JPH077019A - 有機薄膜及びその製造法 - Google Patents
有機薄膜及びその製造法Info
- Publication number
- JPH077019A JPH077019A JP6054768A JP5476894A JPH077019A JP H077019 A JPH077019 A JP H077019A JP 6054768 A JP6054768 A JP 6054768A JP 5476894 A JP5476894 A JP 5476894A JP H077019 A JPH077019 A JP H077019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- organic thin
- zndbpc
- substrate
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フタロシアニン系化合物を含有し、かつ配向
性を有する有機薄膜を提供する。 【構成】 ２層以上の多層構造を有する有機薄膜におい
て、少なくとも１層が、中心配位原子が金属、酸化金
属、又はＨ2 である構造の２，３：１２，１３−ジベン
ゾフタロシアニン系化合物を含有する薄膜層である有機
薄膜。当該有機薄膜を形成する方法が、真空蒸着法であ
る有機薄膜の製造方法。他の少なくとも１層が、その他
のフタロシアニン系化合物、テトラシアノキノジメタナ
ート類、及び／又はテトラメチルテトラチア（若しくは
セレナ）フルバレン塩を含有する薄膜層であることが好
ましい。 【効果】 非線形光学特性、又は一次元電気伝導性を利
用する材料として好適である。
性を有する有機薄膜を提供する。 【構成】 ２層以上の多層構造を有する有機薄膜におい
て、少なくとも１層が、中心配位原子が金属、酸化金
属、又はＨ2 である構造の２，３：１２，１３−ジベン
ゾフタロシアニン系化合物を含有する薄膜層である有機
薄膜。当該有機薄膜を形成する方法が、真空蒸着法であ
る有機薄膜の製造方法。他の少なくとも１層が、その他
のフタロシアニン系化合物、テトラシアノキノジメタナ
ート類、及び／又はテトラメチルテトラチア（若しくは
セレナ）フルバレン塩を含有する薄膜層であることが好
ましい。 【効果】 非線形光学特性、又は一次元電気伝導性を利
用する材料として好適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロニクス
や光エレクトロニクス用デバイスに使用して好適な、配
向性を有する有機薄膜とその製造法に関する。
や光エレクトロニクス用デバイスに使用して好適な、配
向性を有する有機薄膜とその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロニクス、光エレクトロニ
クスの分野においては、有機π電子系化合物の非線形光
学特性、導電性、光導電性、半導体性を利用したデバイ
ス開発が盛んに検討されている。その好例としては、フ
タロシアニン系化合物や、スチルベン系化合物を使用し
たゼログラフィー感光体、太陽電池、二次及び三次の非
線形光学材料等が挙げられる。有機材料をデバイス化す
るためには、薄膜作製技術が必要となる。薄膜の非線形
光学特性や導電性、光導電性等の電気・光学的特性は、
材料の純度のみでなく、結晶性や配向性にも大きく依存
し、薄膜中の分子の結晶性や配向性が高くなるほど特性
が向上することが知られている。また、薄膜光デバイス
では導波のため１μｍ以上の膜厚が必要であるが、この
程度の膜厚でも光が減衰せずに透過するためには、分子
の結晶性、配向性を高めて薄膜内部での光散乱を減少さ
せる必要がある。有機材料の薄膜化技術としては、ＬＢ
法、キャスト法、蒸着法等がある。ＬＢ法は分子を配向
させることができるためデバイス作製に適した薄膜形成
法である。しかし、同一分子中に親水性基と疎水性基が
必要であるため適用できる分子が大幅に制限される。ま
た、疎水性基として分子内に導入する炭化水素鎖が非線
形光学特性や導電性等の機能を低下させる傾向にあるこ
と、作製した薄膜の分子間の結合が弱く熱及び機械的強
度が不十分であること、作製に長時間を要することが欠
点として挙げられる。キャスト法も特定の分子について
は配向させることが可能であるが、汎用性は低い。また
薄膜材料を溶解し、かつ薄膜材料と反応しない溶媒が必
要であるが、一般に有機π電子系化合物でこの様な溶媒
を見出すことは困難であり、この点で適用できる材料は
更に制限される。また薄膜中に残留した溶媒が特性を低
下させる、という問題がある。これに対し、蒸着法は、
昇華又は蒸発温度より低温で分解する材料には適用でき
ないという欠点があるものの、非線形光学特性や導電
性、光導電性等の電気・光学的特性が優れる大部分の有
機π電子系材料について成膜可能である。また溶媒を必
要としないため、純度の高い薄膜が作製できる。更に、
ＬＢ法等に比べて高速な成膜が可能であり、その制御範
囲も１Å／分〜数１０００Å／分と大きい。したがって
蒸着法による有機エレクトロニクス、光エレクトロニク
ス用有機薄膜の作製が盛んに行われるようになってきて
いる。例えば、金属フタロシアニンの蒸着膜は、３次の
非線形感受率χ(3) が１０-11 esu 台と比較的大きな３
次非線形光学特性を示すことが報告されている〔Ｍ．ホ
ソダ、Ｔ．ワダ、Ａ．ヤマダ、Ａ．Ｆ．ガリト及びＨ．
ササベ（Ｍ．Hosoda、Ｔ．Wada、Ａ．Yamada、Ａ．Ｆ．
Garito、Ｈ．Sasabe) 、ジャパニーズ ジャーナル オ
ブ アプライド フィジクス（Japanese Journal of Ap
plied Physics)、第３０巻、第Ｌ１４８６〜Ｌ１４８８
頁（１９９１）〕。しかし、蒸着法で金属フタロシアニ
ン等の有機π電子系化合物を成膜した場合、サブミクロ
ン以下の結晶グレインの集合体となるのが一般的で、配
向薄膜を得ることは困難であった。従来、配向性の高い
金属フタロシアニン薄膜を作製することができるのは、
アルカリハライド、グラファイト、ＭｏＳ2 等の特定の
基板上で膜厚１０nm程度までに限られており、これ以上
の厚さでは分子を高度に配向させることはできず、薄膜
は多結晶状態となる〔戸嶋直樹、化学工業、１９８９年
１１月号、第３１頁（１９８９）〕。そのため蒸着法で
作製された薄膜の電気伝導性、光学非線形性等の特性
は、分子が一方向に配向した場合に期待される特性を大
きく下回っていた。
クスの分野においては、有機π電子系化合物の非線形光
学特性、導電性、光導電性、半導体性を利用したデバイ
ス開発が盛んに検討されている。その好例としては、フ
タロシアニン系化合物や、スチルベン系化合物を使用し
たゼログラフィー感光体、太陽電池、二次及び三次の非
線形光学材料等が挙げられる。有機材料をデバイス化す
るためには、薄膜作製技術が必要となる。薄膜の非線形
光学特性や導電性、光導電性等の電気・光学的特性は、
材料の純度のみでなく、結晶性や配向性にも大きく依存
し、薄膜中の分子の結晶性や配向性が高くなるほど特性
が向上することが知られている。また、薄膜光デバイス
では導波のため１μｍ以上の膜厚が必要であるが、この
程度の膜厚でも光が減衰せずに透過するためには、分子
の結晶性、配向性を高めて薄膜内部での光散乱を減少さ
せる必要がある。有機材料の薄膜化技術としては、ＬＢ
法、キャスト法、蒸着法等がある。ＬＢ法は分子を配向
させることができるためデバイス作製に適した薄膜形成
法である。しかし、同一分子中に親水性基と疎水性基が
必要であるため適用できる分子が大幅に制限される。ま
た、疎水性基として分子内に導入する炭化水素鎖が非線
形光学特性や導電性等の機能を低下させる傾向にあるこ
と、作製した薄膜の分子間の結合が弱く熱及び機械的強
度が不十分であること、作製に長時間を要することが欠
点として挙げられる。キャスト法も特定の分子について
は配向させることが可能であるが、汎用性は低い。また
薄膜材料を溶解し、かつ薄膜材料と反応しない溶媒が必
要であるが、一般に有機π電子系化合物でこの様な溶媒
を見出すことは困難であり、この点で適用できる材料は
更に制限される。また薄膜中に残留した溶媒が特性を低
下させる、という問題がある。これに対し、蒸着法は、
昇華又は蒸発温度より低温で分解する材料には適用でき
ないという欠点があるものの、非線形光学特性や導電
性、光導電性等の電気・光学的特性が優れる大部分の有
機π電子系材料について成膜可能である。また溶媒を必
要としないため、純度の高い薄膜が作製できる。更に、
ＬＢ法等に比べて高速な成膜が可能であり、その制御範
囲も１Å／分〜数１０００Å／分と大きい。したがって
蒸着法による有機エレクトロニクス、光エレクトロニク
ス用有機薄膜の作製が盛んに行われるようになってきて
いる。例えば、金属フタロシアニンの蒸着膜は、３次の
非線形感受率χ(3) が１０-11 esu 台と比較的大きな３
次非線形光学特性を示すことが報告されている〔Ｍ．ホ
ソダ、Ｔ．ワダ、Ａ．ヤマダ、Ａ．Ｆ．ガリト及びＨ．
ササベ（Ｍ．Hosoda、Ｔ．Wada、Ａ．Yamada、Ａ．Ｆ．
Garito、Ｈ．Sasabe) 、ジャパニーズ ジャーナル オ
ブ アプライド フィジクス（Japanese Journal of Ap
plied Physics)、第３０巻、第Ｌ１４８６〜Ｌ１４８８
頁（１９９１）〕。しかし、蒸着法で金属フタロシアニ
ン等の有機π電子系化合物を成膜した場合、サブミクロ
ン以下の結晶グレインの集合体となるのが一般的で、配
向薄膜を得ることは困難であった。従来、配向性の高い
金属フタロシアニン薄膜を作製することができるのは、
アルカリハライド、グラファイト、ＭｏＳ2 等の特定の
基板上で膜厚１０nm程度までに限られており、これ以上
の厚さでは分子を高度に配向させることはできず、薄膜
は多結晶状態となる〔戸嶋直樹、化学工業、１９８９年
１１月号、第３１頁（１９８９）〕。そのため蒸着法で
作製された薄膜の電気伝導性、光学非線形性等の特性
は、分子が一方向に配向した場合に期待される特性を大
きく下回っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フタ
ロシアニン系化合物を含有し、かつ配向性を有する有機
薄膜を提供することにある。
ロシアニン系化合物を含有し、かつ配向性を有する有機
薄膜を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は有機薄膜に関する発明であって、２
層以上の多層構造を有する有機薄膜において、少なくと
も１層が、下記一般式（化１）：
発明の第１の発明は有機薄膜に関する発明であって、２
層以上の多層構造を有する有機薄膜において、少なくと
も１層が、下記一般式（化１）：
【０００５】
【化１】
【０００６】（式中Ｍは金属、酸化金属、又はＨ2 を示
す）で表される構造の２，３：１２，１３−ジベンゾフ
タロシアニン系化合物を含有する薄膜層であることを特
徴とする。また、本発明の第２の発明は有機薄膜の製造
方法に関する発明であって、第１の発明の有機薄膜を、
真空蒸着法により形成することを特徴とする。
す）で表される構造の２，３：１２，１３−ジベンゾフ
タロシアニン系化合物を含有する薄膜層であることを特
徴とする。また、本発明の第２の発明は有機薄膜の製造
方法に関する発明であって、第１の発明の有機薄膜を、
真空蒸着法により形成することを特徴とする。
【０００７】２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシア
ニン化合物は近紫外部と可視部に強い吸収を有する化合
物であり、その電子スペクトルの帰属については、既に
報告されている〔Ｈ．コナミ、Ｙ．イケダ、Ｍ．ハタ
ノ、及びＫ．モチヅキ（Ｈ．Konami、Ｙ．Ikeda 、Ｍ．
Hatano、Ｋ．Mochizuki ）、モレキュラー フィジクス
（Molecular Physics ）、第８０巻、第１５３〜１６０
頁（１９９３）〕。本発明者らは、２，３：１２，１３
−ジベンゾフタロシアニン化合物を真空中で加熱するこ
とによりフタロシアニン系化合物と同様昇華することを
見出した。更に本化合物を用いた場合には、蒸着時に基
板上で配向薄膜を作製可能であるという、従来のフタロ
シアニン系化合物には無い特徴を有することを既に明ら
かにした（特願平４−１２１０６０号）。２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物及びフタロ
シアニン系化合物は昇華開始温度より高い温度領域にお
いても熱分解しないため、ガラスや金属などの基板上に
１Å／分〜数１０００Å／分の広範囲の蒸着速度で薄膜
を作製することが可能である。更に基板上に作製した
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
の配向薄膜上にフタロシアニン系化合物、若しくはその
他の有機化合物を、同時、若しくは交互に蒸着すること
により、従来配向薄膜が得られなかった有機化合物につ
いても配向薄膜を作製することが可能となることを見出
し、本発明を完成するに至った。
ニン化合物は近紫外部と可視部に強い吸収を有する化合
物であり、その電子スペクトルの帰属については、既に
報告されている〔Ｈ．コナミ、Ｙ．イケダ、Ｍ．ハタ
ノ、及びＫ．モチヅキ（Ｈ．Konami、Ｙ．Ikeda 、Ｍ．
Hatano、Ｋ．Mochizuki ）、モレキュラー フィジクス
（Molecular Physics ）、第８０巻、第１５３〜１６０
頁（１９９３）〕。本発明者らは、２，３：１２，１３
−ジベンゾフタロシアニン化合物を真空中で加熱するこ
とによりフタロシアニン系化合物と同様昇華することを
見出した。更に本化合物を用いた場合には、蒸着時に基
板上で配向薄膜を作製可能であるという、従来のフタロ
シアニン系化合物には無い特徴を有することを既に明ら
かにした（特願平４−１２１０６０号）。２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物及びフタロ
シアニン系化合物は昇華開始温度より高い温度領域にお
いても熱分解しないため、ガラスや金属などの基板上に
１Å／分〜数１０００Å／分の広範囲の蒸着速度で薄膜
を作製することが可能である。更に基板上に作製した
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
の配向薄膜上にフタロシアニン系化合物、若しくはその
他の有機化合物を、同時、若しくは交互に蒸着すること
により、従来配向薄膜が得られなかった有機化合物につ
いても配向薄膜を作製することが可能となることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００８】上記発明の実施により、フタロシアニン系
化合物の配向性制御が可能となり、その結果としてフタ
ロシアニン系化合物の配向薄膜が作製できたことから、
薄膜の電気的・光学的特性も無配向時に比べて大幅な向
上が認められた。例えば、亜鉛２，３：１２，１３−ジ
ベンゾフタロシアニンの配向薄膜上に蒸着したチタニル
フタロシアニンでは３次非線形感受率χ(3) が３×１０
-10 esu 以上の大きな値を示し、無配向時に比べて約２
倍に向上した。また電気伝導率は４×１０-4Ｓ／cm以上
の値を示し、無配向時に比べて約５倍に向上した。この
ように配向膜の作製によって、薄膜の非線形光学特性や
電気的特性が顕著に向上することがわかった。
化合物の配向性制御が可能となり、その結果としてフタ
ロシアニン系化合物の配向薄膜が作製できたことから、
薄膜の電気的・光学的特性も無配向時に比べて大幅な向
上が認められた。例えば、亜鉛２，３：１２，１３−ジ
ベンゾフタロシアニンの配向薄膜上に蒸着したチタニル
フタロシアニンでは３次非線形感受率χ(3) が３×１０
-10 esu 以上の大きな値を示し、無配向時に比べて約２
倍に向上した。また電気伝導率は４×１０-4Ｓ／cm以上
の値を示し、無配向時に比べて約５倍に向上した。この
ように配向膜の作製によって、薄膜の非線形光学特性や
電気的特性が顕著に向上することがわかった。
【０００９】本発明において、使用する２，３：１２，
１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物は中心配位原子
Ｍの種類には制約されないが、その一例としてＭが亜鉛
（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍ
ｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓ
ｎ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化バナジウム（Ｖ
Ｏ）、鉛（Ｐｂ）及びランタニド系元素や無金属（Ｈ
2 ）である化合物等を挙げることができる。これらの
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
は、フタロニトリル、ナフタロニトリル及び金属酢酸
塩、あるいは金属塩化物塩を混合し、２２０℃以上に加
熱した後、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）に溶解させ、これをＧＰＣクロマ
トグラフィーにより分離して得ることができる。また、
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
と同時、若しくは、交互に薄膜作製する材料の具体例と
しては、従来のフタロシアニン系化合物、ナフタロシア
ニン系化合物、スチルベン系化合物、フルバレン系化合
物、アルミキノリノ錯体等の有機金属錯体、テトラシア
ノキノジメタンや芳香族アミン等の電子受容性化合物、
カルバゾール等の化合物の１種以上が挙げられる。すな
わち、例えば、一般式（化１）の化合物以外のフタロシ
アニン系化合物、テトラチアフルバレニウムテトラシア
ノキノジメタナート、ペリレンテトラシアノキノジメタ
ナート、テトラメチルテトラチアフルバレン（以下、Ｔ
ＭＴＴＦと略する）塩、及びテトラメチルテトラセレナ
フルバレン（以下、ＴＭＴＳＦと略する）塩よりなる群
から選択した少なくとも１種の化合物である。
１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物は中心配位原子
Ｍの種類には制約されないが、その一例としてＭが亜鉛
（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍ
ｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓ
ｎ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化バナジウム（Ｖ
Ｏ）、鉛（Ｐｂ）及びランタニド系元素や無金属（Ｈ
2 ）である化合物等を挙げることができる。これらの
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
は、フタロニトリル、ナフタロニトリル及び金属酢酸
塩、あるいは金属塩化物塩を混合し、２２０℃以上に加
熱した後、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）に溶解させ、これをＧＰＣクロマ
トグラフィーにより分離して得ることができる。また、
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
と同時、若しくは、交互に薄膜作製する材料の具体例と
しては、従来のフタロシアニン系化合物、ナフタロシア
ニン系化合物、スチルベン系化合物、フルバレン系化合
物、アルミキノリノ錯体等の有機金属錯体、テトラシア
ノキノジメタンや芳香族アミン等の電子受容性化合物、
カルバゾール等の化合物の１種以上が挙げられる。すな
わち、例えば、一般式（化１）の化合物以外のフタロシ
アニン系化合物、テトラチアフルバレニウムテトラシア
ノキノジメタナート、ペリレンテトラシアノキノジメタ
ナート、テトラメチルテトラチアフルバレン（以下、Ｔ
ＭＴＴＦと略する）塩、及びテトラメチルテトラセレナ
フルバレン（以下、ＴＭＴＳＦと略する）塩よりなる群
から選択した少なくとも１種の化合物である。
【００１０】本発明における有機薄膜の作製方法として
は、真空蒸着法を適用するのが好適である。２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物は加熱によ
り昇華し基板表面に堆積するため、ＬＢ法で行う長鎖置
換基の導入やキャスト法で必要な溶媒探索を行うこと無
しに配向薄膜作製が可能である。また、長鎖置換基導入
による薄膜の熱的特性低下や残留溶媒による薄膜の純度
低下、結晶性低下を招くこともない。多層薄膜作製に当
っても、蒸発源を２つ以上有する真空蒸着装置を使用す
ることにより、真空中の清浄な条件下で連続して成膜で
きる。成膜時の真空度は３次非線形感受率χ(3) や導電
性等の薄膜特性に影響を与え、高い真空度で作製した場
合に特性が向上する傾向にある。薄膜作製時の真空度を
１０-8torr以下の超高真空条件とすることが好適であ
り、これより悪い真空度では特性が劣る。なお、２，
３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物は、
中心金属Ｍを適当に選択することによりＴＨＦ等の有機
溶媒に可溶となるため、キャスト法での成膜は可能であ
るが、現在のところキャスト法での配向薄膜作製例は無
い。
は、真空蒸着法を適用するのが好適である。２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物は加熱によ
り昇華し基板表面に堆積するため、ＬＢ法で行う長鎖置
換基の導入やキャスト法で必要な溶媒探索を行うこと無
しに配向薄膜作製が可能である。また、長鎖置換基導入
による薄膜の熱的特性低下や残留溶媒による薄膜の純度
低下、結晶性低下を招くこともない。多層薄膜作製に当
っても、蒸発源を２つ以上有する真空蒸着装置を使用す
ることにより、真空中の清浄な条件下で連続して成膜で
きる。成膜時の真空度は３次非線形感受率χ(3) や導電
性等の薄膜特性に影響を与え、高い真空度で作製した場
合に特性が向上する傾向にある。薄膜作製時の真空度を
１０-8torr以下の超高真空条件とすることが好適であ
り、これより悪い真空度では特性が劣る。なお、２，
３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物は、
中心金属Ｍを適当に選択することによりＴＨＦ等の有機
溶媒に可溶となるため、キャスト法での成膜は可能であ
るが、現在のところキャスト法での配向薄膜作製例は無
い。
【００１１】薄膜製造時に用いる基板としては、例え
ば、ＳｉＯ2 やＢＫ７等のガラス基板、ＫＢｒ、ＮａＣ
ｌ、サファイア、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓｉ、ＧａＡｓ
等の単結晶基板、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 等の透明電極を持つ
ガラス基板、白金、金、アルミ、マグネシウム等の金属
電極を持つ基板、ポリイミド、ポリビニルアルコール、
ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン、ポリユリア等の
高分子膜をコーティングしたガラス基板、マイカ、グラ
ファイト、ＭｏＳ2 等に加えて、これらの基板の表面を
一定方向にラビングした基板等が使用できる。
ば、ＳｉＯ2 やＢＫ７等のガラス基板、ＫＢｒ、ＮａＣ
ｌ、サファイア、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓｉ、ＧａＡｓ
等の単結晶基板、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 等の透明電極を持つ
ガラス基板、白金、金、アルミ、マグネシウム等の金属
電極を持つ基板、ポリイミド、ポリビニルアルコール、
ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン、ポリユリア等の
高分子膜をコーティングしたガラス基板、マイカ、グラ
ファイト、ＭｏＳ2 等に加えて、これらの基板の表面を
一定方向にラビングした基板等が使用できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されない。
するが、本発明はこれらに限定されない。
【００１３】実施例１ 図１に示した装置を使用する。すなわち図１は本発明で
使用する真空蒸着装置の概略図であって、符号１は真空
蒸着装置、２、３は試料を加熱して昇華させるためのＫ
−セル、４は蒸着時の基板温度を制御するためのヒータ
ーブロック、５、６はそれぞれ試料を入れるＫ−セルの
石英るつぼ、７はサファイア基板を意味する。真空蒸着
装置１内に２種類の試料を加熱して昇華させるためのＫ
−セル２、Ｋ−セル３と、蒸着時の基板温度を制御する
ためのヒーターブロック４を設置する。Ｋ−セルの石英
るつぼ５と６にそれぞれ中心金属が亜鉛の２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物（以下、Ｚ
ｎＤＢＰｃと略する）と中心金属部分が酸化チタンのフ
タロシアニンすなわちチタニルフタロシアニン（以下、
ＴｉＯＰｃと略する）を０．１ｇずつ入れる。ヒーター
ブロック４にサファイア基板７を密着させて固定し、装
置内を８×１０-10 torr以下の超高真空に保つ。ＺｎＤ
ＢＰｃは昇華開始温度が４００℃であり、蒸着源温度を
４３０℃に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速
度で熱分解なしに蒸着作業を容易に行うことができた。
この時の圧力は３×１０-9torrであった。また、ＴｉＯ
Ｐｃは、昇華開始温度が２５０℃であり、蒸着源温度を
３１０℃に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速
度で、やはり熱分解なしに蒸着作業を容易に行うことが
できた。この時の圧力は８×１０-10 torrであった。
使用する真空蒸着装置の概略図であって、符号１は真空
蒸着装置、２、３は試料を加熱して昇華させるためのＫ
−セル、４は蒸着時の基板温度を制御するためのヒータ
ーブロック、５、６はそれぞれ試料を入れるＫ−セルの
石英るつぼ、７はサファイア基板を意味する。真空蒸着
装置１内に２種類の試料を加熱して昇華させるためのＫ
−セル２、Ｋ−セル３と、蒸着時の基板温度を制御する
ためのヒーターブロック４を設置する。Ｋ−セルの石英
るつぼ５と６にそれぞれ中心金属が亜鉛の２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物（以下、Ｚ
ｎＤＢＰｃと略する）と中心金属部分が酸化チタンのフ
タロシアニンすなわちチタニルフタロシアニン（以下、
ＴｉＯＰｃと略する）を０．１ｇずつ入れる。ヒーター
ブロック４にサファイア基板７を密着させて固定し、装
置内を８×１０-10 torr以下の超高真空に保つ。ＺｎＤ
ＢＰｃは昇華開始温度が４００℃であり、蒸着源温度を
４３０℃に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速
度で熱分解なしに蒸着作業を容易に行うことができた。
この時の圧力は３×１０-9torrであった。また、ＴｉＯ
Ｐｃは、昇華開始温度が２５０℃であり、蒸着源温度を
３１０℃に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速
度で、やはり熱分解なしに蒸着作業を容易に行うことが
できた。この時の圧力は８×１０-10 torrであった。
【００１４】石英るつぼ５を４２０℃、サファイア基板
７を２００℃に設定して、ＺｎＤＢＰｃを３０分間蒸着
し、サファイア基板７の上に１５０ÅのＺｎＤＢＰｃ薄
膜を作製した。次に石英るつぼ６を３００℃、サファイ
ア基板７を１５０℃に設定して、ＴｉＯＰｃを３時間蒸
着し、ＺｎＤＢＰｃ薄膜上に８５０ÅのＴｉＯＰｃ薄膜
を作製した。この薄膜のＸ線回折パターンを図２に示
す。この図において、横軸は回折角度２θ（度）、縦軸
は回折強度（任意単位）を示す。作製した薄膜（以下、
ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯｃ薄膜と称する）は２θ＝７．２
５°、７．５１°、１４．６０°、１５．１２°、２
２．８５°に回折ピークを持つ。このうち２θ＝７．５
１°、１５．１２°、２２．８５°は既に報告されてい
るＴｉＯＰｃのフェーズ（Phase)II結晶の回折線に相当
し、ＴｉＯＰｃ薄膜による回折である〔Ｗ．ヒラー、
Ｊ．シュトレーレ、Ｖ．コーベル、Ｍ．ハナク（Ｗ．Hi
ller、Ｊ．Stra¨hle 、Ｖ．Kobel 、Ｍ．Hanack）、ツ
ァイトシュリフト フュル クリスタログラフィー
（Ｚ．Kristallogr.）、第１５９巻、第１７３頁（１９
８２）〕。それ以外の２θ＝７．２５°、１４．６０°
のピークはＺｎＤＢＰｃ薄膜による回折である。ＴｉＯ
Ｐｃ薄膜での回折線の半値幅は０．１８°（２θ＝７．
５１°）、ＺｎＤＢＰｃ薄膜では０．１５°（２θ＝
７．２５°）であるからＴｉＯＰｃ薄膜、ＺｎＤＢＰｃ
薄膜とも良好な結晶性を有していることがわかった。ま
たＴｉＯＰｃ薄膜では、結晶の（０１０）面が基板に平
行になっており、フタロシアニン環が基板に対してほぼ
直立した構造となっていることもわかった。
７を２００℃に設定して、ＺｎＤＢＰｃを３０分間蒸着
し、サファイア基板７の上に１５０ÅのＺｎＤＢＰｃ薄
膜を作製した。次に石英るつぼ６を３００℃、サファイ
ア基板７を１５０℃に設定して、ＴｉＯＰｃを３時間蒸
着し、ＺｎＤＢＰｃ薄膜上に８５０ÅのＴｉＯＰｃ薄膜
を作製した。この薄膜のＸ線回折パターンを図２に示
す。この図において、横軸は回折角度２θ（度）、縦軸
は回折強度（任意単位）を示す。作製した薄膜（以下、
ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯｃ薄膜と称する）は２θ＝７．２
５°、７．５１°、１４．６０°、１５．１２°、２
２．８５°に回折ピークを持つ。このうち２θ＝７．５
１°、１５．１２°、２２．８５°は既に報告されてい
るＴｉＯＰｃのフェーズ（Phase)II結晶の回折線に相当
し、ＴｉＯＰｃ薄膜による回折である〔Ｗ．ヒラー、
Ｊ．シュトレーレ、Ｖ．コーベル、Ｍ．ハナク（Ｗ．Hi
ller、Ｊ．Stra¨hle 、Ｖ．Kobel 、Ｍ．Hanack）、ツ
ァイトシュリフト フュル クリスタログラフィー
（Ｚ．Kristallogr.）、第１５９巻、第１７３頁（１９
８２）〕。それ以外の２θ＝７．２５°、１４．６０°
のピークはＺｎＤＢＰｃ薄膜による回折である。ＴｉＯ
Ｐｃ薄膜での回折線の半値幅は０．１８°（２θ＝７．
５１°）、ＺｎＤＢＰｃ薄膜では０．１５°（２θ＝
７．２５°）であるからＴｉＯＰｃ薄膜、ＺｎＤＢＰｃ
薄膜とも良好な結晶性を有していることがわかった。ま
たＴｉＯＰｃ薄膜では、結晶の（０１０）面が基板に平
行になっており、フタロシアニン環が基板に対してほぼ
直立した構造となっていることもわかった。
【００１５】蒸着膜の可視・近赤外領域での偏光吸収ス
ペクトルを図３に示す。図中、横軸は波長（nm）、縦軸
は吸光度（任意単位）を示す。基板に対して偏光が常に
垂直入射となるように試料を配置し、基板を面内で回転
しながらスペクトル測定を行った。図３中、実線は８６
０nmにおけるＴｉＯＰｃのＱ−バンドピークが最も強く
なくなる角度θ1 でのスペクトル、破線は最も弱くなる
角度θ2 でのスペクトルである。作製した薄膜は、５０
０〜１０００nmのＱ−バンドが著しい二色性を示してい
る。ＺｎＤＢＰｃのＱ−バンドピークが６３０nm付近で
あること、θ2−θ1 がほぼ９０°になっていること、
Ｑ−バンドがπ−π* 遷移に起因し分子面に平行な方向
に振動する光の電場だけを吸収することを合せて考える
と、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃは各々配向しており、両
者の分子面は互いにほぼ直交していることが推察され
た。また、使用した分光器のスポットサイズは５mm×５
mmであり、広い面積にわたって高い配向性を示している
ことは明らかである。蒸着時間を更に長くして、膜厚を
１μｍ以上とした場合にも、同様の結果が得られている
ことから、この薄膜を使用した導波路の作製が可能とな
った。
ペクトルを図３に示す。図中、横軸は波長（nm）、縦軸
は吸光度（任意単位）を示す。基板に対して偏光が常に
垂直入射となるように試料を配置し、基板を面内で回転
しながらスペクトル測定を行った。図３中、実線は８６
０nmにおけるＴｉＯＰｃのＱ−バンドピークが最も強く
なくなる角度θ1 でのスペクトル、破線は最も弱くなる
角度θ2 でのスペクトルである。作製した薄膜は、５０
０〜１０００nmのＱ−バンドが著しい二色性を示してい
る。ＺｎＤＢＰｃのＱ−バンドピークが６３０nm付近で
あること、θ2−θ1 がほぼ９０°になっていること、
Ｑ−バンドがπ−π* 遷移に起因し分子面に平行な方向
に振動する光の電場だけを吸収することを合せて考える
と、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃは各々配向しており、両
者の分子面は互いにほぼ直交していることが推察され
た。また、使用した分光器のスポットサイズは５mm×５
mmであり、広い面積にわたって高い配向性を示している
ことは明らかである。蒸着時間を更に長くして、膜厚を
１μｍ以上とした場合にも、同様の結果が得られている
ことから、この薄膜を使用した導波路の作製が可能とな
った。
【００１６】以上述べたようにサファイア上にＺｎＤＢ
Ｐｃを蒸着し、その上にＴｉＯＰｃを蒸着すことによ
り、配向性の高いＴｉＯＰｃ薄膜が作製可能であること
がわかった。なお基板としてＳｉＯ2 やＢＫ７等のガラ
ス、ＫＢｒ、ＮａＣｌ、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 等の単結晶
を用いた場合にも、吸収スペクトルは同様に二色性を示
したが、二色比はサファイアを用いた場合が最大であっ
た。
Ｐｃを蒸着し、その上にＴｉＯＰｃを蒸着すことによ
り、配向性の高いＴｉＯＰｃ薄膜が作製可能であること
がわかった。なお基板としてＳｉＯ2 やＢＫ７等のガラ
ス、ＫＢｒ、ＮａＣｌ、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 等の単結晶
を用いた場合にも、吸収スペクトルは同様に二色性を示
したが、二色比はサファイアを用いた場合が最大であっ
た。
【００１７】次に石英るつぼ５を４００℃、石英るつぼ
６を３００℃、サファイア基板７を１５０℃に設定し
て、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを同時に３時間蒸着し、
サファイア基板上に１０００Åの共蒸着薄膜を作製し
た。この薄膜の偏光吸収スペクトルを測定したところ、
二色性は観測されなかった。この結果から、ＴｉＯＰｃ
の高配向薄膜を作製するには、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰ
ｃの共蒸着よりも、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを別々の
薄膜層として積層した方が効果があることがわかった。
６を３００℃、サファイア基板７を１５０℃に設定し
て、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを同時に３時間蒸着し、
サファイア基板上に１０００Åの共蒸着薄膜を作製し
た。この薄膜の偏光吸収スペクトルを測定したところ、
二色性は観測されなかった。この結果から、ＴｉＯＰｃ
の高配向薄膜を作製するには、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰ
ｃの共蒸着よりも、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを別々の
薄膜層として積層した方が効果があることがわかった。
【００１８】実施例２ 実施例１で作製したＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜の三
次非線形光学効果の効率を測定した。測定方法を以下に
概説する。波長１．９μｍ、パルス幅６ns、繰り返し１
０Hz、強度２０ＭＷ／cm2 のレーザーパルス光を試料に
垂直に入射し、試料を面内で回転させながら、第三高調
波の出力を測定した。既に効率が既知の材料（ここでは
石英ガラス）を同一の観測系で測定して、χ(3) を算出
した。結果を図４に示す。図中、横軸は回転角（度）、
縦軸はχ(3) (esu) を示す。横軸は回転角０°は、便宜
的に基板の長辺の方向に取っている。χ(3) は角度θ1
で値が最も大きくなり、角度θ2 で最も小さくなる。こ
の時のθ1 、θ2 はそれぞれ実施例１の偏光スペクトル
の吸収ピークが最も強くなる角度、最も弱くなる角度に
一致している。θ1 におけるχ(3) の最大値は３．０×
１０-10 esu に達した。この値はほぼ非共鳴と見なせる
波長領域でのχ(3) の値としては極めて大きい。またサ
ファイア上に直接ＴｉＯＰｃを蒸着した場合の従来値
１．７×１０-10 esu に比べて２倍近い増大を示してい
る。このことからＺｎＤＢＰｃを薄膜層として使用する
ことにより、金属フタロシアニンの非線形光学材料とし
ての特性を大きく向上させることができることが明らか
となった。
次非線形光学効果の効率を測定した。測定方法を以下に
概説する。波長１．９μｍ、パルス幅６ns、繰り返し１
０Hz、強度２０ＭＷ／cm2 のレーザーパルス光を試料に
垂直に入射し、試料を面内で回転させながら、第三高調
波の出力を測定した。既に効率が既知の材料（ここでは
石英ガラス）を同一の観測系で測定して、χ(3) を算出
した。結果を図４に示す。図中、横軸は回転角（度）、
縦軸はχ(3) (esu) を示す。横軸は回転角０°は、便宜
的に基板の長辺の方向に取っている。χ(3) は角度θ1
で値が最も大きくなり、角度θ2 で最も小さくなる。こ
の時のθ1 、θ2 はそれぞれ実施例１の偏光スペクトル
の吸収ピークが最も強くなる角度、最も弱くなる角度に
一致している。θ1 におけるχ(3) の最大値は３．０×
１０-10 esu に達した。この値はほぼ非共鳴と見なせる
波長領域でのχ(3) の値としては極めて大きい。またサ
ファイア上に直接ＴｉＯＰｃを蒸着した場合の従来値
１．７×１０-10 esu に比べて２倍近い増大を示してい
る。このことからＺｎＤＢＰｃを薄膜層として使用する
ことにより、金属フタロシアニンの非線形光学材料とし
ての特性を大きく向上させることができることが明らか
となった。
【００１９】次に同様な方法で実施例１で作製したＺｎ
ＤＢＰｃとＴｉＯＰｃの共蒸着膜のχ(3) を測定したと
ころ、２．０×１０-10 esu という値を得た。この値は
サファイア上に直接ＴｉＯＰｃを蒸着した場合の従来値
１．７×１０-10 esu に比べると、僅かに増大してはい
るが、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを別々の層として積層
した場合の値χ(3) ＝３．０×１０-10 esu に比べると
小さい。この結果から、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを共
蒸着した場合に比べて、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを別
々の薄膜層として積層した方が、高い三次非線形光学特
性を得られることがわかった。
ＤＢＰｃとＴｉＯＰｃの共蒸着膜のχ(3) を測定したと
ころ、２．０×１０-10 esu という値を得た。この値は
サファイア上に直接ＴｉＯＰｃを蒸着した場合の従来値
１．７×１０-10 esu に比べると、僅かに増大してはい
るが、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを別々の層として積層
した場合の値χ(3) ＝３．０×１０-10 esu に比べると
小さい。この結果から、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを共
蒸着した場合に比べて、ＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃを別
々の薄膜層として積層した方が、高い三次非線形光学特
性を得られることがわかった。
【００２０】実施例３ 実施例１と同じ真空装置を使用し、蒸着時の装置内圧力
を変化させて実施例１と同じ操作を行い、サファイア基
板上、及び石英基板上にＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃの２
層薄膜を作製した。このときのχ(3) の圧力依存性を図
５に示す。図５において横軸は圧力（torr）、縦軸はχ
(3) ( １０-10 esu ）であり、斜線部分は石英では膜消
失により測定不能の部分である。χ(3) の測定条件は実
施例３と同様で、ポンプ光強度は２０ＭＷ／cm2 であ
る。蒸着時の装置内圧力を低くするとχ(3) が大きくな
る傾向があること、サファイア基板上に低装置内圧力で
蒸着した場合に最も大きな値が得られることが明らかと
なった。石英基板上に蒸着した薄膜では、装置内圧力が
高くなると光照射により薄膜が消失することから、耐レ
ーザー特性が低下する傾向にあることがわかった。以上
の結果より、ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ蒸着薄膜で大き
なχ(3) 値と良好な耐レーザー光特性を得るためには、
蒸着時の装置内圧力を１０-7torrよりも低くした方が有
利であることがわかった。このような高真空は、本発明
で使用した蒸着装置によって実現可能となったものであ
る。
を変化させて実施例１と同じ操作を行い、サファイア基
板上、及び石英基板上にＺｎＤＢＰｃとＴｉＯＰｃの２
層薄膜を作製した。このときのχ(3) の圧力依存性を図
５に示す。図５において横軸は圧力（torr）、縦軸はχ
(3) ( １０-10 esu ）であり、斜線部分は石英では膜消
失により測定不能の部分である。χ(3) の測定条件は実
施例３と同様で、ポンプ光強度は２０ＭＷ／cm2 であ
る。蒸着時の装置内圧力を低くするとχ(3) が大きくな
る傾向があること、サファイア基板上に低装置内圧力で
蒸着した場合に最も大きな値が得られることが明らかと
なった。石英基板上に蒸着した薄膜では、装置内圧力が
高くなると光照射により薄膜が消失することから、耐レ
ーザー特性が低下する傾向にあることがわかった。以上
の結果より、ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ蒸着薄膜で大き
なχ(3) 値と良好な耐レーザー光特性を得るためには、
蒸着時の装置内圧力を１０-7torrよりも低くした方が有
利であることがわかった。このような高真空は、本発明
で使用した蒸着装置によって実現可能となったものであ
る。
【００２１】実施例４ 実施例１で作製した薄膜の電気伝導度の異方性を、試料
を基板面内で回転させて４端子法で測定した。結果を図
６に示す。図中、横軸は試料の回転角（度）、縦軸は電
気伝導率（Ｓ／cm）である。横軸の回転角０°は、便宜
的に基板の長辺方向に取っている。電気伝導度は大きな
異方性を有しており、最大値は６×１０-4Ｓ／cm、最小
値は９×１０-7Ｓ／cmであった。次に表面をナイロンク
ロスで一方向にラビングしたＩＴＯ電極付ＢＫ７ガラス
を基板とし、実施例１と同様の蒸着操作を行ってＺｎＤ
ＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ配向薄膜を作製した。この上に金電
極を蒸着法で作製し、薄膜の膜厚方向の電気伝導率を測
定したところ、４×１０-2Ｓ／cmであった。以上の結果
から、ＺｎＤＢＰｃを薄膜層として使用することによ
り、ＴｉＯＰｃ薄膜は擬一次元電気伝導材料として優れ
た特性を発現することが明らかとなった。
を基板面内で回転させて４端子法で測定した。結果を図
６に示す。図中、横軸は試料の回転角（度）、縦軸は電
気伝導率（Ｓ／cm）である。横軸の回転角０°は、便宜
的に基板の長辺方向に取っている。電気伝導度は大きな
異方性を有しており、最大値は６×１０-4Ｓ／cm、最小
値は９×１０-7Ｓ／cmであった。次に表面をナイロンク
ロスで一方向にラビングしたＩＴＯ電極付ＢＫ７ガラス
を基板とし、実施例１と同様の蒸着操作を行ってＺｎＤ
ＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ配向薄膜を作製した。この上に金電
極を蒸着法で作製し、薄膜の膜厚方向の電気伝導率を測
定したところ、４×１０-2Ｓ／cmであった。以上の結果
から、ＺｎＤＢＰｃを薄膜層として使用することによ
り、ＴｉＯＰｃ薄膜は擬一次元電気伝導材料として優れ
た特性を発現することが明らかとなった。
【００２２】実施例５ 実施例１で使用した図１の装置において、Ｋ−セルの石
英るつぼ５、６にそれぞれ中心金属が銅の２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン（以下、ＣｕＤＢＰ
ｃと略する）と中心金属部分が酸化バナジウムのフタロ
シアニンすなわちバナジルフタロシアニン（以下、ＶＯ
Ｐｃと略する）を０．１ｇずつ入れる。ヒーターブロッ
ク４にサファイア基板７を密着させて固定し、装置内を
８×１０-10 torr以下の超高真空に保つ。ＣｕＤＢＰｃ
は昇華開始温度が３８０℃であり、蒸着源温度を４１０
℃に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速度で熱
分解なしに蒸着作業を容易に行うことができる。この時
の圧力は３×１０-9torrであった。また、ＶＯＰｃは、
昇華開始温度が２５０℃であり、蒸着源温度を３００℃
に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速度で、や
はり熱分解なしに蒸着作業を容易に行うことができる。
この時の圧力は２×１０-9torrであった。石英るつぼ５
を４００℃、サファイア基板７を２００℃に設定して、
ＣｕＤＢＰｃを３０分間蒸着し、サファイア基板７の上
に１５０ÅのＣｕＤＢＰｃ薄膜を作製した。次に石英る
つぼ６を２９０℃、サファイア基板７を１００℃に設定
して、ＶＯＰｃを３時間蒸着し、ＣｕＤＢＰｃ薄膜上に
８５０ÅのＶＯＰｃ薄膜を作製した。実施例２と同様に
して、この薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下でのχ
(3) を測定したところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜
と同様の異方性が観測された。χ(3) の最大値は２．３
×１０-10 esu であった。この値はＶＯＰｃを直接サフ
ァイア基板に蒸着した場合の値１．３×１０-10 esu に
比べて大幅な増大を示している。このことからＺｎＤＢ
Ｐｃと同様ＣｕＤＢＰｃを薄膜層として用いることによ
り、金属フタロシアニンの非線形光学特性を大幅に向上
させられることが明らかとなった。
英るつぼ５、６にそれぞれ中心金属が銅の２，３：１
２，１３−ジベンゾフタロシアニン（以下、ＣｕＤＢＰ
ｃと略する）と中心金属部分が酸化バナジウムのフタロ
シアニンすなわちバナジルフタロシアニン（以下、ＶＯ
Ｐｃと略する）を０．１ｇずつ入れる。ヒーターブロッ
ク４にサファイア基板７を密着させて固定し、装置内を
８×１０-10 torr以下の超高真空に保つ。ＣｕＤＢＰｃ
は昇華開始温度が３８０℃であり、蒸着源温度を４１０
℃に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速度で熱
分解なしに蒸着作業を容易に行うことができる。この時
の圧力は３×１０-9torrであった。また、ＶＯＰｃは、
昇華開始温度が２５０℃であり、蒸着源温度を３００℃
に設定することにより、約１０Å／分の蒸着速度で、や
はり熱分解なしに蒸着作業を容易に行うことができる。
この時の圧力は２×１０-9torrであった。石英るつぼ５
を４００℃、サファイア基板７を２００℃に設定して、
ＣｕＤＢＰｃを３０分間蒸着し、サファイア基板７の上
に１５０ÅのＣｕＤＢＰｃ薄膜を作製した。次に石英る
つぼ６を２９０℃、サファイア基板７を１００℃に設定
して、ＶＯＰｃを３時間蒸着し、ＣｕＤＢＰｃ薄膜上に
８５０ÅのＶＯＰｃ薄膜を作製した。実施例２と同様に
して、この薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下でのχ
(3) を測定したところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜
と同様の異方性が観測された。χ(3) の最大値は２．３
×１０-10 esu であった。この値はＶＯＰｃを直接サフ
ァイア基板に蒸着した場合の値１．３×１０-10 esu に
比べて大幅な増大を示している。このことからＺｎＤＢ
Ｐｃと同様ＣｕＤＢＰｃを薄膜層として用いることによ
り、金属フタロシアニンの非線形光学特性を大幅に向上
させられることが明らかとなった。
【００２３】実施例６ 実施例１で使用した図１の装置において、Ｋ−セルの石
英るつぼ５、６にそれぞれ中心金属がマンガンの２，
３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン（以下、Ｍｎ
ＤＢＰｃと略する）とＶＯＰｃを０．１ｇずつ入れる。
ヒーターブロック４にサファイア基板７を密着させて固
定し、装置内を８×１０-10 torr以下の超高真空に保
つ。ＭｎＤＢＰｃは昇華開始温度が３９０℃であり、蒸
着源温度を４１０℃に設定することにより、約１１Å／
分の蒸着速度で熱分解なしに蒸着作業を容易に行うこと
ができる。この時の圧力は５×１０-9torrであった。石
英るつぼ５を４００℃、サファイア基板７を２００℃に
設定して、ＭｎＤＢＰｃを３０分間蒸着し、サファイア
基板７の上に１５０ÅのＭｎＤＢＰｃ薄膜を作製した。
次に石英るつぼ６を２９０℃、サファイア基板７を１０
０℃に設定して、実施例４と同様、ＶＯＰｃを３時間蒸
着し、ＭｎＤＢＰｃ薄膜上に８５０ÅのＶＯＰｃ薄膜を
作製した。実施例２と同様にしてこの薄膜のほぼ非共鳴
と見なせる条件下でのχ(3) を測定したところ、ＺｎＤ
ＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜と同様の異方性が観測された。
χ(3) の最大値は２．０×１０-10 esu であった。この
値はＶＯＰｃを直接サファイア基板に蒸着した場合の値
１．３×１０-10 esu に比べて増大している。このこと
からＺｎＤＢＰｃと同様ＭｎＤＢＰｃを薄膜層として用
いることにより、金属フタロシアニンの非線形光学特性
を大幅に向上させられることが明らかとなった。なお、
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
でＭがＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｈ2 であるものをサフ
ァイア基板の上に蒸着し、その上に金属フタロシアニン
を蒸着した場合にも、金属フタロシアニンは高配向し、
優れた非線形光学特性を示すことが確認された。
英るつぼ５、６にそれぞれ中心金属がマンガンの２，
３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン（以下、Ｍｎ
ＤＢＰｃと略する）とＶＯＰｃを０．１ｇずつ入れる。
ヒーターブロック４にサファイア基板７を密着させて固
定し、装置内を８×１０-10 torr以下の超高真空に保
つ。ＭｎＤＢＰｃは昇華開始温度が３９０℃であり、蒸
着源温度を４１０℃に設定することにより、約１１Å／
分の蒸着速度で熱分解なしに蒸着作業を容易に行うこと
ができる。この時の圧力は５×１０-9torrであった。石
英るつぼ５を４００℃、サファイア基板７を２００℃に
設定して、ＭｎＤＢＰｃを３０分間蒸着し、サファイア
基板７の上に１５０ÅのＭｎＤＢＰｃ薄膜を作製した。
次に石英るつぼ６を２９０℃、サファイア基板７を１０
０℃に設定して、実施例４と同様、ＶＯＰｃを３時間蒸
着し、ＭｎＤＢＰｃ薄膜上に８５０ÅのＶＯＰｃ薄膜を
作製した。実施例２と同様にしてこの薄膜のほぼ非共鳴
と見なせる条件下でのχ(3) を測定したところ、ＺｎＤ
ＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜と同様の異方性が観測された。
χ(3) の最大値は２．０×１０-10 esu であった。この
値はＶＯＰｃを直接サファイア基板に蒸着した場合の値
１．３×１０-10 esu に比べて増大している。このこと
からＺｎＤＢＰｃと同様ＭｎＤＢＰｃを薄膜層として用
いることにより、金属フタロシアニンの非線形光学特性
を大幅に向上させられることが明らかとなった。なお、
２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン系化合物
でＭがＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｈ2 であるものをサフ
ァイア基板の上に蒸着し、その上に金属フタロシアニン
を蒸着した場合にも、金属フタロシアニンは高配向し、
優れた非線形光学特性を示すことが確認された。
【００２４】実施例７ 実施例１で使用した図１の装置において、Ｋ−セルの石
英るつぼ５、６にそれぞれＺｎＤＢＰｃとテトラチオフ
ルバレニウムテトラシアノキノジメタナート（以下、Ｔ
ＴＦ−ＴＣＮＱと略する）を０．１ｇずつ入れる。ヒー
ターブロック４にサファイア基板７を密着させて固定
し、装置内を８×１０-10 torr以下の超高真空に保つ。
石英るつぼ５を４２０℃、サファイア基板７を２００℃
に設定して、ＺｎＤＢＰｃを３０分間蒸着し、サファイ
ア基板７の上に１５０ÅのＺｎＤＢＰｃ薄膜を作製し
た。次に石英るつぼ６を８０℃、基板７を室温に保って
ＴＴＦ−ＴＣＮＱを６時間蒸着し、ＺｎＤＢＰｃ薄膜上
に１５００ÅのＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄膜を作製した。蒸着
膜の可視・近赤外領域の偏光吸収スペクトルを測定した
結果、この薄膜は８００／１０００nmの電荷移動吸収バ
ンドが、二色比２以上の二色性を示した。また、使用し
た分光器のスポットサイズは５mm×５mmであり、広い面
積にわたって高い配向性を示していることは明らかであ
る。蒸着時間を更に長くして、膜厚を１μｍ以上とした
場合にも、同様の結果が得られている。サファイア上に
ＺｎＤＢＰｃ層を作製し、その上にＴＴＦ−ＴＣＮＱを
蒸着することにより、配向性の高いＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄
膜が作製可能であることがわかった。また実施例２と同
様にして、この薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下での
χ(3) を測定したところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄
膜と同様の異方性が観測された。χ(3) の最大値は２．
０×１０-11 esu であった。一方ＴＴＦ−ＴＣＮＱをア
ルカリハライドやサファイアに直接蒸着した場合の薄膜
は無配向若しくは二方向以上の配向方向を有することが
既に確かめられている。またこれらの薄膜はレーザー耐
性に乏しく、χ(3) は測定できなかった。以上の結果か
らＺｎＤＢＰｃ薄膜層を用いることによりＴＴＦ−ＴＣ
ＮＱの配向性、レーザー耐性が向上し、非線形光学特性
も増大していることがわかる。
英るつぼ５、６にそれぞれＺｎＤＢＰｃとテトラチオフ
ルバレニウムテトラシアノキノジメタナート（以下、Ｔ
ＴＦ−ＴＣＮＱと略する）を０．１ｇずつ入れる。ヒー
ターブロック４にサファイア基板７を密着させて固定
し、装置内を８×１０-10 torr以下の超高真空に保つ。
石英るつぼ５を４２０℃、サファイア基板７を２００℃
に設定して、ＺｎＤＢＰｃを３０分間蒸着し、サファイ
ア基板７の上に１５０ÅのＺｎＤＢＰｃ薄膜を作製し
た。次に石英るつぼ６を８０℃、基板７を室温に保って
ＴＴＦ−ＴＣＮＱを６時間蒸着し、ＺｎＤＢＰｃ薄膜上
に１５００ÅのＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄膜を作製した。蒸着
膜の可視・近赤外領域の偏光吸収スペクトルを測定した
結果、この薄膜は８００／１０００nmの電荷移動吸収バ
ンドが、二色比２以上の二色性を示した。また、使用し
た分光器のスポットサイズは５mm×５mmであり、広い面
積にわたって高い配向性を示していることは明らかであ
る。蒸着時間を更に長くして、膜厚を１μｍ以上とした
場合にも、同様の結果が得られている。サファイア上に
ＺｎＤＢＰｃ層を作製し、その上にＴＴＦ−ＴＣＮＱを
蒸着することにより、配向性の高いＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄
膜が作製可能であることがわかった。また実施例２と同
様にして、この薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下での
χ(3) を測定したところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄
膜と同様の異方性が観測された。χ(3) の最大値は２．
０×１０-11 esu であった。一方ＴＴＦ−ＴＣＮＱをア
ルカリハライドやサファイアに直接蒸着した場合の薄膜
は無配向若しくは二方向以上の配向方向を有することが
既に確かめられている。またこれらの薄膜はレーザー耐
性に乏しく、χ(3) は測定できなかった。以上の結果か
らＺｎＤＢＰｃ薄膜層を用いることによりＴＴＦ−ＴＣ
ＮＱの配向性、レーザー耐性が向上し、非線形光学特性
も増大していることがわかる。
【００２５】実施例８ 実施例７で作製した薄膜の電気伝導度の異方性を、実施
例４と同様な方法で測定した。電気伝導度は大きな異方
性を有しており、最大値は５０Ｓ／cm、最小値は０．２
Ｓ／cmであった。次に表面をナイロンクロスで一方向に
ラビングしたＩＴＯ電極付ＢＫ７ガラスを基板とし、実
施例１と同様の蒸着操作を行ってＺｎＤＢＰｃ／ＴＴＦ
−ＴＣＮＱ配向薄膜を作製した。この上に金電極を蒸着
法で作製し、薄膜の膜厚方向の電気伝導度を測定したと
ころ、その最大値は１．６Ｓ／cmであった。以上の結果
から、ＺｎＤＢＰｃを薄膜層として使用することによ
り、ＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄膜は擬一次元電気伝導材料とし
て優れた特性を発現することが明らかとなった。
例４と同様な方法で測定した。電気伝導度は大きな異方
性を有しており、最大値は５０Ｓ／cm、最小値は０．２
Ｓ／cmであった。次に表面をナイロンクロスで一方向に
ラビングしたＩＴＯ電極付ＢＫ７ガラスを基板とし、実
施例１と同様の蒸着操作を行ってＺｎＤＢＰｃ／ＴＴＦ
−ＴＣＮＱ配向薄膜を作製した。この上に金電極を蒸着
法で作製し、薄膜の膜厚方向の電気伝導度を測定したと
ころ、その最大値は１．６Ｓ／cmであった。以上の結果
から、ＺｎＤＢＰｃを薄膜層として使用することによ
り、ＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄膜は擬一次元電気伝導材料とし
て優れた特性を発現することが明らかとなった。
【００２６】実施例９ 実施例１で使用した図１の装置において、Ｋ−セルの石
英るつぼ５、６にそれぞれＣｕＤＢＰｃとＴＴＦ−ＴＣ
ＮＱを０．１ｇずつ入れる。ヒーターブロック４にサフ
ァイア基板７を密着させて固定し、装置内を８×１０
-10 torr以下の超高真空に保つ。石英るつぼ５を４００
℃、サファイア基板７を２００℃に設定して、ＣｕＤＢ
Ｐｃを３０分間蒸着し、サファイア基板７の上に１５０
ÅのＣｕＤＢＰｃ薄膜を作製した。次に石英るつぼ６を
８０℃、基板７を室温に保ってＴＴＦ−ＴＣＮＱを６時
間蒸着し、ＣｕＤＢＰｃ薄膜上に１５００ÅのＴＴＦ−
ＴＣＮＱ薄膜を作製した。実施例２と同様にして、この
薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下でのχ(3) を測定し
たところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄膜と同様
の異方性が観測された。χ(3) の最大値は１．２×１０
-11 esu であった。また実施例４と同様にして薄膜の電
気伝導度を測定したところ、最大値３２Ｓ／cm、最小値
は０．８Ｓ／cmであり、大きな異方性を有することがわ
かった。これらの結果から、ＺｎＤＢＰｃと同様ＣｕＤ
ＢＰｃを用いても、ＴＴＦ−ＴＣＮＱの非線形光学特性
及び擬一次元電導材料としての特性を大幅に向上させる
ことができることがわかった。
英るつぼ５、６にそれぞれＣｕＤＢＰｃとＴＴＦ−ＴＣ
ＮＱを０．１ｇずつ入れる。ヒーターブロック４にサフ
ァイア基板７を密着させて固定し、装置内を８×１０
-10 torr以下の超高真空に保つ。石英るつぼ５を４００
℃、サファイア基板７を２００℃に設定して、ＣｕＤＢ
Ｐｃを３０分間蒸着し、サファイア基板７の上に１５０
ÅのＣｕＤＢＰｃ薄膜を作製した。次に石英るつぼ６を
８０℃、基板７を室温に保ってＴＴＦ−ＴＣＮＱを６時
間蒸着し、ＣｕＤＢＰｃ薄膜上に１５００ÅのＴＴＦ−
ＴＣＮＱ薄膜を作製した。実施例２と同様にして、この
薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下でのχ(3) を測定し
たところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄膜と同様
の異方性が観測された。χ(3) の最大値は１．２×１０
-11 esu であった。また実施例４と同様にして薄膜の電
気伝導度を測定したところ、最大値３２Ｓ／cm、最小値
は０．８Ｓ／cmであり、大きな異方性を有することがわ
かった。これらの結果から、ＺｎＤＢＰｃと同様ＣｕＤ
ＢＰｃを用いても、ＴＴＦ−ＴＣＮＱの非線形光学特性
及び擬一次元電導材料としての特性を大幅に向上させる
ことができることがわかった。
【００２７】実施例１０ 実施例１で使用した図１の装置において、Ｋ−セルの石
英るつぼ５、６にそれぞれＺｎＤＢＰｃとペリレン−Ｔ
ＣＮＱを０．１ｇずつ入れる。ヒーターブロック４にサ
ファイア基板７を密着させて固定し、装置内を８×１０
-10 torr以下の超高真空に保つ。石英るつぼ５を４２０
℃、サファイア基板７を２００℃に設定して、ＺｎＤＢ
Ｐｃを３０分間蒸着し、サファイア基板７の上に１５０
ÅのＺｎＤＢＰｃ薄膜を作製した。次に石英るつぼ６を
１００℃、基板７を室温に保ってペリレン−ＴＣＮＱを
５時間蒸着し、ＺｎＤＢＰｃ薄膜上に１５００Åのペリ
レン−ＴＣＮＱ薄膜を作製した。実施例２と同様にし
て、この薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下でのχ(3)
を測定したところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄
膜と同様の異方性が観測された。χ(3) の最大値は１．
２×１０-11 esu であった。また実施例４と同様にして
薄膜の電気伝導度を測定したところ、最大値は２×１０
-2Ｓ／cm、最小値は７×１０-4Ｓ／cmであり、大きな異
方性を有することがわかった。以上の結果から、ＴＴＦ
−ＴＣＮＱと同様ペリレン−ＴＣＮＱも、ＺｎＤＢＰｃ
薄膜上に蒸着することによって配向させることができ、
またそれによって非線形光学特性及び擬一次元電導材料
としての特性を大幅に向上させることができることがわ
かった。
英るつぼ５、６にそれぞれＺｎＤＢＰｃとペリレン−Ｔ
ＣＮＱを０．１ｇずつ入れる。ヒーターブロック４にサ
ファイア基板７を密着させて固定し、装置内を８×１０
-10 torr以下の超高真空に保つ。石英るつぼ５を４２０
℃、サファイア基板７を２００℃に設定して、ＺｎＤＢ
Ｐｃを３０分間蒸着し、サファイア基板７の上に１５０
ÅのＺｎＤＢＰｃ薄膜を作製した。次に石英るつぼ６を
１００℃、基板７を室温に保ってペリレン−ＴＣＮＱを
５時間蒸着し、ＺｎＤＢＰｃ薄膜上に１５００Åのペリ
レン−ＴＣＮＱ薄膜を作製した。実施例２と同様にし
て、この薄膜のほぼ非共鳴と見なせる条件下でのχ(3)
を測定したところ、ＺｎＤＢＰｃ／ＴＴＦ−ＴＣＮＱ薄
膜と同様の異方性が観測された。χ(3) の最大値は１．
２×１０-11 esu であった。また実施例４と同様にして
薄膜の電気伝導度を測定したところ、最大値は２×１０
-2Ｓ／cm、最小値は７×１０-4Ｓ／cmであり、大きな異
方性を有することがわかった。以上の結果から、ＴＴＦ
−ＴＣＮＱと同様ペリレン−ＴＣＮＱも、ＺｎＤＢＰｃ
薄膜上に蒸着することによって配向させることができ、
またそれによって非線形光学特性及び擬一次元電導材料
としての特性を大幅に向上させることができることがわ
かった。
【００２８】なお他の電荷移動錯体例えば、ＴＭＴＴＦ
塩やＴＭＴＳＦ塩等においても、同様の特性の向上が見
られることが確認された。また、２，３：１２，１３−
ジベンゾフタロシアニン系化合物から成る薄膜層上に例
えばフタロシアニン化合物とＴＴＦ−ＴＣＮＱ等、複数
の化合物の共蒸着を行った場合においても、同様の特性
の向上が見られることが確認された。
塩やＴＭＴＳＦ塩等においても、同様の特性の向上が見
られることが確認された。また、２，３：１２，１３−
ジベンゾフタロシアニン系化合物から成る薄膜層上に例
えばフタロシアニン化合物とＴＴＦ−ＴＣＮＱ等、複数
の化合物の共蒸着を行った場合においても、同様の特性
の向上が見られることが確認された。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配向性に優れる有機薄膜とその製造法を提供できること
は明らかである。その結果、その優れた非線形光学特性
を利用した、光スイッチをはじめとする光エレクトロニ
クス用デバイスの作製が可能となる。また、一次元電気
伝導性を利用した有機エレクトロニクスデバイス用材
料、電子写真感光体の電荷発生材料として使用するのに
好適な有機薄膜が提供できる。
配向性に優れる有機薄膜とその製造法を提供できること
は明らかである。その結果、その優れた非線形光学特性
を利用した、光スイッチをはじめとする光エレクトロニ
クス用デバイスの作製が可能となる。また、一次元電気
伝導性を利用した有機エレクトロニクスデバイス用材
料、電子写真感光体の電荷発生材料として使用するのに
好適な有機薄膜が提供できる。
【図１】本発明で使用する真空蒸着装置の概略図であ
る。
る。
【図２】ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜のＸ線回折パタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図３】ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜の可視・近赤外
波長領域での偏光吸収スペクトルを示す図である。
波長領域での偏光吸収スペクトルを示す図である。
【図４】ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜のχ(3) の異方
性を示す図である。
性を示す図である。
【図５】サファイア基板上、及び石英基板上にＺｎＤＢ
Ｐｃ薄膜を蒸着した場合の、蒸着時の装置内圧力と薄膜
のχ(3) の関係を示す図である。
Ｐｃ薄膜を蒸着した場合の、蒸着時の装置内圧力と薄膜
のχ(3) の関係を示す図である。
【図６】ＺｎＤＢＰｃ／ＴｉＯＰｃ薄膜の電気伝導度の
異方性を示す図である。
異方性を示す図である。
１：真空蒸着装置、２、３：試料を加熱して昇華させる
ためのＫ−セル、４：蒸着時の基板温度を制御するため
のヒーターブロック、５、６：Ｋ−セルの石英るつぼ、
７：サファイア基板
ためのＫ−セル、４：蒸着時の基板温度を制御するため
のヒーターブロック、５、６：Ｋ−セルの石英るつぼ、
７：サファイア基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/06 ３７０ 9221−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/203 8122−4Ｍ 51/00 (72)発明者 神原 浩久 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 籏野 昌弘 宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号 東北大学反応化学研究所内 (72)発明者 小波 秀雄 宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号 東北大学反応化学研究所内 (72)発明者 白鳥 裕一 宮城県仙台市青葉区中央３丁目３番３号 三丸製薬合資会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ２層以上の多層構造を有する有機薄膜に
おいて、少なくとも１層が、下記一般式（化１）： 【化１】 （式中Ｍは金属、酸化金属、又はＨ2 を示す）で表され
る構造の２，３：１２，１３−ジベンゾフタロシアニン
系化合物を含有する薄膜層であることを特徴とする有機
薄膜。 - 【請求項２】 請求項１に記載の有機薄膜において、他
の少なくとも１層が、その他のフタロシアニン系化合
物、テトラチアフルバレニウムテトラシアノキノジメタ
ナート、ペリレンテトラシアノキノジメタナート、テト
ラメチルテトラチアフルバレン塩、及びテトラメチルテ
トラセレナフルバレン塩よりなる群から選択した少なく
とも１種の化合物を含有する薄膜層であることを特徴と
する有機薄膜。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の有機薄膜を、真
空蒸着法により形成することを特徴とする有機薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054768A JPH077019A (ja) | 1993-03-12 | 1994-03-02 | 有機薄膜及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-77451 | 1993-03-12 | ||
| JP7745193 | 1993-03-12 | ||
| JP6054768A JPH077019A (ja) | 1993-03-12 | 1994-03-02 | 有機薄膜及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077019A true JPH077019A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=26395581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6054768A Pending JPH077019A (ja) | 1993-03-12 | 1994-03-02 | 有機薄膜及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076391A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | 有機半導体薄膜太陽電池 |
| JPWO2022045235A1 (ja) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 |
-
1994
- 1994-03-02 JP JP6054768A patent/JPH077019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076391A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | 有機半導体薄膜太陽電池 |
| JPWO2022045235A1 (ja) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5654367A (en) | Organic polymer and preparation and use thereof | |
| McKeown | Phthalocyanine materials: synthesis, structure and function | |
| Chau et al. | Visible absorption and photocurrent spectra of epitaxially deposited phthalocyanine thin films: Interpretation of exciton coupling effects | |
| Eichhorn | Mesomorphic phthalocyanines, tetraazaporphyrins, porphyrins and triphenylenes as charge‐transporting materials | |
| EP1736476A1 (en) | Novel compound and organic electronic device using such compound | |
| Schlettwein et al. | Molecular interactions in thin films of hexadecafluorophthalocyaninatozinc (F16PcZn) as compared to islands of N, N ‘-dimethylperylene-3, 4, 9, 10-biscarboximide (MePTCDI) | |
| Basova et al. | Optical spectroscopy and XRD study of molecular orientation, polymorphism, and phase transitions in fluorinated vanadyl phthalocyanine thin films | |
| Tokuhisa et al. | Novel liquid crystalline oxadiazole with high electron mobility | |
| US6307147B1 (en) | Organic dyes for photovoltaic cells and for photoconductive electrophotography systems | |
| Abuelwafa et al. | Studying the linear and nonlinear optical properties of trifluoroethoxy-coated zinc phthalocyanine ((4TFEO) 4-ZnPc) thin films | |
| Nekelson et al. | Liquid crystalline and charge transport properties of double-decker cerium phthalocyanine complexes | |
| Saito et al. | Thermochromism of specific crystal form oxotitanium phthalocyanines studied by electroabsorption and X-ray diffraction measurements | |
| Zharnikova et al. | Synthesis, mesomorphism and electrochemical properties of tetrasubstituted zinc and copper phthalocyanines | |
| Yanagi et al. | Epitaxial growth of naphthalocyanine thin films vacuum deposited on alkali halides | |
| Nanai et al. | Structures of vanadyl phthalocyanine in bilayers of vanadyl phthalocyanine and perylenetetracarboxylic dianhydride | |
| JPH077019A (ja) | 有機薄膜及びその製造法 | |
| Eichhorn et al. | Metal ion mediated mesomorphism and thin film behaviour of amphitropic tetraazaporphyrin complexes | |
| Santerre et al. | Highly photoactive molecular semiconductors: Determination of the essential parameters that lead to an improved photoactivity for modified chloroaluminum phthalocyanine thin films | |
| Basova et al. | Investigation of liquid-crystalline behaviour of copper octakisalkylthiophthalocyanine and its film properties | |
| Qashou et al. | Structural, optical and dielectric properties of n-type organic N, N′-dimethyl-3, 4, 9, 10-perylenedicarboximide thin films: effects of annealing | |
| Ioannidis et al. | Hole Mobilities in Trivalent Metal Phthalocyanine Thin Films. 2. Anomalous Mobility Temperature Dependence in the Low-Temperature Region 213− 93 K for Chloroaluminum, Chlorogallium, and Chloroindium Phthalocyanine Thin Films | |
| JP2000345321A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP5219386B2 (ja) | 新規ディスコティック液晶性化合物 | |
| Böttcher et al. | Fabrication of evaporated dye films and their application | |
| Chau et al. | Organic/Inorganic Molecular Beam Epitaxy (O/I-MBE): Formation and Characterization of Ordered Phthalocyanine Thin Films–Photoelectrochemical Processes |