JPH077060U - イオンビーム引出し電極系装置 - Google Patents
イオンビーム引出し電極系装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界のみによりドーパントイオンとバランス
ガスイオンの分離を行うこと。 【構成】 ソースプラズマからドーパントイオンMとバ
ランスガスイオンmがプラズマ電極1と引出し電極2に
よって引出される。引出し電極と電子抑制電極5との間
に、永久磁石17により磁界Bが形成されている。イオ
ンは磁界内でラーマー運動を行い、曲げられる。ドーパ
ントイオンとバランスガスイオンは質量の違いにより曲
がり方が異なる。磁界よりビーム上流側のプラズマ電
極、引出し電極のビーム引出し孔7の軸xと、下流側の
電子抑制電極5、接地電極6のビーム引出し孔の軸x’
とは、ずらせてある。バランスガスイオンは電子抑制電
極あるいは接地電極に衝突し、カットされ、ドーパント
イオンのみが引出される。
ガスイオンの分離を行うこと。 【構成】 ソースプラズマからドーパントイオンMとバ
ランスガスイオンmがプラズマ電極1と引出し電極2に
よって引出される。引出し電極と電子抑制電極5との間
に、永久磁石17により磁界Bが形成されている。イオ
ンは磁界内でラーマー運動を行い、曲げられる。ドーパ
ントイオンとバランスガスイオンは質量の違いにより曲
がり方が異なる。磁界よりビーム上流側のプラズマ電
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とは、ずらせてある。バランスガスイオンは電子抑制電
極あるいは接地電極に衝突し、カットされ、ドーパント
イオンのみが引出される。
Description
【0001】
本考案は、E×Bフィルタを構成する質量分離電極を用いることなく、ドーバ ントイオンとバランスガスイオンを分離することができるイオンビ−ム引出し電 極系装置に関する。
【0002】
液晶装置の駆動回路となる薄膜トランジスタ、多結晶シリコン、アモルファス シリコンによる半導体装置のイオン注入に際しては、断面積の大きい、面イオン ビ−ムが用いられるが、かかる大面積イオン注入装置にあってもイオン源から引 出されたイオンに対し、E×B(EクロスB)フィルタ(別名、ウィーンフィル タ)による質量分離手段を用い、必要なイオンのみを注入し、注入品質を向上さ せたものが開発されている。
【0003】 図2は、かかる大面積イオン注入装置におけるビーム引出し電極系に関し、先 に本考案者等が提案したE×Bフィルタを構成する質量分離電極が組み込まれて いる面イオンビ−ム引出し電極系の断面構成図であり、図3はビーム上流側から 見た質量分離電極の断面図である。図2に示すように、面イオンビ−ム引出し電 極系は、例えば高周波イオン源側から、プラズマ電極1、引出し電極2を有し、 質量分離電極3は引出し電極と抑制電極(同じく引出し電極とも言う)4の間に 配置されている。そして引出し電極系には、抑制電極4の下流側に更に電子抑制 電極(減速電極)5、接地電極6が設けられている。
【0004】 質量分離電極3を除く各電極は多数のビーム引出し孔7を有する多孔電極であ り、質量分離電極にはこれらビーム引出し孔の位置に合わせて質量分離のための 多数のビーム引出し空間部8が形成されている。ビーム引出し電極系の各電極に は図示極性で引出し電源9、加速電源10、減速電源11が接続されており、イ オン源からイオンビ−ムを引出し、加速する。
【0005】 質量分離電極3は間隔を置いて平行に並設されている複数の非磁性体製のホル ダー12を有する。各ホルダーには間隔を置いて磁石配置孔13が形成されてお り、その中に、それぞれフィルタ磁界形成用永久磁石14が収容、固定されてい る。
【0006】 各ホルダー12には各永久磁石14の固定位置の間に、永久磁石を収容する磁 石配置孔13と直交関係方向に長孔15が穿孔形成されている。複数のホルダー 12のこれら長孔15内に、互いに絶縁関係にあるそれぞれ2枚のフィルタ電界 形成用の電極体161,162を挿通配置する。したがって、各ホルダー12に固 定された永久磁石14が対向関係にあるホルダーの間の空間がフィルタ電界形成 用電極体161,162で仕切られ、それぞれ質量分離のためのE×Bフィルタの ビーム引出し空間部8を形成している。
【0007】 永久磁石14は図示極性に着磁されており、ホルダー12の長孔15内に挿通 した2枚の電極体161,162にはフィルタ電源17によって電位差が与えられ ている。これに伴い、各ビーム引出し空間部8には、対向する2個の永久磁石1 4と、同空間部に面し、電位差が与えられている電極体161及び同162とによ って互いに直交するフィルタ磁界と電界が形成され、電界による作用力と磁界に よる作用力がバランス関係にあるイオンのみが空間部を通過し、必要とするイオ ンの質量分離が行われる。
【0008】
大面積イオン注入装置において、被注入体にボロン、リン等のドーパントを注 入する場合、イオン源における目的物質源ガスとして、ジボラン、シラン等の材 料ガスに水素、ヘリウム等のバランスガスを混合希釈した水素化物ガスが用いら れ、イオン源にはドーパントイオンとバランスガスイオンの混合プラズマが生成 される。この混合プラズマをソースプラズマとするイオン源からイオンを引出す と、目的のドーパントイオンと共に、バランスガスイオンも引出される。上述し たビーム引出し電極系によれば、多数のE×Bフィルタを構成する質量分離電極 3が組み込まれていることにより、バランスガスイオンを除去し、目的のドーパ ントイオンのビームのみを引出すことができる。
【0009】 しかしながら、E×Bフィルタを構成する質量分離電極3は、各電極のビーム 引出し孔7の位置にあわせ、大面積にわたって多数のE×Bフィルタ単位を形成 しなければならない。したがって、質量分離電極3は複雑且つ精密な構造が要求 され、その製造に際しては、高度な技術と多額の費用が必要となる。
【0010】 本考案は、E×Bフィルタ方式によらずに、磁界内でのイオンのラーマー運動 を利用したイオンの質量分離機構を有するイオンビ−ム引出し電極系装置の提供 を目的とするものである。
【0011】
本考案は、ドーパントイオンとバランスガスイオンの混合プラズマをソースプ ラズマとする大面積イオン注入装置のイオンビーム引出し電極系装置において、 引出し電極と電子抑制電極間に磁界が形成されていることを主たる特徴とするも のである。
【0012】 さらに、本考案は、かかるイオンビ−ム引出し電極系装置において、磁界より ビーム上流側の電極とビーム下流側の電極が、それらに形成されたビーム引出し 孔の軸をずらせて配置されていることを特徴とするものである。
【0013】
引出し電極を通過したイオンは、磁界によってラーマー運動を行い、イオンビ −ムは曲げられる。曲がり方は、質量の小さいバランスガスイオンは大きく、同 イオンより質量の大きいドーパントイオンは小さく、両イオンの分離を行うこと ができる。
【0014】 磁界によってイオンビ−ムは曲げられ、ドーパントイオンとバランスガスイオ ンの曲がり方は異なるから、磁界よりビーム上流側の電極とビーム下流側の電極 のビーム引出し孔の軸をずらすことにより、バランスガスイオンをビーム下流側 の電極でカットし、ドーパントイオンのビームのみを引出せる。
【0015】
本考案の実施例について図面を参照して説明する。図1は、ビーム引出し電極 系の断面図であり、図2,図3と同一符号は同一もしくは同等部分を示す。イオ ン源のソースプラズマからプラズマ電極1及び引出し電極2によってイオンビー ムが引出される。引出し電極2及び電子抑制電極5の間のビームが通る空間部に 、点線枠で示すように永久磁石17を対向配置することにより、紙面と垂直方向 に磁界Bが形成されている。
【0016】 引出し電極2のビーム引出し孔7を通り、磁界領域に導入されたイオンビーム は磁界Bによる作用力を受ける。イオンはその質量に比例したラーマー半径をも つ円運動、ラーマー運動を行う。既に述べたように、大面積イオン注入装置にお いては、ドーパントイオンを作る材料ガスと水素やヘリウム等のバランスガスを 混合させてソースプラズマを生成しているが、この場合、同プラズマから引出さ れた必要なドーパントイオンMと不要のバランスガスイオンmとの質量比は大き く、よって、ラーマー半径の比も大きくなる。
【0017】 プラズマ電極1と引出し電極2の各ビーム引出し孔7の軸xと、電子抑制電極 5及び接地電極6のビーム引出し孔7の軸x’とは若干ずらして各電極が構成さ れている。このように、磁界よりビーム上流側電極とビーム下流側電極が、その ビーム引出し孔7の軸x,x’をずらせて配置されていることにより、ラーマー 運動によって異なった軌道を進むドーパントイオンMとバランスガスイオンmは 、ドーパントイオンMのみが最終的に接地電極6のビーム引出し孔7を通過して 引出され、ラーマー半径が小さいバランスガスイオンは電子抑制電極5または接 地電極6に衝突し、カットされる。
【0018】 上述の実施例では、磁界は引出し電極2と電子抑制電極6の間に形成されてお り、図2に示した電極系における抑制電極4は設けられていない。図2,図3に 示したE×Bフィルタを構成する質量分離電極3が組み込まれているビーム引出 し電極系の場合には、E×Bフィルタでドーパントイオンを直進させ、バランス ガスイオンのみを偏向させて質量分離を行う関係上、質量分離電極のE×Bフィ ルタ部にはフィルタ電界以外の電界が作用しないように、質量分離電極を同電位 にバイアスされている引出し電極2と抑制電極3で挾むように、これら電極部分 を構成している。この点、イオンのラーマー運動によって質量分離を行う場合に は、ドーパントイオン及びバランスガスイオンはラーマー半径は異なるが、両イ オンともラーマー運動を行い、ビ−ムは曲げられるから、これらイオンが、引出 し電極2を通過し、同電極より更に負の高電位の電子抑制電極6に向けて絞られ 、加速されている領域に磁界を形成することができる。
【0019】
本考案は、以上説明したように構成したので、ドーパントイオンとバランスガ スイオンの混合ソースプラズマから引出されたイオンは、磁界によって、その質 量に比例したラーマー半径を持つ円運動、ラーマー運動を行い、質量の違いによ り、E×Bフィルタを用いることなく、磁界のみを利用した簡単な構造で、ドー パントイオンとバランスガスイオンの分離を行うことができ、更に抑制電極を用 いずに済むのでビーム引出し電極系を一層簡素化することができる。
【0020】 磁界によってイオンビ−ムは曲げられるが、ドーパントイオンとバランスガス イオンの曲がり方は異なるから、磁界よりビーム上流側の電極とビーム下流側の 電極のビーム引出し孔の軸をずらすことにより、バランスガスイオンをビーム下 流側の電極でカットし、ドーパントイオンのビームのみを引出すことができる。
【図1】本考案の実施例の断面図である。
【図2】先に提案したE×Bフィルタを構成する質量分
離電極が組み込まれているイオンビ−ム引出し電極系の
断面図である。
離電極が組み込まれているイオンビ−ム引出し電極系の
断面図である。
【図3】ビーム上流側から見た質量分離電極の正面図で
ある。
ある。
1 プラズマ電極 2 引出し電極 5 電子抑制電極 6 接地電極 7 ビーム引出し孔 17 永久磁石
Claims (2)
- 【請求項1】 ドーパントイオンとバランスガスイオン
の混合プラズマをソースプラズマとする大面積イオン注
入装置において、引出し電極と電子抑制電極間に磁界が
形成されていることを特徴とするイオンビ−ム引出し電
極系装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のイオンビ−ム引出し電極
系装置において、磁界よりビーム上流側の電極とビーム
下流側の電極が、それらに形成されたビーム引出し孔の
軸をずらせて配置されていることを特徴とするイオンビ
−ム引出し電極系装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055293U JPH077060U (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | イオンビーム引出し電極系装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055293U JPH077060U (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | イオンビーム引出し電極系装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077060U true JPH077060U (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=12583620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4055293U Pending JPH077060U (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | イオンビーム引出し電極系装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077060U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4918200U (ja) * | 1972-05-17 | 1974-02-15 | ||
| JPH11329266A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-11-30 | Eaton Corp | イオン源とイオン処理工程中の洗浄方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP4055293U patent/JPH077060U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4918200U (ja) * | 1972-05-17 | 1974-02-15 | ||
| JPH11329266A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-11-30 | Eaton Corp | イオン源とイオン処理工程中の洗浄方法 |
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