JPH0774304A - リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多ピン化が可能で、かつインナーリードの変
形を防止できる。 【構成】 ポリイミド等の絶縁性のベースフィルム１２
上に回路パターンが形成されたリードフレーム１０であ
って、回路パターンのアウターリード１８に該当する部
位のベースフィルム１２、インナーリード１６中途部の
ワイヤボンディング部位に該当するベースフィルム１２
の部位に透孔２４、２６、２８が形成されてアウターリ
ード１８の部位、インナーリード１６のワイヤボンディ
ング部位が露出され、インナーリード１６の先端部はベ
ースフィルム１２上に支持されており、さらにベースフ
ィルム１２の複数個所にモールド樹脂流通用の流通孔３
０が開口されていることを特徴としている。
形を防止できる。 【構成】 ポリイミド等の絶縁性のベースフィルム１２
上に回路パターンが形成されたリードフレーム１０であ
って、回路パターンのアウターリード１８に該当する部
位のベースフィルム１２、インナーリード１６中途部の
ワイヤボンディング部位に該当するベースフィルム１２
の部位に透孔２４、２６、２８が形成されてアウターリ
ード１８の部位、インナーリード１６のワイヤボンディ
ング部位が露出され、インナーリード１６の先端部はベ
ースフィルム１２上に支持されており、さらにベースフ
ィルム１２の複数個所にモールド樹脂流通用の流通孔３
０が開口されていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームおよびこ
れを用いた半導体装置に関する。
れを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【背景技術】樹脂モールド型半導体装置用のリードフレ
ームは従来金属薄板をプレス加工もしくはエッチング加
工して形成されているのが一般的である。また昨今はい
わゆるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを樹脂
封止型半導体装置にそのまま使用する例もある。さらに
は、上記ＴＡＢテープのインナーリードに金属薄板を加
工したアウターリードを接合した複合型のものも使用さ
れつつある。
ームは従来金属薄板をプレス加工もしくはエッチング加
工して形成されているのが一般的である。また昨今はい
わゆるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを樹脂
封止型半導体装置にそのまま使用する例もある。さらに
は、上記ＴＡＢテープのインナーリードに金属薄板を加
工したアウターリードを接合した複合型のものも使用さ
れつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属薄
板を加工する一般的なリードフレームにおいては、その
多ピン化には限界がある。すなわち、プレス加工、エッ
チング加工のいずれの場合にも、ファイン化はその材厚
に依存し、現状では材厚が125 μm のものでリードピッ
チが200 μm 前後のものが限界である。材厚が100 μm
程度の薄材を用いたリードフレームも試作されてはいる
が、強度的に弱く、変形しやすいという問題点がある。
またＴＡＢテープの場合には、銅箔をエッチング加工し
て形成されるので、微細パターンが提供できる。しかし
ながらこのＴＡＢテープでは、ベースフィルムから素子
孔内に向けて突出するインナーリードに半導体素子がは
んだバンプ等により一括ボンディングして搭載されるの
で、インナーリードの強度が弱いとインナーリードに変
形が生じたり、樹脂封止の際半導体素子がキャビティ内
で動いてしまうなどの問題点がある。さらに上記の複合
タイプのリードフレームにあっては、金属薄板の加工、
ＴＡＢテープの加工の両者を行わねばならず、部品点数
が増え、工数も多いことから高価になる問題点がある。
板を加工する一般的なリードフレームにおいては、その
多ピン化には限界がある。すなわち、プレス加工、エッ
チング加工のいずれの場合にも、ファイン化はその材厚
に依存し、現状では材厚が125 μm のものでリードピッ
チが200 μm 前後のものが限界である。材厚が100 μm
程度の薄材を用いたリードフレームも試作されてはいる
が、強度的に弱く、変形しやすいという問題点がある。
またＴＡＢテープの場合には、銅箔をエッチング加工し
て形成されるので、微細パターンが提供できる。しかし
ながらこのＴＡＢテープでは、ベースフィルムから素子
孔内に向けて突出するインナーリードに半導体素子がは
んだバンプ等により一括ボンディングして搭載されるの
で、インナーリードの強度が弱いとインナーリードに変
形が生じたり、樹脂封止の際半導体素子がキャビティ内
で動いてしまうなどの問題点がある。さらに上記の複合
タイプのリードフレームにあっては、金属薄板の加工、
ＴＡＢテープの加工の両者を行わねばならず、部品点数
が増え、工数も多いことから高価になる問題点がある。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ
テープの製造工程がそのまま適用できるから比較的安価
に提供できると共に、インナーリードの変形も防止でき
る微細なパターンのリードフレームおよびこれを用いた
半導体装置を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ
テープの製造工程がそのまま適用できるから比較的安価
に提供できると共に、インナーリードの変形も防止でき
る微細なパターンのリードフレームおよびこれを用いた
半導体装置を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係るリ
ードフレームでは、ポリイミド等の絶縁性のベースフィ
ルム上に回路パターンが形成されたリードフレームであ
って、前記回路パターンのアウターリードに該当する部
位のベースフィルム、インナーリード中途部のワイヤボ
ンディング部位に該当するベースフィルムの部位に透孔
が形成されて前記アウターリードの部位、インナーリー
ドのワイヤボンディング部位が露出され、インナーリー
ドの先端部はベースフィルム上に支持されており、さら
にベースフィルムの複数個所にモールド樹脂流通用の流
通孔が開口されていることを特徴とする。また、前記イ
ンナーリード先端で囲まれるベースフィルムの表または
裏の部位が半導体素子の素子搭載部に形成されているこ
とを特徴とする。また、前記インナーリード先端は交互
に長寸のものと短寸のものが位置するよう千鳥状に配置
されていることを特徴とする。また、前記リードフレー
ムにおいて、絶縁性のベースフィルムに代え、支持体と
しての銅等の金属板の上に電気的絶縁性を有する接着剤
層を介して回路パターンを形成したことを特徴とする。
また、前記回路パターンを形成する際のエッチング液か
ら金属板を保護する保護めっきとして前記金属板に電解
ニッケル−すず合金めっきによる保護めっき膜が設けら
れたことを特徴とする。また、前記インナーリード先端
で囲まれる金属板の表または裏の部位が半導体素子の素
子搭載部に形成されていることを特徴とし、前記インナ
ーリード先端は交互に長寸のものと短寸のものが位置す
るよう千鳥状に配置されていることを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係るリ
ードフレームでは、ポリイミド等の絶縁性のベースフィ
ルム上に回路パターンが形成されたリードフレームであ
って、前記回路パターンのアウターリードに該当する部
位のベースフィルム、インナーリード中途部のワイヤボ
ンディング部位に該当するベースフィルムの部位に透孔
が形成されて前記アウターリードの部位、インナーリー
ドのワイヤボンディング部位が露出され、インナーリー
ドの先端部はベースフィルム上に支持されており、さら
にベースフィルムの複数個所にモールド樹脂流通用の流
通孔が開口されていることを特徴とする。また、前記イ
ンナーリード先端で囲まれるベースフィルムの表または
裏の部位が半導体素子の素子搭載部に形成されているこ
とを特徴とする。また、前記インナーリード先端は交互
に長寸のものと短寸のものが位置するよう千鳥状に配置
されていることを特徴とする。また、前記リードフレー
ムにおいて、絶縁性のベースフィルムに代え、支持体と
しての銅等の金属板の上に電気的絶縁性を有する接着剤
層を介して回路パターンを形成したことを特徴とする。
また、前記回路パターンを形成する際のエッチング液か
ら金属板を保護する保護めっきとして前記金属板に電解
ニッケル−すず合金めっきによる保護めっき膜が設けら
れたことを特徴とする。また、前記インナーリード先端
で囲まれる金属板の表または裏の部位が半導体素子の素
子搭載部に形成されていることを特徴とし、前記インナ
ーリード先端は交互に長寸のものと短寸のものが位置す
るよう千鳥状に配置されていることを特徴とする。
【０００６】また、本発明に係る半導体装置では、前記
リードフレームの前記素子搭載部に半導体素子が搭載さ
れ、該半導体素子と前記インナーリードのワイヤボンデ
ィング部位との間がワイヤにより接続され、前記半導体
素子およびワイヤが封止樹脂により封止されていること
を特徴とする。また、前記リードフレームの前記素子搭
載部に半導体素子が搭載され、該半導体素子と前記イン
ナーリードのワイヤボンディング部位との間がワイヤに
より接続され、前記半導体素子およびワイヤが封止樹脂
により封止されていることを特徴とする。また、前記半
導体素子のボンディング・パッドが内側の列と外側の列
の２列に、かつ千鳥状に配置され、ワイヤによりボンデ
ィング・パッドの内側の列のパッドとインナーリードの
短寸のリードとが、ボンディング・パッドの外側の列の
パッドとインナーリードの長寸のリードとが接続され、
前記内側の列のパッドと短寸のリードを接続したワイヤ
のループが、外側の列のパッドと長寸のリードを接続し
たワイヤのループより高くなるようになされていること
を特徴とする。また、前記半導体素子のボンディング・
パッドにワイヤの一端を接続するとともに前記ワイヤの
他端を金属板に接続し、前記金属板に回路パターンのう
ち電源用リードあるいは接地用リードを接続したことを
特徴とする。
リードフレームの前記素子搭載部に半導体素子が搭載さ
れ、該半導体素子と前記インナーリードのワイヤボンデ
ィング部位との間がワイヤにより接続され、前記半導体
素子およびワイヤが封止樹脂により封止されていること
を特徴とする。また、前記リードフレームの前記素子搭
載部に半導体素子が搭載され、該半導体素子と前記イン
ナーリードのワイヤボンディング部位との間がワイヤに
より接続され、前記半導体素子およびワイヤが封止樹脂
により封止されていることを特徴とする。また、前記半
導体素子のボンディング・パッドが内側の列と外側の列
の２列に、かつ千鳥状に配置され、ワイヤによりボンデ
ィング・パッドの内側の列のパッドとインナーリードの
短寸のリードとが、ボンディング・パッドの外側の列の
パッドとインナーリードの長寸のリードとが接続され、
前記内側の列のパッドと短寸のリードを接続したワイヤ
のループが、外側の列のパッドと長寸のリードを接続し
たワイヤのループより高くなるようになされていること
を特徴とする。また、前記半導体素子のボンディング・
パッドにワイヤの一端を接続するとともに前記ワイヤの
他端を金属板に接続し、前記金属板に回路パターンのう
ち電源用リードあるいは接地用リードを接続したことを
特徴とする。
【０００７】
【作用】インナーリード先端がベースフィルムに支持さ
れ、かつワイヤボンディング部位が露出しているので、
インナーリードの変形が防止でき、またワイヤボンディ
ングを確実に行うことができる。また半導体素子はベー
スフィルムの素子搭載部に搭載されるので、樹脂封止の
際キャビティ内で半導体素子が動いてしまうことがな
く、確実に樹脂封止が行える。また多ピン化が可能で、
ＴＡＢの製造装置、製造法をそのまま使用できる。さら
に半導体素子の内側の列のパッドとインナーリードの短
寸のリードを接続したワイヤのループが、半導体素子の
外側の列のパッドとインナーリードの長寸のリードを接
続したワイヤのループより高くなるようにすることでワ
イヤが交差せず、接触を防止することができる。また、
支持体として金属板を使用した場合はインナーリード等
の回路パターンの変形を好適に防止でき、熱的特性、電
気的特性の優れた半導体装置を提供できる。
れ、かつワイヤボンディング部位が露出しているので、
インナーリードの変形が防止でき、またワイヤボンディ
ングを確実に行うことができる。また半導体素子はベー
スフィルムの素子搭載部に搭載されるので、樹脂封止の
際キャビティ内で半導体素子が動いてしまうことがな
く、確実に樹脂封止が行える。また多ピン化が可能で、
ＴＡＢの製造装置、製造法をそのまま使用できる。さら
に半導体素子の内側の列のパッドとインナーリードの短
寸のリードを接続したワイヤのループが、半導体素子の
外側の列のパッドとインナーリードの長寸のリードを接
続したワイヤのループより高くなるようにすることでワ
イヤが交差せず、接触を防止することができる。また、
支持体として金属板を使用した場合はインナーリード等
の回路パターンの変形を好適に防止でき、熱的特性、電
気的特性の優れた半導体装置を提供できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１はＱＦＰタイプのリードフ
レーム１０の１／４部分を示す部分平面図で、図２はそ
の断面図を示す。リードフレーム１０はポリイミド樹脂
等の耐熱性樹脂からなるベースフィルム１２に接着剤１
４により貼着された材厚が20μm 〜100 μm 程度の銅
箔、銅合金箔または鉄−ニッケル合金箔などの金属箔を
エッチング加工して形成された回路パターンを有する。
１６はそのインナーリード、１８はアウターリードであ
る。インナーリード１６で囲まれるベースフィルム１２
の部位は半導体素子の素子搭載部２０に形成されてい
る。素子搭載部２０上には金属箔を設けなくともよい
が、本実施例では金属箔を設けており、モールド樹脂と
の密着性を向上させるため多数の小孔２２を設けてい
る。つまり本実施例では素子搭載部２０のベースフィル
ム１２側に接着剤により半導体素子を搭載するようにし
ている。もちろん半導体素子を金属箔側に搭載するよう
にしてもよい。アウターリード１８に対応するベースフ
ィルム１２の部位は透孔２４に形成され、アウターリー
ド１８は露出している。アウターリード１８より外方の
金属箔部分はベースフィルム１２上に固着され、これに
よりアウターリード１８は伸長状態にて支持されてい
る。
づいて詳細に説明する。図１はＱＦＰタイプのリードフ
レーム１０の１／４部分を示す部分平面図で、図２はそ
の断面図を示す。リードフレーム１０はポリイミド樹脂
等の耐熱性樹脂からなるベースフィルム１２に接着剤１
４により貼着された材厚が20μm 〜100 μm 程度の銅
箔、銅合金箔または鉄−ニッケル合金箔などの金属箔を
エッチング加工して形成された回路パターンを有する。
１６はそのインナーリード、１８はアウターリードであ
る。インナーリード１６で囲まれるベースフィルム１２
の部位は半導体素子の素子搭載部２０に形成されてい
る。素子搭載部２０上には金属箔を設けなくともよい
が、本実施例では金属箔を設けており、モールド樹脂と
の密着性を向上させるため多数の小孔２２を設けてい
る。つまり本実施例では素子搭載部２０のベースフィル
ム１２側に接着剤により半導体素子を搭載するようにし
ている。もちろん半導体素子を金属箔側に搭載するよう
にしてもよい。アウターリード１８に対応するベースフ
ィルム１２の部位は透孔２４に形成され、アウターリー
ド１８は露出している。アウターリード１８より外方の
金属箔部分はベースフィルム１２上に固着され、これに
よりアウターリード１８は伸長状態にて支持されてい
る。
【０００９】インナーリード１６は、交互に長寸のもの
と短寸のものとが位置するよう千鳥状に配置され、多ピ
ン化を図るようにしている。各インナーリード１６先端
近傍のワイヤボンディング部位は若干幅広に形成され、
ワイヤボンディングが確実に行えるようになっている。
上記ワイヤボンディング部位に対応するベースフィルム
１２部分は透孔２６、２８に形成され、各ワイヤボンデ
ィング部位が露出するようになっている。なお、各イン
ナーリード１６先端はベースフィルム１２上に固着さ
れ、これにより上記露出するワイヤボンディング部位が
伸長状態にて支持され、変形が防止される。なおインナ
ーリード１６は千鳥状でなく、先端を揃えて設けてもよ
い。素子搭載部２０とインナーリード１６先端との間の
ベースフィルム１２の部位、およびインナーリード１６
中途部のインナーリード１６間の間隙を利用して、樹脂
封止する際の樹脂の流通を確保するため、該部位のベー
スフィルム１２に流通孔３０が適宜個数開口されてい
る。インナーリード１６の中途部上には、リードフレー
ム１０の強度を補填する板状のソルダーレジスト３２
（図２）を接着剤にて固着するようにすると好適であ
る。
と短寸のものとが位置するよう千鳥状に配置され、多ピ
ン化を図るようにしている。各インナーリード１６先端
近傍のワイヤボンディング部位は若干幅広に形成され、
ワイヤボンディングが確実に行えるようになっている。
上記ワイヤボンディング部位に対応するベースフィルム
１２部分は透孔２６、２８に形成され、各ワイヤボンデ
ィング部位が露出するようになっている。なお、各イン
ナーリード１６先端はベースフィルム１２上に固着さ
れ、これにより上記露出するワイヤボンディング部位が
伸長状態にて支持され、変形が防止される。なおインナ
ーリード１６は千鳥状でなく、先端を揃えて設けてもよ
い。素子搭載部２０とインナーリード１６先端との間の
ベースフィルム１２の部位、およびインナーリード１６
中途部のインナーリード１６間の間隙を利用して、樹脂
封止する際の樹脂の流通を確保するため、該部位のベー
スフィルム１２に流通孔３０が適宜個数開口されてい
る。インナーリード１６の中途部上には、リードフレー
ム１０の強度を補填する板状のソルダーレジスト３２
（図２）を接着剤にて固着するようにすると好適であ
る。
【００１０】上記リードフレーム１０によれば、各イン
ナーリード１６先端はベースフィルム１２上に支持され
ているから、幅狭なものであっても変形することがな
い。したがってより多ピン化が可能となる。そしてイン
ナーリード１６のワイヤボンディング部位に対応するベ
ースフィルム１２の部位には透孔２６、２８が形成され
てワイヤボンディング部位が露出していることから、当
該部位にワイヤボンディングする際、インナーリード１
６に直接ヒーターブロック（図示せず）を当接させて加
熱しつつ反対側のインナーリード上にワイヤボンディン
グを行うことができ、確実なワイヤボンディングを行う
ことができる。この点、前記透孔２６、２８を設けず、
ベースフィルム１２に支持されたままのインナーリード
上にワイヤボンディングをすることも考えられるが、こ
の場合にはベースフィルム１２側からヒーターブロック
を当てがわねばならず、するとベースフィルム１２の接
着剤１４が軟化してしまい、インナーリード１６の支持
ができなくなってワイヤボンディングを確実に行うこと
ができないという事態が生じるのである。この点本発明
では上記したように、ヒーターブロックを直接インナー
リード１６に当接させ、支持するので確実にワイヤボン
ディングが行えるのである。また本発明では、半導体素
子はベースフィルム１２の素子搭載部２０上に搭載する
ようにしたので、樹脂封止する際、半導体素子がキャビ
ティ内で動いてしまうようなことがなく、良好な樹脂封
止が行える。
ナーリード１６先端はベースフィルム１２上に支持され
ているから、幅狭なものであっても変形することがな
い。したがってより多ピン化が可能となる。そしてイン
ナーリード１６のワイヤボンディング部位に対応するベ
ースフィルム１２の部位には透孔２６、２８が形成され
てワイヤボンディング部位が露出していることから、当
該部位にワイヤボンディングする際、インナーリード１
６に直接ヒーターブロック（図示せず）を当接させて加
熱しつつ反対側のインナーリード上にワイヤボンディン
グを行うことができ、確実なワイヤボンディングを行う
ことができる。この点、前記透孔２６、２８を設けず、
ベースフィルム１２に支持されたままのインナーリード
上にワイヤボンディングをすることも考えられるが、こ
の場合にはベースフィルム１２側からヒーターブロック
を当てがわねばならず、するとベースフィルム１２の接
着剤１４が軟化してしまい、インナーリード１６の支持
ができなくなってワイヤボンディングを確実に行うこと
ができないという事態が生じるのである。この点本発明
では上記したように、ヒーターブロックを直接インナー
リード１６に当接させ、支持するので確実にワイヤボン
ディングが行えるのである。また本発明では、半導体素
子はベースフィルム１２の素子搭載部２０上に搭載する
ようにしたので、樹脂封止する際、半導体素子がキャビ
ティ内で動いてしまうようなことがなく、良好な樹脂封
止が行える。
【００１１】図３は樹脂封止した半導体装置３４を示
す。図示のように半導体素子３６は素子搭載部２０のベ
ースフィルム１２上に接着剤によって固着され、透孔２
６、２８を利用してインナーリード１６との間でワイヤ
により接続されている。３８は封止樹脂である。アウタ
ーリード１８はベースフィルム１２から適宜長に切断さ
れてＺ字状に曲げ成形されている。図示のように、素子
搭載部２０の裏面側の金属箔には多数の小孔が開口され
ているから封止樹脂３８との密着性は良好である。なお
半導体素子３６を該金属箔上に搭載するようにしてもよ
い。この場合には素子搭載部２０のベースフィルム１２
に小孔（図示せず）を設け封止樹脂３８との密着性を向
上させるようにすると好適である。また封止樹脂３８は
樹脂封止の際流通孔３０からベースフィルム１２の表裏
面側に良好に回り込むから、樹脂の流れは良好で、エア
溜りができたりすることがなく、また表裏の樹脂がブリ
ッジすることから各部の密着性、および強度が向上す
る。なお図示しないが、半導体素子３６のボンディング
・パッドを内側の列と外側の列の２列に、かつ千鳥状に
配置し、ワイヤによりボンディング・パッドの内側の列
のパッドとインナーリード１６の短寸のリードとを、ボ
ンディング・パッドの外側の列のパッドとインナーリー
ド１６の長寸のリードとを接続し、内側の列のパッドと
短寸のリードを接続したワイヤのループが、外側の列の
パッドと長寸のリードを接続したワイヤのループより高
くなるようにすると好適である。上記のようにすること
でワイヤが交差せず、接触を防止することができる。
す。図示のように半導体素子３６は素子搭載部２０のベ
ースフィルム１２上に接着剤によって固着され、透孔２
６、２８を利用してインナーリード１６との間でワイヤ
により接続されている。３８は封止樹脂である。アウタ
ーリード１８はベースフィルム１２から適宜長に切断さ
れてＺ字状に曲げ成形されている。図示のように、素子
搭載部２０の裏面側の金属箔には多数の小孔が開口され
ているから封止樹脂３８との密着性は良好である。なお
半導体素子３６を該金属箔上に搭載するようにしてもよ
い。この場合には素子搭載部２０のベースフィルム１２
に小孔（図示せず）を設け封止樹脂３８との密着性を向
上させるようにすると好適である。また封止樹脂３８は
樹脂封止の際流通孔３０からベースフィルム１２の表裏
面側に良好に回り込むから、樹脂の流れは良好で、エア
溜りができたりすることがなく、また表裏の樹脂がブリ
ッジすることから各部の密着性、および強度が向上す
る。なお図示しないが、半導体素子３６のボンディング
・パッドを内側の列と外側の列の２列に、かつ千鳥状に
配置し、ワイヤによりボンディング・パッドの内側の列
のパッドとインナーリード１６の短寸のリードとを、ボ
ンディング・パッドの外側の列のパッドとインナーリー
ド１６の長寸のリードとを接続し、内側の列のパッドと
短寸のリードを接続したワイヤのループが、外側の列の
パッドと長寸のリードを接続したワイヤのループより高
くなるようにすると好適である。上記のようにすること
でワイヤが交差せず、接触を防止することができる。
【００１２】上記実施例のリードフレーム１０はポリイ
ミド樹脂等の電気的絶縁性を有するベースフィルム１２
によってインナーリード１６、アウターリード１８等の
回路パターンを支持したが、図４に示すようにベースフ
ィルム１２に代えて銅等の金属板４０を支持体として金
属板４０によって回路パターンを支持するよう構成する
こともできる。図４は金属板４０を支持体として上記実
施例と同様な回路パターンを形成したリードフレームに
半導体素子３６を搭載した後、樹脂封止した状態を示
す。金属板４０を支持体とするリードフレームを形成す
る場合は、金属板４０で回路パターンを形成する面に回
路パターンとの間を電気的に絶縁するための電気的絶縁
性を有する接着剤４２を塗布した後、前記透孔２４、２
６、２８、流通孔３０等をプレス加工によって形成し、
次いで、回路パターンを形成するための銅箔をラミネー
トし、前記銅箔をエッチング加工してインナーリード１
６、アウターリード１８等の回路パターンを形成する。
前記接着剤としては高度の電気的絶縁性を有する材料が
好適であり、ポリイミド系樹脂接着剤、エポキシ系樹脂
接着剤等が使用できる。なお、銅箔をエッチング加工し
て回路パターンを形成する際に金属板４０がエッチング
液で侵されないようにするため、金属板４０にあらかじ
め保護めっき４４を施すのがよい。保護めっき４４は銅
箔をラミネートした後に行ってもよいし、銅箔をラミネ
ートする前に行ってもよい。保護めっき４４としては電
解ニッケル−すず合金めっきが好適である。
ミド樹脂等の電気的絶縁性を有するベースフィルム１２
によってインナーリード１６、アウターリード１８等の
回路パターンを支持したが、図４に示すようにベースフ
ィルム１２に代えて銅等の金属板４０を支持体として金
属板４０によって回路パターンを支持するよう構成する
こともできる。図４は金属板４０を支持体として上記実
施例と同様な回路パターンを形成したリードフレームに
半導体素子３６を搭載した後、樹脂封止した状態を示
す。金属板４０を支持体とするリードフレームを形成す
る場合は、金属板４０で回路パターンを形成する面に回
路パターンとの間を電気的に絶縁するための電気的絶縁
性を有する接着剤４２を塗布した後、前記透孔２４、２
６、２８、流通孔３０等をプレス加工によって形成し、
次いで、回路パターンを形成するための銅箔をラミネー
トし、前記銅箔をエッチング加工してインナーリード１
６、アウターリード１８等の回路パターンを形成する。
前記接着剤としては高度の電気的絶縁性を有する材料が
好適であり、ポリイミド系樹脂接着剤、エポキシ系樹脂
接着剤等が使用できる。なお、銅箔をエッチング加工し
て回路パターンを形成する際に金属板４０がエッチング
液で侵されないようにするため、金属板４０にあらかじ
め保護めっき４４を施すのがよい。保護めっき４４は銅
箔をラミネートした後に行ってもよいし、銅箔をラミネ
ートする前に行ってもよい。保護めっき４４としては電
解ニッケル−すず合金めっきが好適である。
【００１３】本実施例のように支持体として金属板を使
用した場合は、ポリイミド樹脂等の電気的絶縁性を有す
るベースフィルムを支持体にする場合にくらべて、材料
費を安くすることができ、金属板の方がベースフィルム
よりも剛性が高いことから回路パターンの変形を抑える
ことができ、金属板４０と回路パターンの金属とを同じ
金属材料とすることでベースフィルムに金属の回路パタ
ーンを形成した場合に生じる反りを抑えることができ、
金属板４０によって熱放散性を向上させることができる
といった利点がある。また、支持体を金属としたことに
より、金属板４０とリードをワイヤ接続、または金属板
４０とリードをビア接続、または金属板４０とリードを
直接溶接することによって金属板４０を電源電位あるい
は接地電位用のプレートとすることができる。たとえば
金属板４０を電源層にして半導体素子３６のボンディン
グ・パッドと金属板４０とをワイヤボンディングするこ
とで半導体素子３６の電源が確保でき、また、金属板４
０を接地層にすれば半導体素子３６のボンディング・パ
ッドとワイヤボンディングすることで接地電位が確保で
きる。このような構成をとることは半導体素子３６の電
源ノイズ対策に有効である。このように、金属板４０を
電源層あるいは接地層とすることで半導体装置の電気的
特性を改善することが可能になる。
用した場合は、ポリイミド樹脂等の電気的絶縁性を有す
るベースフィルムを支持体にする場合にくらべて、材料
費を安くすることができ、金属板の方がベースフィルム
よりも剛性が高いことから回路パターンの変形を抑える
ことができ、金属板４０と回路パターンの金属とを同じ
金属材料とすることでベースフィルムに金属の回路パタ
ーンを形成した場合に生じる反りを抑えることができ、
金属板４０によって熱放散性を向上させることができる
といった利点がある。また、支持体を金属としたことに
より、金属板４０とリードをワイヤ接続、または金属板
４０とリードをビア接続、または金属板４０とリードを
直接溶接することによって金属板４０を電源電位あるい
は接地電位用のプレートとすることができる。たとえば
金属板４０を電源層にして半導体素子３６のボンディン
グ・パッドと金属板４０とをワイヤボンディングするこ
とで半導体素子３６の電源が確保でき、また、金属板４
０を接地層にすれば半導体素子３６のボンディング・パ
ッドとワイヤボンディングすることで接地電位が確保で
きる。このような構成をとることは半導体素子３６の電
源ノイズ対策に有効である。このように、金属板４０を
電源層あるいは接地層とすることで半導体装置の電気的
特性を改善することが可能になる。
【００１４】なお、本実施例のリードフレームについて
もインナーリード１６およびアウターリード１８等の回
路パターンの形成方法については前述した実施例と同様
に形成できるものであり、半導体チップとのボンディン
グ方法等についても同様に適用することができる。以上
本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが、本
発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精
神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのはもち
ろんである。
もインナーリード１６およびアウターリード１８等の回
路パターンの形成方法については前述した実施例と同様
に形成できるものであり、半導体チップとのボンディン
グ方法等についても同様に適用することができる。以上
本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが、本
発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精
神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのはもち
ろんである。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係るリードフレームおよび半導
体装置によれば、インナーリード先端がベースフィルム
に支持され、かつワイヤボンディング部位が露出してい
るので、インナーリードの変形が防止でき、またワイヤ
ボンディングを確実に行うことができる。また半導体素
子はベースフィルムの素子搭載部に搭載されるので、樹
脂封止の際キャビティ内で半導体素子が動いてしまうこ
とがなく、確実に樹脂封止が行える。また多ピン化が可
能で、ＴＡＢの製造装置、製造法をそのまま使用でき
る。さらに半導体素子の内側の列のパッドとインナーリ
ードの短寸のリードを接続したワイヤのループが、半導
体素子の外側の列のパッドとインナーリードの長寸のリ
ードを接続したワイヤのループより高くなるようにする
ことでワイヤが交差せず、接触を防止することができ
る。また、リードフレームの支持体として金属板に電気
的絶縁性を有する接着剤層を介して回路パターンを形成
したことによって、リードフレームの製造コストを下げ
ることができ、熱的特性、電気的特性に優れた半導体装
置を提供することが可能になる。
体装置によれば、インナーリード先端がベースフィルム
に支持され、かつワイヤボンディング部位が露出してい
るので、インナーリードの変形が防止でき、またワイヤ
ボンディングを確実に行うことができる。また半導体素
子はベースフィルムの素子搭載部に搭載されるので、樹
脂封止の際キャビティ内で半導体素子が動いてしまうこ
とがなく、確実に樹脂封止が行える。また多ピン化が可
能で、ＴＡＢの製造装置、製造法をそのまま使用でき
る。さらに半導体素子の内側の列のパッドとインナーリ
ードの短寸のリードを接続したワイヤのループが、半導
体素子の外側の列のパッドとインナーリードの長寸のリ
ードを接続したワイヤのループより高くなるようにする
ことでワイヤが交差せず、接触を防止することができ
る。また、リードフレームの支持体として金属板に電気
的絶縁性を有する接着剤層を介して回路パターンを形成
したことによって、リードフレームの製造コストを下げ
ることができ、熱的特性、電気的特性に優れた半導体装
置を提供することが可能になる。
【図１】リードフレームの一例を示す部分平面図であ
る。
る。
【図２】図１の断面図である。
【図３】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図４】半導体装置の他の実施例を示す断面図である。
１０ リードフレーム １２ ベースフィルム １４ 接着剤 １６ インナーリード １８ アウターリード ２０ 素子搭載部 ２４、２６、２８ 透孔 ３０ 流通孔 ３４ 半導体装置 ３６ 半導体素子 ３８ 封止樹脂 ４０ 金属板 ４２ 接着剤 ４４ 保護めっき
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河西 純一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 ポリイミド等の絶縁性のベースフィルム
上に回路パターンが形成されたリードフレームであっ
て、 前記回路パターンのアウターリードに該当する部位のベ
ースフィルム、インナーリード中途部のワイヤボンディ
ング部位に該当するベースフィルムの部位に透孔が形成
されて前記アウターリードの部位、インナーリードのワ
イヤボンディング部位が露出され、インナーリードの先
端部はベースフィルム上に支持されており、さらにベー
スフィルムの複数個所にモールド樹脂流通用の流通孔が
開口されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 インナーリード先端で囲まれるベースフ
ィルムの表または裏の部位が半導体素子の素子搭載部に
形成されていることを特徴とする請求項１記載のリード
フレーム。 - 【請求項３】 インナーリード先端は交互に長寸のもの
と短寸のものが位置するよう千鳥状に配置されているこ
とを特徴とする請求項２記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項２記載のリードフレームの前記素
子搭載部に半導体素子が搭載され、該半導体素子と前記
インナーリードのワイヤボンディング部位との間がワイ
ヤにより接続され、前記半導体素子およびワイヤが封止
樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項５】 請求項３記載のリードフレームの前記素
子搭載部に半導体素子が搭載され、該半導体素子と前記
インナーリードのワイヤボンディング部位との間がワイ
ヤにより接続され、前記半導体素子およびワイヤが封止
樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項６】 半導体素子のボンディング・パッドが内
側の列と外側の列の２列に、かつ千鳥状に配置され、ワ
イヤによりボンディング・パッドの内側の列のパッドと
インナーリードの短寸のリードとが、ボンディング・パ
ッドの外側の列のパッドとインナーリードの長寸のリー
ドとが接続され、前記内側の列のパッドと短寸のリード
を接続したワイヤのループが、外側の列のパッドと長寸
のリードを接続したワイヤのループより高くなるように
なされていることを特徴とする請求項５記載の半導体装
置。 - 【請求項７】 請求項１記載のリードフレームにおい
て、絶縁性のベースフィルムに代え、支持体としての銅
等の金属板の上に電気的絶縁性を有する接着剤層を介し
て回路パターンを形成したことを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項８】 回路パターンを形成する際のエッチング
液から金属板を保護する保護めっきとして前記金属板に
電解ニッケル−すず合金めっきによる保護めっき膜が設
けられたことを特徴とする請求項７記載のリードフレー
ム。 - 【請求項９】 インナーリード先端で囲まれる金属板の
表または裏の部位が半導体素子の素子搭載部に形成され
ていることを特徴とする請求項７または８記載のリード
フレーム。 - 【請求項１０】 インナーリード先端は交互に長寸のも
のと短寸のものが位置するよう千鳥状に配置されている
ことを特徴とする請求項９記載のリードフレーム。 - 【請求項１１】 請求項９記載のリードフレームの前記
素子搭載部に半導体素子が搭載され、該半導体素子と前
記インナーリードのワイヤボンディング部位との間がワ
イヤにより接続され、前記半導体素子およびワイヤが封
止樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項１２】 請求項１０記載のリードフレームの前
記素子搭載部に半導体素子が搭載され、該半導体素子と
前記インナーリードのワイヤボンディング部位との間が
ワイヤにより接続され、前記半導体素子およびワイヤが
封止樹脂により封止されていることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項１３】 半導体素子のボンディング・パッドが
内側の列と外側の列の２列に、かつ千鳥状に配置され、
ワイヤによりボンディング・パッドの内側の列のパッド
とインナーリードの短寸のリードとが、ボンディング・
パッドの外側の列のパッドとインナーリードの長寸のリ
ードとが接続され、前記内側の列のパッドと短寸のリー
ドを接続したワイヤのループが、外側の列のパッドと長
寸のリードを接続したワイヤのループより高くなるよう
になされていることを特徴とする請求項１２記載の半導
体装置。 - 【請求項１４】 半導体素子のボンディング・パッドに
ワイヤの一端を接続するとともに前記ワイヤの他端を金
属板に接続し、前記金属板に回路パターンのうち電源用
リードあるいは接地用リードを接続したことを特徴とす
る請求項１１、１２または１３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6003450A JPH0774304A (ja) | 1993-06-30 | 1994-01-18 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-161188 | 1993-06-30 | ||
| JP16118893 | 1993-06-30 | ||
| JP6003450A JPH0774304A (ja) | 1993-06-30 | 1994-01-18 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774304A true JPH0774304A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=26337031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6003450A Withdrawn JPH0774304A (ja) | 1993-06-30 | 1994-01-18 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532267A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | エルジーマイクロン リミテッド | リードフレーム |
| CN118782549A (zh) * | 2024-09-11 | 2024-10-15 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种高压SiC MOSFET的封装结构及封装方法 |
-
1994
- 1994-01-18 JP JP6003450A patent/JPH0774304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532267A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | エルジーマイクロン リミテッド | リードフレーム |
| US8072054B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-12-06 | Lg Micron Ltd. | Lead frame |
| US8198711B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-06-12 | Lg Micron Ltd. | Lead frame |
| CN118782549A (zh) * | 2024-09-11 | 2024-10-15 | 华羿微电子股份有限公司 | 一种高压SiC MOSFET的封装结构及封装方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010403 |