JPH077152U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH077152U
JPH077152U JP4563292U JP4563292U JPH077152U JP H077152 U JPH077152 U JP H077152U JP 4563292 U JP4563292 U JP 4563292U JP 4563292 U JP4563292 U JP 4563292U JP H077152 U JPH077152 U JP H077152U
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semiconductor chip
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main
diode chip
bowl
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隆昭 横山
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置の耐環境性を向上する。 【構成】ダイオードチップ(1)の一方の主面にリード
(3)のヘッダ部(3a)を固着し、ダイオードチップ
(1)の他方の主面に金属積層体を固着した構造を設け
る。金属積層体は銅より線膨張係数の小さな金属により
形成された主金属層(8)(11)と、主金属層(8)(1
1)の一方の主面とダイオードチップ(1)の他方の主面
との間に固着された第1の銅層(7)(10)と、主金属
層(8)の他方の主面に固着された第2の銅層(9)(1
2)とを備えている。金属積層体の主金属層(8)の線膨
張係数が小さいので、椀形電極(2)とダイオードチッ
プ(1)との線膨張係数差に起因するダイオードチップ
(1)の熱応力が緩和され、ダイオードチップ(1)の損
傷を防止することができる。また、ヘッダ部(3a)とダ
イオードチップ(1)との間に介在する半田(6)の厚さ
がダイオードチップ(1)の厚さの2/3以上であるか
ら、この間の線膨張係数差に起因して生ずる熱応力も緩
和される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体装置、特に大きな耐環境性を有する半導体装置に関連する。
【0002】
【従来の技術】
図4に示すように、皿状の銅製放熱板を兼ねる椀形電極(2)とリード(3)の ヘッダ部(3a)との間にダイオードチップ(1)が固着され、ダイオードチップ (1)とリード(3)の内部が放熱板を兼ねる椀形電極(2)内に充填された保護 樹脂(4)により封止された自動車交流発電機の出力整流ダイオ−ドは公知であ る。ダイオードチップ(1)と放熱板(2)との間は半田(5)により固着され、ダ イオードチップ(1)とリード(3)のヘッダ部(3a)との間は半田(6)により 固着される。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、ヒートサイクルが多数回繰り返して加わる厳しい環境の下で図4の ダイオードを使用すると、ダイオードチップ(1)の電気的特性が低下すること が確認された。これは、ヒートサイクルが反復してダイオードに加えられると、 ダイオードチップ(1)と椀形電極(2)及びリード(3)との線膨張係数差によ り、ダイオードチップ(1)に大きな機械的応力が加わるためと考えられる。
【0004】 そこで、本考案は熱衝撃が多数回反復して加わる厳しい環境でも電気的特性が 長期間低下しない半導体装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本考案による半導体装置は、半導体チップと、半導体チップの一方の主面に半 田によって固着されたヘッダ部を有するリードと、前記半導体チップの他方の主 面に固着された椀形電極と、椀形電極内に充填され且つ前記半導体チップ及びリ ードの内部を封止する保護樹脂とを備えている。椀形電極は金属積層体により構 成される。金属積層体は、銅より線膨張係数の小さな金属により形成された主金 属層と、主金属層の一方の主面と前記半導体チップの他方の主面との間に固着さ れた第1の銅層と、前記主金属層の他方の主面に固着された第2の銅層とを備え ている。前記半導体チップと前記ヘッダとを固着する半田の平均厚さは前記半導 体チップの厚さの2/3以上である。
【0006】 本考案の別の例では、椀形電極を構成する代わりに前記金属積層体が前記半導 体チップと前記椀形電極との間に固着される。
【0007】
【作用】
金属積層体の主金属層の線膨張係数が小さいので、椀形電極と半導体チップと の線膨張係数差に起因する熱応力が緩和される。また、半導体チップとヘッダ部 との間に介在する半田の平均厚さが半導体チップの厚さの2/3以上であるため 、リードと半導体チップとの間の線膨張係数差に起因する熱応力が緩和される。
【0008】
【実施例】
以下、自動車交流発電機の出力整流ダイオ−ドに適用した本考案による半導体 装置の実施例を図1〜図3について説明する。これらの図面では図3に示す箇所 と同一の部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
【0009】 本考案の第1の実施例を示す図1から明らかなように、放熱板を兼ねる椀形電 極(2)は3層から成る金属積層体(銅クラッド鉄)により構成される。この金 属積層体は、銅より線膨張係数の小さな鉄により形成された主金属層(8)と、 主金属層(8)の一方の主面とダイオードチップ(半導体チップ)(1)の他方の 主面との間に半田(5)により固着された第1の銅層(7)と、主金属層(8)の 他方の主面に固着された第2の銅層(9)から構成される。
【0010】 また、ダイオードチップ(1)とリード(3)のヘッダ部(3a)とを固着する半 田(6)の厚みはダイオードチップ(1)の厚みの2/3以上である。例えば、ダ イオードチップ(1)の厚みは185μm、半田(6)の厚みは150μmである。 主金属層(8)はインバー又はコバールと称する鉄系合金層でもよい。リード(3 )は、Ni(ニッケル)メッキの施された棒状の銅リードである。
【0011】 本実施例では主金属層(8)の線膨張係数が小さいので、銅のみから成る従来 の放熱板に比べて、椀形電極(2)とダイオードチップ(1)との線膨張係数差に 起因するダイオードチップ(1)の熱応力が緩和され、ダイオードチップ(1)の 損傷を防止することができる。
【0012】 本考案の第2の実施例を示す図2から明らかなように、銅製の椀形電極(2) とダイオードチップ(1)との間に3層から成る銅クラッド鉄のタブ(金属積層 体)(13)が固着される。タブ(13)は、半田(5)によりダイオードチップ(1 )に固着された第1の銅層(10)と、第1の銅層(10)に固着された主金属層( 11)と、主金属層(11)に固着され且つ椀形電極(2)に半田(5)により固着さ れた第2の銅層(12)とを備えている。
【0013】 また、リード(3)のヘッダ部(3a)とダイオードチップ(1)とを固着する半 田(6)の厚みはダイオードチップ(1)の厚みの2/3以上である。本実施例で は、ダイオードチップ(1)の厚みは185μm、半田(6)の厚みは150μmで ある。
【0014】 本実施例では、ダイオードチップ(1)の線膨張係数に近い線膨張係数を有す るタブ(13)が椀形電極(2)とダイオードチップ(1)との間に固着されるので 、線膨張係数差に起因して椀形電極(2)がダイオードチップ(1)に与える熱応 力はタブ(13)により緩和される。また、半田(6)の厚みがダイオードチップ (1)の厚みの2/3以上であるため、リード(3)とダイオードチップ(1)と の間の線膨張係数差に起因する熱応力が緩和される。
【0015】 本考案の実施態様は前記の実施例に限定されず、変更が可能である。例えば、 図3に示すように、半導体チップの外縁よりも内側に環状の突起をヘッダ部に設 けて半田厚を確保してもよい。
【0016】
【考案の効果】
本考案では、椀形電極及びリードと半導体チップとの線膨張係数差に起因する 熱応力が緩和され、熱応力による半導体チップの損傷を防止することができるの で、反復するヒートサイクル下でも半導体装置の寿命を大幅に延長することが可 能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】整流ダイオ−ドに適用した本考案の第1の実施
例を示す断面図
【図2】整流ダイオ−ドに適用した本考案の第2の実施
例を示す断面図
【図3】本考案の第3の実施例を示す断面図
【図4】従来の整流ダイオ−ドの断面図
【符号の説明】
(1)...ダイオードチップ(半導体チップ)、
(2)...椀形電極、(3)...リード、
(4)...保護樹脂、 (5)(6)...半田、
(7)(10)...第1の銅層、 (8)(11)...主
金属層、(9)(12)...第2の銅層、 (1
3)...タブ(金属積層体)、

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップと、該半導体チップの一方
    の主面に半田によって固着されたヘッダ部を有するリー
    ドと、前記半導体チップの他方の主面に固着された椀形
    電極と、該椀形電極内に充填され且つ前記半導体チップ
    及びリードの内部を封止する保護樹脂とを備えた半導体
    装置において、 前記椀形電極は金属積層体により構成され、該金属積層
    体は、銅より線膨張係数の小さな金属により形成された
    主金属層と、該主金属層の一方の主面と前記半導体チッ
    プの他方の主面との間に固着された第1の銅層と、前記
    主金属層の他方の主面に固着された第2の銅層とを備
    え、前記半導体チップと前記ヘッダとを固着する前記半
    田の平均厚さが前記半導体チップの厚さの2/3以上で
    あることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 半導体チップと、該半導体チップの一方
    の主面に半田によって固着されたヘッダ部を有するリー
    ドと、前記半導体チップの他方の主面側が金属積層体を
    介して電気的に接続された椀形電極と、該椀形電極内に
    充填され且つ前記半導体チップ及びリードの内部を封止
    する保護樹脂とを備えた半導体装置において、 前記半導体チップの他方の主面と前記椀形電極との間に
    固着された前記金属積層体は、銅より線膨張係数の小さ
    な金属により形成された主金属層と、該主金属層の一方
    の主面と前記半導体チップの他方の主面との間に固着さ
    れた第1の銅層と、前記主金属層の他方の主面と椀形電
    極との間に固着された第2の銅層とを備え、前記半導体
    チップと前記ヘッダとの間に介在する半田の平均厚さが
    前記半導体チップの厚さの2/3以上であることを特徴
    とする半導体装置。
JP1992045632U 1992-06-30 1992-06-30 半導体装置 Expired - Fee Related JP2575836Y2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59131352U (ja) * 1983-02-22 1984-09-03 株式会社クボタ 歩行型移動農機
JPS59182453U (ja) * 1983-05-24 1984-12-05 株式会社クボタ 一輪歩行型管理機

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS59131352U (ja) * 1983-02-22 1984-09-03 株式会社クボタ 歩行型移動農機
JPS59182453U (ja) * 1983-05-24 1984-12-05 株式会社クボタ 一輪歩行型管理機

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