JPH077129B2 - 超狭帯域光学多層膜 - Google Patents
超狭帯域光学多層膜Info
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- JPH077129B2 JPH077129B2 JP62158258A JP15825887A JPH077129B2 JP H077129 B2 JPH077129 B2 JP H077129B2 JP 62158258 A JP62158258 A JP 62158258A JP 15825887 A JP15825887 A JP 15825887A JP H077129 B2 JPH077129 B2 JP H077129B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、特定波長の光を選択的に透過あるいは反射
する光学多層膜に関するものである。
する光学多層膜に関するものである。
特定波長の光を選択的に透過あるいは反射する光学多層
膜1は、第7図(a)にみるように、目的とする光の波
長(λ)の1/4の厚みを有する高屈折率薄膜H″と、同
じ厚みを有する低屈折率薄膜L″とを、基板2上に交互
に積層することで形成されている。
膜1は、第7図(a)にみるように、目的とする光の波
長(λ)の1/4の厚みを有する高屈折率薄膜H″と、同
じ厚みを有する低屈折率薄膜L″とを、基板2上に交互
に積層することで形成されている。
しかし、このような光学多層膜では、帯域幅や反射率等
の特性を自由に制御することが難しい。
の特性を自由に制御することが難しい。
また、目的とする波長のピークにおける帯域幅が、第7
図(b)にみるように広く、急峻なピークを得ることが
できない、と言う問題もある。特に、帯域幅(半値幅)
を100nm以下にすることは、従来の光学多層膜では不可
能に近い。
図(b)にみるように広く、急峻なピークを得ることが
できない、と言う問題もある。特に、帯域幅(半値幅)
を100nm以下にすることは、従来の光学多層膜では不可
能に近い。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、
帯域幅や反射率の設定をより大きな範囲で行うことがで
き、かつ、帯域幅を従来になく狭くすることのできる超
狭帯域光学多層膜を提供することを目的としている。
帯域幅や反射率の設定をより大きな範囲で行うことがで
き、かつ、帯域幅を従来になく狭くすることのできる超
狭帯域光学多層膜を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、この発明は、基板表面に高屈
折率薄膜と低屈折率薄膜とが交互に積層された光学多層
膜であって、前記高屈折率薄膜の膜厚が低屈折率薄膜の
膜厚よりも厚く、最表層に低屈折率薄膜がくる場合はこ
の低屈折率薄膜は除くこととして他の高屈折率薄膜
(H)と低屈折率薄膜(L)は少なくとも全て膜厚比H:
Lが、1.1:1〜2:1の範囲内にあり、かつ、高屈折率薄膜
がTiO2薄膜であり、低屈折率薄膜がSiO2薄膜およびMgF2
薄膜のいずれかであって、全薄膜の平均膜厚の2倍近傍
の波長の光に対する強い選択的光学特性を有することを
特徴とする超狭帯域光学多層膜を要旨としている。
折率薄膜と低屈折率薄膜とが交互に積層された光学多層
膜であって、前記高屈折率薄膜の膜厚が低屈折率薄膜の
膜厚よりも厚く、最表層に低屈折率薄膜がくる場合はこ
の低屈折率薄膜は除くこととして他の高屈折率薄膜
(H)と低屈折率薄膜(L)は少なくとも全て膜厚比H:
Lが、1.1:1〜2:1の範囲内にあり、かつ、高屈折率薄膜
がTiO2薄膜であり、低屈折率薄膜がSiO2薄膜およびMgF2
薄膜のいずれかであって、全薄膜の平均膜厚の2倍近傍
の波長の光に対する強い選択的光学特性を有することを
特徴とする超狭帯域光学多層膜を要旨としている。
なお、最表層に低屈折率薄膜がくる場合、この低屈折率
薄膜は勿論、高屈折率薄膜よりも薄いことには変わりな
いのであるが、他の低屈折率薄膜のほぼ1/2と、最表層
に低屈折率薄膜のみは上記の膜厚比H:Lが1.1:1〜2:1の
範囲内を外れることがある。
薄膜は勿論、高屈折率薄膜よりも薄いことには変わりな
いのであるが、他の低屈折率薄膜のほぼ1/2と、最表層
に低屈折率薄膜のみは上記の膜厚比H:Lが1.1:1〜2:1の
範囲内を外れることがある。
以下に、この発明を、詳しく説明する。
第1図(a)にみるように、この発明の超狭帯域光学多
層膜1は、基板2表面に、高屈折率薄膜Hと低屈折率薄
膜Lとを交互に積層形成してなるものであるが、この点
は、従来のものとかわらない。
層膜1は、基板2表面に、高屈折率薄膜Hと低屈折率薄
膜Lとを交互に積層形成してなるものであるが、この点
は、従来のものとかわらない。
各薄膜H、Lの材料としても、従来と同様の化合物を使
用することができる。
用することができる。
たとえば、高屈折率薄膜Hとしては、TiO2、CeO2、Zr
O2、ZnS、V2O5等の、屈折率nが2.0〜2.6程度の物質に
よる薄膜が候補として考えられるが、この発明では屈折
率等などからTiO2薄膜が使用される。
O2、ZnS、V2O5等の、屈折率nが2.0〜2.6程度の物質に
よる薄膜が候補として考えられるが、この発明では屈折
率等などからTiO2薄膜が使用される。
低屈折率薄膜Lとしては、CaF2、MgF2、SiO2、Al2O3等
の、屈折率nが1.3〜1.6程度の物質による薄膜が候補と
して考えられるが、この発明では低屈折率であるSiO2薄
膜かMgF2薄膜が使用される。
の、屈折率nが1.3〜1.6程度の物質による薄膜が候補と
して考えられるが、この発明では低屈折率であるSiO2薄
膜かMgF2薄膜が使用される。
そして、以上のような化合物の組み合わせ、および各薄
膜H、Lの膜厚を後述のように選んでやれば、必要とす
る波長の光を反射あるいは透過させることができるよう
になるのである。
膜H、Lの膜厚を後述のように選んでやれば、必要とす
る波長の光を反射あるいは透過させることができるよう
になるのである。
以上のような各薄膜H、Lを形成する方法は、この発明
では特に限定されず、通常と同様の方法が採用される。
では特に限定されず、通常と同様の方法が採用される。
たとえば、抵抗加熱による真空蒸着法、電子ビーム加熱
による蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等の物理的蒸着法や、CVD法等の化学的蒸着法等を
使用することができるのである。
による蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等の物理的蒸着法や、CVD法等の化学的蒸着法等を
使用することができるのである。
これらの方法による薄膜の形成にあたっては、基板を室
温以上に加熱するようであってもよい。一般に、基板温
度が高ければ、形成される薄膜の硬度が高くなり、その
耐久性も向上する傾向があるからである。しかしなが
ら、あまり基板温度が高すぎると、作業性や生産性が悪
くなる恐れがある。したがって、基板温度は、形成する
薄膜の種類やその製法にもよるが、室温〜350℃程度で
あることが好ましい。
温以上に加熱するようであってもよい。一般に、基板温
度が高ければ、形成される薄膜の硬度が高くなり、その
耐久性も向上する傾向があるからである。しかしなが
ら、あまり基板温度が高すぎると、作業性や生産性が悪
くなる恐れがある。したがって、基板温度は、形成する
薄膜の種類やその製法にもよるが、室温〜350℃程度で
あることが好ましい。
また、この発明では、焼成により上記物質となる有機金
属化合物の溶液を基板表面に塗布し焼成する方法を採用
することもできる。
属化合物の溶液を基板表面に塗布し焼成する方法を採用
することもできる。
この発明の超狭帯域光学多層膜は、上記のような両薄膜
H、Lのうち、高屈折率薄膜Hの膜厚が、低屈折率薄膜
Lの膜厚よりも厚いことを特徴とする。
H、Lのうち、高屈折率薄膜Hの膜厚が、低屈折率薄膜
Lの膜厚よりも厚いことを特徴とする。
このように、高屈折率薄膜Hの膜厚が、低屈折率薄膜L
の膜厚よりも厚くなっていると、第1図(b)に示した
ように、その吸収特性のλ/2の位置に、極めて帯域幅の
狭い、強い選択性を有するピークが得られる。ピークの
形状(帯域幅や強度等)は、両薄膜H、Lを構成する材
料の組み合わせや、その膜厚比、層数等の条件によって
違うが、帯域幅(半値幅)50〜60nm程度、透過率10〜30
%と言う、これまでにない、極めて選択性の強い、急峻
なものとすることができる。
の膜厚よりも厚くなっていると、第1図(b)に示した
ように、その吸収特性のλ/2の位置に、極めて帯域幅の
狭い、強い選択性を有するピークが得られる。ピークの
形状(帯域幅や強度等)は、両薄膜H、Lを構成する材
料の組み合わせや、その膜厚比、層数等の条件によって
違うが、帯域幅(半値幅)50〜60nm程度、透過率10〜30
%と言う、これまでにない、極めて選択性の強い、急峻
なものとすることができる。
このような急峻なピークは、第7図(b)に示した従来
の吸収特性のうち、波長λのピークよりも波長の短い領
域に存在していた、さざ波状の成分(リップル)のうち
の、一つの成分が大きくなったものである。
の吸収特性のうち、波長λのピークよりも波長の短い領
域に存在していた、さざ波状の成分(リップル)のうち
の、一つの成分が大きくなったものである。
この現象は、両膜薄H、Lの膜厚に差をつけると、各界
面で発生する反射波の位相に変化が起こり、干渉によっ
て、このλ/2の成分の反射が強化されるために発生する
と考えられる。
面で発生する反射波の位相に変化が起こり、干渉によっ
て、このλ/2の成分の反射が強化されるために発生する
と考えられる。
この現象は、両薄膜の膜厚比や材料によって影響される
ため、発生波長を厳密に理論より算出することは困難で
あるが、基本的には全薄膜の平均値の2倍近傍、すなわ
ち、従来で言うところの波長λのピーク(全薄膜の平均
値の4倍の波長の成分)の半分の波長(λ/2)近傍の成
分に発生する。
ため、発生波長を厳密に理論より算出することは困難で
あるが、基本的には全薄膜の平均値の2倍近傍、すなわ
ち、従来で言うところの波長λのピーク(全薄膜の平均
値の4倍の波長の成分)の半分の波長(λ/2)近傍の成
分に発生する。
一方、波長λの従来のピークも、第1図(b)にみるよ
うに、存在しない訳でなく、従来同様に存在するから、
この発明の超狭帯域光学多層膜は、結局、二つのピーク
をあわせ持つものとなる。
うに、存在しない訳でなく、従来同様に存在するから、
この発明の超狭帯域光学多層膜は、結局、二つのピーク
をあわせ持つものとなる。
波長λ/2におけるピークの形状(帯域幅、強度等)は、
前述したように、両薄膜H、Lを構成する材料の組み合
わせや、その膜厚比、層数等の条件によって種々制御す
ることができる。
前述したように、両薄膜H、Lを構成する材料の組み合
わせや、その膜厚比、層数等の条件によって種々制御す
ることができる。
たとえば、高屈折率薄膜HとしてTiO2を、低屈折率薄膜
LとしてSiO2を、それぞれ、使用し、合計の層数を10
層、高屈折率薄膜Hの膜厚を350nm、低屈折率薄膜Lの
膜厚を250nmとすると、透過率25〜30%、帯域幅(半値
幅)50〜60nmのピークを、波長600nm近傍の位置に得る
ことができる。
LとしてSiO2を、それぞれ、使用し、合計の層数を10
層、高屈折率薄膜Hの膜厚を350nm、低屈折率薄膜Lの
膜厚を250nmとすると、透過率25〜30%、帯域幅(半値
幅)50〜60nmのピークを、波長600nm近傍の位置に得る
ことができる。
一例として、第2図に、高屈折率薄膜HとしてTiO2を、
低屈折率薄膜LとしてSiO2を、それぞれ、使用し、合計
の層数を6〜18層に変化させた際の光学特性を示す。図
にみるように、合計の層数を6層から増やして行くと、
波長λ/2(=600nm近傍)にあるピークの透過率を除々
に小さくする(反射率を増大する)ことができるように
なる。これを、より判り易く、ピーク頂点の超過率のみ
であらわすと、第4図のようになる。
低屈折率薄膜LとしてSiO2を、それぞれ、使用し、合計
の層数を6〜18層に変化させた際の光学特性を示す。図
にみるように、合計の層数を6層から増やして行くと、
波長λ/2(=600nm近傍)にあるピークの透過率を除々
に小さくする(反射率を増大する)ことができるように
なる。これを、より判り易く、ピーク頂点の超過率のみ
であらわすと、第4図のようになる。
高屈折率薄膜Hと低屈折率薄膜Lとの膜厚差は、前述し
たように、この発明における重要な因子であり、高屈折
率薄膜Hの膜厚は、常に低屈折率薄膜Lの膜厚よりも厚
くなっており、しかも、最表層に低屈折率薄膜がくる場
合はこの低屈折率薄膜は除くこととして他の高屈折率薄
膜(H)と低屈折率薄膜(L)は少なくとも全て膜厚比
H:Lが、1.1:1〜2:1の範囲内にある必要がある。膜厚比
H:Lが2:1を越えると、両者の膜厚が同じである従来のも
のとの特性が差が少なくなってしまう。
たように、この発明における重要な因子であり、高屈折
率薄膜Hの膜厚は、常に低屈折率薄膜Lの膜厚よりも厚
くなっており、しかも、最表層に低屈折率薄膜がくる場
合はこの低屈折率薄膜は除くこととして他の高屈折率薄
膜(H)と低屈折率薄膜(L)は少なくとも全て膜厚比
H:Lが、1.1:1〜2:1の範囲内にある必要がある。膜厚比
H:Lが2:1を越えると、両者の膜厚が同じである従来のも
のとの特性が差が少なくなってしまう。
また、膜厚比H:Lは、上記範囲の中でも、1.1:1:1.5〜1
の範囲内であることが、より好ましい。
の範囲内であることが、より好ましい。
両薄膜H、Lの膜厚比と、光学特性の関係を第3図に示
す。図にみるように、両薄膜H、Lの膜厚が同じである
もの(1:1)では、波長λ/2(=500nm近傍)に特徴的な
ピークは見られない。その前後の成分と同じくさざ波の
一つがあるだけである。これに対し、両者の膜厚比をH:
L=1.1:1にしたこの発明の超狭帯域光学多層膜では、こ
のλ/2の成分が急成長し、急峻なピークを示す。両者の
膜厚比をさらに大きくすると、ピークはさらに大きくな
り、その頂点の透過率は、H:L=1.5:1のとき20%にもな
るのである。これを、より判り易く、ピーク頂点の透過
率のみであらわすと、第5図のようになる。
す。図にみるように、両薄膜H、Lの膜厚が同じである
もの(1:1)では、波長λ/2(=500nm近傍)に特徴的な
ピークは見られない。その前後の成分と同じくさざ波の
一つがあるだけである。これに対し、両者の膜厚比をH:
L=1.1:1にしたこの発明の超狭帯域光学多層膜では、こ
のλ/2の成分が急成長し、急峻なピークを示す。両者の
膜厚比をさらに大きくすると、ピークはさらに大きくな
り、その頂点の透過率は、H:L=1.5:1のとき20%にもな
るのである。これを、より判り易く、ピーク頂点の透過
率のみであらわすと、第5図のようになる。
なお、この際、ピークの帯域幅も、ピークが大きくなる
につれて拡がるが、第3図にみるように、それでも、半
値幅で100nmを越えるものではない。つまり、急峻なピ
ークが維持されるのである。
につれて拡がるが、第3図にみるように、それでも、半
値幅で100nmを越えるものではない。つまり、急峻なピ
ークが維持されるのである。
高屈折率薄膜Hと低屈折率薄膜Lの基板上における配列
は、この発明では特に限定されないが、第6図(a)に
みるように、最表層を低屈折率薄膜とし、その膜厚を他
の低屈折率薄膜のほぼ1/2とすることが好ましい。この
ように両薄膜H、Lを配置すると、第6図(b)にみる
ように、ピーク以外の、透過帯の分光特性をよりフラッ
トにすることができるようになるからである。
は、この発明では特に限定されないが、第6図(a)に
みるように、最表層を低屈折率薄膜とし、その膜厚を他
の低屈折率薄膜のほぼ1/2とすることが好ましい。この
ように両薄膜H、Lを配置すると、第6図(b)にみる
ように、ピーク以外の、透過帯の分光特性をよりフラッ
トにすることができるようになるからである。
以上のような、この発明の超狭帯域光学多層膜は、必要
外の波長の光を透過し、それ以外の必要とする光を反射
するミラー(いわゆる、ダイクロイックミラー)や、必
要外の波長の光をカットする、照射用色温度変換フィル
タ、光学機器用フィルタ等のフィルタとして用いること
ができる。
外の波長の光を透過し、それ以外の必要とする光を反射
するミラー(いわゆる、ダイクロイックミラー)や、必
要外の波長の光をカットする、照射用色温度変換フィル
タ、光学機器用フィルタ等のフィルタとして用いること
ができる。
つぎに、この発明の実施例について説明する。
(実施例1) 高屈折率薄膜Hとして厚み350nmのTiO2膜を、低屈折率
薄膜Lとして厚み250nmのSiO2膜を、それぞれ使用し、
これらを交互に9層積層したあと、最上層に透過帯の分
光特性をフラットにするため厚み125nmのSiO2膜を積層
して、第6図(a)にみる層構成の超狭帯域光学多層膜
を得た。このものは、第6図(b)にみるように、波長
550nmに、帯域幅(半値幅)50nmと言う極めて急峻なピ
ークを有しており、単色ミラーとして使用することがで
きた。
薄膜Lとして厚み250nmのSiO2膜を、それぞれ使用し、
これらを交互に9層積層したあと、最上層に透過帯の分
光特性をフラットにするため厚み125nmのSiO2膜を積層
して、第6図(a)にみる層構成の超狭帯域光学多層膜
を得た。このものは、第6図(b)にみるように、波長
550nmに、帯域幅(半値幅)50nmと言う極めて急峻なピ
ークを有しており、単色ミラーとして使用することがで
きた。
(実施例2) 上記実施例1と同じ層構成の超狭帯域光学多層膜をフィ
ルタとして使用したところ、放射成分より緑色光成分の
みを取り除いて色温度を調整でき、明るい赤色光を透過
するものが得られた。
ルタとして使用したところ、放射成分より緑色光成分の
みを取り除いて色温度を調整でき、明るい赤色光を透過
するものが得られた。
この発明の超狭帯域光学多層膜は、上記構成上であるが
ために、下記の効果(1),(2)を奏することが出
来、有用性が顕著である。
ために、下記の効果(1),(2)を奏することが出
来、有用性が顕著である。
効果(1) 特定の波長の光に対する顕著な選択的光学
特性を有する。
特性を有する。
これは、基本的には高屈折率薄膜と同膜より薄い低屈折
率薄膜が交互に積層されている上、最表層の低屈折率薄
膜は別として高屈折率薄膜(H)と低屈折率薄膜(L)
が適切な膜厚比範囲たるH:L=1.1:1〜2:1にあるからで
ある。もうひとつは、高屈折率薄膜がTiO2薄膜であり、
低屈折率薄膜がSiO2薄膜およびMgF2薄膜のいずれかであ
って屈折率の差が顕著だからである。これらの相乗作用
で急峻な選択的光学特性を有するのである。
率薄膜が交互に積層されている上、最表層の低屈折率薄
膜は別として高屈折率薄膜(H)と低屈折率薄膜(L)
が適切な膜厚比範囲たるH:L=1.1:1〜2:1にあるからで
ある。もうひとつは、高屈折率薄膜がTiO2薄膜であり、
低屈折率薄膜がSiO2薄膜およびMgF2薄膜のいずれかであ
って屈折率の差が顕著だからである。これらの相乗作用
で急峻な選択的光学特性を有するのである。
効果(2) 帯域幅や反射率の設定をより大きな範囲で
行える。
行える。
これは、反射率は主として積層回数の調整で大きく変え
られ、帯域幅は主として薄膜厚みの調整で大きく変えら
れるからである。
られ、帯域幅は主として薄膜厚みの調整で大きく変えら
れるからである。
第1図(a)はこの発明の超狭帯域光学多層膜の層構成
の一例を説明する層構成図、第1図(b)はこの層構成
における光学特性の一例をあらわすグラフ、第2図は多
層膜の層数と光学特性の関係をあらわすグラフ、第3図
は高低両屈折率薄膜の膜厚比と光学特性の関係をあらわ
すグラフ、第4図は多層膜の層数とピーク頂点の超過率
との関係をあらわすグラフ、第5図は膜厚比とピーク頂
点の透過率との関係をあらわすグラフ、第6図(a)は
最表層の低屈折率薄膜の膜厚をその他の低屈折率薄膜の
1/2とした実施例の層構成を説明する層構成図、第6図
(b)はこの層構成における光学特性の一例をあらわす
グラフ、第7図(a)は従来の光学多層膜の層構成の一
例を説明する層構成図、第7図(b)はこの層構成にお
ける光学特性の一例をあらわすグラフである。 2……基板、H……高屈折率薄膜、L……低屈折率薄
膜、1……超狭帯域光学多層膜
の一例を説明する層構成図、第1図(b)はこの層構成
における光学特性の一例をあらわすグラフ、第2図は多
層膜の層数と光学特性の関係をあらわすグラフ、第3図
は高低両屈折率薄膜の膜厚比と光学特性の関係をあらわ
すグラフ、第4図は多層膜の層数とピーク頂点の超過率
との関係をあらわすグラフ、第5図は膜厚比とピーク頂
点の透過率との関係をあらわすグラフ、第6図(a)は
最表層の低屈折率薄膜の膜厚をその他の低屈折率薄膜の
1/2とした実施例の層構成を説明する層構成図、第6図
(b)はこの層構成における光学特性の一例をあらわす
グラフ、第7図(a)は従来の光学多層膜の層構成の一
例を説明する層構成図、第7図(b)はこの層構成にお
ける光学特性の一例をあらわすグラフである。 2……基板、H……高屈折率薄膜、L……低屈折率薄
膜、1……超狭帯域光学多層膜
Claims (4)
- 【請求項1】基板表面に高屈折率薄膜と低屈折率薄膜と
が交互に積層された光学多層膜であって、前記高屈折率
薄膜の膜厚が低屈折率薄膜の膜厚よりも厚く、最表層に
低屈折率薄膜がくる場合はこの低屈折率薄膜は除くこと
として他の高屈折率薄膜(H)と低屈折率薄膜(L)は
少なくとも全て膜厚比H:Lが、1.1:1〜2:1の範囲内にあ
り、かつ、高屈折率薄膜がTiO2薄膜であり、低屈折率薄
膜がSiO2薄膜およびMgF2薄膜のいずれかであって、全薄
膜の平均膜厚の2倍近傍の波長の光に対する強い選択的
光学特性を有することを特徴とする超狭帯域光学多層
膜。 - 【請求項2】最表層が低屈折率薄膜であり、その膜厚が
他の低屈折率薄膜のほぼ1/2である特許請求の範囲第1
項記載の超狭帯域光学多層膜。 - 【請求項3】必要外の波長の光を透過し、必要とする波
長の光を反射するミラーに用いられている特許請求の範
囲第1項または第2項記載の超狭帯域光学多層膜。 - 【請求項4】必要外の波長の光をカットするフィルタに
用いられている特許請求の範囲第1項または第2項記載
の超狭帯域光学多層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158258A JPH077129B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 超狭帯域光学多層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62158258A JPH077129B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 超狭帯域光学多層膜 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS642004A JPS642004A (en) | 1989-01-06 |
| JPH012004A JPH012004A (ja) | 1989-01-06 |
| JPH077129B2 true JPH077129B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=15667690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62158258A Expired - Fee Related JPH077129B2 (ja) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | 超狭帯域光学多層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077129B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077028A1 (fr) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Ecran de projection et son procede de fabrication |
| WO2003077027A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Projection screen |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100921202B1 (ko) * | 2004-11-04 | 2009-10-13 | 삼성전자주식회사 | 시공간 주파수 블록 부호화 장치 및 방법 |
| JP4122010B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2008-07-23 | 東海光学株式会社 | 赤外線受発光部 |
| CN101057341B (zh) * | 2004-11-12 | 2010-12-29 | 东海光学株式会社 | 红外线透射盖子 |
| KR100720108B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-05-21 | 한국과학기술원 | 자기충전용 pva 섬유복합 모르타르의 제조방법 |
| CN119209015B (zh) * | 2024-09-10 | 2025-12-02 | 同济大学 | 一种基于多层膜的能量流调控薄膜结构 |
| CN119064334A (zh) * | 2024-11-04 | 2024-12-03 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 荧光检测机构 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039561A (ja) * | 1973-08-10 | 1975-04-11 | ||
| JPS6086505A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 色分離フイルタ |
| EP0215371A3 (de) * | 1985-09-17 | 1989-01-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Kanten-Interferenzfilter für die optische Nachrichtenübertragung im Wellenlängenmultiplex |
| JPS62213283A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Seiko Epson Corp | 太陽電池 |
-
1987
- 1987-06-25 JP JP62158258A patent/JPH077129B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077028A1 (fr) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Ecran de projection et son procede de fabrication |
| WO2003077027A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Projection screen |
| US7251074B2 (en) | 2002-03-14 | 2007-07-31 | Sony Corporation | Projection screen and method for manufacturing the same |
| CN100430826C (zh) * | 2002-03-14 | 2008-11-05 | 索尼公司 | 投影屏幕 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS642004A (en) | 1989-01-06 |
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