JPH077052A - 電気特性測定用プローブ - Google Patents
電気特性測定用プローブInfo
- Publication number
- JPH077052A JPH077052A JP14521093A JP14521093A JPH077052A JP H077052 A JPH077052 A JP H077052A JP 14521093 A JP14521093 A JP 14521093A JP 14521093 A JP14521093 A JP 14521093A JP H077052 A JPH077052 A JP H077052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- measuring
- cantilever
- silicon
- electrical characteristics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 単結晶シリコン、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、ポリシリコン、あるいは金属層の少なくとも一層か
らなる片持ち梁構造１５とし、その表面に導通用の金属
皮膜１４を形成する。さらに、この片持ち梁構造体１５
を導通配線パターン１９を形成した絶縁基板１８で保持
して電気特性測定用プローブとする。 【効果】 フォトリソ、薄膜形成等のプロセスにより製
作するため、微細な配列ピッチの接触子を有する電気特
性測定用プローブが得られ、接触子の位置精度、平面度
が優れ、機械的強度も高いため測定の耐久性、信頼性を
向上させる事が出来る。
ン、ポリシリコン、あるいは金属層の少なくとも一層か
らなる片持ち梁構造１５とし、その表面に導通用の金属
皮膜１４を形成する。さらに、この片持ち梁構造体１５
を導通配線パターン１９を形成した絶縁基板１８で保持
して電気特性測定用プローブとする。 【効果】 フォトリソ、薄膜形成等のプロセスにより製
作するため、微細な配列ピッチの接触子を有する電気特
性測定用プローブが得られ、接触子の位置精度、平面度
が優れ、機械的強度も高いため測定の耐久性、信頼性を
向上させる事が出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハーあるいは、チ
ップ状態の半導体集積回路等、電子デバイスの検査、試
験工程において用いられる電気特性測定用のプローブに
関する。
ップ状態の半導体集積回路等、電子デバイスの検査、試
験工程において用いられる電気特性測定用のプローブに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路、いわゆるＩＣの製造工
程は、シリコンウエハー上に各素子を形成し集積回路と
して完成させるまでの前工程と、前工程が終了したウエ
ハーをダイシングにより個々のチップに分離し、チップ
毎にリードフレームにダイアタッチし、ワイアーボンデ
ィングによりチップの各端子を接続後、モールドする事
によりパッケージングを完了するまでの後工程とに大別
される。
程は、シリコンウエハー上に各素子を形成し集積回路と
して完成させるまでの前工程と、前工程が終了したウエ
ハーをダイシングにより個々のチップに分離し、チップ
毎にリードフレームにダイアタッチし、ワイアーボンデ
ィングによりチップの各端子を接続後、モールドする事
によりパッケージングを完了するまでの後工程とに大別
される。
【０００３】前工程が終了した段階において、ウエハー
状態で集積された回路の静的及び動的電気特性試験によ
り、各チップの良、不良品判定を行う。
状態で集積された回路の静的及び動的電気特性試験によ
り、各チップの良、不良品判定を行う。
【０００４】この電気特性試験において、信号源や測定
系等の外部回路とチップ上の半導体集積回路との一時的
な電気接続を行う手段として、金属製の複数の針状接触
端子を有するプローブが用いられる。
系等の外部回路とチップ上の半導体集積回路との一時的
な電気接続を行う手段として、金属製の複数の針状接触
端子を有するプローブが用いられる。
【０００５】この様なプローブの構造を図３に示す。図
３（ａ）に示す様に、プリント配線基板３１の中央部に
直径約３０ｍｍの貫通口３２が設けられており、この上
面にはタングステン製あるいはパラジウム製の先端が針
状になった複数の接触子３３が固定されている。接触子
３３の先端部は図３（ｂ）に示す様に、湾曲され貫通口
３２よりプリント配線基板３１の下面に突出しており、
それぞれの接触子３３の先端が半導体集積回路チップ上
に形成されているボンディング用のパッドに対応して、
数百ミクロンピッチでＩＣチップの四辺上の位置に必要
本数が配列されている。
３（ａ）に示す様に、プリント配線基板３１の中央部に
直径約３０ｍｍの貫通口３２が設けられており、この上
面にはタングステン製あるいはパラジウム製の先端が針
状になった複数の接触子３３が固定されている。接触子
３３の先端部は図３（ｂ）に示す様に、湾曲され貫通口
３２よりプリント配線基板３１の下面に突出しており、
それぞれの接触子３３の先端が半導体集積回路チップ上
に形成されているボンディング用のパッドに対応して、
数百ミクロンピッチでＩＣチップの四辺上の位置に必要
本数が配列されている。
【０００６】電気特性測定は、ウエハー状態の集積回路
の１チップが貫通口３２の内側にはいる様に位置合わせ
し、このチップの周辺部に形成されている各々のパッド
に接触子３３の先端を加圧接触させ、プリント配線基板
を経由して評価用信号や電圧を供給して特性を測定す
る。
の１チップが貫通口３２の内側にはいる様に位置合わせ
し、このチップの周辺部に形成されている各々のパッド
に接触子３３の先端を加圧接触させ、プリント配線基板
を経由して評価用信号や電圧を供給して特性を測定す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の従来技
術では、接触子３３はタングステン等の金属製で、長さ
が数センチメータのワイヤー状のものを２００ミクロン
程度のピッチで配列した構造であり、特性測定を行う集
積回路チップ上のパッドに対して位置精度を確保するの
が難しい。また、機械的な強度が充分でないために、外
部よりの衝撃を受けたり、接触子の先端部を引っかけた
りした場合に変形しやすいという課題があった。
術では、接触子３３はタングステン等の金属製で、長さ
が数センチメータのワイヤー状のものを２００ミクロン
程度のピッチで配列した構造であり、特性測定を行う集
積回路チップ上のパッドに対して位置精度を確保するの
が難しい。また、機械的な強度が充分でないために、外
部よりの衝撃を受けたり、接触子の先端部を引っかけた
りした場合に変形しやすいという課題があった。
【０００８】さらに、半導体集積回路の高集積化に伴っ
て、外部回路とのコネクト数が増え、集積回路チップ上
のパッド数も増加し、その結果としてパッド間ピッチが
小さくなる。集積回路チップ側では、パッド面積及びピ
ッチの縮小化は、フォトリソグラフで行うために比較的
容易にできるが、図３の様な従来の測定用プローブで
は、金属製のワイヤーを用いて１本づつ固定セットする
ため、接触子の配列ピッチと位置精度を確保する事が困
難であり限界があった。
て、外部回路とのコネクト数が増え、集積回路チップ上
のパッド数も増加し、その結果としてパッド間ピッチが
小さくなる。集積回路チップ側では、パッド面積及びピ
ッチの縮小化は、フォトリソグラフで行うために比較的
容易にできるが、図３の様な従来の測定用プローブで
は、金属製のワイヤーを用いて１本づつ固定セットする
ため、接触子の配列ピッチと位置精度を確保する事が困
難であり限界があった。
【０００９】本発明は、この様な課題を解決するもの
で、その目的は、高精度、高密度のプローブを提供し、
このプローブを用いる事により大規模集積回路チップの
電気特性測定を容易に、精度良く行う事を可能にするも
のである。
で、その目的は、高精度、高密度のプローブを提供し、
このプローブを用いる事により大規模集積回路チップの
電気特性測定を容易に、精度良く行う事を可能にするも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の電気測定用プローブは、 １．単結晶シリコン、酸化シリコン、ポリシリコン、あ
るいは窒化シリコンの少なくとも一層からなる片持ち梁
により、測定する電子部品の測定用端子との電気的接触
を行う事を特徴とする。
めに本発明の電気測定用プローブは、 １．単結晶シリコン、酸化シリコン、ポリシリコン、あ
るいは窒化シリコンの少なくとも一層からなる片持ち梁
により、測定する電子部品の測定用端子との電気的接触
を行う事を特徴とする。
【００１１】２．前記手段１の電気的接触を行う電子部
品の測定用端子にコンタクトする部分の形状が、角錘状
である事を特徴とする。
品の測定用端子にコンタクトする部分の形状が、角錘状
である事を特徴とする。
【００１２】３．前記手段１または手段２の片持ち梁に
金属皮膜が形成されていることを特徴とする。
金属皮膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】４．前記手段１または手段２の片持ち梁及
び角錘状部分が、エッチングにより形成されていること
を特徴とする。
び角錘状部分が、エッチングにより形成されていること
を特徴とする。
【００１４】５．単結晶シリコン、酸化シリコン、ポリ
シリコン、あるいは窒化シリコンの少なくとも一層から
なり電子部品の測定用端子となる導電化された片持ち梁
と、該片持ち梁を保持する絶縁基板からなり、該絶縁基
板上に形成した配線パターンによって前記導電性片持ち
梁と、測定装置への入出力端子を接続する事を特徴とす
る。
シリコン、あるいは窒化シリコンの少なくとも一層から
なり電子部品の測定用端子となる導電化された片持ち梁
と、該片持ち梁を保持する絶縁基板からなり、該絶縁基
板上に形成した配線パターンによって前記導電性片持ち
梁と、測定装置への入出力端子を接続する事を特徴とす
る。
【００１５】６．前記手段５の導電化された片持ち梁を
保持する絶縁基板がホウケイ酸系ガラスであり、該片持
ち梁と陽極接合法により接合、一体化した事を特徴とす
る。
保持する絶縁基板がホウケイ酸系ガラスであり、該片持
ち梁と陽極接合法により接合、一体化した事を特徴とす
る。
【００１６】７．前記手段１または手段５の測定する電
子部品が、半導体集積回路である事を特徴とする。
子部品が、半導体集積回路である事を特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明によれば、電気測定用プローブの形成を
半導体集積回路の製造で用いられているフォトリソ、薄
膜形成等のプロセス技術で行うために、複数の微細なプ
ローブリード、接触子を１００ミクロンメータ以下の微
小なピッチで一体的に形成する事が出来、位置精度的に
もマスクの精度で決定されるため従来のプローブに比べ
はるかに高精度であり、機械的な強度も材質的に優れて
おり、接触子の測定変形後の復元性も高い。
半導体集積回路の製造で用いられているフォトリソ、薄
膜形成等のプロセス技術で行うために、複数の微細なプ
ローブリード、接触子を１００ミクロンメータ以下の微
小なピッチで一体的に形成する事が出来、位置精度的に
もマスクの精度で決定されるため従来のプローブに比べ
はるかに高精度であり、機械的な強度も材質的に優れて
おり、接触子の測定変形後の復元性も高い。
【００１８】さらに、接触子の先端部を同一平面に維持
する事が出来るために、被測定チップ上のパッドに余分
の圧力で押し付ける必要がなくなり、測定の信頼性も向
上される。
する事が出来るために、被測定チップ上のパッドに余分
の圧力で押し付ける必要がなくなり、測定の信頼性も向
上される。
【００１９】生産性の面でも、半導体プロセス技術によ
りプローブを一括形成する事が出来るため、生産性が高
く、低コストの製品を供給する事が可能になった。
りプローブを一括形成する事が出来るため、生産性が高
く、低コストの製品を供給する事が可能になった。
【００２０】
【実施例】（実施例１）図１は、本発明による実施例１
を説明するための電気特性測定用プローブの製造工程の
概略断面図である。
を説明するための電気特性測定用プローブの製造工程の
概略断面図である。
【００２１】図１（ａ）は、径４インチ、厚み２８０ミ
クロンメーター、結晶方位（１００）の両面研磨した単
結晶シリコン基板１１で、熱酸化膜（酸化シリコン膜）
を形成し、フォトリソ、５．０重量％フッ酸溶液でのエ
ッチングにより所定のパターニングし部分的に酸化シリ
コン膜１２を残す。この酸化シリコン膜１２は、測定す
る集積回路チップ上のパッドの配列ピッチと同様であ
り、パッド数に合わせ同じ位置に形成されている。
クロンメーター、結晶方位（１００）の両面研磨した単
結晶シリコン基板１１で、熱酸化膜（酸化シリコン膜）
を形成し、フォトリソ、５．０重量％フッ酸溶液でのエ
ッチングにより所定のパターニングし部分的に酸化シリ
コン膜１２を残す。この酸化シリコン膜１２は、測定す
る集積回路チップ上のパッドの配列ピッチと同様であ
り、パッド数に合わせ同じ位置に形成されている。
【００２２】酸化シリコン膜１２をマスクとして、摂氏
７０度に加温した３０重量％の水酸化カリウム溶液で、
シリコン基板を異方性エッチングする事により、角錘状
の突起部１３を形成する。この突起部の高さは約２０ミ
クロンメーターであり、集積回路の測定における接触子
となる。
７０度に加温した３０重量％の水酸化カリウム溶液で、
シリコン基板を異方性エッチングする事により、角錘状
の突起部１３を形成する。この突起部の高さは約２０ミ
クロンメーターであり、集積回路の測定における接触子
となる。
【００２３】次に、酸化シリコン膜を一旦除去した後、
再度熱酸化を行って酸化膜１２を形成する。その膜上に
スパッタリングにより、クロム、金の金属膜を形成後フ
ォトリソエッチングによりコンタクト用電極及び、リー
ド電極１４をパターン状に設ける（図１（ｂ））。
再度熱酸化を行って酸化膜１２を形成する。その膜上に
スパッタリングにより、クロム、金の金属膜を形成後フ
ォトリソエッチングによりコンタクト用電極及び、リー
ド電極１４をパターン状に設ける（図１（ｂ））。
【００２４】その後、シリコン基板の角錘状突起部の反
対側から、同様の方法により水酸化カリウム溶液による
異方性エッチングを行い、厚み４０ミクロンメーターの
ダイアフラム部１５を形成し、さらに角錘状突起部側か
らの異方性エッチングをする事により貫通部１６を形成
すると共に、各プローブの接触子の部分１７を片持ち梁
構造として独立させる（図１（ｃ））。
対側から、同様の方法により水酸化カリウム溶液による
異方性エッチングを行い、厚み４０ミクロンメーターの
ダイアフラム部１５を形成し、さらに角錘状突起部側か
らの異方性エッチングをする事により貫通部１６を形成
すると共に、各プローブの接触子の部分１７を片持ち梁
構造として独立させる（図１（ｃ））。
【００２５】この片持ち梁構造体を保持するため、予め
測定装置にコンタクトするための金属配線部１９を無電
解メッキ法等により形成した厚さ０．５ミリメーターの
ホウケイ酸系ガラス基板１８と、この構造体を陽極接合
法（摂氏３５０度、７００Ｖ）で接合一体化した後、片
持ち梁のリード電極１４とガラス上の金属配線部１９を
接続するためにマスクスパッタ等により金属層２０を形
成して図１（ｄ）の様な電気特性測定用プローブとして
完成出来た。
測定装置にコンタクトするための金属配線部１９を無電
解メッキ法等により形成した厚さ０．５ミリメーターの
ホウケイ酸系ガラス基板１８と、この構造体を陽極接合
法（摂氏３５０度、７００Ｖ）で接合一体化した後、片
持ち梁のリード電極１４とガラス上の金属配線部１９を
接続するためにマスクスパッタ等により金属層２０を形
成して図１（ｄ）の様な電気特性測定用プローブとして
完成出来た。
【００２６】このプローブを用いて実際の半導体集積回
路の電気特性を測定したところ、精度、再現性良く測定
できると共に、集積回路のパッド部との位置決めも容易
で、測定の生産性を大きく向上させる事が可能になっ
た。
路の電気特性を測定したところ、精度、再現性良く測定
できると共に、集積回路のパッド部との位置決めも容易
で、測定の生産性を大きく向上させる事が可能になっ
た。
【００２７】（実施例２）図２は、本発明による実施例
２を説明するための電気特性測定用プローブの製造工程
の概略断面図である。
２を説明するための電気特性測定用プローブの製造工程
の概略断面図である。
【００２８】図２（ａ）は、直径４インチ、厚み３８０
ミクロンメーター、結晶方位（１００）の片面研磨した
単結晶シリコン基板２１で、熱酸化膜（酸化シリコン
膜）２２を形成し、フォトリソ、４．０重量％フッ酸溶
液でのエッチングにより部分的に酸化シリコン膜を除去
する。このエッチングした部分は、１０ミクロンメータ
ー角であり、測定する集積回路チップ上のパッドの配列
ピッチと、パッド数に合わせ同じ位置に形成されてい
る。
ミクロンメーター、結晶方位（１００）の片面研磨した
単結晶シリコン基板２１で、熱酸化膜（酸化シリコン
膜）２２を形成し、フォトリソ、４．０重量％フッ酸溶
液でのエッチングにより部分的に酸化シリコン膜を除去
する。このエッチングした部分は、１０ミクロンメータ
ー角であり、測定する集積回路チップ上のパッドの配列
ピッチと、パッド数に合わせ同じ位置に形成されてい
る。
【００２９】酸化シリコン膜２２をマスクとして、摂氏
７０度に加温した３５重量％の水酸化カリウム溶液で、
この露出した部分板を異方性エッチングする事により、
四角錘状の凹部２３を形成する。この角錘部の深さは１
４ミクロンメーターである。
７０度に加温した３５重量％の水酸化カリウム溶液で、
この露出した部分板を異方性エッチングする事により、
四角錘状の凹部２３を形成する。この角錘部の深さは１
４ミクロンメーターである。
【００３０】次に酸化シリコン膜を、前記と同様のフッ
酸溶液で除去した後、この基板上に厚さ１．０ミクロン
メーターの窒化シリコン膜２４を形成し、さらにフォト
リソ、ドライエッチングして角錘部を含めてプローブと
して用いる部分をライン状に形成する（図２（ｂ））。
酸溶液で除去した後、この基板上に厚さ１．０ミクロン
メーターの窒化シリコン膜２４を形成し、さらにフォト
リソ、ドライエッチングして角錘部を含めてプローブと
して用いる部分をライン状に形成する（図２（ｂ））。
【００３１】この部分的に窒化シリコン膜のパターンが
形成されたシリコン基板に支持基板として、厚さ１．０
ミリメーターのホウケイ酸系ガラス基板２５を図２
（ｃ）に示す様に、部分的に陽極接合（摂氏４００度、
１０００Ｖ）して一体化する。
形成されたシリコン基板に支持基板として、厚さ１．０
ミリメーターのホウケイ酸系ガラス基板２５を図２
（ｃ）に示す様に、部分的に陽極接合（摂氏４００度、
１０００Ｖ）して一体化する。
【００３２】シリコン基板とガラスからなる構造体のシ
リコンの部分を、前記と同様の水酸化カリウム溶液でエ
ッチング除去する事により、窒化シリコン部分が片持ち
梁構造として残る、この窒化シリコン部分をクロム、ニ
ッケル膜のスッパタリング、フォトリソにより導電化
し、さらに無電解ニッケルメッキを３ミクロンメーター
形成する事により図２（ｄ）の様な電気特性測定用プロ
ーブとして完成出来た。
リコンの部分を、前記と同様の水酸化カリウム溶液でエ
ッチング除去する事により、窒化シリコン部分が片持ち
梁構造として残る、この窒化シリコン部分をクロム、ニ
ッケル膜のスッパタリング、フォトリソにより導電化
し、さらに無電解ニッケルメッキを３ミクロンメーター
形成する事により図２（ｄ）の様な電気特性測定用プロ
ーブとして完成出来た。
【００３３】このプローブを用いて実際の半導体集積回
路の電気特性を測定したところ、実施例１のプローブと
同様に精度、再現性良く測定できると共に、測定の生産
性も向上させる事が可能になった。
路の電気特性を測定したところ、実施例１のプローブと
同様に精度、再現性良く測定できると共に、測定の生産
性も向上させる事が可能になった。
【００３４】
【発明の効果】以上記した様に、本発明によれば、高集
積半導体回路チップの測定端子部（パッド）に対応す
る、微細な配列ピッチの接触子を有する電気特性測定用
プローブが容易に製造する事が可能で、従来の測定用プ
ローブに比べ、接触子の位置精度、平面度が優れてい
る。
積半導体回路チップの測定端子部（パッド）に対応す
る、微細な配列ピッチの接触子を有する電気特性測定用
プローブが容易に製造する事が可能で、従来の測定用プ
ローブに比べ、接触子の位置精度、平面度が優れてい
る。
【００３５】また、機械的な強度も大きく、接触子の変
形後の復元性が良好で、接触子の先端部の位置ずれが小
さいく、非測定チップのパッド部に与える損傷も低減さ
れ、高集積半導体回路製品の信頼性、歩留まりを向上出
来る効果もある。
形後の復元性が良好で、接触子の先端部の位置ずれが小
さいく、非測定チップのパッド部に与える損傷も低減さ
れ、高集積半導体回路製品の信頼性、歩留まりを向上出
来る効果もある。
【００３６】さらに、この様なプローブの生産性は高
く、低コストの製品として供給する事が可能になった。
く、低コストの製品として供給する事が可能になった。
【図１】 本発明の実施例１による電気特性測定用プロ
ーブの製造工程と構造を示す断面図。
ーブの製造工程と構造を示す断面図。
【図２】 本発明の実施例２による電気特性測定用プロ
ーブの製造工程と構造を示す断面図。
ーブの製造工程と構造を示す断面図。
【図３】 従来技術による電気特性測定用プローブの構
造説明図。
造説明図。
１１、２１ シリコン単結晶基板 １２、２２ 酸化シリコン膜 １３ 突起部 １４ クロム、金電極膜 １５ ダイアフラム部 １６ 貫通部 １７ 接触子 １８、２５ ホウケイ酸系ガラス １９ 金属配線部 ２０ 金属層 ２３ 角錘状凹部 ２４ 窒化シリコン層 ２６ 無電解ニッケルメッキ層 ３１ プリント配線基板 ３２ 貫通口 ３３ 接触子 ３４ 接続端子 ３５ プローブ固定用樹脂
Claims (7)
- 【請求項１】 単結晶シリコン、酸化シリコン、ポリシ
リコン、あるいは窒化シリコンの少なくとも一層からな
る片持ち梁により、測定する電子部品の測定用端子との
電気的接触を行う事を特徴とする電気特性測定用プロー
ブ。 - 【請求項２】 前記電気的接触を行う電子部品の測定用
端子にコンタクトする部分の形状が、角錘状である事を
特徴とする請求項１記載の電気特性測定用プローブ。 - 【請求項３】 前記片持ち梁に金属皮膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電気
特性測定用プローブ。 - 【請求項４】 前記片持ち梁及び角錘状部分が、エッチ
ングにより形成されていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の電気特性測定用プローブ。 - 【請求項５】 単結晶シリコン、酸化シリコン、ポリシ
リコン、あるいは窒化シリコンの少なくとも一層からな
り電子部品の測定用端子となる導電化された片持ち梁
と、該片持ち梁を保持する絶縁基板からなり、該絶縁基
板上に形成した配線パターンによって前記導電性片持ち
梁と、測定装置への入出力端子を接続する事を特徴とす
る電気特性測定用プローブ。 - 【請求項６】 前記導電化された片持ち梁を保持する絶
縁基板がホウケイ酸系ガラスであり、該片持ち梁と陽極
接合法により接合、一体化した事を特徴とする請求項５
記載の電気特性測定用プローブ。 - 【請求項７】 前記測定する電子部品が、半導体集積回
路である事を特徴とする請求項１または請求項５記載の
電気特性測定用プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14521093A JPH077052A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 電気特性測定用プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14521093A JPH077052A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 電気特性測定用プローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077052A true JPH077052A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15379934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14521093A Pending JPH077052A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 電気特性測定用プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077052A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511857B1 (en) | 1998-03-19 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor device |
| JP2003516497A (ja) * | 1999-12-08 | 2003-05-13 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 接続管片とケーシング、特に内燃機関の燃料噴射システムのための、プレロードをかけられた状態で溶接される接続管片を備えた燃料高圧アキュムレータ |
| KR100385963B1 (ko) * | 1999-09-27 | 2003-06-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 검사장치 및 이를 이용한 반도체장치 제조방법 |
| US6660541B2 (en) | 2001-10-23 | 2003-12-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a manufacturing method thereof |
| US6791176B2 (en) | 1998-12-02 | 2004-09-14 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
| US6864695B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-03-08 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it |
| EP1555533A1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-20 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor inspection device and method of manufacturing contact probe |
| US6955870B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-10-18 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| EP1536241A3 (en) * | 2003-11-26 | 2006-07-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Probe for measuring electrical characteristics and method of manufacturing the same |
| JP2007147639A (ja) * | 1998-08-12 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | コンタクタ |
| JP2008275646A (ja) * | 1996-05-17 | 2008-11-13 | Formfactor Inc | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP14521093A patent/JPH077052A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008275646A (ja) * | 1996-05-17 | 2008-11-13 | Formfactor Inc | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
| US7119362B2 (en) | 1998-03-19 | 2006-10-10 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor apparatus |
| US6511857B1 (en) | 1998-03-19 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor device |
| JP2007147639A (ja) * | 1998-08-12 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | コンタクタ |
| US7287322B2 (en) | 1998-12-02 | 2007-10-30 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
| US6791176B2 (en) | 1998-12-02 | 2004-09-14 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
| US7555836B2 (en) | 1998-12-02 | 2009-07-07 | Formfactor, Inc. | Method of making lithographic contact elements |
| KR100385963B1 (ko) * | 1999-09-27 | 2003-06-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 검사장치 및 이를 이용한 반도체장치 제조방법 |
| JP2003516497A (ja) * | 1999-12-08 | 2003-05-13 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 接続管片とケーシング、特に内燃機関の燃料噴射システムのための、プレロードをかけられた状態で溶接される接続管片を備えた燃料高圧アキュムレータ |
| US6864695B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-03-08 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it |
| US6955870B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-10-18 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6660541B2 (en) | 2001-10-23 | 2003-12-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a manufacturing method thereof |
| EP1536241A3 (en) * | 2003-11-26 | 2006-07-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Probe for measuring electrical characteristics and method of manufacturing the same |
| US7330037B2 (en) | 2003-11-26 | 2008-02-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd | Electrical characteristic measuring probe and method of manufacturing the same |
| EP1555533A1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-20 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor inspection device and method of manufacturing contact probe |
| US7061261B2 (en) | 2004-01-16 | 2006-06-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor inspection device and method for manufacturing contact probe |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100580008B1 (ko) | 콘택터, 콘택터의 제조 방법 및 콘택터를 사용한 프로브 카드 | |
| TW502354B (en) | Inspection device for semiconductor | |
| US8134381B2 (en) | Connection board, probe card, and electronic device test apparatus comprising same | |
| US6774654B2 (en) | Semiconductor-device inspecting apparatus and a method for manufacturing the same | |
| KR20000064001A (ko) | 프로브 및 프로브 카드 | |
| KR100393452B1 (ko) | 반도체소자검사용 기판의 제조방법 | |
| JP3735556B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| WO1999048147A1 (fr) | Procede pour fabriquer un dispositif semiconducteur | |
| KR101104290B1 (ko) | 콘택터의 실장방법 | |
| JP2004015030A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3620982B2 (ja) | 半導体検査装置の製造方法 | |
| JPH11295342A (ja) | プローブカード及びその製造方法 | |
| CN100508154C (zh) | 半导体集成电路器件的制造方法 | |
| JP2559242B2 (ja) | プローブカード | |
| KR20000059206A (ko) | 수직 동작형 프로브 및 프로브 카드 | |
| KR20000027658A (ko) | 수직형 탐침 카드 | |
| JP2000065862A (ja) | 接続装置およびその製造方法 | |
| US11959941B2 (en) | Probe card | |
| JPH07288271A (ja) | 集積回路用測定電極 | |
| JPH03224246A (ja) | プローブ装置 | |
| WO1995034000A1 (en) | Connecting device and its manufacture | |
| JP2005127961A (ja) | テスト用基板及びそれを使用したテスト装置 | |
| JP2003329734A (ja) | 検査装置及び検査部材とその製造方法 | |
| JP2635054B2 (ja) | プロービングカード | |
| JPH0252257A (ja) | プローブ装置 |