JPH0770361A - Antistatic agent - Google Patents

Antistatic agent

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JPH0770361A
JPH0770361A JP24354793A JP24354793A JPH0770361A JP H0770361 A JPH0770361 A JP H0770361A JP 24354793 A JP24354793 A JP 24354793A JP 24354793 A JP24354793 A JP 24354793A JP H0770361 A JPH0770361 A JP H0770361A
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antistatic agent
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sulfonate
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征爾 志村
Kaoru Takeuchi
馨 竹内
Yasuko Funabashi
康子 舩橋
Toshio Iijima
敏夫 飯島
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Abstract

(57)【要約】 【目的】優れた帯電防止能を有する帯電防止剤を提供す
る。 【構成】化1で表されるビスホスホニウムビススルホネ
ート化合物を有効成分とすることを特徴とする帯電防止
剤。 【化1】
(57) [Summary] [Object] To provide an antistatic agent having an excellent antistatic ability. An antistatic agent comprising a bisphosphonium bissulfonate compound represented by Chemical formula 1 as an active ingredient. [Chemical 1]

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は帯電防止剤に関し、更に
詳しくはビスホスホニウムビススルホネート化合物を有
効成分とすることを特徴とする帯電防止剤に関するもの
である。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an antistatic agent, and more particularly to an antistatic agent containing a bisphosphonium bissulfonate compound as an active ingredient.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、静電気障害を防止する方法はいろ
いろ提案されているが、多くの場合、帯電防止剤の使用
によって解決が図られている。帯電防止剤は、その使用
方法によって、外部用帯電防止剤と内部用帯電防止剤に
大別される。外部用帯電防止剤は、外部から吹き付け、
浸漬、塗布などの手段によって使用されるもので、ほと
んどが水溶性の界面活性剤である。このため経日、洗浄
などによって簡単に帯電防止効果がなくなるといった欠
点ある。
2. Description of the Related Art In recent years, various methods for preventing electrostatic damage have been proposed, but in many cases, the use of an antistatic agent has solved the problem. Antistatic agents are broadly classified into external antistatic agents and internal antistatic agents depending on the method of use. External antistatic agent is sprayed from the outside,
It is used by means such as dipping or coating, and most of them are water-soluble surfactants. For this reason, there is a drawback in that the antistatic effect is easily lost by aging, washing, or the like.

【0003】内部用帯電防止剤は、高分子材料中に添加
剤を加えることによって使用されるものであるが、添加
する材料としては界面活性剤を使用する方法と導電性微
粒子を添加する方法とがある。導電性微粒子としては金
属粉やカ−ボン等が使用されているが、これら微粒子を
均一に高分子材料中に分散させ導電性を得るにはかなり
の量を添加する必要があり、高分子材料の物性が変化す
る恐れや透明なものが得にくい等の欠点がある。それに
対して、帯電防止剤として用いられる界面活性剤は、ア
ニオン系、カチオン系、非イオン系がある。その分子中
に親水性部分と新油性部分が共存しているため、ある物
質の内部に添加しても界面に浸出して出てくるという利
点があり、多くの種類の中から適宜選択され、広く応用
されている。
The internal antistatic agent is used by adding an additive to a polymer material. As a material to be added, a method of using a surfactant and a method of adding conductive fine particles are used. There is. Although metal powder, carbon, etc. are used as the conductive fine particles, it is necessary to add a considerable amount in order to uniformly disperse these fine particles in the polymer material and obtain conductivity. However, there are drawbacks such as the possibility of changes in physical properties and difficulty in obtaining a transparent product. On the other hand, surfactants used as antistatic agents include anionic, cationic and nonionic surfactants. Since the hydrophilic part and the lipophilic part coexist in the molecule, there is an advantage that even if it is added to the inside of a certain substance, it leaches out at the interface, and it is appropriately selected from many types. Widely applied.

【0004】しかしながら、アニオン系界面活性剤は、
相溶性が悪く、均一分散が難しいことや加熱時に分解劣
化を生じたりする。また、第4級アンモニウム基を有す
るカチン系界面活性剤は、帯電防止性には優れているが
耐熱性が非常に悪く、極く限定された範囲でしか使用で
きない。さらに非イオン性界面活性剤は、すぐれた帯電
防止性があるが、高分子材料への相溶性熱安定性の低下
などの問題がある。
However, the anionic surfactant is
The compatibility is poor, and it is difficult to disperse uniformly, and decomposition and deterioration occur when heated. Further, the catechin-based surfactant having a quaternary ammonium group is excellent in antistatic property but has very poor heat resistance and can be used only in a very limited range. Further, the nonionic surfactant has excellent antistatic property, but has a problem such as deterioration of compatibility thermal stability with a polymer material.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記事
実に鑑み、優れた帯電防止性と高い耐熱性を有した帯電
防止剤を得るべく鋭意研究を行った結果、ビスホスホニ
ウムビススルホネート化合物を有効成分とする帯電防止
剤が優れた帯電防止性を示すという事実を見いだし、本
発明を完成するに至った。
In view of the above facts, the present inventors have conducted earnest studies to obtain an antistatic agent having excellent antistatic property and high heat resistance, and as a result, the bisphosphonium bissulfonate compound was obtained. The fact that an antistatic agent containing as an active ingredient exhibits excellent antistatic properties was found, and the present invention was completed.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明が提供
しようとする帯電防止剤は、下記の一般式(1)
That is, the antistatic agent to be provided by the present invention is represented by the following general formula (1):

【0007】[0007]

【化4】 [式中、R1 〜R6 は水素原子、炭素原子数1〜18の
直鎖状または分岐状のアルキル基、アリール基又はアラ
ルキル基を示し、アルキル基,アリール基およびアラル
キル基はヒドロキシ基またはアルコキシ基で置換されて
いてもよい。Yは炭素原子数1〜6の直鎖状または分岐
状のアルキレン基、置換または未置換のアリレン基を示
し、R7 は炭素原子数1〜40の直鎖状または分岐状の
アルキル基あるいは一般式(2)
[Chemical 4] [Wherein R 1 to R 6 represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group, and the alkyl group, the aryl group and the aralkyl group are a hydroxy group or It may be substituted with an alkoxy group. Y represents a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylene group, and R 7 is a linear or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or a general Formula (2)

【化5】 (式中、R8 は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキ
ル基を示す)あるいは一般式(3)
[Chemical 5] (In the formula, R 8 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) or the general formula (3).

【化6】 (式中、R8 は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキ
ル基を示す)を示す。]で表されるビスホスホニウムビ
ススルホネート化合物を有効成分とすることを構成上の
特徴とするものである。
[Chemical 6] (In the formula, R 8 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). ] It is a structural feature that the bisphosphonium bissulfonate compound represented by the following is used as an active ingredient.

【0008】以下、本発明をさらに詳細に説明をする。
本発明に係るビス(ホスホニウムスルホニウム)塩化合
物は、その分子内の主鎖に2ケの有機ホスホニウムカチ
オン(以下、「ホスホニウムカチオン」という)を有
し、またその対イオンとして2ケの有機スルホネートア
ニオン(以下、「スルホネートアニオン」という)を有
する下記の一般式(1)で示されるが、
The present invention will be described in more detail below.
The bis (phosphonium sulfonium) salt compound according to the present invention has two organic phosphonium cations (hereinafter, referred to as “phosphonium cations”) in its main chain in the molecule, and two organic sulfonate anions as its counter ion. Represented by the following general formula (1) having (hereinafter referred to as “sulfonate anion”),

【0009】[0009]

【化7】 [Chemical 7]

【0010】その式中、R1 〜R6 の具体例としては、
水素原子;メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ドデシル基、イソプロピル基等の炭素原子数1〜1
8の直鎖状または分岐状のアルキル基;フェニル基、ト
リル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フェ
ニチル基等のアラルキル基;前記アルキル基、アリール
基およびアラルキル基はヒドロキシ基またはアルコキシ
基で置換されているものでもよい;等が挙げられる。そ
れらの中でも好ましくは、アルキル基、アリール基、ア
ラルキル基であり、更に好ましくは、アルキル基、アリ
ール基である。また、R1 、R2 およびR3は、同一の
基でも又は異なっている基であってもよい。
In the formula, specific examples of R 1 to R 6 are:
Hydrogen atom; C1 to C1 such as methyl, ethyl, butyl, propyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, dodecyl and isopropyl groups
8 a linear or branched alkyl group; an aryl group such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group; an aralkyl group such as a benzyl group, a phenylyl group; the alkyl group, the aryl group and the aralkyl group are a hydroxy group or an alkoxy group. May be substituted with; and the like. Of these, an alkyl group, an aryl group and an aralkyl group are preferable, and an alkyl group and an aryl group are more preferable. Further, R 1 , R 2 and R 3 may be the same group or different groups.

【0011】Yは、メチレン基、エチレン基、トリメチ
レン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、エチル
エチレン基等の直鎖状または分岐状のアルキレン基;フ
ェニレン基、2,3-ジメチルフェニレン基、2,5-ジメチル
フェニレン基、p−キシリレン基、m−キシリレン基等
の置換または未置換のアリレン基が挙げられる。
Y is a linear or branched alkylene group such as methylene group, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, ethylethylene group; phenylene group, 2,3-dimethylphenylene group, 2 Examples thereof include substituted or unsubstituted arylene groups such as a 5,5-dimethylphenylene group, p-xylylene group, and m-xylylene group.

【0012】R7 は水素原子;メチル基、エチル基、ブ
チル基、プロピル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ドデシル基、イソプロピル基、ヘキ
サデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、ペンタエ
イコシル基等の炭素原子数1〜40の直鎖状または分岐
状のアルキル基;一般式(2)または一般式(3)のR
8 が水素原子;メチル基、エチル基、ブチル基、プロピ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ドデシル基、イソプロピル基、ヘキサデシル基、オ
クタデシル基等の炭素原子数1〜20の直鎖状または分
岐状のアルキル基であるアルキルフェニル基およびアル
キルナフチル基等が挙げられる。
R 7 is a hydrogen atom; methyl group, ethyl group, butyl group, propyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, dodecyl group, isopropyl group, hexadecyl group, octadecyl group, eicosyl group, pentaeico group. A linear or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms such as a sil group; R in the general formula (2) or the general formula (3)
8 is a hydrogen atom; a straight chain having 1 to 20 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, butyl group, propyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, dodecyl group, isopropyl group, hexadecyl group and octadecyl group. Examples thereof include an alkylphenyl group and an alkylnaphthyl group which are chain-like or branched alkyl groups.

【0013】次に、一般式(1)で示されるビスホスホ
ニウムビススルホネートにおいて、ホスホニウムカチオ
ンにつき、 更に具体的に示すと、エチレンビストリエチ
ルホスホニウム、エチレンビストリn−ブチルホスホニ
ウム、エチレンビストリn−ヘキシルホスホニウム、エ
チレンビストリn−オクチルホスホニウム、エチレンビ
ストリn−デシルホスホニウム、エチレンビストリn−
ドデシルホスホニウム、エチレンビストリn−ヘキサデ
シルホスホニウム、エチレンビストリn−オクタデシル
ホスホニウム、エチレンビスオクタデシルジエチルホス
ホニウム、エチレンビストリ(2−シアノエチル)ホス
ホニウム、エチレンビストリ(3−ヒドロキシプロピ
ル)ホスホニウム、エチレンビストリベンジルホスホニ
ウム、エチレンビストリフェニルホスホニウム、エチレ
ンビストリクレジルホスホニウム等が挙げられ、また上
記エチレン基をメチレン基、トリメチレン基、テトラメ
チレン基、ペンタメチレン基、エチルエチレン基、フェ
ニレン基、2,3-ジメチルフェニレン基、2,5-ジメチルフ
ェニレン基、p−キシリレン基、m−キシリレン基等に
置き換えたビスホスホニウムカチオンが挙げられる。
Next, in the bisphosphonium bissulfonate represented by the general formula (1), the phosphonium cations will be described more specifically. Ethylenebistriethylphosphonium, ethylenebistrin-butylphosphonium, ethylenebistrin-hexylphosphonium, Ethylenebistrin-octylphosphonium, ethylenebistrin-decylphosphonium, ethylenebistrin-
Dodecylphosphonium, ethylenebistrin-hexadecylphosphonium, ethylenebistrin-octadecylphosphonium, ethylenebisoctadecyldiethylphosphonium, ethylenebistri (2-cyanoethyl) phosphonium, ethylenebistri (3-hydroxypropyl) phosphonium, ethylenebistribenzylphosphonium, ethylenebistriphosphonium Phenylphosphonium, ethylene bistricresyl phosphonium and the like, the ethylene group is also a methylene group, trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, ethylethylene group, phenylene group, 2,3-dimethylphenylene group, 2,5 -A bisphosphonium cation substituted with a dimethylphenylene group, a p-xylylene group, an m-xylylene group, or the like.

【0014】また、スルホネ−トアニオンとしては、例
えばオクチルスルホネート、デシルスルホネート、ドデ
シルスルホネート、テトラデシルスルホネート、ヘキサ
デシルスルホネート、オクタデシルスルホネート、エイ
コシルスルホネート、ドコシルスルホネート等のアルキ
ルスルホネート;ベンゼンスルホネート、メチルベンゼ
ンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、オクチ
ルベンゼンスルホネート、デシルベンゼンスルホネー
ト、オクタデシルベンゼンスルホネート、ドデシルベン
ゼンスルホネート、テトラデシルベンゼンスルホネー
ト、ヘキサデシルベンゼンスルホネート、オクタデシル
ベンゼンスルホネート、エイコシルベンゼンホスホネー
ト等のアルキルベンゼンスルホネート;メチルナフチル
スホネート、エチルナフチルスルホネート、ジメチルナ
フチルスルホネート等のアルキルナフチルスルホネート
等が挙げられる。
Examples of the sulfonate anion include alkyl sulfonates such as octyl sulfonate, decyl sulfonate, dodecyl sulfonate, tetradecyl sulfonate, hexadecyl sulfonate, octadecyl sulfonate, eicosyl sulfonate and docosyl sulfonate; benzene sulfonate and methylbenzene sulfonate. , Alkyl benzene sulfonate such as butyl benzene sulfonate, octyl benzene sulfonate, decyl benzene sulfonate, octadecyl benzene sulfonate, dodecyl benzene sulfonate, tetradecyl benzene sulfonate, hexadecyl benzene sulfonate, octadecyl benzene sulfonate, eicosyl benzene phosphonate; methyl naphthyl sulfonate, ethyl na Chill sulfonates, alkyl naphthyl sulfonates such as dimethyl naphthyl sulfonate, and the like.

【0015】本願発明の帯電防止剤であるビスホスホニ
ウムビススルホネート化合物は、上記有機ホスホニウム
カチオンと有機スルホネートアニオンとの所望の組合せ
で構成されるが、特に限定されるものではない。
The bisphosphonium bissulfonate compound which is the antistatic agent of the present invention is composed of a desired combination of the organic phosphonium cation and the organic sulfonate anion, but is not particularly limited.

【0016】また、その使用にあっては、必要に応じて
酸化防止剤、紫外線防止剤、耐候剤、ブロッキング防止
剤、顔料、補強剤、滑剤や他の帯電防止剤を配合しても
差し支えない。
Further, in the use thereof, if necessary, an antioxidant, an ultraviolet protective agent, a weathering agent, an antiblocking agent, a pigment, a reinforcing agent, a lubricant and other antistatic agents may be added. .

【0017】帯電防止剤の製造方法 本発明の帯電防止剤であるビスホスホニウムビススルホ
ネート化合物は、いかなる方法で製造してもよいが、工
業的な製法として以下に一例を示す。
Method for Producing Antistatic Agent The bisphosphonium bissulfonate compound as the antistatic agent of the present invention may be produced by any method, but one example is shown below as an industrial production method.

【0018】一般式(4)General formula (4)

【化8】 (式中R1 〜R3 は前記と同義を示す。)及び/又は一
般式(5)
[Chemical 8] (Wherein R 1 to R 3 have the same meanings as described above) and / or the general formula (5).

【0019】[0019]

【化9】 (式中R4 〜R6 は前記と同義を示す。)で表されるト
リオルガノホスフィンと、 一般式(6)
[Chemical 9] (In the formula, R 4 to R 6 have the same meanings as described above), and a triorganophosphine represented by the general formula (6)

【0020】[0020]

【化10】 (式中Yは前記と同義を示し、Xはハロゲンを示す。)
で表されるジハロゲン化物とを反応させることにより、
一般式(7)
[Chemical 10] (In the formula, Y has the same meaning as above, and X represents halogen.)
By reacting with a dihalide represented by
General formula (7)

【0021】[0021]

【化11】 (式中R1 〜R6 、Y、Xは前記と同義を示す。)で表
されるビスホスホニウムジハロゲナイドを得る。
[Chemical 11] (In the formula, R 1 to R 6 , Y and X have the same meanings as described above.) To obtain a bisphosphonium dihalogenide.

【0022】次いで、一般式(8)Then, the general formula (8)

【化12】 (式中R7 は前記と同義を示す。)で表される有機スル
ホン酸ソーダとを反応させることにより、本発明の帯電
防止剤を得ることができる。
[Chemical 12] The antistatic agent of the present invention can be obtained by reacting with an organic sodium sulfonate represented by the formula (wherein R 7 has the same meaning as described above).

【0023】上記の反応において、一般式(4)及び/
または一般式(5)と一般式(6)との化合物との反応
は、有機溶媒の存在下または無溶媒下で室温〜150
℃、1〜10時間反応を行うのがよい。有機溶媒を使用
する場合は、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることがで
きる。また、トリオルガノホスフィンはジハロゲン化ア
ルキルに対して2倍モル〜5倍モル使用するのがよい。
さらに、上記一般式(7)と一般式(8)との化合物の
反応は水溶媒中において、室温〜100℃、1〜10時
間反応を行うのがよい。また、有機スルホン酸ソーダは
ビスホスホニウムハロゲナイドに対して、2倍モル〜5
倍モル使用するのがよい。
In the above reaction, the general formula (4) and /
Alternatively, the reaction between the compound of the general formula (5) and the compound of the general formula (6) can be carried out at room temperature to 150 in the presence of an organic solvent or in the absence of a solvent.
The reaction is preferably performed at 1 ° C for 1 to 10 hours. When an organic solvent is used, n-hexane, n-heptane, n-octane, benzene, toluene, xylene and the like can be mentioned. In addition, triorganophosphine is preferably used in an amount of 2 to 5 times the molar amount of the dihalogenated alkyl.
Further, the reaction of the compounds of the general formulas (7) and (8) is preferably carried out in a water solvent at room temperature to 100 ° C. for 1 to 10 hours. In addition, the organic sulfonic acid sodium is 2 times mol to 5 times the bisphosphonium halogenide.
It is recommended to use double mole.

【0024】本発明に係る帯電防止剤を、高分子材料に
付与する方法は、いかなる方法によってもよいが、例え
ばポリマ−製造時や加工時に上記帯電防止剤を直接、又
はマスタ−チップの形として添加混合して用いることが
できる。これら内部添加法により好ましい帯電防止能を
得るためには,成形物に対して本発明の帯電防止剤を
0.1〜10重量%、好ましくは0.3〜5重量%が適
当である。
The method of applying the antistatic agent according to the present invention to a polymer material may be any method, for example, the antistatic agent may be directly applied at the time of polymer production or processing, or in the form of a master chip. It can be added and mixed for use. In order to obtain a preferable antistatic ability by these internal addition methods, 0.1 to 10% by weight, preferably 0.3 to 5% by weight of the antistatic agent of the present invention is suitable for the molded product.

【0025】また、帯電防止能を付与する他の方法とし
ては、本発明に係る帯電防止剤を含有する溶液、分散
液、乳化液を浸漬法、スプレ−法、ロ−ラ−コ−ト法、
グラビアコ−ト法等各種の手段で実施することが可能で
ある。更に、 必要に応じて被処理面、或はアンカーコー
ト剤の塗布等の化学処理を行ってから塗布してもよい。
なお、本発明に係る化合物は難燃性および抗菌性も有す
る。
As another method of imparting the antistatic ability, a solution, dispersion or emulsion containing the antistatic agent according to the present invention is dipped in a spray method, a spray method or a roller coating method. ,
It can be carried out by various means such as a gravure coat method. If necessary, the surface to be treated or a chemical treatment such as application of an anchor coating agent may be performed before the application.
The compound according to the present invention also has flame retardancy and antibacterial properties.

【0026】[0026]

【実施例】以下、実施例によって本発明をさらに説明を
する。
EXAMPLES The present invention will be further described below with reference to examples.

【0027】<実施例>表1中に記載した本発明の帯電
防止剤a〜gをポリカーボネート(PC)、ポリメチル
メタクリレ−ト(PMMA)、ポリエチレン(PE)の
それぞれに所定量をヘンシェルミキサーにて混合し、射
出成型機(3N31A新潟鉄工所製)にて、各々所定の
温度で成型し、100mm×100mm×2mのシート
を得た。各シートにつき、ブランクと比較し、 外観を評
価した後に、20℃×65%RHの恒温恒湿室に一夜放
置後、同雰囲気下にて超絶縁抵抗計(SM−5E型、東
亜電波工業社製)により表面抵抗を測定した。結果を表
1に示した。
<Example> The antistatic agents a to g of the present invention shown in Table 1 were added to polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA) and polyethylene (PE) in predetermined amounts in a Henschel mixer. And mixed at a predetermined temperature with an injection molding machine (3N31A manufactured by Niigata Iron Works) to obtain a sheet of 100 mm × 100 mm × 2 m. After each sheet was compared with a blank and evaluated for appearance, it was left in a constant temperature and humidity room at 20 ° C x 65% RH overnight, and under the same atmosphere, a super insulation resistance meter (SM-5E type, Toa Denpa Kogyo Co., Ltd.) was used. Surface resistance was measured. The results are shown in Table 1.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】成型温度は、PCが290℃、PMMAが
180℃、PEが200℃でおこなった。外観は各シー
トについて色相及び透明性を目視観察し、 ブランクと同
程度の色相及び透明性を有するものを良とした。
The molding temperature was 290 ° C. for PC, 180 ° C. for PMMA, and 200 ° C. for PE. Regarding the appearance, each sheet was visually observed for hue and transparency, and those having the same hue and transparency as the blank were regarded as good.

【0030】<比較例>表2中に記載した従来の帯電防
止剤h〜lを使い、実施例と同様の実験を行い、同様の
比較及び測定をした。結果を表2に示した。
<Comparative example> Using the conventional antistatic agents h to l described in Table 2, the same experiment as in the example was conducted, and the same comparison and measurement were carried out. The results are shown in Table 2.

【0031】[0031]

【表2】 [Table 2]

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明に係る帯電防止剤は、各種の合成
樹脂やゴムに対し、表面抵抗及び体積固有抵抗を低下さ
せて導電性を付与するので良好な帯電防止能を発揮させ
ることができる。また、本発明に係る帯電防止剤は、熱
安定性が良いので樹脂やゴムの加工温度において分解す
ることなく耐久性をもって、その効果を持続することが
できる。
The antistatic agent according to the present invention can reduce the surface resistance and volume resistivity and impart conductivity to various synthetic resins and rubbers, and thus can exhibit good antistatic ability. . Further, since the antistatic agent according to the present invention has good thermal stability, it can maintain its effect with durability without decomposition at the processing temperature of resin or rubber.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 敏夫 東京都江東区亀戸9−15−1 日本化学工 業株式会社研究開発本部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshio Iijima 9-15-1, Kameido, Koto-ku, Tokyo Japan Chemical Industry Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の一般式(1) 【化1】 [式中、R1 〜R6 は水素原子、炭素原子数1〜18の
直鎖状または分岐状のアルキル基、アリール基又はアラ
ルキル基を示し、アルキル基,アリール基およびアラル
キル基はヒドロキシ基またはアルコキシ基で置換されて
いてもよい。Yは炭素原子数1〜6の直鎖状または分岐
状のアルキレン基、置換または未置換のアリレン基を示
し、R7 は炭素原子数1〜40の直鎖状または分岐状の
アルキル基あるいは一般式(2) 【化2】 (式中、R8 は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキ
ル基を示す)あるいは一般式(3) 【化3】 (式中、R8 は水素原子、炭素原子数1〜20のアルキ
ル基を示す)を示す。]で表されるビスホスホニウムビ
ススルホネート化合物を有効成分とすることを特徴とす
る、帯電防止剤。
1. The following general formula (1): [Wherein R 1 to R 6 represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group, and the alkyl group, the aryl group and the aralkyl group are a hydroxy group or It may be substituted with an alkoxy group. Y represents a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylene group, and R 7 is a linear or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or a general Formula (2) (In the formula, R 8 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) or the general formula (3): (In the formula, R 8 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). ] The antistatic agent characterized by using the bisphosphonium bis sulfonate compound represented by these as an active ingredient.
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