JPH077142U - エッチング装置用ウエハテーブル - Google Patents
エッチング装置用ウエハテーブルInfo
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- JPH077142U JPH077142U JP3471093U JP3471093U JPH077142U JP H077142 U JPH077142 U JP H077142U JP 3471093 U JP3471093 U JP 3471093U JP 3471093 U JP3471093 U JP 3471093U JP H077142 U JPH077142 U JP H077142U
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- wafer table
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 39
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ全体を均一に冷却することができるエ
ッチング装置用ウエハテーブルを提供する。 【構成】 エッチング装置全体は、チャンバー6、ウエ
ハテーブル7、上部電極8等によって概略構成されてい
る。また、前記ウエハテーブル7は、上面に凹部11b
が形成されて、ウエハ3が載置されたときに間隙部15
が形成されるテーブル本体11と、ウエハテーブル本体
11内を横方向に貫通する冷却水流通路12と、前記凹
部11b内に開口部を有し、ウエハテーブル本体11内
を上下方向に貫通するヘリウムガス導入路13と、複数
のウエハ押さえ14によって構成されている。
ッチング装置用ウエハテーブルを提供する。 【構成】 エッチング装置全体は、チャンバー6、ウエ
ハテーブル7、上部電極8等によって概略構成されてい
る。また、前記ウエハテーブル7は、上面に凹部11b
が形成されて、ウエハ3が載置されたときに間隙部15
が形成されるテーブル本体11と、ウエハテーブル本体
11内を横方向に貫通する冷却水流通路12と、前記凹
部11b内に開口部を有し、ウエハテーブル本体11内
を上下方向に貫通するヘリウムガス導入路13と、複数
のウエハ押さえ14によって構成されている。
Description
【0001】
本考案は、その上面に載置されるウエハの冷却を行なうのに好適なエッチング 装置用ウエハテーブルに関するものである。
【0002】
半導体の製造におけるエッチング装置には、処理時の発熱によってウエハの表 面温度が上昇することに伴う反応速度の変動を制御するため、ウエハの冷却機構 が設けられている。通常、この冷却機構としては、図2に示すように、ウエハテ ーブル(カソード電極)1内に冷却媒体の通路2を設け、この通路2に冷却水、 低温液化ガス等からなる適宜の冷却媒体を流通させて、ウエハテーブル1上に載 置したウエハ3の温度を制御している。
【0003】 しかし、前記冷却機構においては、ウエハテーブル1上に載置されたウエハ3 のウエハテーブル1との密着性が悪い場合には、ウエハ1内で冷却にバラツキが 生じ、製品に悪影響をもたらす。このため、ウエハテーブル1の上面に開口部4 aを有するガス導入通路4をウエハテーブル1に形成しておき、ヘリウムガスを このガス導入通路4を通してウエハテーブル1の上方に噴出させ、このウエハテ ーブル1とウエハ3との間に滞留させて、ヘリウムガスを伝熱媒体として使用す る(ヘリウムチャッキング)ことにより冷却の均一化を図ることが行なわれてい る。
【0004】
しかしながら、従来の冷却機構の場合、エッチング装置は真空下で処理を行な うため、ウエハテーブル1上に載置されたウエハ3の外縁部をウエハ押さえ5に より固定しつつ、かつウエハ3下面側にヘリウムガスを導入すると、ウエハ3下 面はウエハテーブル1上面から遊離しやすくなり、図2に示すように、特に、ウ エハ3のヘリウムガスの噴出口上部にあたる中央部分3aはウエハテーブル1上 面から最も遊離しやすく、ウエハ周縁部3bはウエハ押さえ5により拘束されて いるためウエハテーブル1上面に近接した状態となって、ヘリウムガスにより形 成されるガス層の厚みに極端な差が生じる。このため、熱の移動はウエハテーブ ル1とウエハ3との間で行なわれても、その均一性に欠けるという難点を有して いた。
【0005】 本考案は、前記の課題を解決するためになされたものであって、ウエハ全体を 均一に冷却することができるエッチング装置用ウエハテーブルを提供することを 目的とする。
【0006】
前記の目的を達成するために、本考案のエッチング装置用ウエハテーブルは、 上面側にウエハが載置され、その周縁部で支持されるテーブル本体と、該テーブ ル本体を冷却してウエハを間接的に冷却する冷却機構と、テーブル本体の上面に 開口部を有し、該テーブル本体の上面側に伝熱媒体ガスを導くガス導入通路とを 具備してなるエッチング装置用ウエハテーブルにおいて、前記ウエハテーブルの 上面を凹部状に構成し、載置したウエハの下面とウエハテーブルの上面とにより 間隙部が形成されていることを特徴とするものである。
【0007】
本考案のエッチング装置のウエハテーブルによれば、ウエハテーブル上にウエ ハが載置された状態において、ウエハの下面とウエハテーブル上面とにより間隙 部が形成されるので、導入された伝熱媒体ガスが前記間隙部内に滞留してガス層 を形成し、ウエハは該ガス層を介してウエハテーブルの上方に位置することにな る。この際、前記伝熱媒体ガスは、ガス導入通路の開口部からウエハの下面に沿 って該開口部の外方に流れ、ウエハ下面に均一なガス層を形成する。
【0008】
つぎに、本考案におけるエッチング装置用ウエハテーブルの一実施例を図面を 参照して説明する。図1はこのウエハテーブルを適用したエッチング装置全体を 示す図であって、符号6はチャンバー(処理室)、7はウエハテーブル、8は上 部電極である。
【0009】 前記ウエハテーブル7はその上面にウエハ3が載置されるとともに、カソード 電極としての機能も有しており、アノード電極である上部電極8との間でプラズ マを発生させて反応ガスを活性ラジカル化することによりウエハ3表面のエッチ ング処理を行なうようになっている。そして、前記チャンバー6には、フッ化物 系ガス等の反応ガスをチャンバー6内に導入する反応ガス導入管9が連結されて いる。また、エッチング処理は真空下で行なわれるため、チャンバー6内を真空 排気するための真空ポンプ10が付設されている。
【0010】 また、前記ウエハテーブル7は、ウエハテーブル本体11に、冷却水流通路( 冷却機構)12、ヘリウムガス導入路(ガス導入通路)13、複数のウエハ押さ え14を設けた構成とされている。
【0011】 前記ウエハテーブル本体11は、円板状の板体の上面に0.1〜0.2mmの 高さで上方に突出する支持部11aがその外周に沿って形成されたものである。 そして、前記支持部11aに囲まれた前記ウエハテーブル本体11の中央部は凹 部11bとなっており、ウエハ3がウエハテーブル7に載置されたときには前記 支持部11aの上面にウエハ3の周縁部が下面側から支持されて、前記凹部11 bとウエハ3との間に間隙部15が形成されるようになっている。
【0012】 前記冷却水流通路12は、エッチング反応の際に温度上昇するウエハを冷却す ると同時に、ウエハの温度調整を行なう機能を有するものである。そして、この 冷却水流通路12は、ウエハテーブル本体11の温度分布をできるだけ均一にす るために、ウエハテーブル本体11内を蛇行するように配置されており、図2に おいて左側から右側に向けて冷却水が図示しない冷却水供給源より路内に導入さ れ、ウエハテーブル本体11を冷却するように構成されている。さらに、前述し たウエハの温度調整を行なうために、冷却水流通路12の経路の途中には図示し ない流量制御機構が設けられている。
【0013】 前記ヘリウムガス導入路13は、ウエハテーブル本体11内を上下方向に貫通 するように形成されており、その上端はウエハテーブル本体11上面の凹部11 b内に開口されている。そして、ヘリウムガス導入路13内には、図示しないヘ リウムガス供給源より伝熱媒体となるヘリウムガス(伝熱媒体ガス)がウエハテ ーブル7下方から上方へ向けて導入されるようになっている。
【0014】 前記ウエハ押さえ14は、断面逆L字状に形成されたものであり、前記ウエハ テーブル本体11の支持部11aの上面に載置されるウエハ3の外周に沿うよう に複数箇所に設置されている。また、各ウエハ押さえ14は、それぞれウエハテ ーブル本体11の径方向に水平移動可能とされている。
【0015】 前記構成のエッチング装置において、ウエハのエッチング処理を行なう際には 、まず、チャンバー6内に導入したウエハ3を前記ウエハテーブル7上に載置す る。この時、前記ウエハ押さえ14をウエハテーブル7の外周に向けて移動させ ておき、ウエハ3をウエハテーブル本体11の支持部11a上に載置した後、前 記ウエハ押さえ14をウエハテーブル本体11の中心に向けて移動させてウエハ 3を固定する。
【0016】 つぎに、真空ポンプ10を作動させてチャンバー6内を所定の圧力にした後、 チャンバー6内に反応ガスを導入するとともに、プラズマを発生させてエッチン グを行なう。そして、エッチングが進行するのに伴ってウエハ3表面で発熱反応 が起こり、ウエハ3の温度が上昇するので、ウエハテーブル7の冷却機構を作動 させるようにする。すなわち、前記冷却水流通路12に冷却水を導入してウエハ テーブル7を冷却し、さらに、ヘリウムガス導入路13内にヘリウムガスを導入 して前記凹部11bの上方がウエハ3によって覆われた間隙部15にヘリウムガ スを充満させる。
【0017】 このようにすると、前記間隙部15にヘリウムガスが充満されたことによって 、ウエハ3は0.1〜0.2mmのほぼ一様な厚さのヘリウムガス層を介してウ エハテーブル7の上方に位置することになる。したがって、温度が上昇したウエ ハ3は前記ヘリウムガス層を経てウエハテーブル7に熱が奪われることによりウ エハ3の温度は再び下降する。そして、前記冷却水の流量を調整してウエハテー ブル7の温度を適温に制御することによってウエハ3の温度も調整することがで きる。
【0018】 本実施例によれば、前記ヘリウムガス層が一様な厚さとなっているので、ウエ ハ3のどの箇所もウエハテーブル7から等距離にあることになり、ウエハ3全体 を均一に冷却することができる。
【0019】 なお、本実施例のエッチング装置用ウエハテーブルにおいては、ヘリウムガス 導入路13をウエハテーブル本体11の中央部に1本形成したが、ヘリウムガス 導入路の数や位置はこれに限ることはなく、例えばヘリウムガス導入路をウエハ テーブル本体の中央部から周辺部に向けて複数設けてもよい。また、ウエハテー ブル本体11にその外周に沿う支持部11aが形成される構成としたが、支持部 の形状や位置についてもこれに限る必要はなく、例えばウエハテーブル本体の外 周部近傍に複数の突起を円周方向に配置することもできる。
【0020】
以上詳細に説明したように、本考案のエッチング装置用ウエハテーブルによれ ば、ウエハとウエハテーブルとの間隙部に導入された伝熱媒体ガスの層を介して 、ウエハはウエハテーブルの上方に位置することになる。したがって、ウエハは 、冷却機構によって冷却されたウエハテーブルによって前記ガス層を介してウエ ハ下面側の広い範囲から熱を奪われるので、ウエハ全体を均一に冷却することが できる。
【図1】本考案のウエハテーブルを備えたエッチング装
置の一実施例を示す概略構成図である。
置の一実施例を示す概略構成図である。
【図2】従来のエッチング装置用ウエハテーブルの一例
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
3 ウエハ 7 ウエハテーブル 11 ウエハテーブル本体 11a 支持部 11b 凹部 12 冷却水流通路(冷却機構) 13 ヘリウムガス導入路(ガス導入通路) 15 間隙部
Claims (1)
- 【請求項1】 上面側にウエハが載置され、その周縁部
で支持されるテーブル本体と、該テーブル本体を冷却し
てウエハを間接的に冷却する冷却機構と、テーブル本体
の上面に開口部を有し、該テーブル本体の上面側に伝熱
媒体ガスを導くガス導入通路とを具備してなるエッチン
グ装置用ウエハテーブルにおいて、 前記ウエハテーブルの上面を凹部状に構成し、載置した
ウエハの下面とウエハテーブルの上面とにより間隙部が
形成されていることを特徴とするエッチング装置用ウエ
ハテーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3471093U JPH077142U (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | エッチング装置用ウエハテーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3471093U JPH077142U (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | エッチング装置用ウエハテーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077142U true JPH077142U (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=12421909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3471093U Pending JPH077142U (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | エッチング装置用ウエハテーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077142U (ja) |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP3471093U patent/JPH077142U/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991102 |