JPH0772427A - 非相反回路 - Google Patents
非相反回路Info
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- JPH0772427A JPH0772427A JP27187993A JP27187993A JPH0772427A JP H0772427 A JPH0772427 A JP H0772427A JP 27187993 A JP27187993 A JP 27187993A JP 27187993 A JP27187993 A JP 27187993A JP H0772427 A JPH0772427 A JP H0772427A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】構成が容易で量産性に優れた高性能で低価格な
光非相反回路を提供することが目的である。 【構成】二つの波長変換素子1、2の間に光分波器3を
配置する構成の非相反回路で、第一の波長変換素子1が
入射光の波長λをΔλだけ増す(または減らす)作用を
するのに対し、第二の波長変換素子2は波長λをΔλだ
け減らす(または増す)作用をするように設定し、その
中間に波長λ−Δλ(またはλ+Δλ)の光を分波する
光分波器3を用いて、第一の波長変換素子1側からの順
方向光は光分波器3を通過して、さらに第二の波長変換
素子2で波長λに戻され、逆に第二の波長変換素子2側
からの逆方向光は光分波器3で分波されて、第一の波長
変換素子1に入射されないように構成した。
光非相反回路を提供することが目的である。 【構成】二つの波長変換素子1、2の間に光分波器3を
配置する構成の非相反回路で、第一の波長変換素子1が
入射光の波長λをΔλだけ増す(または減らす)作用を
するのに対し、第二の波長変換素子2は波長λをΔλだ
け減らす(または増す)作用をするように設定し、その
中間に波長λ−Δλ(またはλ+Δλ)の光を分波する
光分波器3を用いて、第一の波長変換素子1側からの順
方向光は光分波器3を通過して、さらに第二の波長変換
素子2で波長λに戻され、逆に第二の波長変換素子2側
からの逆方向光は光分波器3で分波されて、第一の波長
変換素子1に入射されないように構成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光通信システム等に用い
られる光非相反回路に関するものである。
られる光非相反回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の非相反回路のひとつとして磁気光
学効果を利用した光アイソレータがある。この光アイソ
レータは、偏光子、YIG( イットリウム−鉄−ガーネ
ット)結晶等のファラデー回転子、検光子、及び磁石を
構成部品とする。通常は偏光子を検光子として用いてい
る。
学効果を利用した光アイソレータがある。この光アイソ
レータは、偏光子、YIG( イットリウム−鉄−ガーネ
ット)結晶等のファラデー回転子、検光子、及び磁石を
構成部品とする。通常は偏光子を検光子として用いてい
る。
【0003】図5に示す光アイソレータの基本構成は、
偏光子1’と検光子2’が、偏光方向が互いに45度傾
くように配置され、その両者の間に飽和磁化で45度の
ファラデー回転角が得られる厚さのファラデー回転子
3’を置き、ファラデー回転子3’が飽和磁化するのに
十分な磁場を有する永久磁石4’が外部に配置されてい
るものである。
偏光子1’と検光子2’が、偏光方向が互いに45度傾
くように配置され、その両者の間に飽和磁化で45度の
ファラデー回転角が得られる厚さのファラデー回転子
3’を置き、ファラデー回転子3’が飽和磁化するのに
十分な磁場を有する永久磁石4’が外部に配置されてい
るものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の光アイソレータ
では、直線偏光に対してはその損失は0.5dB以下に
することができるが、あらゆる方向に偏光面をもつ自然
光(無偏光光)に対しては約3dBの損失を生じる。ま
た外部環境の温度変化等により構成部品の劣化や接合部
のズレが生じ、光アイソレータの特性が劣化することが
ある。さらに前記の構成部品が高価でかつ、前記の偏光
子と検光子の透過偏光面が互いに45度傾くように配置
するための位置調整が高精度を要求するため非常に難し
く、製造上で障害となっているため量産性の向上が妨げ
られていることが問題点としてあげられる。
では、直線偏光に対してはその損失は0.5dB以下に
することができるが、あらゆる方向に偏光面をもつ自然
光(無偏光光)に対しては約3dBの損失を生じる。ま
た外部環境の温度変化等により構成部品の劣化や接合部
のズレが生じ、光アイソレータの特性が劣化することが
ある。さらに前記の構成部品が高価でかつ、前記の偏光
子と検光子の透過偏光面が互いに45度傾くように配置
するための位置調整が高精度を要求するため非常に難し
く、製造上で障害となっているため量産性の向上が妨げ
られていることが問題点としてあげられる。
【0005】本発明の目的は上記問題点を解決し、構成
が容易で量産性に優れた高性能で低価格な光非相反回路
を提供することである。
が容易で量産性に優れた高性能で低価格な光非相反回路
を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、二つの波長変換素子の間に光分波器を配
置する構成の非相反回路で、図1に示す原理図の如く、
第一の波長変換素子1が入射光の波長λをΔλだけ増す
(または減らす)作用をするのに対し、第二の波長変換
素子2は波長λをΔλだけ減らす(または増す)作用を
するように設定し、その中間に波長λ−Δλ(またはλ
+Δλ)の光を分波する光分波器3を用いることを特徴
としている。
めに本発明は、二つの波長変換素子の間に光分波器を配
置する構成の非相反回路で、図1に示す原理図の如く、
第一の波長変換素子1が入射光の波長λをΔλだけ増す
(または減らす)作用をするのに対し、第二の波長変換
素子2は波長λをΔλだけ減らす(または増す)作用を
するように設定し、その中間に波長λ−Δλ(またはλ
+Δλ)の光を分波する光分波器3を用いることを特徴
としている。
【0007】
【作用】順方向より入射する波長λの光は第一の波長変
換素子1を通過することにより波長λ+Δλの光に変わ
る。次にこの光は光分波器3を通過する。ここでこの光
分波器3は波長λ+Δλの光はそのまま通過させ、波長
λ−Δλの光を他ポートへ移す作用を有する。今、光分
波器3に入射する光の波長はλ+Δλであるからそのま
ま通過することになる。次に第二の波長変換素子2を通
過することにより波長λの光となって出射する。
換素子1を通過することにより波長λ+Δλの光に変わ
る。次にこの光は光分波器3を通過する。ここでこの光
分波器3は波長λ+Δλの光はそのまま通過させ、波長
λ−Δλの光を他ポートへ移す作用を有する。今、光分
波器3に入射する光の波長はλ+Δλであるからそのま
ま通過することになる。次に第二の波長変換素子2を通
過することにより波長λの光となって出射する。
【0008】逆方向より入射する波長λの光は第二の波
長変換素子2を通過することにより波長λ−Δλの光に
変わる。次に光分波器3を通過する。このときに入射す
る光の波長がλ−Δλであるために光分波器3の他ポー
トへ移ることになる。その結果上記のように構成された
回路は非相反な作用を有することになる。
長変換素子2を通過することにより波長λ−Δλの光に
変わる。次に光分波器3を通過する。このときに入射す
る光の波長がλ−Δλであるために光分波器3の他ポー
トへ移ることになる。その結果上記のように構成された
回路は非相反な作用を有することになる。
【0009】
【実施例1】次に図2に従い本発明の好ましい実施例1
についての詳細な説明を行うことにする。なお、本発明
は図2の実施例に限定されるものではなく、図1に示す
原理図に従い、種々の変更が可能である。
についての詳細な説明を行うことにする。なお、本発明
は図2の実施例に限定されるものではなく、図1に示す
原理図に従い、種々の変更が可能である。
【0010】図2に示す空間伝搬型非相反回路の実施例
では、波長変換素子4、5として電流注入と温度制御を
施すことにより波長制御を行う半導体型光増幅器を用い
ている。また、光分波器6には光ファイバ融着型の光分
波器を用いている。
では、波長変換素子4、5として電流注入と温度制御を
施すことにより波長制御を行う半導体型光増幅器を用い
ている。また、光分波器6には光ファイバ融着型の光分
波器を用いている。
【0011】この空間伝搬型非相反回路によって、順方
向より入射する波長1.31μmの光ははじめに光源7
を出射して集光レンズ8を通過し、第一の波長変換素子
4を通過すると波長1.27μmの光に変わる。次にこ
の光は集光レンズ9を通過して光分波器6のポートaに
入射する。ここでこの光分波器6は波長1.27μmの
光はそのまま通過させてポートbから出射し、波長1.
35μmの光を他ポートdへ移す作用を有する。今、光
分波器6に入射する光の波長は1.27μmであるから
そのまま通過して、ポートbから出射することになる。
次に集光レンズ10を通過して第二の波長変換素子5を
通過すると波長1.31μmの光に戻されて出射され
る。この波長1.31μmの光は集光レンズ11を通過
して光ファイバ12に入射される。
向より入射する波長1.31μmの光ははじめに光源7
を出射して集光レンズ8を通過し、第一の波長変換素子
4を通過すると波長1.27μmの光に変わる。次にこ
の光は集光レンズ9を通過して光分波器6のポートaに
入射する。ここでこの光分波器6は波長1.27μmの
光はそのまま通過させてポートbから出射し、波長1.
35μmの光を他ポートdへ移す作用を有する。今、光
分波器6に入射する光の波長は1.27μmであるから
そのまま通過して、ポートbから出射することになる。
次に集光レンズ10を通過して第二の波長変換素子5を
通過すると波長1.31μmの光に戻されて出射され
る。この波長1.31μmの光は集光レンズ11を通過
して光ファイバ12に入射される。
【0012】これとは反対に、逆方向より入射する波長
1.31μmの戻り光は第二の波長変換素子5を通過す
ると波長1.35μmの光に変わる。次に光分波器6の
ポートbに入射する。この光は波長が1.35μmであ
るために光分波器6の他ポートcへ分波される。その結
果、逆方向の戻り光は入射端であるポートaからは出射
されず回路は非相反な作用を行うことになる。
1.31μmの戻り光は第二の波長変換素子5を通過す
ると波長1.35μmの光に変わる。次に光分波器6の
ポートbに入射する。この光は波長が1.35μmであ
るために光分波器6の他ポートcへ分波される。その結
果、逆方向の戻り光は入射端であるポートaからは出射
されず回路は非相反な作用を行うことになる。
【0013】
【実施例2】次に図3に従い本発明の好ましい実施例2
についての詳細な説明を行うことにする。なお、本発明
は図3の実施例に限定されるものではなく、図1に示す
原理図に従い、種々の変更が可能である。
についての詳細な説明を行うことにする。なお、本発明
は図3の実施例に限定されるものではなく、図1に示す
原理図に従い、種々の変更が可能である。
【0014】図3に示す空間伝搬型非相反回路の実施例
では、波長変換素子201、202として電流注入と温
度制御を施すことにより波長制御を行う半導体型光増幅
器を用いている。また、光分波器203には光ファイバ
融着型の光分波器を用いている。
では、波長変換素子201、202として電流注入と温
度制御を施すことにより波長制御を行う半導体型光増幅
器を用いている。また、光分波器203には光ファイバ
融着型の光分波器を用いている。
【0015】201は波長を0.1μmだけ長くする第
一の波長変換素子、202は波長を0.1μmだけ短く
する第二の波長変換素子、203は波長が1.21μm
の光と波長1.41μmの光を分ける光分波器である。
第一の波長変換素子201には光ファイバ204、20
5が接続されている。光分波器203は4個のポート2
08、209、210、211を有しており、ポート2
08より入射した波長1.21μm、及び波長1.41
μmの光は光分波器203によって、ポート210から
波長1.41μmの光が、またポート211からは波長
1.21μmの光がそれぞれ出射されるように、また同
様にポート210より入射した波長1.21ミクロン、
及び1.41μmの光は光分波器203によって、ポー
ト209からは波長1.21μmの光が、またポート2
08からは波長1.41μmの光がそれぞれ出射される
ようにポート208、209、210、211を定め
る。このポート208に光ファイバ205が、またポー
ト210に光ファイバ206が接続されている。
一の波長変換素子、202は波長を0.1μmだけ短く
する第二の波長変換素子、203は波長が1.21μm
の光と波長1.41μmの光を分ける光分波器である。
第一の波長変換素子201には光ファイバ204、20
5が接続されている。光分波器203は4個のポート2
08、209、210、211を有しており、ポート2
08より入射した波長1.21μm、及び波長1.41
μmの光は光分波器203によって、ポート210から
波長1.41μmの光が、またポート211からは波長
1.21μmの光がそれぞれ出射されるように、また同
様にポート210より入射した波長1.21ミクロン、
及び1.41μmの光は光分波器203によって、ポー
ト209からは波長1.21μmの光が、またポート2
08からは波長1.41μmの光がそれぞれ出射される
ようにポート208、209、210、211を定め
る。このポート208に光ファイバ205が、またポー
ト210に光ファイバ206が接続されている。
【0016】信号光である波長1.31μmの光が光フ
ァイバ204から入射すると、その波長は第一の波長変
換素子201によって、波長が1.41μmに変換さ
れ、光ファイバ205を通過して、光分波器のポート2
08へ入射する。光分波器203のポート208に入射
した波長1.41μmの光は光分波器203を通過し、
そのポート210より出射される。ポート210より出
射した光は光ファイバ206を通過し、第二の波長変換
素子202によって入射した光がもとの波長である1.
31μmに変換され光ファイバ207より出射する。
ァイバ204から入射すると、その波長は第一の波長変
換素子201によって、波長が1.41μmに変換さ
れ、光ファイバ205を通過して、光分波器のポート2
08へ入射する。光分波器203のポート208に入射
した波長1.41μmの光は光分波器203を通過し、
そのポート210より出射される。ポート210より出
射した光は光ファイバ206を通過し、第二の波長変換
素子202によって入射した光がもとの波長である1.
31μmに変換され光ファイバ207より出射する。
【0017】一方、戻り光である波長1.31μmの光
が光ファイバ207より入射すると、その波長は第二の
波長変換素子202によって1.21μmに変換され
て、光ファイバ206を通過して、光分波器203のポ
ート210へ入射する。光分波器203のポート210
に入射した波長1.21μmの光は光分波器203を通
過し、ポート209より出射される。
が光ファイバ207より入射すると、その波長は第二の
波長変換素子202によって1.21μmに変換され
て、光ファイバ206を通過して、光分波器203のポ
ート210へ入射する。光分波器203のポート210
に入射した波長1.21μmの光は光分波器203を通
過し、ポート209より出射される。
【0018】このように光ファイバ204から入射した
信号光は光ファイバ207より出射するが、光ファイバ
207から入射した戻り光は、信号光の入射側である光
ファイバ204から出射されることはない。つまりこの
回路は非相反な作用を有することになる。
信号光は光ファイバ207より出射するが、光ファイバ
207から入射した戻り光は、信号光の入射側である光
ファイバ204から出射されることはない。つまりこの
回路は非相反な作用を有することになる。
【0019】
【実施例3】次に図4に従い本発明の好ましい実施例3
についての詳細な説明を行うことにする。なお、本発明
は図4の実施例に限定されるものではなく、図1に示す
原理図に従い、種々の変更が可能である。
についての詳細な説明を行うことにする。なお、本発明
は図4の実施例に限定されるものではなく、図1に示す
原理図に従い、種々の変更が可能である。
【0020】図4に示す空間伝搬型非相反回路の実施例
では、波長変換素子301、302として電流注入と温
度制御を施すことにより波長制御を行う半導体型光増幅
器を用いている。また、光分波器としてプリズム303
を用いている。
では、波長変換素子301、302として電流注入と温
度制御を施すことにより波長制御を行う半導体型光増幅
器を用いている。また、光分波器としてプリズム303
を用いている。
【0021】301は波長を0.1μmだけ長くする第
一の波長変換素子、302は波長を0.1μmだけ短く
する第二の波長変換素子、303は波長によって屈折率
の異なるプリズム、304、305はそれぞれコリメー
ト用のレンズ、306、307、308、309は光フ
ァイバで、306、307は第一の波長変換素子301
に接続されており、308、309は第二の波長変換素
子302に接続されている。信号光である波長1.31
μmの光が光ファイバ306に入射すると、その波長は
第一の波長変換素子301によって波長が1.41μm
に変換された後、光ファイバ307より出射し、レンズ
304を通過してコリメート光として出射する。レンズ
304より出射したコリメート光はプリズム303に入
射し、波長1.41μmに応じた屈折率でプリズム30
3内を通過し、レンズ305に入射する。レンズ305
に入射した光は集光して光ファイバ308に入射し、第
二の波長変換素子302によってもとの信号光の波長で
ある1.31μmに変化された後、光ファイバ309よ
り出射する。
一の波長変換素子、302は波長を0.1μmだけ短く
する第二の波長変換素子、303は波長によって屈折率
の異なるプリズム、304、305はそれぞれコリメー
ト用のレンズ、306、307、308、309は光フ
ァイバで、306、307は第一の波長変換素子301
に接続されており、308、309は第二の波長変換素
子302に接続されている。信号光である波長1.31
μmの光が光ファイバ306に入射すると、その波長は
第一の波長変換素子301によって波長が1.41μm
に変換された後、光ファイバ307より出射し、レンズ
304を通過してコリメート光として出射する。レンズ
304より出射したコリメート光はプリズム303に入
射し、波長1.41μmに応じた屈折率でプリズム30
3内を通過し、レンズ305に入射する。レンズ305
に入射した光は集光して光ファイバ308に入射し、第
二の波長変換素子302によってもとの信号光の波長で
ある1.31μmに変化された後、光ファイバ309よ
り出射する。
【0022】一方、戻り光である波長1.31μmの光
が光ファイバ309より入射すると、その波長は第二の
波長変換素子302によって波長が1.21μmに変換
された後、光ファイバ308より出射し、レンズ305
を通過してコリメート光として出射する。レンズ305
より出射したコリメート光はプリズム303に入射し
て、波長1.21μmに応じた屈折率でプリズム内を通
過する。プリズム303に入射する光の波長が1.21
μmの場合と1.41μmの場合ではその屈折率が異な
るため、プリズム303より出射した波長1.21μm
のコリメート光はレンズ304には入射しない。その結
果、光ファイバ309より入射した戻り光は信号光の入
射側である光ファイバ306から出射されることはな
い。つまりこの回路は非相反な作用を有することにな
る。
が光ファイバ309より入射すると、その波長は第二の
波長変換素子302によって波長が1.21μmに変換
された後、光ファイバ308より出射し、レンズ305
を通過してコリメート光として出射する。レンズ305
より出射したコリメート光はプリズム303に入射し
て、波長1.21μmに応じた屈折率でプリズム内を通
過する。プリズム303に入射する光の波長が1.21
μmの場合と1.41μmの場合ではその屈折率が異な
るため、プリズム303より出射した波長1.21μm
のコリメート光はレンズ304には入射しない。その結
果、光ファイバ309より入射した戻り光は信号光の入
射側である光ファイバ306から出射されることはな
い。つまりこの回路は非相反な作用を有することにな
る。
【0023】
【発明の効果】本発明による非相反回路は、あらゆる方
向に偏光面をもつ自然光(無偏光光)に対して利用でき
るため損失が0.5dB以下と、効率よく通過させるこ
とができる。また外部環境の温度変化に左右されにくい
構造で構成可能であり、さらに使用材料が安価で、従来
のような構成部品の位置調整が不必要であるため、大変
に構成が容易で量産性に優れた高性能で低価格な光非相
反回路を提供することが可能となる。
向に偏光面をもつ自然光(無偏光光)に対して利用でき
るため損失が0.5dB以下と、効率よく通過させるこ
とができる。また外部環境の温度変化に左右されにくい
構造で構成可能であり、さらに使用材料が安価で、従来
のような構成部品の位置調整が不必要であるため、大変
に構成が容易で量産性に優れた高性能で低価格な光非相
反回路を提供することが可能となる。
【図1】本発明の原理図。
【図2】本発明の一実施例に係る実施例1の空間伝搬型
非相反回路のブロック図。
非相反回路のブロック図。
【図3】本発明の一実施例に係る実施例2の空間伝搬型
非相反回路のブロック図。
非相反回路のブロック図。
【図4】本発明の一実施例に係る実施例3の空間伝搬型
非相反回路のブロック図。
非相反回路のブロック図。
【図5】従来の光アイソレータの基本構成図。
1,201,301:第一の波長変換素子 2,202,302:第二の波長変換素子 3,203:光分波器 303:プリズム(光分波器) 4:第一の半導体型波長変換素子 5:第二の半導体型波長変換素子 6:光ファイバ融着型光分波器 7:光源 8,9,10,11:集光レンズ 304,305:レンズ 12,204,205,206,207,306,30
7,308,309:光ファイバ 1’:偏光子 2’:検光子 3’:ファラデー回転子 4’:磁石
7,308,309:光ファイバ 1’:偏光子 2’:検光子 3’:ファラデー回転子 4’:磁石
Claims (1)
- 【請求項1】波長λの光が入射してその波長がλ+Δλ
に変換される第一の波長変換素子と、波長λの光が入射
してその波長がλ−Δλに変換される第二の波長変換素
子との間に前記λ−Δλの波長の光を分波する波長分波
素子が配設されるか、 あるいは波長λの光が入射してその波長がλ−Δλに変
換される第一の波長変換素子と、波長λの光が入射して
その波長がλ+Δλに変換される第二の波長変換素子と
の間に前記λ+Δλの波長の光を分波する波長分波手段
が配設され、 前記第一の波長変換素子から前記波長分波手段に入射す
るλ+Δλあるいはλ−Δλの波長の光が前記第二の波
長変換素子に入射され、これとは逆方向の前記第二の波
長変換素子から前記波長分波手段に入射するλ−Δλあ
るいはλ+Δλの波長の光が分波されて、前記第一の波
長変換素子に入射されないように構成されたことを特徴
とする非相反回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27187993A JPH0772427A (ja) | 1993-06-30 | 1993-10-29 | 非相反回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16127393 | 1993-06-30 | ||
| JP5-161273 | 1993-06-30 | ||
| JP27187993A JPH0772427A (ja) | 1993-06-30 | 1993-10-29 | 非相反回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772427A true JPH0772427A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=26487462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27187993A Pending JPH0772427A (ja) | 1993-06-30 | 1993-10-29 | 非相反回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209543A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fujitsu Ltd | 光アイソレータ装置および集積化半導体光装置 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27187993A patent/JPH0772427A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209543A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fujitsu Ltd | 光アイソレータ装置および集積化半導体光装置 |
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