように
構成されているので、磁気テープのスピードが遅い場合
でも、磁気テープに書き込まれた情報を確実に読み出す
ことができる。

しかしながら、従来の磁気抵抗効果ヘツドは抵抗の変化
が被検出磁界に対して非線形性の特性であつたため、誘
導型磁気ヘツドの代わりに用いるには難があつた。そこ
で、米国特許第3493694号、米国特許第3814863号公報に
記載されているように、磁性薄膜にバイアス磁界を加え
て抵抗の非線形性を低減させることによつて実用化が図
られている。このバイアス方法としては、磁性薄膜の近
傍に永久磁石を配置し、永久磁石によつてバイアス磁界
を加える方法や、磁性薄膜の近傍に導体を配置し、導体
に電流を流すことによつて磁性薄膜にバイアス磁界を加
える方法や、磁性薄膜を複数個に分割し、かつ各磁性薄
膜を磁性媒体からの磁束の流れによつて約45°傾けて配
置し、各磁性薄膜に流れる電流からバイアス磁界を発生
させるバーバポール法等が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来技術は、磁性薄膜に一定の電流を供
給する方式が採用されており、ジユール熱によつて磁性
薄膜の温度が上昇する点については配慮されておらず、
磁性薄膜の温度上昇によつて熱雑音が発生したり、磁性
薄膜が溶断したりする恐れがあった。

なお、特公昭59-46042号公報に記載されているように、
磁気抵抗素子に間欠的なパルス信号を供給する方式を採
用すれば、磁気抵抗素子による消費電力を小さくするこ
とはできる。しかし、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を加えて抵抗の非線形性を低減させるようにしたヘッド
の場合には、磁気抵抗効果素子に間欠的なパルス信号を
供給したり、また、特開昭53-139512号公報、特開昭54-
21316号公報に記載されているように、磁気抵抗素子に
直流電圧を印加し、バイアス磁界発生用の導体に交流信
号を印加したりする方式を単に採用しても、磁気抵抗素
子がバイアス磁界発生用の導体から発生する熱の影響を
受け、磁気抵抗素子の特性が劣化する恐れがある。

本発明の目的は、磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発生
用導体の温度上昇をともに抑制することができる磁気抵
抗効果ヘッドの駆動方式を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的は達成するために、本発明は、磁気抵抗効果素
子の近傍にバイアス磁界発生用導体を配置し、この導体
のバイアス磁界を受けた磁気抵抗効果素子により被検出
磁界を検出する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記磁気
抵抗効果素子及び前記バイアス磁界発生用導体の両方
に、少なくとも無通電時間を含む間欠的な電気信号を供
給することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの駆動方式
を採用したものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、バイアス磁界を受けた磁気抵抗
効果素子が被検出磁界を検出するときに、磁気抵抗効果
素子とバイアス磁界発生用導体には、無通電時間を含む
間欠的な電気信号がそれぞれ供給されるので、バイアス
磁界発生用導体に無通電時間を有しない交流信号が供給
されたときよりも、磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発
生用導体から発生するジュール熱を抑制することができ
る。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。

第１図には、本発明の好適な実施例の構成が示されてい
る。第１図において、磁気抵抗効果素子により形成され
た磁性薄膜10の両端には導電性の端子12,14が接続され
ている。端子12,14には、それぞれリード線16,18を介し
て端子20,22からの電気信号が供給されるようになつて
いる。リード線16の線路途中には抵抗24が挿入されてお
り、この抵抗24の両端に接続された端子26,28から磁気
抵抗効果ヘツドの出力電圧が発生するようになつてい
る。

一方、磁性薄膜10にバイアス磁界を与えるために、磁性
薄膜10近傍に、バイアス磁界発生用導体30が配置されて
いる。この導体30には、この導体30の両端に接続された
端子32、34から、第２図に示すように、間欠的なバイア
ス電流が供給されるようになっている。

以上の構成において、導体30にバイアス電流が供給され
ると共に、端子20、22から、第３図（Ｂ）に示すよう
に、間欠的なパルス信号が入力されているときに、磁気
テープなどの磁性媒体から、第３図（Ｃ）に示すような
磁界が磁性薄膜10に作用すると、被検出磁界の影響によ
って磁性薄膜10の抵抗値が変化し、端子26、28からは、
第３図（Ａ）に示すようなパルス信号が出力される。

ここで、端子20、22に印加されるパルス信号の周期を、
被検出磁界の変化の周期より十分に小さくすると、出力
端子26、28からは、振幅変調されたパルス信号が出力さ
れることになる。このため、出力信号の振幅を逐次検出
することによって、被検出磁界の強さを求めることがで
きる。

このように、本実施例においては、磁性薄膜10と導体30
にそれぞれ無通電時間を含む間欠的な電気信号を供給す
るようにしたので、ジュール熱が時間平均の割合で低減
される。このため、導体30に無通電時間を有しない交流
信号を供給するときよりも、磁性薄膜10と導体30から発
生するジュール熱を抑制することができる。従って、磁
性薄膜10と導体30の温度上昇を共に低減することがで
き、熱雑音を低減できると共に磁性薄膜10の溶断を防止
できる。さらに、温度に応じた抵抗値の急激な変化を抑
制することができる。

また、本実施例においては、端子20、22に交流のパルス
信号を印加するようにしているので、直流のパルス信号
を印加したときよりも、２倍の出力電圧を得ることがで
きる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、磁性薄膜とバイ
アス磁界発生用導体にそれぞれ無通電時間を含む間欠的
な電気信号を供給するようにしたので、導体に無通電時
間を有しない交流信号を供給するときよりも、磁性薄膜
と導体から発生するジュール熱を抑制することができ、
磁気抵抗効果ヘッドの長寿命化を図ることができると共
に信頼性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明が適用された磁気抵抗効果ヘッドの構成
図、第２図はバイアス電流の波形図、第３図は磁気抵抗
効果ヘッドの作用を説明するための波形図である。 10……磁性薄膜、12,14,20,22,26,28,32,34……端子、2
4……抵抗、30……導体。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−139512（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−21316（ＪＰ，Ａ) 特公 昭59−46042（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気抵抗効果素子の近傍にバイアス磁界発
   生用導体を配置し、この導体のバイアス磁界を受けた磁
   気抵抗効果素子により被検出磁界を検出する磁気抵抗効
   果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子及び前記バイ
   アス磁界発生用導体の両方に、少なくとも無通電時間を
   含む間欠的な電気信号を供給することを特徴とする磁気
   抵抗効果ヘッドの駆動方式。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果
   ヘッドの駆動方式において、前記磁気抵抗効果素子に対
   して、交流の間欠的な電気信号を供給することを特徴と
   する磁気抵抗効果ヘッドの駆動方式。