JPH0770503B2 - 半導体ウエハ−の切削方法 - Google Patents
半導体ウエハ−の切削方法Info
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- JPH0770503B2 JPH0770503B2 JP18101686A JP18101686A JPH0770503B2 JP H0770503 B2 JPH0770503 B2 JP H0770503B2 JP 18101686 A JP18101686 A JP 18101686A JP 18101686 A JP18101686 A JP 18101686A JP H0770503 B2 JPH0770503 B2 JP H0770503B2
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- cutting
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体ウェハーをチップ単位に分割するための
切削方法に関する。
切削方法に関する。
従来の技術 第３図、第４図を用いて従来の技術を説明する。
第３図において、半導体ウェハー１をチップ単位に分割
する切削方法としては、チップ２の間のスクライブレー
ン３に高速回転する刃で一定の深さの溝を形成する方法
がある。切削後の切削溝の中心たとえばＸ−Ｘ′におけ
る半導体ウェハーの断面は第４図のようになる。切り残
し部分（斜線）の厚さｔは130〜200μｍである。
する切削方法としては、チップ２の間のスクライブレー
ン３に高速回転する刃で一定の深さの溝を形成する方法
がある。切削後の切削溝の中心たとえばＸ−Ｘ′におけ
る半導体ウェハーの断面は第４図のようになる。切り残
し部分（斜線）の厚さｔは130〜200μｍである。
発明が解決しようとする問題点 スクライブレーン３を切削された半導体ウェハー１は次
に切り残し部分が割られて個々のチップとなる。第５図
に示すように、このとき切り残し部分は切削溝の底から
半導体ウェハー１の裏面に向かって、切削溝の側面ある
いは半導体ウェハーの裏面に対して45度の角度で劈開す
ることが多い。この劈開面４がチップ側面より外側に現
れた場合、チップ２の断面たとえばＡ−Ａ′断面は第５
図（ａ）に示すようになり、チップ裏面の幅はチップ表
面の幅より半導体ウェハーの切り残し厚さｔの約２倍だ
け大きくなる。したがって半導体ウェハーの切り残し厚
みが大きいほど、チップ載置板５の幅は、チップ２の本
来の幅（チツプ表面の幅）より多くのマージンが必要と
なり、チップ載置板５が大型化する。
に切り残し部分が割られて個々のチップとなる。第５図
に示すように、このとき切り残し部分は切削溝の底から
半導体ウェハー１の裏面に向かって、切削溝の側面ある
いは半導体ウェハーの裏面に対して45度の角度で劈開す
ることが多い。この劈開面４がチップ側面より外側に現
れた場合、チップ２の断面たとえばＡ−Ａ′断面は第５
図（ａ）に示すようになり、チップ裏面の幅はチップ表
面の幅より半導体ウェハーの切り残し厚さｔの約２倍だ
け大きくなる。したがって半導体ウェハーの切り残し厚
みが大きいほど、チップ載置板５の幅は、チップ２の本
来の幅（チツプ表面の幅）より多くのマージンが必要と
なり、チップ載置板５が大型化する。
一方、半導体ウェハー分割時の劈開面４が第５図（ｂ）
に示すごとくチップ２の側面より内側に現れた場合には
チップ周縁部においてチップの厚みが少なくなり、後の
組立工程でチップの欠けやクラックが発生しやすくな
る。この欠陥は半導体ウェハーの切り残し厚みが大きい
ほど生じやすくなる。
に示すごとくチップ２の側面より内側に現れた場合には
チップ周縁部においてチップの厚みが少なくなり、後の
組立工程でチップの欠けやクラックが発生しやすくな
る。この欠陥は半導体ウェハーの切り残し厚みが大きい
ほど生じやすくなる。
このことから、半導体ウェハーの切り残し厚みは小さい
ほど好ましいが、あまり小さくすると切削後の半導体ウ
ェハーがわずかな力や衝撃で割れやすくなり、半導体ウ
ェハー切削工程からチップ単位に分割する工程までの搬
送あるいは洗浄作業の際に半導体ウェハーが割れる事故
が発生する。
ほど好ましいが、あまり小さくすると切削後の半導体ウ
ェハーがわずかな力や衝撃で割れやすくなり、半導体ウ
ェハー切削工程からチップ単位に分割する工程までの搬
送あるいは洗浄作業の際に半導体ウェハーが割れる事故
が発生する。
本発明は半導体ウェハーの切り残し厚みを小さく、かつ
切削後に半導体ウェハーが割れる事故を防止しうる半導
体ウェハーの切削方法を提供するものである。
切削後に半導体ウェハーが割れる事故を防止しうる半導
体ウェハーの切削方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため本発明は、半導体ウェハーの
チップ間の切削溝を、前記半導体ウェハーの周縁部では
第１の深さで形成し、前記周縁部よりも内部の領域にお
いては前記第１の深さよりも大であり前記半導体ウェハ
ーの厚みよりも小さくなる第２の深さで形成するもので
ある。
チップ間の切削溝を、前記半導体ウェハーの周縁部では
第１の深さで形成し、前記周縁部よりも内部の領域にお
いては前記第１の深さよりも大であり前記半導体ウェハ
ーの厚みよりも小さくなる第２の深さで形成するもので
ある。
作用 このような切削方法によれば、製品となるチップが得ら
れる半導体ウェハーは、半導体ウェハー周縁部での切り
残し厚みが大きく、切削後の半導体ウェハーでも、搬送
や洗浄作業に耐えうる強度が保たれる。
れる半導体ウェハーは、半導体ウェハー周縁部での切り
残し厚みが大きく、切削後の半導体ウェハーでも、搬送
や洗浄作業に耐えうる強度が保たれる。
実施例 以下本発明の半導体ウェハーの切削方法の一実施例を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
第１図は本発明を実施した半導体ウェハーの切削溝中心
における断面図である。半導体ウェハー11の周縁部、た
とえば半導体ウェハー11の外周から10〜20mmの範囲では
切削溝を浅く（たとえば切り残し厚みt1として200μｍ
以上）、それより内部では切削溝を深く（たとえば切り
残し厚みt2として70〜120μｍ）形成する。上記切削を
実施するための装置としては従来のダイシングソーを用
いることができ、刃の高さの制御プログラムを変更する
ことによって用意に実施できる。このように切削された
半導体ウェハーは、製品となるチップが得られる領域で
は切り残し厚みが小さく、チップ単位に分割された後も
劈開面の発生によるチップ裏面幅の増減を小さくでき
る。したがって、第２図（ａ）に示すように、チップ12
の劈開面14がチップ側面より外側に現れた場合でも、チ
ップ裏面の幅はチップ表面の幅に比べて従来ほど増加し
ない。このためチップ載置板15の幅はチップ本来の幅
（表面の幅）に対して多くのマージンを必要としない。
また第２図（ｂ）に示すようにチップ12の劈開面14がチ
ップ側面より内部に現れた場合でも、チップの厚みが小
さくなる領域はごくわずかに限られ、後の組立工程での
チップの欠けやクラックの発生がほとんど無くなる。
における断面図である。半導体ウェハー11の周縁部、た
とえば半導体ウェハー11の外周から10〜20mmの範囲では
切削溝を浅く（たとえば切り残し厚みt1として200μｍ
以上）、それより内部では切削溝を深く（たとえば切り
残し厚みt2として70〜120μｍ）形成する。上記切削を
実施するための装置としては従来のダイシングソーを用
いることができ、刃の高さの制御プログラムを変更する
ことによって用意に実施できる。このように切削された
半導体ウェハーは、製品となるチップが得られる領域で
は切り残し厚みが小さく、チップ単位に分割された後も
劈開面の発生によるチップ裏面幅の増減を小さくでき
る。したがって、第２図（ａ）に示すように、チップ12
の劈開面14がチップ側面より外側に現れた場合でも、チ
ップ裏面の幅はチップ表面の幅に比べて従来ほど増加し
ない。このためチップ載置板15の幅はチップ本来の幅
（表面の幅）に対して多くのマージンを必要としない。
また第２図（ｂ）に示すようにチップ12の劈開面14がチ
ップ側面より内部に現れた場合でも、チップの厚みが小
さくなる領域はごくわずかに限られ、後の組立工程での
チップの欠けやクラックの発生がほとんど無くなる。
一方、良品の製品チップがほとんど得られない半導体ウ
ェハーの周縁部では切り残し厚みが大きくなっているた
め、半導体ウェハーの切削後も充分な強度が維持され、
搬送や洗浄作業で半導体ウェハーが割れる事故を防止で
きる。
ェハーの周縁部では切り残し厚みが大きくなっているた
め、半導体ウェハーの切削後も充分な強度が維持され、
搬送や洗浄作業で半導体ウェハーが割れる事故を防止で
きる。
発明の効果 以上本発明によれば、半導体ウェハーのチップ間の切削
溝を半導体ウェハーの周縁部で浅く、内部では深く形成
するので、チップ裏面の幅はチップ表面の幅に比べて従
来ほど大きくならないため、チップ載置板の小型化が可
能となる。また、切削溝の浅いチップ周縁部でのかけや
クラックが発生し難く、切削された半導体ウェハーの搬
送、洗浄時に半導体ウェハーが割れる事故を防止でき
る。
溝を半導体ウェハーの周縁部で浅く、内部では深く形成
するので、チップ裏面の幅はチップ表面の幅に比べて従
来ほど大きくならないため、チップ載置板の小型化が可
能となる。また、切削溝の浅いチップ周縁部でのかけや
クラックが発生し難く、切削された半導体ウェハーの搬
送、洗浄時に半導体ウェハーが割れる事故を防止でき
る。
第１図は本発明を実施した半導体ウェハーの切削溝中心
における断面図、第２図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明
を実施した半導体ウェハーをチップ単位に分割した後の
チップの断面図で、第２図（ａ）はチップ載置板を含む
断面図、第３図は半導体ウェハーのスクライブレーンの
一例を示す平面図、第４図は従来技術で切削された半導
体ウェハーの切削溝中心における断面図、第５図（ａ）
（ｂ）はそれぞれ従来技術で切削された半導体ウェハー
をチップ単位に分割した後のチップ断面図で、第５図
（ａ）はチップ載置板を含む断面図である。 11……半導体ウェハー、12……チップ、14……劈開面
における断面図、第２図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明
を実施した半導体ウェハーをチップ単位に分割した後の
チップの断面図で、第２図（ａ）はチップ載置板を含む
断面図、第３図は半導体ウェハーのスクライブレーンの
一例を示す平面図、第４図は従来技術で切削された半導
体ウェハーの切削溝中心における断面図、第５図（ａ）
（ｂ）はそれぞれ従来技術で切削された半導体ウェハー
をチップ単位に分割した後のチップ断面図で、第５図
（ａ）はチップ載置板を含む断面図である。 11……半導体ウェハー、12……チップ、14……劈開面
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハーのチップ間の切削溝を、前
記半導体ウェハーの周縁部では第１の深さで形成し、前
記周縁部よりも内部の領域においては前記第１の深さよ
りも大であり前記半導体ウェハーの厚みよりも小さくな
る第２の深さで形成することを特徴とする半導体ウェハ
ーの切削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18101686A JPH0770503B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 半導体ウエハ−の切削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18101686A JPH0770503B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 半導体ウエハ−の切削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335307A JPS6335307A (ja) | 1988-02-16 |
| JPH0770503B2 true JPH0770503B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16093277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18101686A Expired - Lifetime JPH0770503B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 半導体ウエハ−の切削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770503B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5846765B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2016-01-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6569857B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-09-04 | 株式会社東京精密 | ダイシング方法及びダイシング装置 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP18101686A patent/JPH0770503B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6335307A (ja) | 1988-02-16 |
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