JPH077098A - 半導体装置用キャップ及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用キャップ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH077098A JPH077098A JP30504693A JP30504693A JPH077098A JP H077098 A JPH077098 A JP H077098A JP 30504693 A JP30504693 A JP 30504693A JP 30504693 A JP30504693 A JP 30504693A JP H077098 A JPH077098 A JP H077098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- plating film
- corrosion
- semiconductor device
- resistant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャップ内での迷光を防止し、誤動作を防止
し、信頼性の高い半導体装置用キャップを提供する。 【構成】 キャップ本体２１に耐蝕下地めっき皮膜２３
が形成され、該耐蝕下地めっき皮膜２３上に黒色ニッケ
ルめっき皮膜２６が形成されている。耐蝕下地めっき皮
膜としては電解ニッケル、無電解ニッケル、電解ニッケ
ル−リン、電解ニッケル−ボロンが好適に使用できる。
し、信頼性の高い半導体装置用キャップを提供する。 【構成】 キャップ本体２１に耐蝕下地めっき皮膜２３
が形成され、該耐蝕下地めっき皮膜２３上に黒色ニッケ
ルめっき皮膜２６が形成されている。耐蝕下地めっき皮
膜としては電解ニッケル、無電解ニッケル、電解ニッケ
ル−リン、電解ニッケル−ボロンが好適に使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用キャップ及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＤ（レーザーディスク）用の投受光装
置は、これが組み込まれる家電製品等が小型化すること
により、必然的に小型化の要請が強い。図４は上記の投
受光装置であり、ステム１０の所要個所に投光用のレー
ザー素子１１、受光用のレーザー素子１２が搭載され、
これら素子を硬質ガラス等からなる光透過用窓体１３を
有するキャップ１４にて気密に封止している。１５はレ
ーザ素子１１、１２に対応するモニター素子である。光
透過用窓体１３はキャップ本体１７の透孔１８を覆って
低融点ガラス１６にて溶着されている。１９はホログラ
ムガラスである。
置は、これが組み込まれる家電製品等が小型化すること
により、必然的に小型化の要請が強い。図４は上記の投
受光装置であり、ステム１０の所要個所に投光用のレー
ザー素子１１、受光用のレーザー素子１２が搭載され、
これら素子を硬質ガラス等からなる光透過用窓体１３を
有するキャップ１４にて気密に封止している。１５はレ
ーザ素子１１、１２に対応するモニター素子である。光
透過用窓体１３はキャップ本体１７の透孔１８を覆って
低融点ガラス１６にて溶着されている。１９はホログラ
ムガラスである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬＤ用の投受光装置は
従来、投光用、受光用がそれぞれ別個に設けられていた
が、昨今において、上記のように小型化の要請等から共
通のステム上に素子を搭載した投受光兼用の装置が開発
されている。このように装置が小型化していること、ま
た投受光兼用のものになってきていることで最大の問題
は、特に受光の際の迷光による誤動作の問題である。な
お、図５は光透過用窓体を有しないタイプのレーザ素子
搭載装置を示す。この装置ではホログラムガラス１９を
樹脂系接着剤でキャップ本体１７に接着保持している。
このように光透過用窓体を有しないキャップ１４の場合
も上述したと同様な迷光による問題がある。
従来、投光用、受光用がそれぞれ別個に設けられていた
が、昨今において、上記のように小型化の要請等から共
通のステム上に素子を搭載した投受光兼用の装置が開発
されている。このように装置が小型化していること、ま
た投受光兼用のものになってきていることで最大の問題
は、特に受光の際の迷光による誤動作の問題である。な
お、図５は光透過用窓体を有しないタイプのレーザ素子
搭載装置を示す。この装置ではホログラムガラス１９を
樹脂系接着剤でキャップ本体１７に接着保持している。
このように光透過用窓体を有しないキャップ１４の場合
も上述したと同様な迷光による問題がある。
【０００４】そこで本発明は上記問題点を解決すべくな
されたものであり、その目的とするところは、反射光を
吸収し、迷光を防止できる半導体装置用キャップ及びそ
の製造方法を提供するにある。
されたものであり、その目的とするところは、反射光を
吸収し、迷光を防止できる半導体装置用キャップ及びそ
の製造方法を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体装置用キ
ャップにおいて、キャップ本体に耐蝕下地めっき皮膜が
形成され、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒色ニッケルめっ
き皮膜が形成されていることを特徴とする。また、キャ
ップ本体に光透過用窓体が気密に封止されている半導体
装置用キャップにおいて、前記キャップ本体に耐蝕下地
めっき皮膜が形成され、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒色
ニッケルめっき皮膜が形成されていることを特徴とす
る。また、前記耐蝕下地めっき皮膜が電解ニッケル、無
電解ニッケル、電解ニッケル−リンまたは電解ニッケル
−ボロンであることを特徴とする。また、半導体装置用
キャップの製造方法において、前記キャップ本体に耐蝕
下地めっき皮膜を形成し、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒
色ニッケルめっき皮膜を形成した後、大気中で加熱処理
することを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体装置用キ
ャップにおいて、キャップ本体に耐蝕下地めっき皮膜が
形成され、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒色ニッケルめっ
き皮膜が形成されていることを特徴とする。また、キャ
ップ本体に光透過用窓体が気密に封止されている半導体
装置用キャップにおいて、前記キャップ本体に耐蝕下地
めっき皮膜が形成され、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒色
ニッケルめっき皮膜が形成されていることを特徴とす
る。また、前記耐蝕下地めっき皮膜が電解ニッケル、無
電解ニッケル、電解ニッケル−リンまたは電解ニッケル
−ボロンであることを特徴とする。また、半導体装置用
キャップの製造方法において、前記キャップ本体に耐蝕
下地めっき皮膜を形成し、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒
色ニッケルめっき皮膜を形成した後、大気中で加熱処理
することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明に係る半導体装置用キャップによれば、
キャップ表面に設けた黒色めっき皮膜により光反射を防
止して迷光の発生を極力防止でき、信頼性の高い半導体
装置用キャップを提供できる。また、光透過用窓体を取
り付けた半導体装置用のキャップの場合は、光透過用窓
体を固定する低融点ガラスの表面にも黒色ニッケルめっ
き皮膜が形成されるから、該膜が低融点ガラスの保護膜
として作用し、寿命の長い半導体装置用キャップを提供
できる。また、半導体装置用キャップの製造方法におい
て、黒色めっきを施した後に加熱処理を施すことによっ
てめっき皮膜からのガスの発生を防止し、レーザ素子を
実装した後のレーザ素子搭載装置の信頼性を向上させる
ことができる。
キャップ表面に設けた黒色めっき皮膜により光反射を防
止して迷光の発生を極力防止でき、信頼性の高い半導体
装置用キャップを提供できる。また、光透過用窓体を取
り付けた半導体装置用のキャップの場合は、光透過用窓
体を固定する低融点ガラスの表面にも黒色ニッケルめっ
き皮膜が形成されるから、該膜が低融点ガラスの保護膜
として作用し、寿命の長い半導体装置用キャップを提供
できる。また、半導体装置用キャップの製造方法におい
て、黒色めっきを施した後に加熱処理を施すことによっ
てめっき皮膜からのガスの発生を防止し、レーザ素子を
実装した後のレーザ素子搭載装置の信頼性を向上させる
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は光透過用窓体付のレーザ
素子搭載装置用キャップの第１の実施例を示す。２１は
キャップ本体であり、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル
−コバルト合金等の金属からなる。キャップ本体２１の
上面には透孔２２が形成されている。キャップ本体２１
には、まずその表面に耐蝕下地めっき皮膜２３が形成さ
れる。この耐蝕下地めっきとしては電解ニッケルめっ
き、電解ニッケル−リンめっき、電解ニッケル−ボロン
めっき、あるいは無電解ニッケルめっきが好適である。
耐蝕下地めっき皮膜２３の厚さは特に限定されないが、
２〜７μｍ程度でよい。
づいて詳細に説明する。図１は光透過用窓体付のレーザ
素子搭載装置用キャップの第１の実施例を示す。２１は
キャップ本体であり、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル
−コバルト合金等の金属からなる。キャップ本体２１の
上面には透孔２２が形成されている。キャップ本体２１
には、まずその表面に耐蝕下地めっき皮膜２３が形成さ
れる。この耐蝕下地めっきとしては電解ニッケルめっ
き、電解ニッケル−リンめっき、電解ニッケル−ボロン
めっき、あるいは無電解ニッケルめっきが好適である。
耐蝕下地めっき皮膜２３の厚さは特に限定されないが、
２〜７μｍ程度でよい。
【０００８】次いでキャップ本体２１の透孔２２を覆う
ように硬質ガラス等からなる光透過用窓体２５が低融点
ガラス２４により溶着される。この溶着温度は４５０〜
５００℃程度である。このように光透過用窓体２５を溶
着したキャップ本体２１に電解黒色ニッケルめっきを施
し黒色ニッケルめっき皮膜２６を形成する。電解黒色ニ
ッケルめっきには添加剤に硫化亜鉛を含むものや電解錫
−ニッケルめっきなどがある。低融点ガラス２４中には
鉛成分が多く含有されているから、黒色ニッケルめっき
皮膜２６は耐蝕下地めっき皮膜２３上ばかりでなく、低
融点ガラス２４の表面上にも析出し、薄い皮膜が形成さ
れる。電解黒色ニッケルめっきによる黒色ニッケルめっ
き皮膜２６があまり厚いとキャップをステムに抵抗溶接
等で固定するキャッピングの際の障害となるので、その
厚さは０．１〜１．０μｍ程度が好適である。
ように硬質ガラス等からなる光透過用窓体２５が低融点
ガラス２４により溶着される。この溶着温度は４５０〜
５００℃程度である。このように光透過用窓体２５を溶
着したキャップ本体２１に電解黒色ニッケルめっきを施
し黒色ニッケルめっき皮膜２６を形成する。電解黒色ニ
ッケルめっきには添加剤に硫化亜鉛を含むものや電解錫
−ニッケルめっきなどがある。低融点ガラス２４中には
鉛成分が多く含有されているから、黒色ニッケルめっき
皮膜２６は耐蝕下地めっき皮膜２３上ばかりでなく、低
融点ガラス２４の表面上にも析出し、薄い皮膜が形成さ
れる。電解黒色ニッケルめっきによる黒色ニッケルめっ
き皮膜２６があまり厚いとキャップをステムに抵抗溶接
等で固定するキャッピングの際の障害となるので、その
厚さは０．１〜１．０μｍ程度が好適である。
【０００９】上記のようにして作製したキャップをステ
ムにレーザー溶接により固定し、投受光特性を調べたと
ころ、特に受光の際、入光された光の反射光がキャップ
本体２１の黒化処理された内面にて吸収され、迷光の発
生を防止できた。そして、通常、低融点ガラス２４は湿
気等に弱く、経時的に徐々に気密性が劣化する傾向にあ
るが、本実施例では上記したように低融点ガラス２４上
にも黒色ニッケルめっき皮膜２６が形成されることか
ら、該皮膜が低融点ガラス２４の保護膜として作用し、
低融点ガラス２４の耐候性が格段に向上し、光装置の寿
命特性が改善された。
ムにレーザー溶接により固定し、投受光特性を調べたと
ころ、特に受光の際、入光された光の反射光がキャップ
本体２１の黒化処理された内面にて吸収され、迷光の発
生を防止できた。そして、通常、低融点ガラス２４は湿
気等に弱く、経時的に徐々に気密性が劣化する傾向にあ
るが、本実施例では上記したように低融点ガラス２４上
にも黒色ニッケルめっき皮膜２６が形成されることか
ら、該皮膜が低融点ガラス２４の保護膜として作用し、
低融点ガラス２４の耐候性が格段に向上し、光装置の寿
命特性が改善された。
【００１０】図２はレーザ素子搭載装置用キャップの第
２の実施例を示す。本実施例では、キャップ本体２１を
炉中に入れて加熱して酸化し、表面に酸化皮膜（図示せ
ず）を形成し、この酸化皮膜を介して光透過用窓体２５
を低融点ガラス２４にてキャップ本体２１に溶着する。
低融点ガラス２４と酸化膜とのなじみがよいことから、
低融点ガラス２４とキャップ本体２１との密着性が良好
となる。
２の実施例を示す。本実施例では、キャップ本体２１を
炉中に入れて加熱して酸化し、表面に酸化皮膜（図示せ
ず）を形成し、この酸化皮膜を介して光透過用窓体２５
を低融点ガラス２４にてキャップ本体２１に溶着する。
低融点ガラス２４と酸化膜とのなじみがよいことから、
低融点ガラス２４とキャップ本体２１との密着性が良好
となる。
【００１１】次いで、低融点ガラス２４が溶着した部分
以外の酸化膜を除去した後、キャップ本体２１の露出し
た表面上に耐蝕下地めっき皮膜２３を形成する。耐蝕下
地めっき皮膜２３は前記実施例と同様の電解ニッケルめ
っき皮膜等とする。そして前記実施例と同様にして、耐
蝕下地めっき皮膜２３並びに低融点ガラス２４上に黒色
ニッケルめっき皮膜２６を形成する。黒色ニッケルめっ
きは電解黒色ニッケルめっき、電解錫−ニッケルめっき
などによる。本実施例の場合も、耐蝕下地めっき皮膜２
３および低融点ガラス２４上に黒色ニッケルめっき皮膜
２６が設けられるから、実施例１と同様に迷光の発生を
有効に防止することができる。また、黒色ニッケルめっ
き皮膜２６が低融点ガラス２４の保護膜として作用する
点も同様である。
以外の酸化膜を除去した後、キャップ本体２１の露出し
た表面上に耐蝕下地めっき皮膜２３を形成する。耐蝕下
地めっき皮膜２３は前記実施例と同様の電解ニッケルめ
っき皮膜等とする。そして前記実施例と同様にして、耐
蝕下地めっき皮膜２３並びに低融点ガラス２４上に黒色
ニッケルめっき皮膜２６を形成する。黒色ニッケルめっ
きは電解黒色ニッケルめっき、電解錫−ニッケルめっき
などによる。本実施例の場合も、耐蝕下地めっき皮膜２
３および低融点ガラス２４上に黒色ニッケルめっき皮膜
２６が設けられるから、実施例１と同様に迷光の発生を
有効に防止することができる。また、黒色ニッケルめっ
き皮膜２６が低融点ガラス２４の保護膜として作用する
点も同様である。
【００１２】図３はレーザ素子搭載装置用キャップで光
透過用窓体を有しないタイプの実施例を示す。この実施
例では、まずキャップ本体２１に電解ニッケルめっき、
あるいは電解ニッケル−リンめっき等の耐蝕下地めっき
を施し、さらに黒色ニッケルめっきを施した後、加熱処
理して製品とする。耐蝕下地めっき皮膜２３の厚さは２
〜７μｍ程度でよい。また、黒色ニッケルめっきは上記
実施例と同様に電解黒色ニッケルめっき、電解錫−ニッ
ケルめっき等が使用できる。黒色ニッケルめっき皮膜２
６の厚さは０．１〜１．０μｍ程度が好適である。
透過用窓体を有しないタイプの実施例を示す。この実施
例では、まずキャップ本体２１に電解ニッケルめっき、
あるいは電解ニッケル−リンめっき等の耐蝕下地めっき
を施し、さらに黒色ニッケルめっきを施した後、加熱処
理して製品とする。耐蝕下地めっき皮膜２３の厚さは２
〜７μｍ程度でよい。また、黒色ニッケルめっきは上記
実施例と同様に電解黒色ニッケルめっき、電解錫−ニッ
ケルめっき等が使用できる。黒色ニッケルめっき皮膜２
６の厚さは０．１〜１．０μｍ程度が好適である。
【００１３】本実施例では黒色ニッケルめっきを施した
後に加熱処理を施すが、これは、レーザ素子を実装した
後、加熱状態になった際にめっき膜から水蒸気を含む酸
化性ガスが発生することを防止することを目的とする。
実施例では大気中で１５０℃、６０分の熱処理を行っ
た。このように加熱処理を施すことによってめっき皮膜
からのガスの発生を防止し、レーザ素子搭載装置の信頼
性を向上させることができる。なお、この加熱処理は前
述した光透過用窓体を有するキャップについても同様に
適用して有効である。本実施例のレーザ素子搭載装置用
キャップも上記実施例と同様にキャップの表面に黒色ニ
ッケルめっき皮膜２６を設けたことによって迷光の発生
を効果的に防止することができた。
後に加熱処理を施すが、これは、レーザ素子を実装した
後、加熱状態になった際にめっき膜から水蒸気を含む酸
化性ガスが発生することを防止することを目的とする。
実施例では大気中で１５０℃、６０分の熱処理を行っ
た。このように加熱処理を施すことによってめっき皮膜
からのガスの発生を防止し、レーザ素子搭載装置の信頼
性を向上させることができる。なお、この加熱処理は前
述した光透過用窓体を有するキャップについても同様に
適用して有効である。本実施例のレーザ素子搭載装置用
キャップも上記実施例と同様にキャップの表面に黒色ニ
ッケルめっき皮膜２６を設けたことによって迷光の発生
を効果的に防止することができた。
【００１４】上記各実施例において示したレーザ素子搭
載装置用キャップは、投受光兼用の装置ばかりでなく、
投光用、受光用専用の装置にも用いることができること
はもちろんである。またキャップ本体２１の内面は鏡面
でなく、梨地加工等により表面を粗面にすることでさら
に光の吸収性を向上させることができる。
載装置用キャップは、投受光兼用の装置ばかりでなく、
投光用、受光用専用の装置にも用いることができること
はもちろんである。またキャップ本体２１の内面は鏡面
でなく、梨地加工等により表面を粗面にすることでさら
に光の吸収性を向上させることができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用キャップは、
上述したように、キャップ表面に黒色皮膜が形成される
ので、迷光の発生を極力防止することができ、誤動作等
を防止することができる。また、光透過用窓体を有する
キャップの場合には低融点ガラスの表面にも黒色ニッケ
ルめっき皮膜を形成でき、該皮膜が低融点ガラスの保護
膜として作用する結果、寿命の長い半導体装置用キャッ
プを提供できる。また、半導体装置用キャップの製造に
おいて、加熱処理を施すことによって半導体装置用キャ
ップの信頼性を向上させることができる等の著効を奏す
る。
上述したように、キャップ表面に黒色皮膜が形成される
ので、迷光の発生を極力防止することができ、誤動作等
を防止することができる。また、光透過用窓体を有する
キャップの場合には低融点ガラスの表面にも黒色ニッケ
ルめっき皮膜を形成でき、該皮膜が低融点ガラスの保護
膜として作用する結果、寿命の長い半導体装置用キャッ
プを提供できる。また、半導体装置用キャップの製造に
おいて、加熱処理を施すことによって半導体装置用キャ
ップの信頼性を向上させることができる等の著効を奏す
る。
【図１】レーザ素子搭載装置用キャップの実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】レーザ素子搭載装置用キャップの実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】レーザ素子搭載装置用キャップの他の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】従来のレーザ素子搭載装置の断面図である。
【図５】従来のレーザ素子搭載装置の断面図である。
２１ キャップ本体 ２２ 透孔 ２３ 耐蝕下地めっき皮膜 ２４ 低融点ガラス ２５ 光透過用窓体 ２６ 黒色ニッケルめっき皮膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｊ 7210−4Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】 キャップ本体に耐蝕下地めっき皮膜が形
成され、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒色ニッケルめっき
皮膜が形成されていることを特徴とする半導体装置用キ
ャップ。 - 【請求項２】 キャップ本体に光透過用窓体が気密に封
止されている半導体装置用キャップにおいて、 前記キャップ本体に耐蝕下地めっき皮膜が形成され、該
耐蝕下地めっき皮膜上に黒色ニッケルめっき皮膜が形成
されていることを特徴とする半導体装置用キャップ。 - 【請求項３】 耐蝕下地めっき皮膜が電解ニッケル、無
電解ニッケル、電解ニッケル−リンまたは電解ニッケル
−ボロンであることを特徴とする請求項１または２記載
の半導体装置用キャップ。 - 【請求項４】 キャップ本体に耐蝕下地めっき皮膜を形
成し、該耐蝕下地めっき皮膜上に黒色ニッケルめっき皮
膜を形成した後、大気中で加熱処理することを特徴とす
る半導体装置用キャップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30504693A JP3346858B2 (ja) | 1993-01-06 | 1993-12-06 | 半導体装置用キャップ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1693593 | 1993-01-06 | ||
| JP5-16935 | 1993-01-06 | ||
| JP30504693A JP3346858B2 (ja) | 1993-01-06 | 1993-12-06 | 半導体装置用キャップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077098A true JPH077098A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3346858B2 JP3346858B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=26353385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30504693A Expired - Fee Related JP3346858B2 (ja) | 1993-01-06 | 1993-12-06 | 半導体装置用キャップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3346858B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007094049A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光学部品用キャップ及びその製造方法 |
| US7448861B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-11-11 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device and mold |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP30504693A patent/JP3346858B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7448861B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-11-11 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device and mold |
| JP2007094049A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光学部品用キャップ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3346858B2 (ja) | 2002-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1465263B1 (en) | Cap for optical semiconductor device | |
| US5648686A (en) | Connecting electrode portion in semiconductor device | |
| JPH09512677A (ja) | 電子デバイスのカプセル化装置 | |
| WO1989000338A1 (en) | Semiconductor casing | |
| JPH077098A (ja) | 半導体装置用キャップ及びその製造方法 | |
| JP2002033519A (ja) | 光通信用パッケージ及びその窓部材並びにその製造方法 | |
| JPH06252281A (ja) | 半導体装置用キャップ及びその製造方法 | |
| US5861665A (en) | Structure for absorption of hydrogen in a package | |
| JP4374300B2 (ja) | 半導体装置用キャップ | |
| JP2560128B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63124483A (ja) | 光透過用キヤツプおよびその製造方法 | |
| JP2001210840A (ja) | 受光素子および半導体レーザ装置 | |
| JP2008263099A (ja) | 光半導体素子用パッケージ及び光ピックアップ装置 | |
| JPS63177446A (ja) | Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ | |
| JPH08181339A (ja) | 可撓性太陽電池モジュール | |
| CN117420650A (zh) | 一种用于低温封装的长波滤光片支撑组件及实现方法 | |
| JPH07176825A (ja) | 半導体レーザー装置用キャップ | |
| JP3188157B2 (ja) | 半導体レーザ装置用受光素子およびこれを用いた半導体レーザ装置 | |
| JPH0311653A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005275029A (ja) | 裏面反射鏡及びそれを備えるペンタプリズム | |
| JP2008263047A (ja) | 光半導体素子用キャップ、光半導体素子用パッケージ及び光ピックアップ装置 | |
| JPH0666516B2 (ja) | ウインドウキヤツプおよびその製造方法 | |
| CN114669963B (zh) | 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺 | |
| JP4450561B2 (ja) | リードスイッチ | |
| JPH0428280A (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120906 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120906 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130906 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |