JPH077421A - 周波数基準セル - Google Patents
周波数基準セルInfo
- Publication number
- JPH077421A JPH077421A JP5172244A JP17224493A JPH077421A JP H077421 A JPH077421 A JP H077421A JP 5172244 A JP5172244 A JP 5172244A JP 17224493 A JP17224493 A JP 17224493A JP H077421 A JPH077421 A JP H077421A
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- JP
- Japan
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- frequency reference
- magnetic field
- coil
- container
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で、電流効率よく、気体セル窓部への固
体の沈着がなく、気体セル印加磁場と蒸気圧の制御が同
時に実現された周波数基準セルを提供する。 【構成】 周波数基準物質２を封入した容器１の周囲に
螺設された複数の単位コイル８ａにより、周波数基準物
質２に一様の磁場が印加される。又、枝管１ａが容器１
の側面のほぼ中央部から突設され、複数の単位コイル８
ａの間から外側に突出した枝管１ａの先端部１ｂにおい
て周波数基準物質２が温度調節される。
体の沈着がなく、気体セル印加磁場と蒸気圧の制御が同
時に実現された周波数基準セルを提供する。 【構成】 周波数基準物質２を封入した容器１の周囲に
螺設された複数の単位コイル８ａにより、周波数基準物
質２に一様の磁場が印加される。又、枝管１ａが容器１
の側面のほぼ中央部から突設され、複数の単位コイル８
ａの間から外側に突出した枝管１ａの先端部１ｂにおい
て周波数基準物質２が温度調節される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、周波数基準セルに関す
るものである。更に詳しくは周波数基準を封入した気体
セルの印加磁場と蒸気圧とが制御された周波数基準セル
に関するものである。
るものである。更に詳しくは周波数基準を封入した気体
セルの印加磁場と蒸気圧とが制御された周波数基準セル
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザは光源として、研究、産業
又は民生の用途に広く使用されている。なかでも近時は
半導体レーザが小型軽量、高発振効率、低電力動作、注
入電流による高速変調、大量生産による低価格等の特徴
を有することから多用されてきている。しかし、半導体
レーザには環境温度や注入電流の変動で発振周波数が大
きく変動したりする等の問題があるので、周波数基準セ
ルを使用してレーザ光の周波数の基準を設けることが行
われている。
又は民生の用途に広く使用されている。なかでも近時は
半導体レーザが小型軽量、高発振効率、低電力動作、注
入電流による高速変調、大量生産による低価格等の特徴
を有することから多用されてきている。しかし、半導体
レーザには環境温度や注入電流の変動で発振周波数が大
きく変動したりする等の問題があるので、周波数基準セ
ルを使用してレーザ光の周波数の基準を設けることが行
われている。
【０００３】従来使用されている周波数基準セルは、例
えば、Ｗ．Ｄａｖｉｄ Ｌｅｅ，Ｊｏｅ Ｃ．Ｃａｍｐ
ｂｅｌｌ，’Ｎａｒｒｏｗ−ｌｉｎｅｗｉｄｔｈ ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ＡｌｘＧａ
1-x Ａｓ／ＧａＡｓ Ｌａｓｅｒ’，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６０（１３），ｐ１５４４−１５４６
（１９９２）に開示されているものがあり、これは図３
に示すような構成である。気体セル１は真空にしたガラ
ス容器に磁場によって周波数基準位置がシフトする周波
数基準２（ルビジウム、セシウム原子等）を封入したも
のである。気体セル１には単コイル３が配置され電流を
流すことによって周波数基準２に磁場を印加する。さら
に単コイル３の周囲には外部磁場の影響が周波数基準２
に及ばないように磁気シールド４が設けられている。又
気体セル１は単コイル３を含めて例えばペルティエ素子
５、温度センサ６、温度制御回路７を用い温度制御され
周波数基準２の蒸気圧が制御されている。
えば、Ｗ．Ｄａｖｉｄ Ｌｅｅ，Ｊｏｅ Ｃ．Ｃａｍｐ
ｂｅｌｌ，’Ｎａｒｒｏｗ−ｌｉｎｅｗｉｄｔｈ ｆｒ
ｅｑｕｅｎｃｙ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ＡｌｘＧａ
1-x Ａｓ／ＧａＡｓ Ｌａｓｅｒ’，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６０（１３），ｐ１５４４−１５４６
（１９９２）に開示されているものがあり、これは図３
に示すような構成である。気体セル１は真空にしたガラ
ス容器に磁場によって周波数基準位置がシフトする周波
数基準２（ルビジウム、セシウム原子等）を封入したも
のである。気体セル１には単コイル３が配置され電流を
流すことによって周波数基準２に磁場を印加する。さら
に単コイル３の周囲には外部磁場の影響が周波数基準２
に及ばないように磁気シールド４が設けられている。又
気体セル１は単コイル３を含めて例えばペルティエ素子
５、温度センサ６、温度制御回路７を用い温度制御され
周波数基準２の蒸気圧が制御されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のご
とき従来の周波数基準セルで、印加磁場と温度との均一
性を確保するためには、次のような問題があった。即ち
印加磁場を気体セルの光ビームが通過する全範囲にわた
って均一にするために、従来の周波数基準セルでは、単
コイルの全長を気体セルの長さに対して大層長くしなく
てはならないと言う問題があった。１例として磁場の均
一度を９８パーセントとした場合を図４に示すように、
単コイルの内径を２５ｍｍ、気体セル長２０ｍｍとする
と、これを達成するためには単コイルの長さは６５ｍｍ
必要である。すなわち単コイルの全長が気体セルの長さ
に対して３倍以上の長さとなっている。このように単コ
イルの長さが長いと必然的に、装置が大きくなり、且つ
磁場の発生のための所要電流は大きくなっていた。
とき従来の周波数基準セルで、印加磁場と温度との均一
性を確保するためには、次のような問題があった。即ち
印加磁場を気体セルの光ビームが通過する全範囲にわた
って均一にするために、従来の周波数基準セルでは、単
コイルの全長を気体セルの長さに対して大層長くしなく
てはならないと言う問題があった。１例として磁場の均
一度を９８パーセントとした場合を図４に示すように、
単コイルの内径を２５ｍｍ、気体セル長２０ｍｍとする
と、これを達成するためには単コイルの長さは６５ｍｍ
必要である。すなわち単コイルの全長が気体セルの長さ
に対して３倍以上の長さとなっている。このように単コ
イルの長さが長いと必然的に、装置が大きくなり、且つ
磁場の発生のための所要電流は大きくなっていた。
【０００５】又気体セル内の蒸気圧を一定にするために
温度制御が行われている。従来の周波数基準セルでは、
気体セルと長いコイルと、磁気シールドが設けられてい
るときは磁気シールドを含む全体を温度制御しているか
ら、熱容量の大きな温調装置が必要であった。このため
に装置が大きいのみならず、消費電力もまた大きくなる
と言う問題があった。又、気体セル内の蒸気圧を一定に
するための温度制御を行う際、気体セル内部に原子又分
子の固体が残留している場合、光ビームが通過する気体
セル窓部に固体が付着して光の透過を阻害し、窓部を通
過する光ビームの光量が小さくなり、光情報の精度の低
下をもたらすと言う問題もあった。
温度制御が行われている。従来の周波数基準セルでは、
気体セルと長いコイルと、磁気シールドが設けられてい
るときは磁気シールドを含む全体を温度制御しているか
ら、熱容量の大きな温調装置が必要であった。このため
に装置が大きいのみならず、消費電力もまた大きくなる
と言う問題があった。又、気体セル内の蒸気圧を一定に
するための温度制御を行う際、気体セル内部に原子又分
子の固体が残留している場合、光ビームが通過する気体
セル窓部に固体が付着して光の透過を阻害し、窓部を通
過する光ビームの光量が小さくなり、光情報の精度の低
下をもたらすと言う問題もあった。
【０００６】本発明はこのような問題点に鑑み、小型
で、電流効率よく、気体セル窓部への固体の沈着がな
く、気体セル印加磁場と蒸気圧の制御が同時に実現され
た周波数基準セルを提供することを目的とする。
で、電流効率よく、気体セル窓部への固体の沈着がな
く、気体セル印加磁場と蒸気圧の制御が同時に実現され
た周波数基準セルを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁場の強さの
変動により周波数基準位置が変位する周波数基準物質
と、前記周波数基準物質を封入する光透過性の容器と、
前記容器の周囲に螺設され、電流の通過により前記磁場
を発生するコイルとを具備する周波数基準セルにおい
て、前記コイルは、複数の単位コイルが、相互間に所定
の間隔を置き、同位相に結合して形成されたものである
ことを特徴とするものである。
変動により周波数基準位置が変位する周波数基準物質
と、前記周波数基準物質を封入する光透過性の容器と、
前記容器の周囲に螺設され、電流の通過により前記磁場
を発生するコイルとを具備する周波数基準セルにおい
て、前記コイルは、複数の単位コイルが、相互間に所定
の間隔を置き、同位相に結合して形成されたものである
ことを特徴とするものである。
【０００８】この場合、前記コイルは、前記容器内の光
ビームが通過する全範囲にわたってほぼ均一な磁場を発
生するものであることが望ましい。
ビームが通過する全範囲にわたってほぼ均一な磁場を発
生するものであることが望ましい。
【０００９】又磁場の強さの変動により周波数基準位置
が変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質を封
入する、光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設さ
れ、電流の通過により前記磁場を発生するコイルと、前
記周波数基準物質の温度を調節する温度調節手段とを具
備する周波数基準セルにおいて、前記容器から枝管が突
設され、前記枝管において前記温度調節手段が前記周波
数基準物質の温度を調節することを特徴とするものが望
ましい。
が変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質を封
入する、光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設さ
れ、電流の通過により前記磁場を発生するコイルと、前
記周波数基準物質の温度を調節する温度調節手段とを具
備する周波数基準セルにおいて、前記容器から枝管が突
設され、前記枝管において前記温度調節手段が前記周波
数基準物質の温度を調節することを特徴とするものが望
ましい。
【００１０】更に、磁場の強さの変動により周波数基準
位置が変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質
を封入する、光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設
され、電流の通過により前記磁場を発生するコイルと、
前記周波数基準物質の温度を調節する温度調節手段とを
具備する周波数基準セルにおいて、前記コイルはほぼ同
一長さの２個の単位コイルが、相互間に所定の間隔を置
き、同位相に結合して形成されたヘルムホルツ・コイル
であり、前記容器はほぼ筒型形状を有して、その側面の
ほぼ中央部から枝管が突設され、前記枝管の先端部は前
記ヘルムホルツ・コイルの２個の単位コイルの間から外
側に突出し、前記温度調節手段は前記先端部において前
記周波数基準物質の温度を調節することを特徴とするも
のが好ましい。
位置が変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質
を封入する、光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設
され、電流の通過により前記磁場を発生するコイルと、
前記周波数基準物質の温度を調節する温度調節手段とを
具備する周波数基準セルにおいて、前記コイルはほぼ同
一長さの２個の単位コイルが、相互間に所定の間隔を置
き、同位相に結合して形成されたヘルムホルツ・コイル
であり、前記容器はほぼ筒型形状を有して、その側面の
ほぼ中央部から枝管が突設され、前記枝管の先端部は前
記ヘルムホルツ・コイルの２個の単位コイルの間から外
側に突出し、前記温度調節手段は前記先端部において前
記周波数基準物質の温度を調節することを特徴とするも
のが好ましい。
【００１１】
【作用】本発明は、周波数基準物質を封入した容器の周
囲に螺設された複数の単位コイルにより、周波数基準物
質に一様の磁場が印加される。又、枝管が容器の側面の
ほぼ中央部から突設され、コイルの間から外側に突出し
た枝管の先端部において周波数基準物質が温度調節され
る。
囲に螺設された複数の単位コイルにより、周波数基準物
質に一様の磁場が印加される。又、枝管が容器の側面の
ほぼ中央部から突設され、コイルの間から外側に突出し
た枝管の先端部において周波数基準物質が温度調節され
る。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を図１及び図２により説明
する。気体セル１は真空に引かれた、ほぼ筒型形状のガ
ラス容器の中に、磁場により周波数基準位置がシフトす
る周波数基準２が封入され形成されている。周波数基準
物質としてルビジウム、セシウム等の金属が使用されて
いる。ルビジウム、セシウム等は、真空度１０-7ｔｏｒ
ｒの程度の気体セル１内部に蒸気として充満し、その一
部は固体の金属状態でガラス容器の壁に沈着している。
気体セル１の周囲にはヘルムホルツ・コイル８が螺設さ
れている。ヘルムホルツ・コイル８はほぼ同一長さの２
個の単位コイル８ａが、相互間にコイル間隔８ｂを隔て
て、同位相に結合して形成されたコイルであり、電流を
流すことにより磁場を発生する。交流電流の場合は、交
流電流を正弦波信号で表した時の信号の位相をあわせる
ことをいう。
する。気体セル１は真空に引かれた、ほぼ筒型形状のガ
ラス容器の中に、磁場により周波数基準位置がシフトす
る周波数基準２が封入され形成されている。周波数基準
物質としてルビジウム、セシウム等の金属が使用されて
いる。ルビジウム、セシウム等は、真空度１０-7ｔｏｒ
ｒの程度の気体セル１内部に蒸気として充満し、その一
部は固体の金属状態でガラス容器の壁に沈着している。
気体セル１の周囲にはヘルムホルツ・コイル８が螺設さ
れている。ヘルムホルツ・コイル８はほぼ同一長さの２
個の単位コイル８ａが、相互間にコイル間隔８ｂを隔て
て、同位相に結合して形成されたコイルであり、電流を
流すことにより磁場を発生する。交流電流の場合は、交
流電流を正弦波信号で表した時の信号の位相をあわせる
ことをいう。
【００１３】ヘルムホルツ・コイル８の周囲には磁気シ
ールド４が配置され、外部磁場の影響が周波数基準２に
及ばないようになっている。又、気体セル１の側面のほ
ぼ中央部には枝管１ａが突設されている。枝管１ａは気
体セル１の本体に連通して、周波数基準２の蒸気は自由
に流通可能である。先端は気体セル１の作製時の封切り
部となって、閉鎖されて真空が維持されている。枝管１
ａは先端部１ｂがヘルムホルツ・コイル８のコイル間隔
８ｂから外側に突出している。先端部１ｂは熱電導材９
に取り囲まれ、温度センサ６、ペルティエ素子５、温度
制御回路７、放熱器１０を用いて温度制御される。
ールド４が配置され、外部磁場の影響が周波数基準２に
及ばないようになっている。又、気体セル１の側面のほ
ぼ中央部には枝管１ａが突設されている。枝管１ａは気
体セル１の本体に連通して、周波数基準２の蒸気は自由
に流通可能である。先端は気体セル１の作製時の封切り
部となって、閉鎖されて真空が維持されている。枝管１
ａは先端部１ｂがヘルムホルツ・コイル８のコイル間隔
８ｂから外側に突出している。先端部１ｂは熱電導材９
に取り囲まれ、温度センサ６、ペルティエ素子５、温度
制御回路７、放熱器１０を用いて温度制御される。
【００１４】次に動作について説明する。ヘルムホルツ
・コイル８に電流を流すと磁場が発生して、気体セル１
の内部に蒸気として存在する周波数基準２に印加され、
周波数基準位置を変位させる。すると気体セル１を通過
する光ビームの吸収波長が変化し、気体セル１を通過し
た光により周波数に関する光情報がもたらされる。
・コイル８に電流を流すと磁場が発生して、気体セル１
の内部に蒸気として存在する周波数基準２に印加され、
周波数基準位置を変位させる。すると気体セル１を通過
する光ビームの吸収波長が変化し、気体セル１を通過し
た光により周波数に関する光情報がもたらされる。
【００１５】気体セル１を通過する光ビームの吸収波長
が通過全域にわたって均一でないと、光ビームの吸収波
長が一様にならないから、そのために少なくも気体セル
１の全長にわたって磁場が高い均一性を有することが必
要である。ヘルムホルツ・コイル８は、このために比較
的短い全長で、高い均一性の磁場を発生することができ
る。図２に示す例は磁場均一度を９８パーセントを達成
するヘルムホルツ・コイル８である。尚、図２（ａ）は
気体セル１とヘルムホルツ・コイル８との断面図であ
り、図２（ｂ）は各相当する位置における磁場の強さを
示している。図２に示すように、ヘルムホルツ・コイル
８の内径を２９ｍｍ、コイル間隔８ｂを７ｍｍ、図中破
線で示す気体セル１の長さを２０ｍｍとしたとき、磁場
均一度を９８パーセントを達成するために必要な各単コ
イルの長さは１５ｍｍであり、ヘルムホルツ・コイル８
の全長は３７ｍｍとなっている。これは気体セル１の長
さの２倍以下の長さに過ぎない。又コイルが短いので所
要電流が小さくて済む。
が通過全域にわたって均一でないと、光ビームの吸収波
長が一様にならないから、そのために少なくも気体セル
１の全長にわたって磁場が高い均一性を有することが必
要である。ヘルムホルツ・コイル８は、このために比較
的短い全長で、高い均一性の磁場を発生することができ
る。図２に示す例は磁場均一度を９８パーセントを達成
するヘルムホルツ・コイル８である。尚、図２（ａ）は
気体セル１とヘルムホルツ・コイル８との断面図であ
り、図２（ｂ）は各相当する位置における磁場の強さを
示している。図２に示すように、ヘルムホルツ・コイル
８の内径を２９ｍｍ、コイル間隔８ｂを７ｍｍ、図中破
線で示す気体セル１の長さを２０ｍｍとしたとき、磁場
均一度を９８パーセントを達成するために必要な各単コ
イルの長さは１５ｍｍであり、ヘルムホルツ・コイル８
の全長は３７ｍｍとなっている。これは気体セル１の長
さの２倍以下の長さに過ぎない。又コイルが短いので所
要電流が小さくて済む。
【００１６】一方、光ビームが気体セル１を通過するた
めには、先ず気体セル１に入射しなければならない。周
波数基準２の一部がガラス容器の窓部１ｃに沈着すると
光ビームの気体セル１への入射が阻害され、光量不足に
よる光情報検出能力の低下等の支障が生ずる。気体セル
１はその先端部１ｂが直接熱電導材９に取り囲まれてお
り、周波数基準２はコイル８や磁気シールド４等の外側
からでなく、温度センサ６、ペルティエ素子５、温度制
御回路７、放熱器１０により直接温度が制御され、従っ
て蒸気圧が制御されている。先端部１ｂは小さいからそ
の温度制御には小型で熱容量が小さい温調装置で充分で
あり、温度制御の効率がよく、所要電力が小さくなる。
めには、先ず気体セル１に入射しなければならない。周
波数基準２の一部がガラス容器の窓部１ｃに沈着すると
光ビームの気体セル１への入射が阻害され、光量不足に
よる光情報検出能力の低下等の支障が生ずる。気体セル
１はその先端部１ｂが直接熱電導材９に取り囲まれてお
り、周波数基準２はコイル８や磁気シールド４等の外側
からでなく、温度センサ６、ペルティエ素子５、温度制
御回路７、放熱器１０により直接温度が制御され、従っ
て蒸気圧が制御されている。先端部１ｂは小さいからそ
の温度制御には小型で熱容量が小さい温調装置で充分で
あり、温度制御の効率がよく、所要電力が小さくなる。
【００１７】しかも、このように先端部１ｂで温度制御
することにより周波数基準２が気体セル１の内壁へ沈着
する場合は、先端部１ｂを冷却して固体を集めることが
できるから、固体がガラス容器の窓部１ｃに沈着するこ
とはなく、光ビームの気体セル１への入射が阻害される
ことはない。
することにより周波数基準２が気体セル１の内壁へ沈着
する場合は、先端部１ｂを冷却して固体を集めることが
できるから、固体がガラス容器の窓部１ｃに沈着するこ
とはなく、光ビームの気体セル１への入射が阻害される
ことはない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数の単位コイルからなるコイルにより、周波数基準物質
に磁場が一様に印加される。このコイルは単コイルで同
一の磁場を一様にするよりも短くてすむから、装置全体
の小型化が実現可能である。装置全体が小型となると所
要電力が小さくて済む。又、コイルの間から外側に突出
した枝管の先端部において周波数基準物質が温度調節さ
れるから、小さい温調装置で充分となり、温度制御の効
率がよく、所要電力が小さくなる。しかも、先端部で温
度制御することにより、周波数基準のガラス容器の窓部
への沈着することがない。光ビームの気体セルへの入射
が阻害されることがないので、小型で、電流効率よく、
気体セル窓部への固体の沈着がなく、気体セル印加磁場
と蒸気圧の制御が同時に実現される。
数の単位コイルからなるコイルにより、周波数基準物質
に磁場が一様に印加される。このコイルは単コイルで同
一の磁場を一様にするよりも短くてすむから、装置全体
の小型化が実現可能である。装置全体が小型となると所
要電力が小さくて済む。又、コイルの間から外側に突出
した枝管の先端部において周波数基準物質が温度調節さ
れるから、小さい温調装置で充分となり、温度制御の効
率がよく、所要電力が小さくなる。しかも、先端部で温
度制御することにより、周波数基準のガラス容器の窓部
への沈着することがない。光ビームの気体セルへの入射
が阻害されることがないので、小型で、電流効率よく、
気体セル窓部への固体の沈着がなく、気体セル印加磁場
と蒸気圧の制御が同時に実現される。
【図１】一実施例の断面構成図。
【図２】一実施例の断面と磁場の強さとの関係を示す
図。
図。
【図３】従来例の断面構成図。
【図４】従来例の断面と磁場の強さとの関係を示す図。
１．．．気体セル １ａ．．．枝管 １ｂ．．．先端部 １ｃ．．．窓部 ２．．．周波数基準 ４．．．磁気シールド ５．．．ペルティエ素子 ６．．．温度センサ ７．．．温度制御回路 ８．．．ヘルムホルツ・コイル ８ａ．．．単位コイル ８ｂ．．．コイル間隔 ９．．．熱電導材 １０．．．放熱器
Claims (4)
- 【請求項１】磁場の強さの変動により周波数基準位置が
変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質を封入
する光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設され、電
流の通過により前記磁場を発生するコイルとを具備する
周波数基準セルにおいて、前記コイルは、複数の単位コ
イルが、相互間に所定の間隔を置き、同位相に結合して
形成されたものであることを特徴とする周波数基準セ
ル。 - 【請求項２】前記コイルは、前記容器内の光ビームが通
過する全範囲にわたってほぼ均一な磁場を発生するもの
であることを特徴とする請求項１に記載の周波数基準セ
ル。 - 【請求項３】磁場の強さの変動により周波数基準位置が
変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質を封入
する、光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設され、
電流の通過により前記磁場を発生するコイルと、前記周
波数基準物質の温度を調節する温度調節手段とを具備す
る周波数基準セルにおいて、前記容器から枝管が突設さ
れ、前記枝管において前記温度調節手段が前記周波数基
準物質の温度を調節することを特徴とする周波数基準セ
ル。 - 【請求項４】磁場の強さの変動により周波数基準位置が
変位する周波数基準物質と、前記周波数基準物質を封入
する、光透過性の容器と、前記容器の周囲に螺設され、
電流の通過により前記磁場を発生するコイルと、前記周
波数基準物質の温度を調節する温度調節手段とを具備す
る周波数基準セルにおいて、前記コイルは、ほぼ同一長
さの２個の単位コイルが、相互間に所定の間隔を置き、
同位相に結合して形成されたヘルムホルツ・コイルであ
り、前記容器はほぼ筒型形状を有して、その側面のほぼ
中央部から枝管が突設され、前記枝管の先端部は前記ヘ
ルムホルツ・コイルの２個の単位コイルの間から外側に
突出し、前記温度調節手段は前記先端部において前記周
波数基準物質の温度を調節することを特徴とする周波数
基準セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172244A JPH077421A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 周波数基準セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172244A JPH077421A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 周波数基準セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077421A true JPH077421A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15938295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5172244A Pending JPH077421A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 周波数基準セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077421A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302706A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 原子発振器およびその制御方法 |
| JP2010287937A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
| JP2019212863A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 株式会社ミツトヨ | 光吸収装置、及びレーザ装置 |
| US10826510B2 (en) | 2018-12-28 | 2020-11-03 | Seiko Epson Corporation | Atomic oscillator and frequency signal generation system |
| CN114967408A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-08-30 | 北京大学 | 一种整机真空封装的芯片原子钟及其实现方法 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP5172244A patent/JPH077421A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302706A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 原子発振器およびその制御方法 |
| JP2010287937A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
| JP2019212863A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 株式会社ミツトヨ | 光吸収装置、及びレーザ装置 |
| US10826510B2 (en) | 2018-12-28 | 2020-11-03 | Seiko Epson Corporation | Atomic oscillator and frequency signal generation system |
| CN114967408A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-08-30 | 北京大学 | 一种整机真空封装的芯片原子钟及其实现方法 |
| CN114967408B (zh) * | 2022-07-19 | 2023-12-12 | 北京大学 | 一种整机真空封装的芯片原子钟及其实现方法 |
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