JPH0774131A - ダイシング装置及び半導体チップの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ厚を薄くしてもウエハを割ること無
く、容易にチップ厚の薄い半導体チップを得るチップ加
工方法を提供する。 【構成】 ウエハ３の表面を下にしてダイシングシート
４にウエハをはりつけ、その状態でウエハ３を薄化し、
ウエハ表面のスクライブラインをモニタしながら裏面３
１からダイシングする。 【効果】 ウエハを薄化してからの取り外しが不要とな
り、ウエハ厚を薄くしてもウエハを割ること無く、容易
にチップ厚の薄い半導体チップを得ることができる。ま
た、工程数も削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はパワー用トランジスタ
等、チップ厚を薄くする必要のある半導体チップの加工
方法及びチップを加工する装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス／ＩＣは通常ＳｉやＧａ
Ａｓなどの半導体ウエハ上に多数形成され、スクライブ
やダイシング等のチップ加工プロセスにより単体チップ
に分割され、組立／実装して使用される。従来のチップ
加工の例を断面模式図２を用いて説明する。ウエハはま
ず、加工しやすいよう適当な厚さに研磨あるいはエッチ
ングされる。例えば、図２（ａ）に示したように、デバ
イスの形成されたウエハ３の表面３０をエレクトロンワ
ックス２等を用いて研磨治具１に接着し、裏面を研磨あ
るいはエッチングすることでウエハの厚さを所望の厚さ
まで薄化する。次に、溶剤にてエレクトロンワックス２
を除去することで薄化されたウエハ３を研磨治具１から
はずし、同図（ｂ）に示す様にデバイス形成面（表面）
３０を上にして裏面をダイシングシートにはりつける。
さらに、同図（ｃ）に示す様に、通常のダイシング装置
を用いてウエハ表面３０にパターン形成されたスクライ
ブラインラインに沿ってウエハを切断し、個々のチップ
に分割する。図において５はダイシングブレードを示し
ている。図では断面の一部しか示していないが、ダイシ
ングブレード５は通常薄い円盤状の形状をしており、高
速回転することでウエハを切断する。次に、分割された
ウエハののったダイシングシートをエクスパンドと呼ば
れる工程でシートを拡張してエクスパンドリング８に固
定した後、同図（ｄ）に示すように下から針６等で所望
のチップを押し上げ、ダイシングシートから分離して真
空吸着器７等で取り出すことにより、個々の半導体チッ
プを得る。

【０００３】ところが近年、パワートランジスタ等の分
野において、放熱向上のためにチップ厚を極めて薄くす
る必要がでてきた。また、高周波ＭＭＩＣ等の分野にお
いてもチップ裏面に形成された接地導体と表面に形成さ
れた配線導体によるマイクロストリップ線路のインピー
ダンス調整のために、チップ厚の薄いＩＣチップが必要
になってきている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チップ加工の方法では、特にＧａＡｓなどの機械的強度
の低い化合物半導体ウエハを加工する場合、ウエハ厚を
薄くすると、研磨治具からウエハをはずす際あるいはそ
の後の工程でウエハが割れてしまうという問題を有して
いた。

【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、ウエハ厚を薄
くしてもウエハを割ること無く、容易にチップ厚の薄い
半導体チップを得るチップ加工方法及びチップを加工す
る装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、ウエハの裏面のパターンをモニタする装
置と、前記装置でモニタされた情報に基づいてウエハを
切断する装置を備えたダイシング装置を用い、デバイス
の形成された半導体ウエハの表面をダイシングシートに
はりつける工程と、前記半導体ウエハを前記シートには
りつけたままウエハの裏面を研磨あるいはエッチングす
る工程と、前記半導体ウエハの表面パターンをモニタし
ながら裏面よりダイシングする工程を有するものであ
る。

【０００７】

【作用】本発明は上記した構成のダイシング装置によっ
てウエハの裏面からのダイシングが可能となり、そのた
め始めからウエハを表面を下にしてダイシングシートに
はりつけたままの裏面加工が可能になり、ウエハの取り
外し工程が不要となってウエハの割れが防止でき、また
工程が削減できる。

【０００８】

【実施例】本発明の実施例を断面模式図１を用いて説明
する。従来例とは異なり、まず、同図（ａ）に示すよう
にウエハ３を表面３０側を下にしてダイシングシート４
にはりつける。ウエハ３の表面３１にはデバイスと同時
にチップ分割のためのスクライブラインパターンが形成
されている。また、ダイシングシート４としては紫外線
照射で粘着力の低下する紫外線硬化型シートを使用する
と都合がよい。

【０００９】次に、同図（ｂ）に示すようにダイシング
シート４にウエハ３をはりつけたままウエハ３の裏面３
１を研磨あるいはエッチングすることで、ウエハの厚さ
を所望の厚さまで薄化する。この時ウエハの表面側はダ
イシングシート４にて保護されている。

【００１０】次に、ダイシングによりウエハを切断し、
個々のチップに分割するのであるが、この時、本発明の
赤外線カメラ付きのダイシング装置を用いる。すなわ
ち、通常ダイシングはウエハ表面に形成されたスクライ
ブラインのパターンをモニタしながら、このラインに沿
って切断するのであるが、本実施例では赤外線カメラを
用いて、ダイシング装置からみたウエハの裏面側である
ウエハ３の表面３１に形成されたスクライブラインをモ
ニタし、これに沿ってウエハを切断する。この様にして
チップ分割した後は、従来例と同様にしてチップを取り
外せば良い。図１（ｄ）に示した様にエクスパンドリン
グにセット後、紫外線照射を行ってダイシングシートの
粘着力を低下させれば取り外しが容易である。

【００１１】以上説明したように、本実施例ではウエハ
厚を薄化してからは、チップ分割するまでダイシングシ
ートにはりつけられたままであり、ウエハの取り外しを
行わないことから、ウエハ厚を薄くしてもウエハの割れ
を防止することが可能となる。また、最終的にダイシン
グで使用するシートに始めからウエハをはりつけてある
ので、その分従来例に比べて工程が削減できる。

【００１２】なお、本実施例では裏面研磨／エッチング
時のウエハ表面保護としてダイシングシートそのものを
用いているが、ワックス等でさらに補強を行ってもよ
い。

【００１３】また、本実施例では示していないが、薄化
したウエハの裏面に金属のコーティングやバイアホール
の形成等の加工を行ってもよい。この際も、ダイシング
シートにはりつけたまま加工を行うことで同様の効果が
得られる。

【００１４】

【発明の効果】以上示した様に本発明は、ウエハの裏面
からのダイシングを可能とし、始めからウエハを表面を
下にしてダイシングシートにはりつけたままの裏面加工
をおこなうことによってウエハの取り外し工程をなく
し、ウエハの割れを防止することができる。また同時に
工程数の削減ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例におけるチップ加工の断面模式
図

【図２】従来のチップ加工の例を示した断面模式図

【符号の説明】

１ 研磨治具 ２ エレクトロンワックス ３ ウエハ ４ ダイシングシート ５ ダイシングブレード ６ 針 ７ 真空吸引器 ８ エクスパンドリング ９ 赤外線カメラ ３０ ウエハの表面 ３１ ウエハの裏面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｓ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウエハの裏面のパターンをモニタするモニ
   タ装置と、前記モニタ装置でモニタされた情報に基づい
   て前記ウエハ裏面を切断する切断装置とを備えたことを
   特徴とするダイシング装置。
2. 【請求項２】ウエハの裏面のパターンのモニタを赤外線
   カメラを用いて行うことを特徴とする請求項１記載のダ
   イシング装置。
3. 【請求項３】デバイスの形成された半導体ウエハの表面
   をダイシングシートにはりつける工程と、前記半導体ウ
   エハを前記シートにはりつけたまま、ウエハの裏面を研
   磨あるいはエッチングする工程と、前記半導体ウエハの
   表面パターンをモニタしながら裏面よりダイシングする
   工程とを含むことを特徴とする半導体チップの加工方
   法。
4. 【請求項４】ダイシングシートに紫外線硬化型シートを
   用いることを特徴とする請求項３記載の半導体チップの
   加工方法。