JPH0772091A - 結晶欠陥検出方法 - Google Patents
結晶欠陥検出方法Info
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- JPH0772091A JPH0772091A JP22000193A JP22000193A JPH0772091A JP H0772091 A JPH0772091 A JP H0772091A JP 22000193 A JP22000193 A JP 22000193A JP 22000193 A JP22000193 A JP 22000193A JP H0772091 A JPH0772091 A JP H0772091A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 全反射を利用して結晶表面直下に存在する結
晶欠陥を検出するようにした結晶欠陥検出方法に関し、
ＶＬＳＩなどの製造上最も重要である結晶表面直下の結
晶欠陥を確実かつ精度良く検出することのできる欠陥検
出方法を提供することを目的とする。 【構成】 結晶表面で全反射するように赤外線レーザー
ビームＢを結晶側壁面５から結晶内に向けて所定の入射
角で入射し、結晶表面２の全反射点位置に存在する結晶
欠陥ｄからの赤外線レーザービームＢの散乱光を当該赤
外線レーザービームの入射面内であって結晶表面２の直
上側に配置した観測光学系３，４で検出することにより
結晶表面直下の結晶欠陥を検出するようにした。
晶欠陥を検出するようにした結晶欠陥検出方法に関し、
ＶＬＳＩなどの製造上最も重要である結晶表面直下の結
晶欠陥を確実かつ精度良く検出することのできる欠陥検
出方法を提供することを目的とする。 【構成】 結晶表面で全反射するように赤外線レーザー
ビームＢを結晶側壁面５から結晶内に向けて所定の入射
角で入射し、結晶表面２の全反射点位置に存在する結晶
欠陥ｄからの赤外線レーザービームＢの散乱光を当該赤
外線レーザービームの入射面内であって結晶表面２の直
上側に配置した観測光学系３，４で検出することにより
結晶表面直下の結晶欠陥を検出するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全反射を利用して結晶
表面直下に存在する結晶欠陥を検出するようにした結晶
欠陥検出方法に関する。
表面直下に存在する結晶欠陥を検出するようにした結晶
欠陥検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶は赤外線に対して透明であ
る。従来、この性質を利用して、図６に示すような方法
で結晶内に存在する結晶欠陥の検出が行なわれていた。
すなわち、図６において、６１は欠陥検出対象たる半導
体結晶などのウェハ、６２は対物レンズ、６３はＣＣＤ
センサあるいはフォトダイオードアレイなどのセンサで
あって、ウェハ６１の側壁面６５から赤外線レーザービ
ームＢを入射し、この入射された赤外線レーザービーム
Ｂの通過経路上に存在する結晶欠陥ｄからの散乱光を対
物レンズ６２で集光してセンサ６３上に結像することに
より、結晶中に存在する結晶欠陥を検出するようにして
いた。
る。従来、この性質を利用して、図６に示すような方法
で結晶内に存在する結晶欠陥の検出が行なわれていた。
すなわち、図６において、６１は欠陥検出対象たる半導
体結晶などのウェハ、６２は対物レンズ、６３はＣＣＤ
センサあるいはフォトダイオードアレイなどのセンサで
あって、ウェハ６１の側壁面６５から赤外線レーザービ
ームＢを入射し、この入射された赤外線レーザービーム
Ｂの通過経路上に存在する結晶欠陥ｄからの散乱光を対
物レンズ６２で集光してセンサ６３上に結像することに
より、結晶中に存在する結晶欠陥を検出するようにして
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】結晶欠陥は結晶中のど
の部分にも存在する。しかしながら、一般的にＶＬＳＩ
などを製造する際に問題となるのは、結晶表面６４から
数ミクロン程度の深さ範囲に存在する結晶欠陥である。
したがって、この範囲内に存在する結晶欠陥を可能な限
り精度良く検出できることが望ましいが、上記した従来
方法によるときはこれが困難であった。
の部分にも存在する。しかしながら、一般的にＶＬＳＩ
などを製造する際に問題となるのは、結晶表面６４から
数ミクロン程度の深さ範囲に存在する結晶欠陥である。
したがって、この範囲内に存在する結晶欠陥を可能な限
り精度良く検出できることが望ましいが、上記した従来
方法によるときはこれが困難であった。
【０００４】すなわち、結晶欠陥の検出対象となるウェ
ハ１は、赤外線レーザービームＢを効率良く入射するた
めに、その側壁面６５を平らな面としなければならな
い。実際の欠陥検査においては、結晶の劈開性を利用し
てウェハ１を劈開し、平らな側壁面６５を得ている。し
かしながら、この劈開された側壁面６５の中心部は平ら
であっても、周辺の稜線６６部分は凹凸のギザギザが残
ったり、角が潰れたり、あるいは角が欠けたりし、完全
な平面を得ることは困難であった。したがって、結晶表
面６４の直下の結晶欠陥を調べるために、稜線６６付近
から赤外線レーザービームＢを照射しても乱反射を起こ
してしまい、赤外線レーザービームを結晶内にビーム状
に入射させることが困難であった。
ハ１は、赤外線レーザービームＢを効率良く入射するた
めに、その側壁面６５を平らな面としなければならな
い。実際の欠陥検査においては、結晶の劈開性を利用し
てウェハ１を劈開し、平らな側壁面６５を得ている。し
かしながら、この劈開された側壁面６５の中心部は平ら
であっても、周辺の稜線６６部分は凹凸のギザギザが残
ったり、角が潰れたり、あるいは角が欠けたりし、完全
な平面を得ることは困難であった。したがって、結晶表
面６４の直下の結晶欠陥を調べるために、稜線６６付近
から赤外線レーザービームＢを照射しても乱反射を起こ
してしまい、赤外線レーザービームを結晶内にビーム状
に入射させることが困難であった。
【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、ＶＬＳＩなどの
製造上最も重要である結晶表面直下の結晶欠陥を確実か
つ精度良く検出することのできる欠陥検出方法を提供す
ることである。
れたもので、その目的とするところは、ＶＬＳＩなどの
製造上最も重要である結晶表面直下の結晶欠陥を確実か
つ精度良く検出することのできる欠陥検出方法を提供す
ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る結晶欠陥検出方法は、結晶表面で全反
射するように赤外線レーザービームを結晶側壁面から結
晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面の全反射
点位置に存在する結晶欠陥からの赤外線レーザービーム
の散乱光を当該赤外線レーザービームの入射面内であっ
て結晶表面の直上側に配置した観測光学系で検出するこ
とにより結晶表面直下の結晶欠陥を検出するようにした
ものである。
に、本発明に係る結晶欠陥検出方法は、結晶表面で全反
射するように赤外線レーザービームを結晶側壁面から結
晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面の全反射
点位置に存在する結晶欠陥からの赤外線レーザービーム
の散乱光を当該赤外線レーザービームの入射面内であっ
て結晶表面の直上側に配置した観測光学系で検出するこ
とにより結晶表面直下の結晶欠陥を検出するようにした
ものである。
【０００７】
【作用】本発明の検出原理を図１〜図３を参照して説明
する。なお、図１は本発明方法の原理説明図、図２は赤
外線レーザービームの結晶への入射経路を説明するため
の結晶部分の平面図、図３はセンサ上に結像された結晶
欠陥像である。
する。なお、図１は本発明方法の原理説明図、図２は赤
外線レーザービームの結晶への入射経路を説明するため
の結晶部分の平面図、図３はセンサ上に結像された結晶
欠陥像である。
【０００８】図１および図２において、１は半導体結晶
などのウェハ、２は結晶表面、３は対物レンズ、４はＣ
ＣＤセンサやフォトダイオードアレイなどのセンサであ
る。本発明の場合、赤外線レーザービームＢは、結晶表
面２において全反射するように、所定の入射角を与えて
結晶側壁面５から結晶表面２に向けて入射される。
などのウェハ、２は結晶表面、３は対物レンズ、４はＣ
ＣＤセンサやフォトダイオードアレイなどのセンサであ
る。本発明の場合、赤外線レーザービームＢは、結晶表
面２において全反射するように、所定の入射角を与えて
結晶側壁面５から結晶表面２に向けて入射される。
【０００９】入射された赤外線レーザービームＢは、図
示するように結晶表面２において全反射するが、このと
き、この全反射点位置に結晶欠陥ｄが存在すれば、赤外
線レーザービームＢの一部はこの結晶欠陥ｄによって散
乱される。そこで、この全反射点の直上に位置して対物
レンズ３とセンサ４を設け、対物レンズ３によって結晶
欠陥ｄからの散乱光を集光し、図３に示すように、セン
サ４上にその結晶欠陥像ｄを結像させるようにしたもの
である。
示するように結晶表面２において全反射するが、このと
き、この全反射点位置に結晶欠陥ｄが存在すれば、赤外
線レーザービームＢの一部はこの結晶欠陥ｄによって散
乱される。そこで、この全反射点の直上に位置して対物
レンズ３とセンサ４を設け、対物レンズ３によって結晶
欠陥ｄからの散乱光を集光し、図３に示すように、セン
サ４上にその結晶欠陥像ｄを結像させるようにしたもの
である。
【００１０】本発明方法の場合、従来の検出方法のよう
に赤外線レーザービームＢが結晶側壁面５の稜線に当た
って散乱されるようなことがなくなり、しかも、赤外線
レーザービームＢはそのビーム径を自在に絞ることがで
きるので、ビーム径を調整することにより結晶表面２か
らの検出深さ範囲を調整することができる。したがっ
て、従来方法では困難であった結晶表面直下の結晶欠陥
を確実かつ精度良く検出することが可能となる。
に赤外線レーザービームＢが結晶側壁面５の稜線に当た
って散乱されるようなことがなくなり、しかも、赤外線
レーザービームＢはそのビーム径を自在に絞ることがで
きるので、ビーム径を調整することにより結晶表面２か
らの検出深さ範囲を調整することができる。したがっ
て、従来方法では困難であった結晶表面直下の結晶欠陥
を確実かつ精度良く検出することが可能となる。
【００１１】なお、赤外線レーザービームＢの入射位置
その入射角度を制御すれば、結晶表面２の全面について
その結晶欠陥を検出することができる。
その入射角度を制御すれば、結晶表面２の全面について
その結晶欠陥を検出することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図４は、本発明方法を適用して構成した結晶欠陥
検出装置の１実施例のブロック図である。図において、
１は検出対象たる半導体結晶のウェハ、２は結晶表面、
３は対物レンズ、４は赤外線ＴＶカメラ６のＣＣＤセン
サ、５は赤外線レーザービームＢの入射される結晶側壁
面、７はウェハ１を載置して位置決めするための移動ス
テージ、８は赤外線レーザー光源、９は赤外線レーザー
光源８から放射される赤外線レーザー光を所定のビーム
径まで絞るとともに、所定の入射角を与えるためのレー
ザー光絞りレンズである。図示するように、赤外線レー
ザービームＢをレーザー光絞りレンズ９の周辺部を通す
ことにより、赤外線レーザービームＢのウェハ１に対す
る入射角を自在に変えることができる。なお、図１と同
一または同等部分には同一の符号を付して示した。
する。図４は、本発明方法を適用して構成した結晶欠陥
検出装置の１実施例のブロック図である。図において、
１は検出対象たる半導体結晶のウェハ、２は結晶表面、
３は対物レンズ、４は赤外線ＴＶカメラ６のＣＣＤセン
サ、５は赤外線レーザービームＢの入射される結晶側壁
面、７はウェハ１を載置して位置決めするための移動ス
テージ、８は赤外線レーザー光源、９は赤外線レーザー
光源８から放射される赤外線レーザー光を所定のビーム
径まで絞るとともに、所定の入射角を与えるためのレー
ザー光絞りレンズである。図示するように、赤外線レー
ザービームＢをレーザー光絞りレンズ９の周辺部を通す
ことにより、赤外線レーザービームＢのウェハ１に対す
る入射角を自在に変えることができる。なお、図１と同
一または同等部分には同一の符号を付して示した。
【００１３】１０は移動ステージ７をＺ（上下）方向に
移動するためのＺ軸移動モータ、１１は移動ステージ７
をＸ方向（図２参照）に移動するためのＸ軸移動モー
タ、１２は移動ステージ７をＹ方向（図２参照）に移動
するためのＹ軸移動モータである。ウェハ１を載せた移
動ステージ７は、これら３つのモータによってＸ，Ｙ，
Ｚの三軸方向に自在に移動できるようになされている。
移動するためのＺ軸移動モータ、１１は移動ステージ７
をＸ方向（図２参照）に移動するためのＸ軸移動モー
タ、１２は移動ステージ７をＹ方向（図２参照）に移動
するためのＹ軸移動モータである。ウェハ１を載せた移
動ステージ７は、これら３つのモータによってＸ，Ｙ，
Ｚの三軸方向に自在に移動できるようになされている。
【００１４】１３は対物レンズ３のピントをＣＣＤセン
サ４に合わせるための鏡筒長微調用モータ、１４は対物
レンズ３のピントを赤外線レーザービームＢの全反射点
１５位置に合わせるための焦点合わせ用モータであり、
これらモータを制御することにより対物レンズ３のピン
トを希望の位置に合わせることができる。
サ４に合わせるための鏡筒長微調用モータ、１４は対物
レンズ３のピントを赤外線レーザービームＢの全反射点
１５位置に合わせるための焦点合わせ用モータであり、
これらモータを制御することにより対物レンズ３のピン
トを希望の位置に合わせることができる。
【００１５】１６は赤外線ＴＶカメラ６のＣＣＤセンサ
４から読み出された画像信号をディジタルデータに変換
するためのＡ／Ｄコンバータ、１７は結晶欠陥の検出処
理を行なうコンピュータ、１８はコンピュータ１７に種
々の操作指令を入力するためのキーボード、１９は得ら
れた１画面分の結晶欠陥の画像データを格納するための
フレームメモリ、２０はフレームメモリ１９に格納され
た結晶欠陥の画像データに基づいて結晶欠陥画像を表示
するモニタ装置、２１はコンピュータ１７の制御の下に
各モータを駆動制御するモータコントローラである。
４から読み出された画像信号をディジタルデータに変換
するためのＡ／Ｄコンバータ、１７は結晶欠陥の検出処
理を行なうコンピュータ、１８はコンピュータ１７に種
々の操作指令を入力するためのキーボード、１９は得ら
れた１画面分の結晶欠陥の画像データを格納するための
フレームメモリ、２０はフレームメモリ１９に格納され
た結晶欠陥の画像データに基づいて結晶欠陥画像を表示
するモニタ装置、２１はコンピュータ１７の制御の下に
各モータを駆動制御するモータコントローラである。
【００１６】次に、前記実施例の動作について説明す
る。まず、結晶欠陥の検出対象となるウェハ１を移動ス
テージ７上に載置する。そして、赤外線レーザー光源８
の電源を入れるとともに、キーボード１８からコンピュ
ータ１７に検出開始位置を入力する。モータコントロー
ラ２１は、コンピュータ１７の制御の下に、モータ１
０，１１，１２を駆動し、移動ステージ２をＸ，Ｙ，Ｚ
の三軸方向に指定された量だけ移動し、赤外線レーザー
光源７から入射される赤外線レーザービームＢが結晶表
面２の指定された座標位置において全反射するように位
置制御する。
る。まず、結晶欠陥の検出対象となるウェハ１を移動ス
テージ７上に載置する。そして、赤外線レーザー光源８
の電源を入れるとともに、キーボード１８からコンピュ
ータ１７に検出開始位置を入力する。モータコントロー
ラ２１は、コンピュータ１７の制御の下に、モータ１
０，１１，１２を駆動し、移動ステージ２をＸ，Ｙ，Ｚ
の三軸方向に指定された量だけ移動し、赤外線レーザー
光源７から入射される赤外線レーザービームＢが結晶表
面２の指定された座標位置において全反射するように位
置制御する。
【００１７】この状態で、焦点合わせ用モータ１４を駆
動し、対物レンズ３のピントが赤外線レーザービームＢ
の全反射点１５位置に合うように調整した後、鏡筒長微
調用モータ１３を駆動し、対物レンズ３の結像位置がＣ
ＣＤセンサ４上に一致するように調整する。
動し、対物レンズ３のピントが赤外線レーザービームＢ
の全反射点１５位置に合うように調整した後、鏡筒長微
調用モータ１３を駆動し、対物レンズ３の結像位置がＣ
ＣＤセンサ４上に一致するように調整する。
【００１８】上記位置合わせとピント合わせを完了した
後、キーボード１８から検出動作の開始指令を与える
と、コンピュータ１７は次のようにして結晶表面２の直
下に存在する結晶欠陥の検出動作を開始する。
後、キーボード１８から検出動作の開始指令を与える
と、コンピュータ１７は次のようにして結晶表面２の直
下に存在する結晶欠陥の検出動作を開始する。
【００１９】すなわち、ウェハ１の側壁面５から所定の
角度で入射された赤外線レーザービームＢは結晶表面２
に当たって全反射されるが、この赤外線レーザービーム
Ｂの全反射点１５位置に結晶欠陥があると、赤外線レー
ザービームＢの一部がこの結晶欠陥で散乱される。そし
て、この結晶欠陥からの散乱光は、直上に配置された対
物レンズ３によって集光され、ＣＣＤセンサ４上に図３
のように結像される。
角度で入射された赤外線レーザービームＢは結晶表面２
に当たって全反射されるが、この赤外線レーザービーム
Ｂの全反射点１５位置に結晶欠陥があると、赤外線レー
ザービームＢの一部がこの結晶欠陥で散乱される。そし
て、この結晶欠陥からの散乱光は、直上に配置された対
物レンズ３によって集光され、ＣＣＤセンサ４上に図３
のように結像される。
【００２０】ＣＣＤセンサ４上に結像された結晶欠陥像
ｄの画像データは、図示を略したＣＣＤセンサ読出回路
によって画素単位で順次読み出され、Ａ／Ｄコンバータ
１６においてディジタルデータに変換された後、コンピ
ュータ１７に入力される。コンピュータ１７は、このＣ
ＣＤセンサ９から送られてくる結晶欠陥像の画像データ
をフレームメモリ１９の対応するアドレス位置に書き込
む。
ｄの画像データは、図示を略したＣＣＤセンサ読出回路
によって画素単位で順次読み出され、Ａ／Ｄコンバータ
１６においてディジタルデータに変換された後、コンピ
ュータ１７に入力される。コンピュータ１７は、このＣ
ＣＤセンサ９から送られてくる結晶欠陥像の画像データ
をフレームメモリ１９の対応するアドレス位置に書き込
む。
【００２１】次いで、例えばＹ軸移動モータ１２を駆動
し、移動ステージ７を所定のピッチ、例えばＣＣＤセン
サ４の画素単位でＹ方向（図２参照）に順次移動し、そ
れぞれの位置における全反射点の結晶欠陥の検出動作を
行ない、それぞれの位置に存在する結晶欠陥の画像デー
タをフレームメモリ１９に格納していく。このようにし
てウェハ１のＹ方向全幅に亘って赤外線レーザービーム
Ｂを走査終了すると、結晶表面２直下のＹ方向に沿った
結晶欠陥像を得ることができる。
し、移動ステージ７を所定のピッチ、例えばＣＣＤセン
サ４の画素単位でＹ方向（図２参照）に順次移動し、そ
れぞれの位置における全反射点の結晶欠陥の検出動作を
行ない、それぞれの位置に存在する結晶欠陥の画像デー
タをフレームメモリ１９に格納していく。このようにし
てウェハ１のＹ方向全幅に亘って赤外線レーザービーム
Ｂを走査終了すると、結晶表面２直下のＹ方向に沿った
結晶欠陥像を得ることができる。
【００２２】次に、Ｘ軸移動モータ１１を駆動し、移動
ステージ７を所定のピッチ、例えばＣＣＤセンサ４の画
素単位でＸ方向（図２参照）に順次移動することによ
り、全反射点１５のＸ方向位置を順次変え、それぞれの
Ｙ方向位置において、前記したと同様のＹ方向に沿った
結晶欠陥の検出動作を行なう。
ステージ７を所定のピッチ、例えばＣＣＤセンサ４の画
素単位でＸ方向（図２参照）に順次移動することによ
り、全反射点１５のＸ方向位置を順次変え、それぞれの
Ｙ方向位置において、前記したと同様のＹ方向に沿った
結晶欠陥の検出動作を行なう。
【００２３】このようにして、結晶表面２の全面につい
て走査することにより、フレームメモリ１９には結晶表
面２の全面についての結晶欠陥の画像データが格納され
る。したがって、フレームメモリ１９に格納された画像
データをモニタ装置２１に表示すれば、例えば図５に示
すように、結晶表面から所定の深さ範囲内に存在するす
べての結晶欠陥の像を得ることができる。
て走査することにより、フレームメモリ１９には結晶表
面２の全面についての結晶欠陥の画像データが格納され
る。したがって、フレームメモリ１９に格納された画像
データをモニタ装置２１に表示すれば、例えば図５に示
すように、結晶表面から所定の深さ範囲内に存在するす
べての結晶欠陥の像を得ることができる。
【００２４】なお、前記実施例は、移動ステージ２の移
動やレンズのピント合わせを各モータ１１〜１４，１６
によって自動的に行なうようにしたが、手動で行なって
もよいことは勿論である。また、半導体結晶を例に採っ
たが、レーザーに対して透明な結晶であれば、半導体結
晶に限らず他の結晶でも適用可能である。
動やレンズのピント合わせを各モータ１１〜１４，１６
によって自動的に行なうようにしたが、手動で行なって
もよいことは勿論である。また、半導体結晶を例に採っ
たが、レーザーに対して透明な結晶であれば、半導体結
晶に限らず他の結晶でも適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法による
ときは、結晶表面で全反射するように赤外線レーザービ
ームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射角で入
射し、結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥から
の赤外線レーザービームの散乱光を当該赤外線レーザー
ビームの入射面内であって結晶表面の直上側に配置した
観測光学系で検出することにより結晶表面直下の結晶欠
陥を検出するようにしたので、ＶＬＳＩなどの製造上最
も重要である結晶表面直下の結晶欠陥を確実かつ精度良
く検出することができる。
ときは、結晶表面で全反射するように赤外線レーザービ
ームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射角で入
射し、結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥から
の赤外線レーザービームの散乱光を当該赤外線レーザー
ビームの入射面内であって結晶表面の直上側に配置した
観測光学系で検出することにより結晶表面直下の結晶欠
陥を検出するようにしたので、ＶＬＳＩなどの製造上最
も重要である結晶表面直下の結晶欠陥を確実かつ精度良
く検出することができる。
【図１】本発明方法の原理説明図である。
【図２】本発明方法における赤外線レーザービームの結
晶への入射経路を説明するための結晶部分の平面図であ
る。
晶への入射経路を説明するための結晶部分の平面図であ
る。
【図３】センサ上に結像された結晶欠陥像を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明方法を適用して構成した結晶欠陥検出装
置の１実施例のブロック図である。
置の１実施例のブロック図である。
【図５】本発明方法で得られた結晶表面直下の欠陥画像
を示す図である。
を示す図である。
【図６】従来方法の原理説明図である。
１ ウェハ ２ 結晶表面 ３ 対物レンズ ４ センサ ５ 結晶側壁面 Ｂ 赤外線レーザービーム ｄ 結晶欠陥
Claims (1)
- 【請求項１】 結晶表面で全反射するように赤外線レー
ザービームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射
角で入射し、 結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外
線レーザービームの散乱光を当該赤外線レーザービーム
の入射面内であって結晶表面の直上側に配置した観測光
学系で検出することにより結晶表面直下の結晶欠陥を検
出するようにしたことを特徴とする結晶欠陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22000193A JP3366067B2 (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 結晶欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22000193A JP3366067B2 (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 結晶欠陥検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772091A true JPH0772091A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3366067B2 JP3366067B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=16744382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22000193A Expired - Lifetime JP3366067B2 (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 結晶欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3366067B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3926330A1 (en) * | 2014-12-05 | 2021-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for defect detection in work pieces |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP22000193A patent/JP3366067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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