JPH0774144A - プラズマ装置のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマ装置のクリーニング方法Info
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- JPH0774144A JPH0774144A JP15922393A JP15922393A JPH0774144A JP H0774144 A JPH0774144 A JP H0774144A JP 15922393 A JP15922393 A JP 15922393A JP 15922393 A JP15922393 A JP 15922393A JP H0774144 A JPH0774144 A JP H0774144A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ装置の処理チャンバー内から塩素成
分を効果的に除去するクリーニング方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 ガス導入管９より導入した塩素系ガス中でウ
ェハ５のエッチングを行うＲＩＥ装置１をクリーニング
するには、先ず、ガス導入管１０よりフッ素系ガスを導
入し、エッチングチャンバ２内に電圧を印加して、上記
フッ素系ガスを放電解離させる。これによりエッチング
チャンバ２内の塩素系ガスが除去される。その後、エッ
チングチャンバ２を大気開放し、有機溶剤によって堆積
した反応生成物を除去する。
分を効果的に除去するクリーニング方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 ガス導入管９より導入した塩素系ガス中でウ
ェハ５のエッチングを行うＲＩＥ装置１をクリーニング
するには、先ず、ガス導入管１０よりフッ素系ガスを導
入し、エッチングチャンバ２内に電圧を印加して、上記
フッ素系ガスを放電解離させる。これによりエッチング
チャンバ２内の塩素系ガスが除去される。その後、エッ
チングチャンバ２を大気開放し、有機溶剤によって堆積
した反応生成物を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、塩素系ガスを放電解離
させてなるプラズマを用いたプラズマ処理を行うための
プラズマ装置のクリーニング方法に関するものである。
させてなるプラズマを用いたプラズマ処理を行うための
プラズマ装置のクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造分野において、塩素ガ
スを放電解離させてなるプラズマを用いたプラズマ処理
の代表例としては、Ａｌ系材料層の反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が挙げられる。具体的には、シリコン基
板上に形成されたＡｌ膜の所定領域をＲＩＥにより加工
して配線を形成する際等に用いられる。
スを放電解離させてなるプラズマを用いたプラズマ処理
の代表例としては、Ａｌ系材料層の反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が挙げられる。具体的には、シリコン基
板上に形成されたＡｌ膜の所定領域をＲＩＥにより加工
して配線を形成する際等に用いられる。
【０００３】上述ようなＲＩＥ処理を行うと、ＲＩＥ装
置のエッチングチャンバの内壁面やウェハ・クランプ等
の内部構成部材には、固相残留塩素、すなわち、レジス
トマスクの分解生成物に由来するＣＣｌx ポリマー等の
塩素系反応生成物が堆積する。この塩素系反応生成物が
次のエッチング時に再スパッタされると、本来エッチン
グされるべきＡｌ膜に付着して、エッチングの再現性を
劣化させたり、素子を汚染したりする。
置のエッチングチャンバの内壁面やウェハ・クランプ等
の内部構成部材には、固相残留塩素、すなわち、レジス
トマスクの分解生成物に由来するＣＣｌx ポリマー等の
塩素系反応生成物が堆積する。この塩素系反応生成物が
次のエッチング時に再スパッタされると、本来エッチン
グされるべきＡｌ膜に付着して、エッチングの再現性を
劣化させたり、素子を汚染したりする。
【０００４】そこで、エッチングの再現性の向上とエッ
チングチャンバ内のダスト低減を図るために、上記エッ
チングチャンバ内をアルコール等の有機溶剤で定期的に
クリーニングすることが行われている。
チングチャンバ内のダスト低減を図るために、上記エッ
チングチャンバ内をアルコール等の有機溶剤で定期的に
クリーニングすることが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記クリー
ニングを行うためには、エッチングチャンバを一旦大気
開放しなければならない。しかし、エッチング直後の上
記エッチングチャンバ内には上記塩素系反応生成物の他
に気相残留塩素、すなわち塩素系ガスも存在しており、
この状態でエッチングチャンバを開放するのは危険であ
る。このため、エッチングチャンバを開放する前に上記
気相残留塩素、すなわち塩素系ガスを除去することが必
要となる。
ニングを行うためには、エッチングチャンバを一旦大気
開放しなければならない。しかし、エッチング直後の上
記エッチングチャンバ内には上記塩素系反応生成物の他
に気相残留塩素、すなわち塩素系ガスも存在しており、
この状態でエッチングチャンバを開放するのは危険であ
る。このため、エッチングチャンバを開放する前に上記
気相残留塩素、すなわち塩素系ガスを除去することが必
要となる。
【０００６】上記塩素系ガスを除去する方法としては、
エッチングが終了したエッチングチャンバ内でＯ2 ガス
によるプラズマ放電を行い、真空排気することが行われ
ている。しかし、この処理によっても十分な塩素系ガス
の除去ができないのが現状であり、エッチングチャンバ
開放時に、刺激臭があったり、塩素ガス漏洩検知器が発
報したりということが多かった。
エッチングが終了したエッチングチャンバ内でＯ2 ガス
によるプラズマ放電を行い、真空排気することが行われ
ている。しかし、この処理によっても十分な塩素系ガス
の除去ができないのが現状であり、エッチングチャンバ
開放時に、刺激臭があったり、塩素ガス漏洩検知器が発
報したりということが多かった。
【０００７】これは、エッチングチャンバの内部構成部
材に堆積した塩素系反応生成物であるＣＣｌx ポリマー
に低分子の塩素系化合物や塩素系ガスが吸蔵されてお
り、この塩素系化合物やＣＣｌx ポリマーが分解して塩
素系ガスを発生したり、吸蔵された塩素系ガスが徐々に
放出されるためであると考えられる。
材に堆積した塩素系反応生成物であるＣＣｌx ポリマー
に低分子の塩素系化合物や塩素系ガスが吸蔵されてお
り、この塩素系化合物やＣＣｌx ポリマーが分解して塩
素系ガスを発生したり、吸蔵された塩素系ガスが徐々に
放出されるためであると考えられる。
【０００８】そして、上述したＡｌエッチング用のＲＩ
Ｅ装置のみならず、塩素系ガスを用いたプラズマ処理を
行うプラズマ装置においては、同様に塩素系ガスの除去
が問題となっている。
Ｅ装置のみならず、塩素系ガスを用いたプラズマ処理を
行うプラズマ装置においては、同様に塩素系ガスの除去
が問題となっている。
【０００９】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、プラズマ装置の処理チャンバ
内から塩素成分を効果的に除去するプラズマ装置のクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。
て提案されたものであり、プラズマ装置の処理チャンバ
内から塩素成分を効果的に除去するプラズマ装置のクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、プラズマ装置の
処理チャンバ内で塩素系ガスを放電解離させてなるプラ
ズマを用いて所定のプラズマ処理を行った後、フッ素系
ガスを放電解離させてなるプラズマを用いて前記処理チ
ャンバ内の気相残留塩素を除去し、しかる後に前記処理
チャンバ内の固相残留塩素を除去するものである。
達成するために提案されたものであり、プラズマ装置の
処理チャンバ内で塩素系ガスを放電解離させてなるプラ
ズマを用いて所定のプラズマ処理を行った後、フッ素系
ガスを放電解離させてなるプラズマを用いて前記処理チ
ャンバ内の気相残留塩素を除去し、しかる後に前記処理
チャンバ内の固相残留塩素を除去するものである。
【００１１】
【作用】フッ素系ガスは、塩素系ガスと同様ハロゲン系
ガスであるが、フッ素イオンは、塩素イオンよりも反応
性が高いので、塩化物をフッ素系ガス中でプラズマ放電
すると、塩化物はフッ化物に変化する。したがって、例
えば、Ａｌ膜をＲＩＥ処理を行った後、フッ素系ガス中
でプラズマ放電すると、エッチングチャンバの内部構成
部材に堆積したＣＣｌx ポリマー等の塩素系反応生成物
は、フッ素系ガスを放電解離させてなるプラズマによっ
て蒸気圧の高いＣＦx に変化する。また、ＣＣｌx ポリ
マーに吸蔵されていた塩素系ガスも分子量の小さいフッ
素系ガスに置換される。
ガスであるが、フッ素イオンは、塩素イオンよりも反応
性が高いので、塩化物をフッ素系ガス中でプラズマ放電
すると、塩化物はフッ化物に変化する。したがって、例
えば、Ａｌ膜をＲＩＥ処理を行った後、フッ素系ガス中
でプラズマ放電すると、エッチングチャンバの内部構成
部材に堆積したＣＣｌx ポリマー等の塩素系反応生成物
は、フッ素系ガスを放電解離させてなるプラズマによっ
て蒸気圧の高いＣＦx に変化する。また、ＣＣｌx ポリ
マーに吸蔵されていた塩素系ガスも分子量の小さいフッ
素系ガスに置換される。
【００１２】したがって、エッチングチャンバ内の塩素
系ガスが大幅に低減され、エッチングチャンバを開放し
ても刺激臭がしたり、塩素ガス漏洩検知器が発報するこ
とがなくなる。すなわち、安全性が向上する。
系ガスが大幅に低減され、エッチングチャンバを開放し
ても刺激臭がしたり、塩素ガス漏洩検知器が発報するこ
とがなくなる。すなわち、安全性が向上する。
【００１３】また、上記フッ素系ガス中でプラズマ放電
することにより、エッチングチャンバの内部構成部材に
堆積した塩素系反応生成物も除去しやすくなり、有機溶
剤によるチャンバ・クリーニングが容易になるため、メ
ンテナンス時間が短縮できる。このようにして、エッチ
ングチャンバ内を十分にクリーニングすることにより、
エッチングの再現性を向上させるとともに、素子の汚染
も低減させることができる。
することにより、エッチングチャンバの内部構成部材に
堆積した塩素系反応生成物も除去しやすくなり、有機溶
剤によるチャンバ・クリーニングが容易になるため、メ
ンテナンス時間が短縮できる。このようにして、エッチ
ングチャンバ内を十分にクリーニングすることにより、
エッチングの再現性を向上させるとともに、素子の汚染
も低減させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００１５】本実施例においては、配線用Ａｌ膜を加工
するＲＩＥ装置をクリーニングする方法について説明す
る。
するＲＩＥ装置をクリーニングする方法について説明す
る。
【００１６】図１に示すように、このＲＩＥ装置１は、
エッチングチャンバ２、このエッチングチャンバ２とゲ
ートバルブ６を介して接続されたロードロック室３、同
じくエッチングチャンバ２とゲートバルブ７を介して接
続されたアンロードロック室４からなる。上記エッチン
グチャンバ２内には、この内部を排気するための排気口
８、塩素系ガスを導入するためのガス導入管９、フッ素
系ガスを導入するためのガス導入管１０が設けられてい
る。なお、このＲＩＥ装置１においては１０枚のウェハ
５を載置してバッチ処理できるようになっている。
エッチングチャンバ２、このエッチングチャンバ２とゲ
ートバルブ６を介して接続されたロードロック室３、同
じくエッチングチャンバ２とゲートバルブ７を介して接
続されたアンロードロック室４からなる。上記エッチン
グチャンバ２内には、この内部を排気するための排気口
８、塩素系ガスを導入するためのガス導入管９、フッ素
系ガスを導入するためのガス導入管１０が設けられてい
る。なお、このＲＩＥ装置１においては１０枚のウェハ
５を載置してバッチ処理できるようになっている。
【００１７】そして、上述のような構成を有するＲＩＥ
装置１により、次のようにしてエッチングを行った。先
ず、上記ゲートバルブ６を開口してロードロック室３か
らウェハ５をエッチングチャンバ２内の所定位置へ載置
した後、ゲートバルブ６を閉じた。次に、ガス導入管９
より塩素系ガスを導入した。
装置１により、次のようにしてエッチングを行った。先
ず、上記ゲートバルブ６を開口してロードロック室３か
らウェハ５をエッチングチャンバ２内の所定位置へ載置
した後、ゲートバルブ６を閉じた。次に、ガス導入管９
より塩素系ガスを導入した。
【００１８】なお、導入する塩素系ガスとしては、Ｃｌ
2 ガス，ＢＣｌ3 ガス，ＣＨＣｌ3ガス等を単独或いは
混合して用いればよい。
2 ガス，ＢＣｌ3 ガス，ＣＨＣｌ3ガス等を単独或いは
混合して用いればよい。
【００１９】さらに、ウェハ５を載置するウェハステー
ジを下部電極、これに対向するエッチングチャンバ２の
蓋体を上部電極として、両電極間にＲＦ電界を印加し、
上記塩素系ガスを放電解離させてプラズマを発生させ
た。このプラズマによってウェハ５に形成されているＡ
ｌ膜の所定領域をエッチングする。なお、エッチングが
終了したウェハ５はゲートバルブ７よりアンロードロッ
ク室４へと回収した。
ジを下部電極、これに対向するエッチングチャンバ２の
蓋体を上部電極として、両電極間にＲＦ電界を印加し、
上記塩素系ガスを放電解離させてプラズマを発生させ
た。このプラズマによってウェハ５に形成されているＡ
ｌ膜の所定領域をエッチングする。なお、エッチングが
終了したウェハ５はゲートバルブ７よりアンロードロッ
ク室４へと回収した。
【００２０】以上のようにしてウェハ５のエッチングを
行うと、塩素系反応生成物がエッチングチャンバ２の内
部構成部材に堆積するので、所定枚数のエッチングを行
った後、エッチングチャンバ２内をクリーニングする必
要がある。そこで、本実施例においては、クリーニング
又は他のメンテナンス等のためにエッチングチャンバ２
を大気開放する前に、次のような塩素系ガスを除去する
ための操作を行った。
行うと、塩素系反応生成物がエッチングチャンバ２の内
部構成部材に堆積するので、所定枚数のエッチングを行
った後、エッチングチャンバ２内をクリーニングする必
要がある。そこで、本実施例においては、クリーニング
又は他のメンテナンス等のためにエッチングチャンバ２
を大気開放する前に、次のような塩素系ガスを除去する
ための操作を行った。
【００２１】先ず、ガス導入管９のバルブ（図示せ
ず。）を閉じて塩素系ガスの導入を停止し、ウェハ５を
アンロードロック室４へ回収してから、ガス導入管１０
よりフッ素系ガスを導入した。
ず。）を閉じて塩素系ガスの導入を停止し、ウェハ５を
アンロードロック室４へ回収してから、ガス導入管１０
よりフッ素系ガスを導入した。
【００２２】なお、フッ素系ガスとしては、ＣＦ4 ガ
ス，Ｃ2 Ｆ6 ガス，ＮＦ3 ガス，ＳＦ 6 ガス等を単独或
いは混合して使用すればよい。本実施例においてはＣＦ
4 ガスを用いた。
ス，Ｃ2 Ｆ6 ガス，ＮＦ3 ガス，ＳＦ 6 ガス等を単独或
いは混合して使用すればよい。本実施例においてはＣＦ
4 ガスを用いた。
【００２３】次に、エッチングチャンバ２内にＲＦ電界
を印加することにより、上記フッ素系ガスを放電解離さ
せてプラズマを発生させた。このプラズマ処理により、
エッチングチャンバ２内に堆積したＣＣｌx ポリマー等
の反応生成物やこれに吸蔵された塩素系ガスがフッ化物
に変化もしくは置換され、排気口８より排出される。こ
のようにして、エッチングチャンバ２から塩素系ガスが
除去された。
を印加することにより、上記フッ素系ガスを放電解離さ
せてプラズマを発生させた。このプラズマ処理により、
エッチングチャンバ２内に堆積したＣＣｌx ポリマー等
の反応生成物やこれに吸蔵された塩素系ガスがフッ化物
に変化もしくは置換され、排気口８より排出される。こ
のようにして、エッチングチャンバ２から塩素系ガスが
除去された。
【００２４】ここで、上記処理の塩素系ガス除去効果を
調べるために、様々な処理時間で上記処理を行って、エ
ッチングチャンバ２内の塩素系ガス濃度の変化を測定し
た。図２にこの結果をクリーニング時間と塩素ガス濃度
の関係として示す。
調べるために、様々な処理時間で上記処理を行って、エ
ッチングチャンバ２内の塩素系ガス濃度の変化を測定し
た。図２にこの結果をクリーニング時間と塩素ガス濃度
の関係として示す。
【００２５】図２より、プラズマ処理時間とともに塩素
ガス濃度が減少することがわかる。具体的には、プラズ
マ処理時間が短すぎると、塩素ガス濃度は５ｐｐｍを超
えてレンジオーバーとなってしまうが、１０分程度プラ
ズマ処理を行うと、塩素ガス濃度は略０ｐｐｍとなるこ
とがわかる。
ガス濃度が減少することがわかる。具体的には、プラズ
マ処理時間が短すぎると、塩素ガス濃度は５ｐｐｍを超
えてレンジオーバーとなってしまうが、１０分程度プラ
ズマ処理を行うと、塩素ガス濃度は略０ｐｐｍとなるこ
とがわかる。
【００２６】そこで、１０分以上フッ素系ガスによるプ
ラズマ処理をしてから、エッチングチャンバを大気開放
したところ、刺激臭がしたり、ガス漏洩検知器が発報す
ることはなかった。また、内部を有機溶剤によってクリ
ーニングしたところ、エッチングチャンバの内部構成部
材に堆積した塩素系反応生成物が容易に除去できた。
ラズマ処理をしてから、エッチングチャンバを大気開放
したところ、刺激臭がしたり、ガス漏洩検知器が発報す
ることはなかった。また、内部を有機溶剤によってクリ
ーニングしたところ、エッチングチャンバの内部構成部
材に堆積した塩素系反応生成物が容易に除去できた。
【００２７】このようにして、フッ素系ガスを用いたプ
ラズマ処理を行うことによって塩素系ガスを除去するこ
とができ、その後、有機溶剤によるクリーニングによっ
てエッチングチャンバの内部構成部材に堆積した塩素系
反応生成物も除去できた。したがって、本発明のクリー
ニング方法を適用することによって、ＲＩＥ装置の十分
なクリーニングが行うことができた。
ラズマ処理を行うことによって塩素系ガスを除去するこ
とができ、その後、有機溶剤によるクリーニングによっ
てエッチングチャンバの内部構成部材に堆積した塩素系
反応生成物も除去できた。したがって、本発明のクリー
ニング方法を適用することによって、ＲＩＥ装置の十分
なクリーニングが行うことができた。
【００２８】以上、Ａｌ膜エッチング用ＲＩＥ装置をフ
ッ素系ガスを用いたプラズマ処理によってクリーニング
する例について説明したが、本発明は、多結晶シリコン
用のエッチング装置やＣＶＤ装置のクリーニング方法と
しても適用可能である。
ッ素系ガスを用いたプラズマ処理によってクリーニング
する例について説明したが、本発明は、多結晶シリコン
用のエッチング装置やＣＶＤ装置のクリーニング方法と
しても適用可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、塩素系ガ
スのプラズマを用いるプラズマ装置をフッ素系ガスによ
るプラズマ処理でクリーニングすると、処理チャンバ内
の塩素成分を大幅に低減できるので、処理チャンバを開
放した時に刺激臭がしたり、塩素ガス漏洩検知器が発報
することがなくなる。すなわち、安全性を向上させるこ
とができる。
スのプラズマを用いるプラズマ装置をフッ素系ガスによ
るプラズマ処理でクリーニングすると、処理チャンバ内
の塩素成分を大幅に低減できるので、処理チャンバを開
放した時に刺激臭がしたり、塩素ガス漏洩検知器が発報
することがなくなる。すなわち、安全性を向上させるこ
とができる。
【００３０】また、フッ素系ガスによるプラズマ放電を
行うことにより、処理チャンバ内の有機溶剤によるクリ
ーニングが容易になるので、十分なクリーニングが可能
となる。したがって、本発明を適用してクリーニングを
行ったプラズマ装置は、素子の汚染が低減されるととも
に、再現性の高い加工が可能なものとなる。さらに、メ
ンテナンス時間が短縮されるので、プラズマ装置の稼働
率を高め、生産性を向上させることができる。
行うことにより、処理チャンバ内の有機溶剤によるクリ
ーニングが容易になるので、十分なクリーニングが可能
となる。したがって、本発明を適用してクリーニングを
行ったプラズマ装置は、素子の汚染が低減されるととも
に、再現性の高い加工が可能なものとなる。さらに、メ
ンテナンス時間が短縮されるので、プラズマ装置の稼働
率を高め、生産性を向上させることができる。
【図１】本発明のクリーニング法を適用するＡｌ膜エッ
チング用ＲＩＥ装置の構成を示す模式図である。
チング用ＲＩＥ装置の構成を示す模式図である。
【図２】クリーニング時間とエッチングチャンバ内に残
留する塩素ガス濃度の関係を示す特性図である。
留する塩素ガス濃度の関係を示す特性図である。
１・・・ＲＩＥ装置 ２・・・エッチングチャンバ ３・・・ロードロック室 ４・・・アンロードロック室 ５・・・ウェハ ６，７・・・ゲートバルブ ８・・・排気口 ９，１０・・・ガス導入管
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマ装置の処理チャンバ内で塩素系
ガスを放電解離させてなるプラズマを用いて所定のプラ
ズマ処理を行った後、 フッ素系ガスを放電解離させてなるプラズマを用いて前
記処理チャンバ内の気相残留塩素を除去し、しかる後に
前記処理チャンバ内の固相残留塩素を除去することを特
徴とするプラズマ装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15922393A JPH0774144A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | プラズマ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15922393A JPH0774144A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | プラズマ装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774144A true JPH0774144A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=15689033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15922393A Withdrawn JPH0774144A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | プラズマ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774144A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-06-29 JP JP15922393A patent/JPH0774144A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
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