JPH077324Y2 - 皮膜形成装置 - Google Patents
皮膜形成装置Info
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- JPH077324Y2 JPH077324Y2 JP1989113763U JP11376389U JPH077324Y2 JP H077324 Y2 JPH077324 Y2 JP H077324Y2 JP 1989113763 U JP1989113763 U JP 1989113763U JP 11376389 U JP11376389 U JP 11376389U JP H077324 Y2 JPH077324 Y2 JP H077324Y2
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- JP
- Japan
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- anode
- conduit
- adherend
- end surface
- vacuum container
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/342—Hollow targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、陰極スパッタリングにより生じた粒子を被着
物に付着させて皮膜を形成する装置に関するものであ
る。
物に付着させて皮膜を形成する装置に関するものであ
る。
〔考案の概要〕 本考案は、大気中にある被着物に対し、膜の形状を制御
する穴明板を介して陰極スパッタリングにより生じた粒
子を付着させる事により前記被着物に任意の形状の皮膜
を形成する装置に関し、対向陰極に対してほぼ直角に磁
力線を発生させる磁石を一方の陰極側にのみ配置すると
共に、被着物に対し、穴明板を弾性的に支持させた構成
を開示するものである。
する穴明板を介して陰極スパッタリングにより生じた粒
子を付着させる事により前記被着物に任意の形状の皮膜
を形成する装置に関し、対向陰極に対してほぼ直角に磁
力線を発生させる磁石を一方の陰極側にのみ配置すると
共に、被着物に対し、穴明板を弾性的に支持させた構成
を開示するものである。
第４図は、従来の皮膜形成装置の断面図で、７は真空容
器、９は真空容器７内に設けられた円筒状の陽極で、陽
極リード４は図示しない直流高圧電源に接続されてい
る。５は陽極リード４を真空容器７に固定する絶縁体で
ある。10a、10bは陽極９の両側に設けられた一対の対向
陰極で、前記対向陰極10a、10bは陽極９の中心線と直角
となるように設けられている。11は陰極10aに設けられ
た円形の透過穴で、該透過穴11は陽極９の端面との対向
部近傍に形成されている。12は一端が真空容器７内に連
通した導管で、該導管12の中心線は前記透過穴11の中心
線と一致している。また、前記導管の一端には穴19が形
成された穴明板18が前記導管の端部とほぼ面一に支持さ
れている。8a、8bは真空容器７に取り付けられた磁石
で、該磁石8aには導管12が貫通するための穴が形成され
ている。15は導管12の端部に取り付けられた真空用シー
ル材、16は真空容器７に設けられた排気管で、図示しな
い排気装置に接続されている。17は同じく真空容器７に
設けられた導入管で、図示しない不活性ガス導入装置に
接続されている。この皮膜形成装置においては、シール
材15に被着物６を当接した後、前記真空排気装置で真空
容器７内を真空排気したうえで、例えばアルゴンガス等
の不活性ガスを前記不活性ガス導入装置を介して真空容
器７内に導入して真空容器７内を１×10-2Paよりも低い
不活性ガス雰囲気とした後、陽極９と陰極10a、10bとの
間に高電圧を印加して陽極９と陰極10a、10bとの間に冷
陰極放電を生じさせ、これによって放電空間内のアルゴ
ン原子をイオン化する。このようにして生成されたアル
ゴン正イオンは陰極10a、10bの表面を衝撃して陰極10
a、10bを構成する物質をスパッタリングする。そして、
表面スパッタにより生じた金属粒子、帯電粒子は、透過
穴11、導管12を通過して導管12の端部に配置された被着
物６に付着して堆積し、前記真空容器外にある被着物に
膜を形成することができる。
器、９は真空容器７内に設けられた円筒状の陽極で、陽
極リード４は図示しない直流高圧電源に接続されてい
る。５は陽極リード４を真空容器７に固定する絶縁体で
ある。10a、10bは陽極９の両側に設けられた一対の対向
陰極で、前記対向陰極10a、10bは陽極９の中心線と直角
となるように設けられている。11は陰極10aに設けられ
た円形の透過穴で、該透過穴11は陽極９の端面との対向
部近傍に形成されている。12は一端が真空容器７内に連
通した導管で、該導管12の中心線は前記透過穴11の中心
線と一致している。また、前記導管の一端には穴19が形
成された穴明板18が前記導管の端部とほぼ面一に支持さ
れている。8a、8bは真空容器７に取り付けられた磁石
で、該磁石8aには導管12が貫通するための穴が形成され
ている。15は導管12の端部に取り付けられた真空用シー
ル材、16は真空容器７に設けられた排気管で、図示しな
い排気装置に接続されている。17は同じく真空容器７に
設けられた導入管で、図示しない不活性ガス導入装置に
接続されている。この皮膜形成装置においては、シール
材15に被着物６を当接した後、前記真空排気装置で真空
容器７内を真空排気したうえで、例えばアルゴンガス等
の不活性ガスを前記不活性ガス導入装置を介して真空容
器７内に導入して真空容器７内を１×10-2Paよりも低い
不活性ガス雰囲気とした後、陽極９と陰極10a、10bとの
間に高電圧を印加して陽極９と陰極10a、10bとの間に冷
陰極放電を生じさせ、これによって放電空間内のアルゴ
ン原子をイオン化する。このようにして生成されたアル
ゴン正イオンは陰極10a、10bの表面を衝撃して陰極10
a、10bを構成する物質をスパッタリングする。そして、
表面スパッタにより生じた金属粒子、帯電粒子は、透過
穴11、導管12を通過して導管12の端部に配置された被着
物６に付着して堆積し、前記真空容器外にある被着物に
膜を形成することができる。
しかしながら、上記装置においては磁力線を対向陰極に
対し、垂直に作用させるための磁石が各陰極側に一つづ
つ必要であり、この磁石の厚みにより真空容器に形成さ
れる導管を長く形成することが必要となることから、結
果的に透過穴、導管を通過する金属粒子、イオンの被着
物に届く量が少なくなって一定の膜を被着物に堆積させ
る場合の時間が多くかかる問題がある。また、導管を貫
通させるための磁石孔の加工が困難となる問題もある。
さらに、被着物と前記穴明板との間には真空用シール材
が配置されている為、該真空用シール材の厚みの分だけ
被着物と穴明板との間に若干の隙間ができ、この結果、
前記膜の輪郭がボケてしまい、穴明板の開口部形状通り
の成膜ができず、また、前記穴明板を開口部の穴径より
も長く形成すると金属粒子が前記開口部を通過しずらく
なり、被着物に十分成膜する事ができない等の問題があ
った。
対し、垂直に作用させるための磁石が各陰極側に一つづ
つ必要であり、この磁石の厚みにより真空容器に形成さ
れる導管を長く形成することが必要となることから、結
果的に透過穴、導管を通過する金属粒子、イオンの被着
物に届く量が少なくなって一定の膜を被着物に堆積させ
る場合の時間が多くかかる問題がある。また、導管を貫
通させるための磁石孔の加工が困難となる問題もある。
さらに、被着物と前記穴明板との間には真空用シール材
が配置されている為、該真空用シール材の厚みの分だけ
被着物と穴明板との間に若干の隙間ができ、この結果、
前記膜の輪郭がボケてしまい、穴明板の開口部形状通り
の成膜ができず、また、前記穴明板を開口部の穴径より
も長く形成すると金属粒子が前記開口部を通過しずらく
なり、被着物に十分成膜する事ができない等の問題があ
った。
本考案は、対向陰極に対してほぼ垂直に磁力線を発生さ
せる磁石を一方の陰極側にのみ配置する事で透過孔から
導管を介した被着物までの距離を磁石の厚み分短くし、
金属粒子を効率良く通過させると共に、被着物に対し穴
明板を弾性的に密着支持させて前記穴明板開口部の形状
忠実な成膜を形成し、さらに、穴明板開口部の穴径りも
穴明板の厚みを薄く形成するようにして穴明板開口部に
対して金属粒子を十分に通過させ効率的な成膜を行うよ
うにしたものである。
せる磁石を一方の陰極側にのみ配置する事で透過孔から
導管を介した被着物までの距離を磁石の厚み分短くし、
金属粒子を効率良く通過させると共に、被着物に対し穴
明板を弾性的に密着支持させて前記穴明板開口部の形状
忠実な成膜を形成し、さらに、穴明板開口部の穴径りも
穴明板の厚みを薄く形成するようにして穴明板開口部に
対して金属粒子を十分に通過させ効率的な成膜を行うよ
うにしたものである。
上記の皮膜形成装置においては、従来必要とされていた
真空容器の導管側磁石を必要としないため、磁石孔の加
工が不要となる他、部品点数の削減となる。さらに、透
過孔から被着物までの距離が短くなるため、透過孔及び
導管に対し、金属粒子を効率良く通過させ、成膜するこ
とができる。しかも、穴明板の開口部付近の肉厚を薄く
して被着物に密着させることにより、穴明板開口部の形
状通りの成膜が可能となる。
真空容器の導管側磁石を必要としないため、磁石孔の加
工が不要となる他、部品点数の削減となる。さらに、透
過孔から被着物までの距離が短くなるため、透過孔及び
導管に対し、金属粒子を効率良く通過させ、成膜するこ
とができる。しかも、穴明板の開口部付近の肉厚を薄く
して被着物に密着させることにより、穴明板開口部の形
状通りの成膜が可能となる。
以下、本考案の実施例を詳細に説明する。第１図は本考
案皮膜形成装置の概略断面図である。図面において、２
は先端に穴明板13を支持固定し、真空容器の導管内で摺
動自在に設けられたシリンダーで、該シリンダー２はス
プリング３によって被着物６に対して垂直方向に作用
し、これによって、前記穴明板13は被着物６に対して弾
性的に密着される。９は真空容器内に設けられた円筒状
の陽極、４は陽極リード、５は絶縁体、10a、10bは前記
陽極９の両側に設けられた一対の対向陰極で、該対向陰
極10a、10bは陽極９の中心線と直角となるように設けら
れている。11は陰極10aに設けられた円形の透過穴で、
該透過穴11は陽極９の端面との対向部近傍に形成されて
いる。１はサマリュウム・コバルト系磁石で前記真空容
器７に対し、透過穴11を形成しない陰極側にのみ設けら
れている。15は導管12の端部に取り付けられた真空用シ
ール材、16は真空容器７に設けられた排気管で、図示し
ない排気装置に接続されている。17は同じく真空容器７
に設けられた導入管で、図示しない不活性ガス導入装置
に接続されている。
案皮膜形成装置の概略断面図である。図面において、２
は先端に穴明板13を支持固定し、真空容器の導管内で摺
動自在に設けられたシリンダーで、該シリンダー２はス
プリング３によって被着物６に対して垂直方向に作用
し、これによって、前記穴明板13は被着物６に対して弾
性的に密着される。９は真空容器内に設けられた円筒状
の陽極、４は陽極リード、５は絶縁体、10a、10bは前記
陽極９の両側に設けられた一対の対向陰極で、該対向陰
極10a、10bは陽極９の中心線と直角となるように設けら
れている。11は陰極10aに設けられた円形の透過穴で、
該透過穴11は陽極９の端面との対向部近傍に形成されて
いる。１はサマリュウム・コバルト系磁石で前記真空容
器７に対し、透過穴11を形成しない陰極側にのみ設けら
れている。15は導管12の端部に取り付けられた真空用シ
ール材、16は真空容器７に設けられた排気管で、図示し
ない排気装置に接続されている。17は同じく真空容器７
に設けられた導入管で、図示しない不活性ガス導入装置
に接続されている。
この考案に係る皮膜形成装置においては、シール材15に
被着物６を当接させ、この時、シリンダー２の先端に支
持固定されている穴明板13はスプリングによって被着物
６に弾性的に密着した状態になる。続いて、真空排気装
置にて前記真空容器７内を１×10-4Paの真空に排気し、
その後、真空容器７内に不活性ガス供給装置からArガス
を導入することにより、前記真空容器７内を２×10-2Pa
のArガス雰囲気とし、直流高圧電源により陽極９に1.5K
Vの正電位を与えると、陽極９とCrからなる対向陰極10
a、10bとの間に冷陰極放電が生じ、これによって生成さ
れるArガスの正イオンが対向陰極10a、10bの表面を衝撃
し、スパッタリングされた粒子が陰極の透過孔11、導管
12、穴明板13の開口部14を透過し、被着物６に前記開口
部14と同形状の膜を形成する。
被着物６を当接させ、この時、シリンダー２の先端に支
持固定されている穴明板13はスプリングによって被着物
６に弾性的に密着した状態になる。続いて、真空排気装
置にて前記真空容器７内を１×10-4Paの真空に排気し、
その後、真空容器７内に不活性ガス供給装置からArガス
を導入することにより、前記真空容器７内を２×10-2Pa
のArガス雰囲気とし、直流高圧電源により陽極９に1.5K
Vの正電位を与えると、陽極９とCrからなる対向陰極10
a、10bとの間に冷陰極放電が生じ、これによって生成さ
れるArガスの正イオンが対向陰極10a、10bの表面を衝撃
し、スパッタリングされた粒子が陰極の透過孔11、導管
12、穴明板13の開口部14を透過し、被着物６に前記開口
部14と同形状の膜を形成する。
この考案における穴明板13は、開口部14の周辺が薄く形
成されており、これによって粒子の通過を効率的に行
い、前記開口部14の形状通りの膜形成を可能としたもの
である。また、本考案の磁石の材質は、前記実施例の材
質にこだわる必要はなく、ネオジュウム・テツ系の磁石
であっても差し支えない。さらに、上記実施例におい
て、シリンダー２をスプリングによって弾性的に被着物
に押し付けていたが、前記スプリングの代わりにエアー
シリンダー、圧電素子等のアクチュエーター等を使用し
てもよい。
成されており、これによって粒子の通過を効率的に行
い、前記開口部14の形状通りの膜形成を可能としたもの
である。また、本考案の磁石の材質は、前記実施例の材
質にこだわる必要はなく、ネオジュウム・テツ系の磁石
であっても差し支えない。さらに、上記実施例におい
て、シリンダー２をスプリングによって弾性的に被着物
に押し付けていたが、前記スプリングの代わりにエアー
シリンダー、圧電素子等のアクチュエーター等を使用し
てもよい。
以上のように、本考案においては真空容器の導管側磁石
を不要とし、真空容器の導管側とは反対側にのみ磁石を
設けた装置を形成した為、前記導管が貫通する穴を設け
る等の困難な磁石加工が不要となる他、磁石をひとつだ
けにすることによる部品点数の削減と、さらに、透過穴
から被着物迄の距離を従来の装置に比べ、磁石の厚み分
小さくする事ができ、この結果透過孔、導管を効率良く
通過した粒子により短時間で成膜する事ができる。又、
穴明板の開口部近傍の厚みを薄く形成することにより、
被着物に対し、前記粒子をさらに効率的に堆積させるこ
とが出来る。また、シリンダーに固定された前記穴明板
を弾性的に被着物に押し付けるので、前記穴明板と被着
物の密着がよくなり、該穴明板開口部の形状通りの成膜
が可能となる等の顕著な効果がある。
を不要とし、真空容器の導管側とは反対側にのみ磁石を
設けた装置を形成した為、前記導管が貫通する穴を設け
る等の困難な磁石加工が不要となる他、磁石をひとつだ
けにすることによる部品点数の削減と、さらに、透過穴
から被着物迄の距離を従来の装置に比べ、磁石の厚み分
小さくする事ができ、この結果透過孔、導管を効率良く
通過した粒子により短時間で成膜する事ができる。又、
穴明板の開口部近傍の厚みを薄く形成することにより、
被着物に対し、前記粒子をさらに効率的に堆積させるこ
とが出来る。また、シリンダーに固定された前記穴明板
を弾性的に被着物に押し付けるので、前記穴明板と被着
物の密着がよくなり、該穴明板開口部の形状通りの成膜
が可能となる等の顕著な効果がある。
第１図は本考案に係る皮膜形成装置の概略断面図、第２
図（ａ），（ｂ）は本考案穴明板の平面図及び断面図で
ある。第３図は被着物に形成された膜の形状を示す平面
図、第４図は従来の皮膜形成装置を示す概略断面図、第
５図（ａ），（ｂ）は従来の穴明板の平面図及び断面図
である。 １…磁石、２…シリンダー ３…スプリング、７…真空容器 ９…陽極、10a,10b…対向陰極 11…透過穴、13…穴明板 14…開口部、15…シール材 16…排気管、17…導入管 20…形成された膜
図（ａ），（ｂ）は本考案穴明板の平面図及び断面図で
ある。第３図は被着物に形成された膜の形状を示す平面
図、第４図は従来の皮膜形成装置を示す概略断面図、第
５図（ａ），（ｂ）は従来の穴明板の平面図及び断面図
である。 １…磁石、２…シリンダー ３…スプリング、７…真空容器 ９…陽極、10a,10b…対向陰極 11…透過穴、13…穴明板 14…開口部、15…シール材 16…排気管、17…導入管 20…形成された膜
Claims (3)
- 【請求項１】陰極スパッタリングにより生じた粒子を被
着物に付着させ、皮膜を形成する装置において、 真空容器と該真空容器内に設けられた筒状の陽極と、 該陽極の端面の両側に該陽極の軸方向の中心線と直交し
て設けられた一対の対向陰極と、 前記対向陰極の一方の前記陽極の端面と対向する部分の
近傍に設けられた透過穴と、 一方の端面が端面に垂直でかつ端面の中心を通る中心線
と前記透過穴の中心線と一致して前記真空容器内に配置
した導管と、 前記透過穴を有する対向陰極の陽極と対向する面と反対
の面と前記導管の一方の端面との間に配置した弾性体
と、 前記導管の端面と被着物間に配置した穴明板と、 磁力線を前記対向陰極に対し、ほぼ直角に作用させるた
めの磁石を前記透過穴を形成した対向陰極とは別の陰極
とは別の陰極側にのみ設けたことを特徴とする皮膜形成
装置。 - 【請求項２】前記穴明板は穴の周辺を薄く形成したこと
を特徴とする請求項１記載の皮膜形成装置。 - 【請求項３】前記弾性体はスプリング、エアーシリンダ
ー、圧電素子、アクチュエーターのいづれかであること
を特徴とする請求項１記載の皮膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989113763U JPH077324Y2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 皮膜形成装置 |
| US07/580,641 US5149415A (en) | 1989-09-27 | 1990-09-10 | Film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989113763U JPH077324Y2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 皮膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353553U JPH0353553U (ja) | 1991-05-23 |
| JPH077324Y2 true JPH077324Y2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=14620527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989113763U Expired - Lifetime JPH077324Y2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 皮膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5149415A (ja) |
| JP (1) | JPH077324Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3446835B2 (ja) * | 1991-03-27 | 2003-09-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | ガラス光学素子用プレス成形型 |
| SE528345C2 (sv) * | 2004-06-16 | 2006-10-24 | Howard Leight Ind Llc | Kåpa avsedd att användas som hörselskydd, sätt att framställa densamma samt användning av en sådan kåpa |
| KR200472037Y1 (ko) * | 2012-05-17 | 2014-04-08 | (주)가나웨이브시스 | 헤드폰용 이어쿠션 및 헤드폰용 헤드쿠션 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235028B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1990-08-08 | Toshio Sugita | Himakukeiseisochi |
| JPS639585A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | 工藤 昭輝 | 全自動表紙貼付装置 |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP1989113763U patent/JPH077324Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-10 US US07/580,641 patent/US5149415A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5149415A (en) | 1992-09-22 |
| JPH0353553U (ja) | 1991-05-23 |
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