JPH0770978B2 - Power supply device for gate drive circuit of GTO thyristor - Google Patents

Power supply device for gate drive circuit of GTO thyristor

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JPH0770978B2
JPH0770978B2 JP63007600A JP760088A JPH0770978B2 JP H0770978 B2 JPH0770978 B2 JP H0770978B2 JP 63007600 A JP63007600 A JP 63007600A JP 760088 A JP760088 A JP 760088A JP H0770978 B2 JPH0770978 B2 JP H0770978B2
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gto thyristor
circuit
power supply
thyristor
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茂雄 小西
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ゲートターンオフサイリスタ(以下GTOサ
イリスタと称する)を使用したインバータ装置等におい
て前記GTOサイリスタを駆動するためのゲート駆動回路
用電源装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a power supply device for a gate drive circuit for driving a GTO thyristor in an inverter device or the like using a gate turn-off thyristor (hereinafter referred to as “GTO thyristor”). .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

GTOサイリスタを使用して電流のスイッチングを行うゲ
ート駆動回路として、第3図に示すように構成したもの
が一般的に知られている。また、GTOサイリスタに対し
ては、スイッチング損失を低減する目的で、第3図に示
すようにスナバ回路が設けられている。第3図におい
て、参照符号10はGTOサイリスタを示し、このGTOサイリ
スタ10のゲート駆動回路として、ゲート駆動ユニット12
と電源回路14とが設けられている。この場合、電源回路
14への電力供給は絶縁トランス16を介して行われ、この
電源回路14においてオンゲートパルスおよびオフゲート
パルスを供給するのに必要な正負の直流電源を形成して
いる。また、前記GTOサイリスタ10のアノードとカソー
ドの端子間には、フリーホイルダイオード18が接続され
ると共にこのフリーホイルダイオード18と並列にスナバ
ダイオード20とスナバコンデンサ22との直列接続回路と
前記スナバダイオード20と並列接続されたスナバ抵抗器
24とからなるスナバ回路が接続配置されている。
As a gate drive circuit for switching a current using a GTO thyristor, one having a configuration as shown in FIG. 3 is generally known. Further, the GTO thyristor is provided with a snubber circuit as shown in FIG. 3 for the purpose of reducing switching loss. In FIG. 3, reference numeral 10 indicates a GTO thyristor. As a gate drive circuit of this GTO thyristor 10, a gate drive unit 12 is provided.
And a power supply circuit 14 are provided. In this case, the power circuit
Electric power is supplied to 14 through an insulating transformer 16 to form positive and negative DC power supplies necessary for supplying an on-gate pulse and an off-gate pulse in this power supply circuit 14. A free wheel diode 18 is connected between the anode and cathode terminals of the GTO thyristor 10, and a series connection circuit of a snubber diode 20 and a snubber capacitor 22 in parallel with the free wheel diode 18 and the snubber diode 20. Snubber resistor connected in parallel with
A snubber circuit consisting of 24 is connected and arranged.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかしながら、前述したゲート駆動ユニット12に対する
電源回路方式によれば、特にGTOサイリスタ10が複数個
直列に接続されて構成される高圧装置の場合、絶縁トラ
ンス16を高耐圧化するために非常に大形化しかつ高価な
ものとなる難点がある。また、GTOサイリスタ10のスイ
ッチング動作による電圧変化に際し、絶縁トランス16の
漂遊キャパシタンス等を介してノイズ電流が流れるた
め、ゲート駆動ユニット12の誤動作を生じ易くする等の
問題点がある。
However, according to the power supply circuit method for the gate drive unit 12 described above, particularly in the case of a high-voltage device configured by connecting a plurality of GTO thyristors 10 in series, the size is very large in order to increase the withstand voltage of the insulating transformer 16. There is a problem that it becomes expensive and expensive. Further, when the voltage changes due to the switching operation of the GTO thyristor 10, a noise current flows through the stray capacitance of the insulating transformer 16 and the like, which causes a problem that the gate drive unit 12 is likely to malfunction.

そこで、本発明の目的は、GTOサイリスタのゲート駆動
回路において、GTOサイリスタに対して設けたスナバ回
路から電源を得ることにより、大形かつ高価な絶縁トラ
ンスを省略し、耐ノイズ性等の信頼性を向上することが
できるGTOサイリスタのゲート駆動回路用電源装置を提
供するにある。
Therefore, in the gate drive circuit of the GTO thyristor, an object of the present invention is to obtain a power source from a snubber circuit provided for the GTO thyristor, thereby omitting a large and expensive insulating transformer and improving reliability such as noise resistance. (EN) Provided is a power supply device for a gate drive circuit of a GTO thyristor capable of improving the power consumption.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明に係るGTOサイリスタのゲート駆動回路用電源装
置は、ダイオードとコンデンサを直列接続したスナバ回
路を並列に接続してなるGTOサイリスタにおいて、前記
スナバコンデンサに対しインピーダンス要素とサイリス
タを介して充電される第2のコンデンサを前記インピー
ダンス要素およびサイリスタと共に直列接続してこれを
前記スナバコンデンサの端子間に並列に接続配置し、前
記サイリスタのゲートにGTOサイリスタのオン指令信号
と同期して点弧パルスを供給するゲートパルス発生回路
を接続し、さらに前記第2のコンデンサと並列に該コン
デンサの充電電圧を定電圧に保持する放電回路を接続し
てGTOサイリスタのゲート駆動回路の作動電源を構成す
ることを特徴とする。
A power supply device for a gate drive circuit of a GTO thyristor according to the present invention is a GTO thyristor in which a snubber circuit in which a diode and a capacitor are connected in series are connected in parallel, and the snubber capacitor is charged through an impedance element and the thyristor. A second capacitor is connected in series with the impedance element and the thyristor and is connected and arranged in parallel between the terminals of the snubber capacitor, and an ignition pulse is supplied to the gate of the thyristor in synchronization with the ON command signal of the GTO thyristor. And a discharge circuit that holds the charging voltage of the capacitor at a constant voltage in parallel with the second capacitor to configure an operating power supply for the gate drive circuit of the GTO thyristor. And

前記のゲート駆動回路用電源装置において、ゲートパル
ス発生回路は、GTOサイリスタのオン指令信号を入力し
て所定のゲートパルスを発生するモノステーブルとパル
スアンプとパルストランスとから構成することができ
る。
In the above-mentioned power supply device for gate drive circuit, the gate pulse generation circuit can be composed of a monostable for inputting an ON command signal of the GTO thyristor and generating a predetermined gate pulse, a pulse amplifier and a pulse transformer.

また、放電回路は、第2のコンデンサと並列にトランジ
スタを介して放電抵抗器を接続し、前記トランジスタの
ベースにツェナーダイオードを接続して前記第2のコン
デンサの充電電圧が設定電圧を超えた際に前記トランジ
スタをオン状態にするようにして構成することができ
る。
Further, the discharge circuit has a discharge capacitor connected in parallel with the second capacitor via a transistor, and a Zener diode is connected to the base of the transistor so that the charging voltage of the second capacitor exceeds a set voltage. In addition, the transistor can be turned on.

さらに、第2のコンデンサをGTOサイリスタに対しその
アノード・カソード間電圧により初期充電と補充電を行
うよう充電抵抗器およびダイオードを介して接続すれば
好適である。
Further, it is preferable to connect the second capacitor to the GTO thyristor through a charging resistor and a diode so as to perform initial charging and supplementary charging by the voltage between the anode and the cathode.

〔作用〕[Action]

本発明に係るGTOサイリスタのゲート駆動回路用電源装
置によれば、GTOサイリスタに並列接続されるスナバ回
路を構成するスナバコンデンサに対し、GTOサイリスタ
のオン状態時に点弧するサイリスタとインピーダンス要
素を介して充電を行うコンデンサを設けることにより、
このコンデンサの充電電圧をGTOサイリスタのゲート駆
動回路の作動電源とし、これにより高耐圧化されると共
に大形かつ高価となる絶縁トランスを使用することな
く、しかもスイッチングノイズに影響されない安定した
ゲート駆動回路用電源装置を提供することができる。ま
た、本発明の電源装置において、前記コンデンサに対し
過充電時に動作する放電回路を設けたり、GTOサイリス
タのアノード・カソード間電圧により初期充電および補
充電を行うことができる充電回路を付設することによ
り、電源装置としての安定化並びに信頼性を向上するこ
とができる。
According to the power supply device for the gate drive circuit of the GTO thyristor according to the present invention, with respect to the snubber capacitor forming the snubber circuit connected in parallel to the GTO thyristor, via the thyristor and the impedance element that fires when the GTO thyristor is in the ON state. By providing a capacitor to charge,
The charging voltage of this capacitor is used as the operating power supply of the gate drive circuit of the GTO thyristor, and the stable gate drive circuit that is not affected by switching noise is used without using an insulating transformer that has a high breakdown voltage and is large and expensive. A power supply device for use can be provided. Further, in the power supply device of the present invention, by providing the capacitor with a discharge circuit that operates at the time of overcharging, or by attaching a charging circuit that can perform initial charging and auxiliary charging by the voltage between the anode and cathode of the GTO thyristor. It is possible to improve the stability and reliability of the power supply device.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明に係るGTOサイリスタのゲート駆動回路用
電源装置の実施例につき、添付図面を参照しながら以下
詳細に説明する。
Next, an embodiment of a power supply device for a gate drive circuit of a GTO thyristor according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本発明の一実施例を示すゲート駆動回路用電
源装置の回路図である。なお、説明の便宜上、第3図に
示す従来回路と同一の構成部分には同一の参照符号を付
して説明する。すなわち、第1図において、GTOサイリ
スタ10のスナバ回路を構成するスナバダイオード20とス
ナバコンデンサ22の直列接続回路に対し、これと並列に
充電抵抗器26、ダイオード28および第2のコンデンサ30
からなる直列接続回路を接続し、さらに前記スナバダイ
オード20およびスナバコンデンサ22の接続点とダイオー
ド28および第2のコンデンサ30の接続点との間に抵抗
器、リアクトル等のインピーダンス要素32およびサイリ
スタ34を介して接続する。また、前記第2のコンデンサ
30に対し、その一端にトランジスタ36のエミッタを接続
すると共にトランジスタ36のコレクタを放電抵抗器38を
介して前記第2のコンデンサ30の他端に接続する。そし
て、前記トランジスタ36のベースと第2のコンデンサ30
の他端との間に抵抗器40を介してツェナーダイオード42
を接続する。しかるに、このように回路構成された第2
のコンデンサ30の両端を、電源回路14に接続する。な
お、GTOサイリスタ10のゲート駆動ユニット12へ入力さ
れるオン指令信号を分岐入力して作動するモノステーブ
ル44、パルスアンプ46およびパルストランス48を順次接
続配置し、前記パルストランス48の出力信号を前記サイ
リスタ34のゲートに供給するよう回路構成する。
FIG. 1 is a circuit diagram of a power supply device for a gate drive circuit showing an embodiment of the present invention. For convenience of explanation, the same components as those of the conventional circuit shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. That is, in FIG. 1, a charging resistor 26, a diode 28, and a second capacitor 30 are connected in parallel with a series connection circuit of a snubber diode 20 and a snubber capacitor 22 which form the snubber circuit of the GTO thyristor 10.
Connected in series, and between the connection point of the snubber diode 20 and the snubber capacitor 22 and the connection point of the diode 28 and the second capacitor 30, an impedance element 32 such as a resistor and a reactor and a thyristor 34. Connect through. Also, the second capacitor
With respect to 30, the emitter of the transistor 36 is connected to one end thereof, and the collector of the transistor 36 is connected to the other end of the second capacitor 30 via the discharge resistor 38. The base of the transistor 36 and the second capacitor 30
Zener diode 42 via resistor 40 to the other end of
Connect. However, the second circuit configured in this way
Both ends of the capacitor 30 are connected to the power supply circuit 14. The monostable 44, which operates by branching in the ON command signal input to the gate drive unit 12 of the GTO thyristor 10, the pulse amplifier 46 and the pulse transformer 48 are sequentially connected and arranged, and the output signal of the pulse transformer 48 is The circuit is configured to supply the gate of the thyristor 34.

このようにして、本実施例回路においては、前記電源回
路14をゲート駆動ユニット12およびモノステーブル44と
パルスアンプ46の電源として接続する。
In this way, in the circuit of this embodiment, the power supply circuit 14 is connected as the power supply for the gate drive unit 12, the monostable 44 and the pulse amplifier 46.

次に、このように構成された本実施例回路の動作につき
説明する。
Next, the operation of the circuit of this embodiment configured as described above will be described.

本実施例回路においては、スナバ回路を構成するスナバ
コンデンサ22よりインピーダンス要素32およびサイリス
タ34を介して第2のコンデンサ30が充電されるように構
成されている。サイリスタ34は、GTOサイリスタ10のゲ
ート駆動ユニット12と同時にモノステーブル44にオン指
令信号が入力されると、所定のパルス幅に波形整形され
た信号がモノステーブル44より出力され、この出力信号
がパルスアンプ46およびパルストランス48を介してサイ
リスタ34のゲートパルスとして入力され、サイリスタ34
が点弧して第2のコンデンサ30の充電が行われる。この
場合、第2のコンデンサ30の容量は、スナバコンデンサ
22の容量より充分大きく選定する。これにより、第2の
コンデンサ30の1回当りの充電電圧をGTOサイリスタ10
の素子電圧に比べて充分小さくすることができる。ま
た、第2のコンデンサ30には、その充電電圧がツェナー
ダイオード42のツェナー電圧で略決まる電圧値(Ve)を
超えると、ツェナーダイオード42および抵抗器40を介し
てトランジスタ36にベース電流が供給されてトランジス
タ36がオン動作することにより、放電抵抗器38が第2の
コンデンサ30と並列に接続されて第2のコンデンサ30の
過充電時における放電が行われる。このようにして、第
2のコンデンサ30の充電電圧が安定化することにより、
電源回路14を適正に作動させることができる。
In the circuit of this embodiment, the second capacitor 30 is configured to be charged from the snubber capacitor 22 constituting the snubber circuit via the impedance element 32 and the thyristor 34. When the ON command signal is input to the monostable 44 at the same time as the gate drive unit 12 of the GTO thyristor 10, the thyristor 34 outputs a signal whose waveform is shaped into a predetermined pulse width from the monostable 44, and the output signal is pulsed. It is input as a gate pulse of thyristor 34 via amplifier 46 and pulse transformer 48,
Is fired and the second capacitor 30 is charged. In this case, the capacity of the second capacitor 30 is the snubber capacitor.
Select sufficiently larger than the capacity of 22. As a result, the charging voltage of the second capacitor 30 per charge is changed to the GTO thyristor 10
It can be made sufficiently smaller than the element voltage. Further, when the charging voltage of the second capacitor 30 exceeds a voltage value (Ve) substantially determined by the Zener voltage of the Zener diode 42, the base current is supplied to the transistor 36 via the Zener diode 42 and the resistor 40. When the transistor 36 is turned on, the discharge resistor 38 is connected in parallel with the second capacitor 30, and the second capacitor 30 is discharged when it is overcharged. In this way, by stabilizing the charging voltage of the second capacitor 30,
The power supply circuit 14 can be operated properly.

さらに、前述した本実施例における電源装置の動作状態
につき、特に第2のコンデンサ30に関する電流および電
圧の特性を示す第2図の動作波形を参照しながら詳細に
説明する。今、GTOサイリスタ10に対しオン指令信号が
ゲート駆動ユニット12に入力されると[第2図
(1)]、これと同時にモノステーブル44、パルスアン
プ46およびパルストランス48を介してサイリスタ34のゲ
ートに点弧パルスが供給され[第2図(2)]、サイリ
スタ34がオン状態となる。この時、スナバコンデンサ22
がインピーダンス素子32を介して放電され、第1図に実
線で示す経路で電流Iが流れ、第2のコンデンサ30の充
電を行う[第2図(3)]。このようにして、スナバコ
ンデンサ22と第2のコンデンサ30の電圧が略等しくなる
と、GTOサイリスタ10のアノード・カソード間電圧によ
って、第1図に破線で示す経路で電流IIが流れ、第2の
コンデンサ30の充電を行う[第2図(3)]。その後、
スナバコンデンサ22の電圧が零になると前記充電電流II
も次第に減少し、電流IIが零となった際にサイリスタ34
がオフ状態となり、第2のコンデンサ30の充電を完了す
る[第2図(4)]。この時、第2のコンデンサ30の充
電電圧がツェナーダイオード42で規定する制限電圧Veを
超えると、トランジスタ36がオン状態となり、前記コン
デンサ30に放電抵抗器38が接続されてその電圧が制限電
圧Veになるまで放電され[第2図(4),(5)]、そ
の後前記コンデンサ30の電圧は一定電圧Veに安定化され
る。
Further, the operating state of the power supply device according to the present embodiment described above will be described in detail with reference to the operating waveform of FIG. 2 which shows the current and voltage characteristics of the second capacitor 30, in particular. Now, when an ON command signal is input to the gate drive unit 12 to the GTO thyristor 10 [Fig. 2 (1)], at the same time, the gate of the thyristor 34 is passed through the monostable 44, the pulse amplifier 46 and the pulse transformer 48. A firing pulse is supplied to [[2] in FIG. 2], and the thyristor 34 is turned on. At this time, snubber capacitor 22
Is discharged through the impedance element 32, and the current I flows through the path shown by the solid line in FIG. 1 to charge the second capacitor 30 [FIG. 2 (3)]. In this way, when the voltages of the snubber capacitor 22 and the second capacitor 30 become substantially equal, the current II flows through the path shown by the broken line in FIG. 1 due to the anode-cathode voltage of the GTO thyristor 10, and the second capacitor Charge 30 [Fig. 2 (3)]. afterwards,
When the voltage of the snubber capacitor 22 becomes zero, the charging current II
Gradually decreases, and when the current II becomes zero, the thyristor 34
Is turned off, and the charging of the second capacitor 30 is completed [Fig. 2 (4)]. At this time, when the charging voltage of the second capacitor 30 exceeds the limit voltage Ve defined by the Zener diode 42, the transistor 36 is turned on, the discharge resistor 38 is connected to the capacitor 30, and the voltage is the limit voltage Ve. Is discharged until the temperature reaches (4), (5) in FIG. 2, and then the voltage of the capacitor 30 is stabilized at a constant voltage Ve.

このようにして、一定電圧に充電された第2のコンデン
サ30は電源回路14に接続され、この電源回路14で正負の
直流電源を作成してこれをゲート駆動ユニット12に供給
することができる。なお、本実施例回路において、第2
のコンデンサ30に対して接続される充電抵抗器26とダイ
オード28とは、GTOサイリスタ10を使用する装置の起動
前における第2のコンデンサ30の予備充電と、装置の運
転中における第2のコンデンサ30の補充電を行う回路と
して機能する。
In this way, the second capacitor 30 charged to a constant voltage is connected to the power supply circuit 14, and this power supply circuit 14 can create positive and negative DC power supplies and supply this to the gate drive unit 12. In the circuit of this embodiment, the second
The charging resistor 26 and the diode 28 connected to the capacitor 30 of the second capacitor 30 precharge the second capacitor 30 before starting the device using the GTO thyristor 10 and the second capacitor 30 during operation of the device. It functions as a circuit for supplementary charging.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

前述した実施例から明らかなように、本発明によれば、
GTOサイリスタのスイッチング損失を低減するために設
けたスナバ回路からゲート駆動回路の動作に必要な電源
を得るよう構成したことにより、特にGTOサイリスタを
直列接続して構成される装置の場合に要求される高耐圧
で大形かつ高価な絶縁トランスを使用しないで済むばか
りでなく、スイッチングノイズ等に対する影響を有効に
防止することができるという利点が得られる。
As is apparent from the above-mentioned embodiments, according to the present invention,
This is required especially in the case of a device configured by connecting GTO thyristors in series by configuring it to obtain the power supply necessary for the operation of the gate drive circuit from the snubber circuit provided to reduce the switching loss of the GTO thyristor. Not only does the use of a high-voltage, large-sized, and expensive insulating transformer need not be used, but the effect on switching noise and the like can be effectively prevented.

従って、本発明によれば、装置電圧に応じてGTOサイリ
スタを多数直列接続する際、その都度耐圧の異なった絶
縁トランスを用意する必要がなくなり、この種ゲート駆
動回路用電源装置の標準化が可能となり、装置の信頼性
の向上と共にその製造コストの低減化に寄与する効果は
極めて大きい。
Therefore, according to the present invention, when a large number of GTO thyristors are connected in series according to the device voltage, it is not necessary to prepare an insulating transformer having different withstand voltage each time, and it becomes possible to standardize the power supply device for this kind of gate drive circuit. The effect of improving the reliability of the device and reducing the manufacturing cost thereof is extremely large.

以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発
明は前記実施例におけるGTOサイリスタに限定されるこ
となく、同様のスイッチング素子のゲート駆動回路用電
源装置として広く応用することができ、その他本発明の
精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更をなし
得ることは勿論である。
Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the GTO thyristor in the above embodiment, but can be widely applied as a power supply device for a gate drive circuit of a similar switching element, and the like. It goes without saying that various design changes can be made without departing from the spirit of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に係るGTOサイリスタのゲート駆動回路
用電源装置の一実施例を示す回路図、第2図は第1図に
示す回路の動作波形図、第3図は従来のGTOサイリスタ
のゲート駆動回路とスナバ回路の構成を示す概略回路図
である。 10……GTOサイリスタ 12……ゲート駆動ユニット 14……電源回路、16……絶縁トランス 18……フリーホイルダイオード 20……スナバダイオード 22……スナバコンデンサ 24……スナバ抵抗器、26……充電抵抗器 28……ダイオード、30……第2のコンデンサ 32……インピーダンス要素 34……サイリスタ、36……トランジスタ 38……放電抵抗器、40……抵抗器 42……ツェナーダイオード 44……モノステーブル、46……パルスアンプ 48……パルストランス
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a power supply device for a gate drive circuit of a GTO thyristor according to the present invention, FIG. 2 is an operation waveform diagram of the circuit shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a conventional GTO thyristor. It is a schematic circuit diagram which shows the structure of a gate drive circuit and a snubber circuit. 10 …… GTO thyristor 12 …… Gate drive unit 14 …… Power supply circuit, 16 …… Isolation transformer 18 …… Free wheel diode 20 …… Snubber diode 22 …… Snubber capacitor 24 …… Snubber resistor, 26 …… Charging resistance Unit 28 …… Diode, 30 …… Second capacitor 32 …… Impedance element 34 …… Thyristor, 36 …… Transistor 38 …… Discharge resistor, 40 …… Resistor 42 …… Zener diode 44 …… Monostable, 46 …… Pulse amplifier 48 …… Pulse transformer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ダイオードとコンデンサを直列接続したス
ナバ回路を並列に接続してなるGTOサイリスタにおい
て、前記スナバコンデンサに対しインピーダンス要素と
サイリスタを介して充電される第2のコンデンサを前記
インピーダンス要素およびサイリスタと共に直列接続し
てこれを前記スナバコンデンサの端子間に並列に接続配
置し、前記サイリスタのゲートにGTOサイリスタのオン
指令信号と同期して点弧パルスを供給するゲートパルス
発生回路を接続し、さらに前記第2のコンデンサと並列
に該コンデンサの充電電圧を定電圧に保持する放電回路
を接続してGTOサイリスタのゲート駆動回路の作動電源
を構成することを特徴とするGTOサイリスタのゲート駆
動回路用電源装置。
1. A GTO thyristor in which a snubber circuit in which a diode and a capacitor are connected in series are connected in parallel, wherein a second capacitor charged to the snubber capacitor via an impedance element and the thyristor is connected to the impedance element and the thyristor. It is connected in series with and is connected in parallel between the terminals of the snubber capacitor, and a gate pulse generator circuit is connected to the gate of the thyristor, which supplies an ignition pulse in synchronization with the ON command signal of the GTO thyristor, and A power supply for a gate drive circuit of a GTO thyristor, characterized in that a discharge circuit for holding the charging voltage of the capacitor at a constant voltage is connected in parallel with the second capacitor to constitute an operating power supply of the gate drive circuit of the GTO thyristor. apparatus.
【請求項2】ゲートパルス発生回路は、GTOサイリスタ
のオン指令信号を入力して所定のゲートパルスを発生す
るモノステーブルとパルスアンプとパルストランスとか
ら構成してなる請求項1記載のGTOサイリスタのゲート
駆動回路用電源装置。
2. The GTO thyristor according to claim 1, wherein the gate pulse generating circuit comprises a monostable for inputting an ON command signal of the GTO thyristor and generating a predetermined gate pulse, a pulse amplifier and a pulse transformer. Power supply for gate drive circuit.
【請求項3】放電回路は、第2のコンデンサと並列にト
ランジスタを介して放電抵抗器を接続し、前記トランジ
スタのベースにツェナーダイオードを接続して前記第2
のコンデンサの充電電圧が設定電圧を超えた際に前記ト
ランジスタをオン状態にするように構成してなる請求項
1記載のGTOサイリスタのゲート駆動回路用電源装置。
3. A discharging circuit, wherein a discharging resistor is connected in parallel with a second capacitor through a transistor, and a Zener diode is connected to the base of the transistor to connect the second capacitor.
The power supply device for a gate drive circuit of a GTO thyristor according to claim 1, wherein the transistor is turned on when the charging voltage of the capacitor exceeds a set voltage.
【請求項4】第2のコンデンサをGTOサイリスタに対し
そのアノード・カソード間電圧により初期充電と補充電
を行うように充電抵抗器およびダイオードを介して接続
してなる請求項1記載のGTOサイリスタのゲート駆動回
路用電源装置。
4. The GTO thyristor according to claim 1, wherein the second capacitor is connected to the GTO thyristor via a charging resistor and a diode so as to perform initial charging and supplementary charging by the voltage between the anode and the cathode. Power supply for gate drive circuit.
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