JPH0774154A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0774154A JPH0774154A JP21997593A JP21997593A JPH0774154A JP H0774154 A JPH0774154 A JP H0774154A JP 21997593 A JP21997593 A JP 21997593A JP 21997593 A JP21997593 A JP 21997593A JP H0774154 A JPH0774154 A JP H0774154A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- etched
- mask
- semiconductor wafer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体装置の製造において、異方性エッチン
グに比して工程管理上有利な等方性エッチングにより微
細なパターンを形成し得る方法を提供することを目的と
する。 【構成】 半導体ウエハー７上に被エッチング膜８を形
成し、該被エッチング膜上にエッチング用マスク９を所
望のパターンに形成し、該エッチング用のマスクをその
軟化温度程度に調整しつつ被エッチング膜を等方性エッ
チングするようにした。
グに比して工程管理上有利な等方性エッチングにより微
細なパターンを形成し得る方法を提供することを目的と
する。 【構成】 半導体ウエハー７上に被エッチング膜８を形
成し、該被エッチング膜上にエッチング用マスク９を所
望のパターンに形成し、該エッチング用のマスクをその
軟化温度程度に調整しつつ被エッチング膜を等方性エッ
チングするようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、幾度も
エッチングが利用される。このエッチングは、一般的に
ＩＣ等の素子パターンを微細に形成するときに用いら
れ、例えば半導体ウエハー（下地）上に絶縁膜（被エッ
チング膜）を形成し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ
ー法によりフォトレジスト膜（マスク）をパターン形成
し、これを室温もしくは室温以下の低温において液状物
質或いはガス状物質を用いることにより、露出した部分
の絶縁膜を選択的に除去して行われる。上記液状物質を
用いる方法は、ウエットエッチングと呼ばれ、上記ガス
状物質を用いる方法はドライエッチングと呼ばれる。ま
た、エッチングは、図３に示すように、絶縁膜２１が、
フォトレジスト膜２２の開口部、即ち絶縁膜２１の露出
部の縦方向へエッチングが進むと共に横方向へもエッチ
ングが進む等方性エッチングと、図４に示すように、ガ
ス状物質に電圧をかけたりして略縦方向へのみエッチン
グが進む異方性エッチングとに大別される。
エッチングが利用される。このエッチングは、一般的に
ＩＣ等の素子パターンを微細に形成するときに用いら
れ、例えば半導体ウエハー（下地）上に絶縁膜（被エッ
チング膜）を形成し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ
ー法によりフォトレジスト膜（マスク）をパターン形成
し、これを室温もしくは室温以下の低温において液状物
質或いはガス状物質を用いることにより、露出した部分
の絶縁膜を選択的に除去して行われる。上記液状物質を
用いる方法は、ウエットエッチングと呼ばれ、上記ガス
状物質を用いる方法はドライエッチングと呼ばれる。ま
た、エッチングは、図３に示すように、絶縁膜２１が、
フォトレジスト膜２２の開口部、即ち絶縁膜２１の露出
部の縦方向へエッチングが進むと共に横方向へもエッチ
ングが進む等方性エッチングと、図４に示すように、ガ
ス状物質に電圧をかけたりして略縦方向へのみエッチン
グが進む異方性エッチングとに大別される。
【０００３】このように、上記異方性エッチングはその
特性上、上記等方性エッチングに比して微細なパターン
を形成するのに適しており、近年、半導体装置の素子パ
ターンが益々微細化されつつある中において有効な方法
となってきている。
特性上、上記等方性エッチングに比して微細なパターン
を形成するのに適しており、近年、半導体装置の素子パ
ターンが益々微細化されつつある中において有効な方法
となってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異方性
エッチングは、等方性エッチングに比して、被エッチン
グ膜に対するマスクの選択比及び被エッチング膜に対す
る下地の選択比が小さく、エッチング時に被エッチング
膜と共にマスク及び下地をもエッチングされ易く厳密な
工程管理が必要であるという問題がある。
エッチングは、等方性エッチングに比して、被エッチン
グ膜に対するマスクの選択比及び被エッチング膜に対す
る下地の選択比が小さく、エッチング時に被エッチング
膜と共にマスク及び下地をもエッチングされ易く厳密な
工程管理が必要であるという問題がある。
【０００５】本発明は、このような技術の現状に鑑み、
異方性エッチングに比して工程管理上有利な等方性エッ
チングにより微細なパターンを形成し得る方法を提供す
ることを目的とする。
異方性エッチングに比して工程管理上有利な等方性エッ
チングにより微細なパターンを形成し得る方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成すべくなされたもので、半導体ウエハー上に被エッチ
ング膜を形成し、該被エッチング膜上にエッチング用マ
スクを所望のパターンに形成し、該エッチング用のマス
クをその軟化温度程度に調整しつつ被エッチング膜を等
方性エッチングすることを特徴とする半導体装置の製造
方法に係るものである。
成すべくなされたもので、半導体ウエハー上に被エッチ
ング膜を形成し、該被エッチング膜上にエッチング用マ
スクを所望のパターンに形成し、該エッチング用のマス
クをその軟化温度程度に調整しつつ被エッチング膜を等
方性エッチングすることを特徴とする半導体装置の製造
方法に係るものである。
【０００７】
【作用】本発明では、上記エッチング用のマスクが略そ
の軟化温度に調整された状態で等方性エッチングを行う
ので、等方性エッチングにより形成される被エッチング
膜のエッチング溝の側壁を軟化した上記マスクが被覆し
た状態でエッチングを進行させることができ、その結果
上記被エッチング膜は、異方性エッチングを行ったのと
同様、略縦方向のみエッチングされることとなる。
の軟化温度に調整された状態で等方性エッチングを行う
ので、等方性エッチングにより形成される被エッチング
膜のエッチング溝の側壁を軟化した上記マスクが被覆し
た状態でエッチングを進行させることができ、その結果
上記被エッチング膜は、異方性エッチングを行ったのと
同様、略縦方向のみエッチングされることとなる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例を示すことにより本発明の特徴
とするところをより詳細に説明する。
とするところをより詳細に説明する。
【０００９】図１にドライエッチングを用いた実施例で
使用するエッチング装置の概略断面図を示す。図１に示
すように、エッチング装置は、ガラスジャー１にはガス
供給管に接続される供給口２及び真空ポンプ３を備えた
ガス排気管に接続される排気口４が設けられており、こ
のガラスジャー１中には一対の電極５，６が対向配置さ
れている。上記一対の電極５，６は、その間に高周波を
発生させるための電源に接続されている。そして、上記
電極６上には、所定の処理がなされた半導体ウエハー７
が載置される。また、上記電極の少なくとも一方、ここ
では半導体ウエハー７を載置する側の電極６は、ヒータ
等の加熱源により発熱可能とされている。
使用するエッチング装置の概略断面図を示す。図１に示
すように、エッチング装置は、ガラスジャー１にはガス
供給管に接続される供給口２及び真空ポンプ３を備えた
ガス排気管に接続される排気口４が設けられており、こ
のガラスジャー１中には一対の電極５，６が対向配置さ
れている。上記一対の電極５，６は、その間に高周波を
発生させるための電源に接続されている。そして、上記
電極６上には、所定の処理がなされた半導体ウエハー７
が載置される。また、上記電極の少なくとも一方、ここ
では半導体ウエハー７を載置する側の電極６は、ヒータ
等の加熱源により発熱可能とされている。
【００１０】次に、図２（ａ）に示すように、半導体ウ
エハー７上に、例えば酸化シリコン等の絶縁膜等の被エ
ッチング膜８を形成し、該被エッチング膜８上にフォト
リソグラフィー法によりゴム系レジスト（軟化温度１６
０〜１８０℃程度）等の比較的低い軟化温度を有するマ
スク９を所定のパターンにて形成する。このとき、上記
マスク９をエッチングすべき箇所の上面面積より僅かに
小さい面積となるよう形成すると、以下のエッチング工
程で軟化したマスク９がエッチング溝の側壁を覆う体積
分がカバーされるので、より好ましい。
エハー７上に、例えば酸化シリコン等の絶縁膜等の被エ
ッチング膜８を形成し、該被エッチング膜８上にフォト
リソグラフィー法によりゴム系レジスト（軟化温度１６
０〜１８０℃程度）等の比較的低い軟化温度を有するマ
スク９を所定のパターンにて形成する。このとき、上記
マスク９をエッチングすべき箇所の上面面積より僅かに
小さい面積となるよう形成すると、以下のエッチング工
程で軟化したマスク９がエッチング溝の側壁を覆う体積
分がカバーされるので、より好ましい。
【００１１】上記のようにマスク９を形成した半導体ウ
エハー７を上記エッチング装置の電極６上に載置し、上
記半導体ウエハー７を上記電極６によりマスク９の軟化
温度程度に加熱しながら、供給口２からエッチングガス
を供給し排気口から吸引して、上記一対の電極５，６間
に高周波を発生させてエッチングを開始する。エッチン
グが開始され、その被エッチング膜８がエッチングされ
るのと略同時に、軟化した上記マスク９は、図２（ｂ）
及び図２（ｃ）に示すように、被エッチング膜８のエッ
チング溝１０に流れ込みその側壁１０ａを覆うようにし
てエッチングを進行させることができ、略縦方向にのみ
エッチングすることができる。
エハー７を上記エッチング装置の電極６上に載置し、上
記半導体ウエハー７を上記電極６によりマスク９の軟化
温度程度に加熱しながら、供給口２からエッチングガス
を供給し排気口から吸引して、上記一対の電極５，６間
に高周波を発生させてエッチングを開始する。エッチン
グが開始され、その被エッチング膜８がエッチングされ
るのと略同時に、軟化した上記マスク９は、図２（ｂ）
及び図２（ｃ）に示すように、被エッチング膜８のエッ
チング溝１０に流れ込みその側壁１０ａを覆うようにし
てエッチングを進行させることができ、略縦方向にのみ
エッチングすることができる。
【００１２】上記実施例では、ヒータ等で加熱した上記
電極６により上記半導体ウエハー７の裏面より加熱して
上記マスク９を所定の温度としたが、エッチングにとも
ない反応熱が発生する場合は、該反応熱を考慮した上
で、上記マスク９を加熱または冷却装置を用いて冷却し
て適切な温度に調整すれば良い。
電極６により上記半導体ウエハー７の裏面より加熱して
上記マスク９を所定の温度としたが、エッチングにとも
ない反応熱が発生する場合は、該反応熱を考慮した上
で、上記マスク９を加熱または冷却装置を用いて冷却し
て適切な温度に調整すれば良い。
【００１３】また、エッチング液を用いてウエットエッ
チングする場合は、上記エッチング液の温度によりマス
クの温度を調整することにより上記実施例と同様にエッ
チングを行うことができる。
チングする場合は、上記エッチング液の温度によりマス
クの温度を調整することにより上記実施例と同様にエッ
チングを行うことができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、等方性エッチングによ
って、異方性エッチングと同様の縦方向のみのエッチン
グを行うことができ、微細なパターンをも形成し得る。
って、異方性エッチングと同様の縦方向のみのエッチン
グを行うことができ、微細なパターンをも形成し得る。
【００１５】また、微細なパターンのエッチングを等方
性エッチングにより行い得るので、異方性エッチングで
行うのに比して工程管理が容易とし得る。
性エッチングにより行い得るので、異方性エッチングで
行うのに比して工程管理が容易とし得る。
【図１】実施例で使用するエッチング装置の概略断面図
である。
である。
【図２】実施例における半導体ウエハーのエッチング過
程を説明する断面図である。
程を説明する断面図である。
【図３】従来の等方性エッチングを説明する断面図であ
る。
る。
【図４】従来の異方性エッチングを説明する断面図であ
る。
る。
１ ガラスジャー ２ 供給口 ３ 真空ポンプ ４ 排気口 ５，６ 電極 ７ 半導体ウエハー ８ 被エッチング膜 ９ マスク １０ エッチング溝 １０ａ 側壁
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハー上に被エッチング膜を形
成し、該被エッチング膜上にエッチング用のマスクを所
望のパターンに形成し、該エッチング用マスクをその軟
化温度程度に調整しつつ被エッチング膜を等方性エッチ
ングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21997593A JPH0774154A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21997593A JPH0774154A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774154A true JPH0774154A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16743964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21997593A Pending JPH0774154A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774154A (ja) |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP21997593A patent/JPH0774154A/ja active Pending
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