JPH0773031B2 - Ｘ線像増強管の製造方法及びｘ線像増強管 - Google Patents
Ｘ線像増強管の製造方法及びｘ線像増強管Info
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- JPH0773031B2 JPH0773031B2 JP61219852A JP21985286A JPH0773031B2 JP H0773031 B2 JPH0773031 B2 JP H0773031B2 JP 61219852 A JP61219852 A JP 61219852A JP 21985286 A JP21985286 A JP 21985286A JP H0773031 B2 JPH0773031 B2 JP H0773031B2
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、共に支持部材上に配設する発光材料層及びホ
トカソードを有する入口スクリーンを具えるＸ線像増強
管の製造方法、及びこの方法により製造されたＸ線像増
強管に関する。
トカソードを有する入口スクリーンを具えるＸ線像増強
管の製造方法、及びこの方法により製造されたＸ線像増
強管に関する。
かかる方法は米国特許第3821763号明細書から既知であ
り、これにはCSIから成るを可とする発光材料層を有
し、発光材料層に構体を形成するＸ線像増強管が記載さ
れている。一方、この米国特許明細書に記載されたCSI
の層においては、基準の温度、蒸着速度等の如きこの目
的に適用された蒸着パラータに起因して構体が形成され
る。また、一方、この米国特許明細書に記載された如
く、発光材料層の熱処理により付加的構体を形成でき
る。かかる構体はひび割れ（クラックルド（crackle
d））構体を有する層として既知である。かかる構体を
有する発光材料層を設けたＸ線像増強管は満足な動作を
行うことが証明されているが、特にＸ線像増強管の解像
度に対する要求が著しく高くなってきているため、前記
構体をこの目的に対し最適化することが必要になってき
ている。実際上、これは発光材料層において一層高いひ
び割れ頻度が実現されることを意味する。
り、これにはCSIから成るを可とする発光材料層を有
し、発光材料層に構体を形成するＸ線像増強管が記載さ
れている。一方、この米国特許明細書に記載されたCSI
の層においては、基準の温度、蒸着速度等の如きこの目
的に適用された蒸着パラータに起因して構体が形成され
る。また、一方、この米国特許明細書に記載された如
く、発光材料層の熱処理により付加的構体を形成でき
る。かかる構体はひび割れ（クラックルド（crackle
d））構体を有する層として既知である。かかる構体を
有する発光材料層を設けたＸ線像増強管は満足な動作を
行うことが証明されているが、特にＸ線像増強管の解像
度に対する要求が著しく高くなってきているため、前記
構体をこの目的に対し最適化することが必要になってき
ている。実際上、これは発光材料層において一層高いひ
び割れ頻度が実現されることを意味する。
本発明の目的はこれらの要件を満足するＸ線像増強管の
製造方法を提供するにあり、かかる目的を達成するため
本発明の方法は、発光材料層を、支持部材に対する局所
垂線に対し０°からかなりずれた角度で堆積することを
特徴とする。
製造方法を提供するにあり、かかる目的を達成するため
本発明の方法は、発光材料層を、支持部材に対する局所
垂線に対し０°からかなりずれた角度で堆積することを
特徴とする。
発光材料が支持部材の垂線に対する角度において堆積さ
れることに起因して層上に延在しかつ、例えば、数ミク
ロン乃至数十ミクロンの断面を有するか、又は、例え
ば、１μｍに対し10000ライン/cm及び、例えば、50μｍ
に対し200ライン/cmの間のひび割れ（クラック）頻度を
有するCSIの極微細カラムの構体が得られる。発光材料
層の構造はスクリーン上の像ピクセル寸法の実際の一部
分を測定する平均断面を有するカラムを形成することに
より所望解像度に適応させることができる。実際の一部
分は、許容できる縁部解像度と共に結像するためピクセ
ルの直径当り約５及び20カラム直径の間にある。カラム
間の間隔（ギャップ）は約0.25μｍ以上が好適であり、
その理由はこの値が一層小さくなると光学的分離が劣化
するからであり、かつカラム間の間隔は２μｍ以下が好
適であり、その理由はこれ以上の値になると発光材料層
の阻止能力が減少するからである。
れることに起因して層上に延在しかつ、例えば、数ミク
ロン乃至数十ミクロンの断面を有するか、又は、例え
ば、１μｍに対し10000ライン/cm及び、例えば、50μｍ
に対し200ライン/cmの間のひび割れ（クラック）頻度を
有するCSIの極微細カラムの構体が得られる。発光材料
層の構造はスクリーン上の像ピクセル寸法の実際の一部
分を測定する平均断面を有するカラムを形成することに
より所望解像度に適応させることができる。実際の一部
分は、許容できる縁部解像度と共に結像するためピクセ
ルの直径当り約５及び20カラム直径の間にある。カラム
間の間隔（ギャップ）は約0.25μｍ以上が好適であり、
その理由はこの値が一層小さくなると光学的分離が劣化
するからであり、かつカラム間の間隔は２μｍ以下が好
適であり、その理由はこれ以上の値になると発光材料層
の阻止能力が減少するからである。
本発明の好適例では、発光材料を堆積すべき方向と、ス
クリーンに垂直な中心線との間の角度を意味する入射角
は約30°以上である。発光材料層は、例えば、発光材料
を充てんされ加熱されたるつぼから蒸着によって得ると
好適である。蒸着された発光材料層の均一性は蒸着るつ
ぼ及び支持部材を互いに回転することによって促進さ
れ、蒸着るつぼは支持部材の中心に対し円錐面上で円を
描くようにすると好適である。その場合発光材料層の蒸
着に当り数回転するようにすると好適である。
クリーンに垂直な中心線との間の角度を意味する入射角
は約30°以上である。発光材料層は、例えば、発光材料
を充てんされ加熱されたるつぼから蒸着によって得ると
好適である。蒸着された発光材料層の均一性は蒸着るつ
ぼ及び支持部材を互いに回転することによって促進さ
れ、蒸着るつぼは支持部材の中心に対し円錐面上で円を
描くようにすると好適である。その場合発光材料層の蒸
着に当り数回転するようにすると好適である。
本発明のＸ線像増強管は、発光材料層がカラム構体を有
し、カラム構体のカラムが最大で約25μｍの平均横断寸
法を有し、カラムを約0.5μｍ及び３μｍの間にある幅
を有する空所によって離間する一方、かなり大きい横断
寸法のカラムが少ない数だけ存在するよう構成したこと
を特徴とする。からむ間の空所（これ以降、単に間隙と
称す）につきこの場合には、従来技術によるひび割れに
対応する間隙の型式は明瞭には定義されない。間隙は大
体細長いバブルの形態における一連のバブルによってし
ばしば形成され、好都合なことに前記大体細長いバブル
は一連のバブルの方向に延在する。バブル間ではカラム
は互いに接触できるが、これによって比較的小さい光学
的接触が生ずるに過ぎない。長手方向において測定した
バブルは大体において直列長さの90％以上を占める一
方、バブル間のノードも他の手段を講じなければ良好な
光学的接触を形成せず、状態はむしろ逆になる。本発明
による角度における蒸着はバブル形成に対し良好な影響
を呈する。このようにして得た間隙はひび割れと、例え
ば原理的に個々の結晶である蒸着鉱柱間の分離部との間
に多少、中間形態部を示す。
し、カラム構体のカラムが最大で約25μｍの平均横断寸
法を有し、カラムを約0.5μｍ及び３μｍの間にある幅
を有する空所によって離間する一方、かなり大きい横断
寸法のカラムが少ない数だけ存在するよう構成したこと
を特徴とする。からむ間の空所（これ以降、単に間隙と
称す）につきこの場合には、従来技術によるひび割れに
対応する間隙の型式は明瞭には定義されない。間隙は大
体細長いバブルの形態における一連のバブルによってし
ばしば形成され、好都合なことに前記大体細長いバブル
は一連のバブルの方向に延在する。バブル間ではカラム
は互いに接触できるが、これによって比較的小さい光学
的接触が生ずるに過ぎない。長手方向において測定した
バブルは大体において直列長さの90％以上を占める一
方、バブル間のノードも他の手段を講じなければ良好な
光学的接触を形成せず、状態はむしろ逆になる。本発明
による角度における蒸着はバブル形成に対し良好な影響
を呈する。このようにして得た間隙はひび割れと、例え
ば原理的に個々の結晶である蒸着鉱柱間の分離部との間
に多少、中間形態部を示す。
高い解像度を得るのに良好に適合したスクリーン構体
は、例えば、本発明による蒸着を、20℃以上の温度で開
始し200℃を余り超えない温度に到達させかつ良好に選
定した蒸着速度及びスクリーンからの熱移動と共に行う
ことにより実現できる。
は、例えば、本発明による蒸着を、20℃以上の温度で開
始し200℃を余り超えない温度に到達させかつ良好に選
定した蒸着速度及びスクリーンからの熱移動と共に行う
ことにより実現できる。
次に図面につき本発明の実施例を説明する。
第１図には、入口窓４及び鞘部６を有する容器内に収納
する本発明のＸ線像増強管１の入口スクリーン８と、出
口スクリーン10と、第１電極14、第２電極16及び最終電
極18を有する電子光学系12とを示す。入口スクリーン８
は、本例では像増強管において別個のスクリーンとして
配設してあるが、入口窓に直接被着することもでき、本
例では入口スクリーンは、例えば、0.5μｍの厚さを有
する、例えば、アルミ箔から成る支持部材又は基板20を
具え、その上にCSI（Na）又はCSI（Ti）から成るを可と
する発光層22を被着し、その上に所要に応じ、図示しな
い分離層を介してホトカソード21を被着する。入口窓に
入射したＸ線像25は発光層において光・光学像に変換さ
れ、その結果ホトカソードにおいて光・光学像26が発生
し、この像は光・電子を著しく加速する電子・光学系12
により出口スクリーン上に結像され、かつ光・光学像28
に変換され、この像を像増強管の外部から観察できる。
する本発明のＸ線像増強管１の入口スクリーン８と、出
口スクリーン10と、第１電極14、第２電極16及び最終電
極18を有する電子光学系12とを示す。入口スクリーン８
は、本例では像増強管において別個のスクリーンとして
配設してあるが、入口窓に直接被着することもでき、本
例では入口スクリーンは、例えば、0.5μｍの厚さを有
する、例えば、アルミ箔から成る支持部材又は基板20を
具え、その上にCSI（Na）又はCSI（Ti）から成るを可と
する発光層22を被着し、その上に所要に応じ、図示しな
い分離層を介してホトカソード21を被着する。入口窓に
入射したＸ線像25は発光層において光・光学像に変換さ
れ、その結果ホトカソードにおいて光・光学像26が発生
し、この像は光・電子を著しく加速する電子・光学系12
により出口スクリーン上に結像され、かつ光・光学像28
に変換され、この像を像増強管の外部から観察できる。
満足な動作のため、及び患者の線量を低減するためには
発光層が比較的高いＸ線吸収度を有することが所望され
る。発光スクリーンによって捕捉されないＸ線は像形成
には寄与しないが、患者に対する放射線負荷を形成す
る。従って、かなり透明度の高いCSIの“通常”の蒸着
層においては発光した光は、特に蒸着層の入射側におい
て発光中心から著しく拡散する。この状態は、特に蒸着
の初めにおける支持部材の温度が重要である構造の層が
得られるように蒸着条件を選定することによって改善さ
れる。蒸着層の断面につき撮影した（走査形電子顕微鏡
によるを可とする）写真は、この構造はその長手方向が
蒸着層の厚さ方向とほぼ合致する鉱柱状結晶で形成され
ていることを示している。この構造に起因して、発光し
た光の拡散が低減されるが、その範囲は不充分であり、
その理由は種々の鉱柱間の遷移部における光学分離が十
分でないからである。これは、中断部の幅が不充分で、
平均すると発光した光の波長（大まかに0.5μｍ）より
かなり小さいということに起因する。蒸着層は米国特許
第3825763号明細書に記載されたひび割れ構体を被着す
ると著しく改善される。例えば、適応サーマル法によ
り、毎回多数の鉱柱を合体して、内部に明確な光学的分
離壁はないがカラム間に明確に作動する光学的分離壁を
有するカラムが形成される。ひび割れ構造の微細度には
熱処理の性質によってかなり影響を及ぼすことができ、
場合によっては支持部材の表面に構体を被着することに
よって影響を及ぼすようにすることができ、この目的の
ため種々の方法が既知である。
発光層が比較的高いＸ線吸収度を有することが所望され
る。発光スクリーンによって捕捉されないＸ線は像形成
には寄与しないが、患者に対する放射線負荷を形成す
る。従って、かなり透明度の高いCSIの“通常”の蒸着
層においては発光した光は、特に蒸着層の入射側におい
て発光中心から著しく拡散する。この状態は、特に蒸着
の初めにおける支持部材の温度が重要である構造の層が
得られるように蒸着条件を選定することによって改善さ
れる。蒸着層の断面につき撮影した（走査形電子顕微鏡
によるを可とする）写真は、この構造はその長手方向が
蒸着層の厚さ方向とほぼ合致する鉱柱状結晶で形成され
ていることを示している。この構造に起因して、発光し
た光の拡散が低減されるが、その範囲は不充分であり、
その理由は種々の鉱柱間の遷移部における光学分離が十
分でないからである。これは、中断部の幅が不充分で、
平均すると発光した光の波長（大まかに0.5μｍ）より
かなり小さいということに起因する。蒸着層は米国特許
第3825763号明細書に記載されたひび割れ構体を被着す
ると著しく改善される。例えば、適応サーマル法によ
り、毎回多数の鉱柱を合体して、内部に明確な光学的分
離壁はないがカラム間に明確に作動する光学的分離壁を
有するカラムが形成される。ひび割れ構造の微細度には
熱処理の性質によってかなり影響を及ぼすことができ、
場合によっては支持部材の表面に構体を被着することに
よって影響を及ぼすようにすることができ、この目的の
ため種々の方法が既知である。
本発明によるＸ線像増強管のための入口スクリーンの製
造に当り出発材料は、意図的にではなく構成された支持
部材とすることができる。第２図は本発明による蒸着法
を実施するための装置を略線図で示す。排気すべき空所
30内に、支持部材又は基板34と、発光材料を含みかつ加
熱素子38を具える蒸着るつぼ36とを、本例では軸32の周
りに回転自在に配設する。支持部材34は挿通部材40を介
して軸32の周りで回転できる。また代案として、蒸着る
つぼ36をブラケット44及び挿通部材46を介して軸32の周
りで回転することもできる。軸32は支持部材に垂直な中
心線と合致するようにすると好適であり、本例では支持
部材は中心50を有する部分的球面である球面セグメント
とする。かかる支持部材の少なくとも中心点Ｏにおける
垂直蒸着のためには蒸着るつぼを直線32に配設し、一
方、全スクリーン上への垂直蒸着のためには蒸着るつぼ
は点50に配設する必要がある。
造に当り出発材料は、意図的にではなく構成された支持
部材とすることができる。第２図は本発明による蒸着法
を実施するための装置を略線図で示す。排気すべき空所
30内に、支持部材又は基板34と、発光材料を含みかつ加
熱素子38を具える蒸着るつぼ36とを、本例では軸32の周
りに回転自在に配設する。支持部材34は挿通部材40を介
して軸32の周りで回転できる。また代案として、蒸着る
つぼ36をブラケット44及び挿通部材46を介して軸32の周
りで回転することもできる。軸32は支持部材に垂直な中
心線と合致するようにすると好適であり、本例では支持
部材は中心50を有する部分的球面である球面セグメント
とする。かかる支持部材の少なくとも中心点Ｏにおける
垂直蒸着のためには蒸着るつぼを直線32に配設し、一
方、全スクリーン上への垂直蒸着のためには蒸着るつぼ
は点50に配設する必要がある。
本発明の蒸着法では蒸着るつぼを軸32の側方に配設す
る。図示の蒸着るつぼ36の位置により蒸着角０°が得ら
れ、記号０°はこの角度がスクリーンの中心点Ｏに適合
することを示すために使用してある。入射角が支持部材
上の位置と共に変化することは、既に図から明らかであ
る。回転に当り蒸着は支持部材全体上で角度が変化しな
がら行われる。しかし、中心点Ｏを除いて２つの蒸着角
が関連し、傾斜、つまり中心点Ｏに対する回転に際して
は一定である局所主ライン（ローカル・メイン・ライ
ン）に対する角度と、360°にわたる回転に当り中心Ｏ
に対し変化する方位角とが関連することを考慮する必要
がある。
る。図示の蒸着るつぼ36の位置により蒸着角０°が得ら
れ、記号０°はこの角度がスクリーンの中心点Ｏに適合
することを示すために使用してある。入射角が支持部材
上の位置と共に変化することは、既に図から明らかであ
る。回転に当り蒸着は支持部材全体上で角度が変化しな
がら行われる。しかし、中心点Ｏを除いて２つの蒸着角
が関連し、傾斜、つまり中心点Ｏに対する回転に際して
は一定である局所主ライン（ローカル・メイン・ライ
ン）に対する角度と、360°にわたる回転に当り中心Ｏ
に対し変化する方位角とが関連することを考慮する必要
がある。
発光層全体の蒸着に際しては支持部材が多数回、例え
ば、数十乃至数千回転するようにすると好適である。
ば、数十乃至数千回転するようにすると好適である。
その場合蒸着るつぼは常に一定位置を占めることができ
るが、蒸着るつぼを、例えば、ブラケット44を介して円
運動させることによって相対運動を実現することもでき
る。蒸着るつぼ及び点０間の結線52は中心法線32と共に
蒸着角０°を囲む。るつぼが直線48上の位置に留まる限
り、たとえ支持部材の残りのすべての点に対する蒸着角
が変化しても、蒸着角０°が関連する。好適な蒸着角０
°は、例えば、約45°であるが、これも支持部材の温
度、回転速度及び蒸着速度の如き他の蒸着パラメータに
左右される。
るが、蒸着るつぼを、例えば、ブラケット44を介して円
運動させることによって相対運動を実現することもでき
る。蒸着るつぼ及び点０間の結線52は中心法線32と共に
蒸着角０°を囲む。るつぼが直線48上の位置に留まる限
り、たとえ支持部材の残りのすべての点に対する蒸着角
が変化しても、蒸着角０°が関連する。好適な蒸着角０
°は、例えば、約45°であるが、これも支持部材の温
度、回転速度及び蒸着速度の如き他の蒸着パラメータに
左右される。
支持部材の温度の好適値はほぼ常温から開始し、蒸着速
度を支持部材からの所定の熱流と適応させてスクリーン
温度が約200℃を超えないようにする。所要に応じ蒸着
は複数のるつぼから順次行うことができる。例えば、中
心点50を通る軸32に直角な平面54から測定した蒸着るつ
ぼの高さは支持部材の中心の外側並びに支持部材及び蒸
着るつぼ間の局所距離の蒸着角も決定する。従って、一
定蒸着角と共にも、スクリーン上の発光層の厚さの変化
に影響を及ぼすことができる。従って、別の見地から、
スクリーンに対する蒸着るつぼの最適位置を決定するこ
とができ、一方、最適位置と対照する場合には蒸着に当
り支持部材を蒸着るつぼに対し一層傾斜できる。従っ
て、例えば、るつぼと、スクリーンの縁点Ａ及びＢとの
間の距離を常に互いに等しくすることができる。その場
合蒸着角０°は変化するが、最適入射角が十分大きい場
合最適入射角に対する公称値が十分には正確ではなくな
るのでそれにつきある程度の変化を許容でき、これは好
適でさえあることを見出した。実際上、蒸着中の蒸着角
の変化も発光層における構造の最適化に少なくとも部分
的に寄与するということは除外されない。この推測は、
スクリーンを介して測定した蒸着角の差が比較的大きい
にも拘らず、十分に一様な構造を有する発光層が得られ
るという事実によって支持される。
度を支持部材からの所定の熱流と適応させてスクリーン
温度が約200℃を超えないようにする。所要に応じ蒸着
は複数のるつぼから順次行うことができる。例えば、中
心点50を通る軸32に直角な平面54から測定した蒸着るつ
ぼの高さは支持部材の中心の外側並びに支持部材及び蒸
着るつぼ間の局所距離の蒸着角も決定する。従って、一
定蒸着角と共にも、スクリーン上の発光層の厚さの変化
に影響を及ぼすことができる。従って、別の見地から、
スクリーンに対する蒸着るつぼの最適位置を決定するこ
とができ、一方、最適位置と対照する場合には蒸着に当
り支持部材を蒸着るつぼに対し一層傾斜できる。従っ
て、例えば、るつぼと、スクリーンの縁点Ａ及びＢとの
間の距離を常に互いに等しくすることができる。その場
合蒸着角０°は変化するが、最適入射角が十分大きい場
合最適入射角に対する公称値が十分には正確ではなくな
るのでそれにつきある程度の変化を許容でき、これは好
適でさえあることを見出した。実際上、蒸着中の蒸着角
の変化も発光層における構造の最適化に少なくとも部分
的に寄与するということは除外されない。この推測は、
スクリーンを介して測定した蒸着角の差が比較的大きい
にも拘らず、十分に一様な構造を有する発光層が得られ
るという事実によって支持される。
上に述べた所から明らかなように、パラメータの相違が
発光層の構造に影響を及ぼし、また技術的余裕条件も蒸
着における要因の一部を構成することは明らかである。
蒸着角の値が十分大きい場合蒸着角の値は十分に正確で
はなくなるが、それにも拘らず、スクリーン上における
層の厚さ及びその変化に対する異なる要求及び支持部材
の異なる幾何学的構成に対し十分な妥協策を見出すこと
ができる。本発明による適応技術の付加的利点は層全体
を単一操作で被着できることであり、その結果厚さ方向
における小さい中断部も防止される。蒸着角が比較的小
さい場合、スクリーンの構造は既知のスクリーンの構造
に極めて近いものとなり、これに対し蒸着角が比較的大
きくなると、CSIのカラムは互いに大きく離間して配設
され、かつ、例えば、スクリーンの充てん係数（フィリ
ング・ファクタ）従ってＸ線吸収度が減少する。更に、
一層大きい角度での蒸着の場合には、CSIの非能率的使
用の如き、一層実用的な性質の困難線を得ることができ
る。
発光層の構造に影響を及ぼし、また技術的余裕条件も蒸
着における要因の一部を構成することは明らかである。
蒸着角の値が十分大きい場合蒸着角の値は十分に正確で
はなくなるが、それにも拘らず、スクリーン上における
層の厚さ及びその変化に対する異なる要求及び支持部材
の異なる幾何学的構成に対し十分な妥協策を見出すこと
ができる。本発明による適応技術の付加的利点は層全体
を単一操作で被着できることであり、その結果厚さ方向
における小さい中断部も防止される。蒸着角が比較的小
さい場合、スクリーンの構造は既知のスクリーンの構造
に極めて近いものとなり、これに対し蒸着角が比較的大
きくなると、CSIのカラムは互いに大きく離間して配設
され、かつ、例えば、スクリーンの充てん係数（フィリ
ング・ファクタ）従ってＸ線吸収度が減少する。更に、
一層大きい角度での蒸着の場合には、CSIの非能率的使
用の如き、一層実用的な性質の困難線を得ることができ
る。
特殊な場合、例えば、特に極めて高い解像度を要求され
る場合には、実際上別個のカラムを含む構造を使用でき
る。従って光学的クロストークは完全に防止される。間
隙（ギャップ）には原理的に、Ｘ線吸収非発光材料を充
てんできる。
る場合には、実際上別個のカラムを含む構造を使用でき
る。従って光学的クロストークは完全に防止される。間
隙（ギャップ）には原理的に、Ｘ線吸収非発光材料を充
てんできる。
相対的位置決め等に対し許容できる妥協策を得ることが
できないような幾何学的構成の場合には、例えば、発光
材料の火炎溶射又はプラズマスプレーによって解決策を
見出すことができる。比較的小さいノズルで支持部材を
効果的に走査する（両者の相対運動）一方、支持部材か
らの距離を広い限界値内で自由に選択し、かつ例えば、
ノズルを傾斜することによりいずれかの所望角度を局所
的に調整することができる。更に、発光材料の大部分が
効果的に使用されるような手順を施すことができる。火
炎溶射又はプラズマスプレーの場合、支持部材の温度、
堆積速度、堆積中の材料の性質等の如き残りの要件は蒸
着中に使用される値からのずれが過大にならないように
する必要があり、その理由はそうしないと所望の鉱柱構
造を有する層を得ることができないからである。
できないような幾何学的構成の場合には、例えば、発光
材料の火炎溶射又はプラズマスプレーによって解決策を
見出すことができる。比較的小さいノズルで支持部材を
効果的に走査する（両者の相対運動）一方、支持部材か
らの距離を広い限界値内で自由に選択し、かつ例えば、
ノズルを傾斜することによりいずれかの所望角度を局所
的に調整することができる。更に、発光材料の大部分が
効果的に使用されるような手順を施すことができる。火
炎溶射又はプラズマスプレーの場合、支持部材の温度、
堆積速度、堆積中の材料の性質等の如き残りの要件は蒸
着中に使用される値からのずれが過大にならないように
する必要があり、その理由はそうしないと所望の鉱柱構
造を有する層を得ることができないからである。
比較のため第３図に、既知の構造の層及び本発明による
試験層を走査形電子顕微鏡によって撮影した写真を示
し、これらはいずれも平面図、即ち支持部材から遠ざか
る方向から見た写真である。第3a図に示した既知の層は
比較的広いき裂（クラック）60を明瞭に示し（特に第3a
図１）参照）、従って第3a図３）から明らかなように、
大きいキャビティ62も示している。第3b図に示した本発
明により作製した層は、第3b図１）から明らかなよう
に、極く小さい幅のき裂64を有し、従って第3b図３）か
ら明らかなように、比較的小さいキャビティ66を有す
る。適応技術全体の最適化により、例えば、0.5〜１μ
ｍを超える幅を有するき裂は皮相的には完全に防止でき
る。第3b図１）及び第3b図２）は既知の層において生ず
る広い間隙又はキャビティが存在しないことに起因する
極めて規則的な構造及び比較的大きい充てん係数を明瞭
に示す。改善された構造に起因して本発明による層は、
解像度の低下を伴うことなく厚さを一層厚くすることが
でき、例えば、400〜500μｍにすることができる。規則
的構造であることにより、中間層を付加するか又は付加
することなく層上に一層大きい連続カソードを配設でき
る。その結果、層のこの部分も、広い間隙又はキャビテ
ィを有するため厳しい制限を受ける粗い構造を伴うこと
なく最適化できる。
試験層を走査形電子顕微鏡によって撮影した写真を示
し、これらはいずれも平面図、即ち支持部材から遠ざか
る方向から見た写真である。第3a図に示した既知の層は
比較的広いき裂（クラック）60を明瞭に示し（特に第3a
図１）参照）、従って第3a図３）から明らかなように、
大きいキャビティ62も示している。第3b図に示した本発
明により作製した層は、第3b図１）から明らかなよう
に、極く小さい幅のき裂64を有し、従って第3b図３）か
ら明らかなように、比較的小さいキャビティ66を有す
る。適応技術全体の最適化により、例えば、0.5〜１μ
ｍを超える幅を有するき裂は皮相的には完全に防止でき
る。第3b図１）及び第3b図２）は既知の層において生ず
る広い間隙又はキャビティが存在しないことに起因する
極めて規則的な構造及び比較的大きい充てん係数を明瞭
に示す。改善された構造に起因して本発明による層は、
解像度の低下を伴うことなく厚さを一層厚くすることが
でき、例えば、400〜500μｍにすることができる。規則
的構造であることにより、中間層を付加するか又は付加
することなく層上に一層大きい連続カソードを配設でき
る。その結果、層のこの部分も、広い間隙又はキャビテ
ィを有するため厳しい制限を受ける粗い構造を伴うこと
なく最適化できる。
第１図は本発明によるＸ線像増強管の実施例を示す略線
図、 第２図は本発明方法を実施する装置の略線図、 第3a図は従来の発光層の平面の３つの異なる倍率におけ
る粒子構造を示す図、第3b図は本発明による発光層の平
面の３つの異なる倍率における粒子構造を示す図であ
る。 １…Ｘ線像増強管、２…入口窓 ４…出口窓、６…鞘部 ８…入口スクリーン、10…出口スクリーン 12…電子・光学系、14…第１電極 16…第２電極、18…最終電極 20…支持部材、21…発光層 24…ホトカソード、25…Ｘ線像 26…光・電子像、28…光・光学像 30…空所、32…軸 34…支持部材、36…蒸着るつぼ 38…加熱素子、40…挿通部材 44…ブラケット、46…挿通部材 50…中心
図、 第２図は本発明方法を実施する装置の略線図、 第3a図は従来の発光層の平面の３つの異なる倍率におけ
る粒子構造を示す図、第3b図は本発明による発光層の平
面の３つの異なる倍率における粒子構造を示す図であ
る。 １…Ｘ線像増強管、２…入口窓 ４…出口窓、６…鞘部 ８…入口スクリーン、10…出口スクリーン 12…電子・光学系、14…第１電極 16…第２電極、18…最終電極 20…支持部材、21…発光層 24…ホトカソード、25…Ｘ線像 26…光・電子像、28…光・光学像 30…空所、32…軸 34…支持部材、36…蒸着るつぼ 38…加熱素子、40…挿通部材 44…ブラケット、46…挿通部材 50…中心
Claims (16)
- 【請求項１】共に支持部材上に配設する発光材料層及び
ホトカソードを有する入口スクリーンを具えるＸ線像増
強管の製造方法において、発光材料層を、支持部材に対
する局所垂線に対し０°からかなりずれた角度で堆積す
ることを特徴とするＸ線像増強管の製造方法。 - 【請求項２】発光材料層を、入口スクリーンに垂直な中
心線に対し約40〜50°の角度における蒸着によって被着
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】発光材料層の被着過程に当り支持部材を発
光材料源に対し、支持部材に垂直な中心線の周りで回転
する特許請求の範囲第１又は２項記載の方法。 - 【請求項４】発光材料層の被着過程に当り支持部材を少
なくとも数十回回転する特許請求の範囲第３項記載の方
法。 - 【請求項５】発光材料源が支持部材に垂直な中心線の周
りで円運動を行う特許請求の範囲第１乃至４項中のいず
れか一項記載の方法。 - 【請求項６】発光材料の被着過程に当り支持部材が発光
材料源に対し傾斜運動を行う特許請求の範囲第１乃至５
項中のいずれか一項記載の方法。 - 【請求項７】発光材料を、支持部材の関連側部を走査す
る発光材料源から供給する特許請求の範囲第１乃至６項
中のいずれか一項記載の方法。 - 【請求項８】発光材料源を、発光材料を火炎溶射又はプ
ラズマスプレーするスプレー装置で構成する特許請求の
範囲第６項記載の方法。 - 【請求項９】容器内に収納されかつ発光材料層及びホト
カソードを有する入口スクリーンを具えるＸ線像増強管
において、発光材料層がカラム構体を有し、カラム構体
のカラムが最大で約25μｍの平均横断寸法を有し、カラ
ムを約0.5μｍ及び３μｍの間にある幅を有する空所に
よって離間する一方、かなり大きい横断寸法のカラムが
少ない数だけ存在するよう構成したことを特徴とするＸ
線像増強管。 - 【請求項１０】少なくともほぼすべてのカラムが約10μ
ｍより小さい横断寸法を有する特許請求の範囲第９項記
載のＸ線像増強管。 - 【請求項１１】カラムを約0.5μｍの幅を有する空所に
より光学的に分離する特許請求の範囲第９又は10項記載
のＸ線像増強管。 - 【請求項１２】空所の少なくとも一部を支持部材に直角
な方向の一連のバブルで構成する特許請求の範囲第9,10
又は11項記載のＸ線像増強管。 - 【請求項１３】発光材料層は少なくともその厚さの大部
分にわたり蒸着鉱柱構造を有し、ほぼすべての鉱柱を光
学的に分離する特許請求の範囲第９乃至12項中のいずれ
か一項記載のＸ線像増強管。 - 【請求項１４】支持部材が容器に装着すべき金属箔であ
り、かつＸ線を透過する特許請求の範囲第９乃至12項中
のいずれか一項記載のＸ線像増強管。 - 【請求項１５】発光層に対する支持部材をＸ線像増強管
の放射線入口窓で構成する特許請求の範囲第10乃至14項
中のいずれか一項記載のＸ線像増強管。 - 【請求項１６】発光材料層に対する支持部材として作動
する前記入口窓が金属箔から成る特許請求の範囲第15項
記載のＸ線像増強管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8502570 | 1985-09-20 | ||
| NL8502570A NL8502570A (nl) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | Roentgenbeeldversterkerbuis met geoeptimaliseerde microstructuur. |
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|---|---|---|---|
| JP2000040013A Division JP3182414B2 (ja) | 1985-09-20 | 2000-02-17 | Ｘ線像増強管の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176024A JPS62176024A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0773031B2 true JPH0773031B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP2000040013A Expired - Fee Related JP3182414B2 (ja) | 1985-09-20 | 2000-02-17 | Ｘ線像増強管の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000040013A Expired - Fee Related JP3182414B2 (ja) | 1985-09-20 | 2000-02-17 | Ｘ線像増強管の製造方法 |
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| EP (1) | EP0219153B1 (ja) |
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| CN (1) | CN1009037B (ja) |
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| NL9000267A (nl) * | 1990-02-05 | 1991-09-02 | Philips Nv | Proximity roentgenbeeldversterkerbuis. |
| US5171996A (en) * | 1991-07-31 | 1992-12-15 | Regents Of The University Of California | Particle detector spatial resolution |
| DE4219347C2 (de) * | 1992-06-12 | 1996-05-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Alkalihalogenidschicht und damit hergestellte Leuchtstoffschicht |
| DE19519775A1 (de) * | 1995-05-30 | 1996-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen dotierter Alkalihalogenidaufdampfschichten |
| US5904781A (en) * | 1997-06-23 | 1999-05-18 | Goodman; Claude | Processing and apparatus for manufacturing auto-collimating phosphors |
| US6620252B2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-09-16 | Thomson Licensing S.A. | Metallization module for cathode-ray tube (CRT) applications |
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|---|---|---|---|---|
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| US4011454A (en) * | 1975-04-28 | 1977-03-08 | General Electric Company | Structured X-ray phosphor screen |
| US4052519A (en) * | 1975-07-02 | 1977-10-04 | Zenith Radio Corporation | Non-settling process for coating a phosphor slurry on the inner surface of a cathode ray tube faceplate |
| US4035524A (en) * | 1976-04-01 | 1977-07-12 | Zenith Radio Corporation | Process for coating a phosphor slurry on the inner surface of a color cathode ray tube faceplate |
| JPS5478074A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Toshiba Corp | Production of input screen for image increasing tube |
| US4254160A (en) * | 1979-12-17 | 1981-03-03 | Rca Corporation | Method for slurry coating a faceplate panel having a peripheral sidewall |
| US4437011A (en) * | 1980-06-16 | 1984-03-13 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Radiation excited phosphor screen and method for manufacturing the same |
| US4528210A (en) * | 1980-06-16 | 1985-07-09 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a radiation excited input phosphor screen |
| US4529885A (en) * | 1981-12-04 | 1985-07-16 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Direct current electroluminescent devices |
| FR2530367A1 (fr) * | 1982-07-13 | 1984-01-20 | Thomson Csf | Ecran scintillateur convertisseur de rayonnement et procede de fabrication d'un tel ecran |
| JPS60207229A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | 陰極線管螢光面の形成方法 |
-
1985
- 1985-09-20 NL NL8502570A patent/NL8502570A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-09-12 US US06/906,476 patent/US4842894A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-17 ES ES8601949A patent/ES2000982A6/es not_active Expired
- 1986-09-17 EP EP86201614A patent/EP0219153B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-17 DE DE8686201614T patent/DE3674133D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-17 KR KR1019860007860A patent/KR870003534A/ko not_active Withdrawn
- 1986-09-17 BR BR8604460A patent/BR8604460A/pt unknown
- 1986-09-17 CN CN86106387A patent/CN1009037B/zh not_active Expired
- 1986-09-18 AU AU62921/86A patent/AU6292186A/en not_active Abandoned
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2000
- 2000-02-17 JP JP2000040013A patent/JP3182414B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US4842894A (en) | 1989-06-27 |
| DE3674133D1 (de) | 1990-10-18 |
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