JPH0774519A - 半同軸フィルタ - Google Patents
半同軸フィルタInfo
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- JPH0774519A JPH0774519A JP24379093A JP24379093A JPH0774519A JP H0774519 A JPH0774519 A JP H0774519A JP 24379093 A JP24379093 A JP 24379093A JP 24379093 A JP24379093 A JP 24379093A JP H0774519 A JPH0774519 A JP H0774519A
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- semi
- outer conductor
- coaxial
- filter
- coaxial resonator
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】軽量で安価で而も特性の安定した半同軸フィル
タを提供しようとする。 【構成】半同軸共振器の外部導体１と内部導体３とを合
成樹脂で構成すると共に導電性金属のメッキをし、該メ
ッキ層の厚みが共振周波数波長の略１／１００００以上
とした半同軸フィルタであり、外部導体の所要箇所５に
入力された周波数に対して内部導体が共振し、前記外部
導体の他の箇所６から出力される。又、合成樹脂による
構成は成形性、加工性を向上させる。
タを提供しようとする。 【構成】半同軸共振器の外部導体１と内部導体３とを合
成樹脂で構成すると共に導電性金属のメッキをし、該メ
ッキ層の厚みが共振周波数波長の略１／１００００以上
とした半同軸フィルタであり、外部導体の所要箇所５に
入力された周波数に対して内部導体が共振し、前記外部
導体の他の箇所６から出力される。又、合成樹脂による
構成は成形性、加工性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線通信機等の回路に
用いられるフィルタ、特に半同軸フィルタに関するもの
である。
用いられるフィルタ、特に半同軸フィルタに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】自動車電話、携帯電話の基地局及び中継
増幅装置等の回路には、同調、周数選別等を行う要素の
１つとしてフィルタが用いられている。
増幅装置等の回路には、同調、周数選別等を行う要素の
１つとしてフィルタが用いられている。
【０００３】近年自動車電話、携帯電話が普及するに伴
い、携帯電話の基地局及び中継増幅装置等は一層のコス
トダウンが要求されている。斯かる基地局及び中継増幅
装置等に用いられるフィルタは、機械加工品からより安
価なアルミダイキャスト品に置換されている。
い、携帯電話の基地局及び中継増幅装置等は一層のコス
トダウンが要求されている。斯かる基地局及び中継増幅
装置等に用いられるフィルタは、機械加工品からより安
価なアルミダイキャスト品に置換されている。
【０００４】図１に於いて半同軸フィルタの要部である
半同軸共振器の構成を略述する。
半同軸共振器の構成を略述する。
【０００５】中空の外部導体１の両端がカバー２により
閉塞され、該カバー２の一方に固着支持された棒状の内
部導体３が、前記外部導体１と同心に設けられている。
閉塞され、該カバー２の一方に固着支持された棒状の内
部導体３が、前記外部導体１と同心に設けられている。
【０００６】前記外部導体１の外面所要位置に入力出力
端子５が設けられ、前記外部導体１の外面の前記入力出
力端子５と対峙する位置に入力出力端子６が設けられて
いる。
端子５が設けられ、前記外部導体１の外面の前記入力出
力端子５と対峙する位置に入力出力端子６が設けられて
いる。
【０００７】前記入力出力端子５より振動が入力される
と内部導体３が共振し、該内部導体３の共振を介して入
力出力端子６から振動が出力される。前記内部導体３の
共振作用によりフィルタ作用が発揮される。
と内部導体３が共振し、該内部導体３の共振を介して入
力出力端子６から振動が出力される。前記内部導体３の
共振作用によりフィルタ作用が発揮される。
【０００８】図中４は整合ループである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記アルミダイキャス
ト品の半同軸フィルタでは、抜型の制約から追加加工が
必要であること、バリができること、空泡ができること
の等の欠点があり、特に空泡は後工程であるメッキ処理
に悪影響を与える。更に、材質がアルミニウムであるの
で線膨脹率が大きく、図１で示す半同軸フィルタを常温
（２５℃）〜−２５℃〜７５℃と２時間間隔で温度変化
させると、図２（Ｂ）に示す様に周波数温度係数が−２
８ppm/℃程度になる。
ト品の半同軸フィルタでは、抜型の制約から追加加工が
必要であること、バリができること、空泡ができること
の等の欠点があり、特に空泡は後工程であるメッキ処理
に悪影響を与える。更に、材質がアルミニウムであるの
で線膨脹率が大きく、図１で示す半同軸フィルタを常温
（２５℃）〜−２５℃〜７５℃と２時間間隔で温度変化
させると、図２（Ｂ）に示す様に周波数温度係数が−２
８ppm/℃程度になる。
【００１０】この為、特性仕様の厳しい基地局や中継増
幅装置には使用できないという不具合を生じている。
幅装置には使用できないという不具合を生じている。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、軽量で安価で
而も特性の安定した半同軸フィルタを提供しようとする
ものである。
而も特性の安定した半同軸フィルタを提供しようとする
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、半同軸共振器
の外部導体と内部導体とを合成樹脂で構成すると共に導
電性金属のメッキをし、該メッキ層の厚みが共振周波数
波長の略１／１００００以上であることを特徴とするも
のである。
の外部導体と内部導体とを合成樹脂で構成すると共に導
電性金属のメッキをし、該メッキ層の厚みが共振周波数
波長の略１／１００００以上であることを特徴とするも
のである。
【００１３】
【作用】外部導体の所要箇所に入力された周波数に対し
て内部導体が共振し、前記外部導体の他の箇所から出力
される。又、外部導体と内部導体とを合成樹脂で構成さ
れるので成形性、加工性が良い。
て内部導体が共振し、前記外部導体の他の箇所から出力
される。又、外部導体と内部導体とを合成樹脂で構成さ
れるので成形性、加工性が良い。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】図１で示す形状の半同軸共振器の材質を合
成樹脂のモールド成形品で製作する。合成樹脂の材質と
しては、例えば液晶ポリマーを使用し、更に線膨脹率が
１０ppm/℃以下のメッキ性の良いものを選択する。又、
半同軸フィルタには銅メッキを施す。
成樹脂のモールド成形品で製作する。合成樹脂の材質と
しては、例えば液晶ポリマーを使用し、更に線膨脹率が
１０ppm/℃以下のメッキ性の良いものを選択する。又、
半同軸フィルタには銅メッキを施す。
【００１６】更に、前記外部導体１の軸長をＬ、前記内
部導体３の軸長をｌ、前記外部導体１の内径をＤ、前記
内部導体３の外径をｄとし、Ｌ＝８５mm，ｌ＝７５mm、
Ｄ＝２０mm，ｄ＝６mmである時、前記銅メッキの膜厚を
３０μｍとし、該銅メッキの膜厚を変化させると無負荷
Ｑは変化し、銅メッキの膜厚が共振周波数波長の１／３
００００，１／２００００，１／１００００である時、
前記無負荷Ｑは２０２０、２２５０，２３２０となっ
た。
部導体３の軸長をｌ、前記外部導体１の内径をＤ、前記
内部導体３の外径をｄとし、Ｌ＝８５mm，ｌ＝７５mm、
Ｄ＝２０mm，ｄ＝６mmである時、前記銅メッキの膜厚を
３０μｍとし、該銅メッキの膜厚を変化させると無負荷
Ｑは変化し、銅メッキの膜厚が共振周波数波長の１／３
００００，１／２００００，１／１００００である時、
前記無負荷Ｑは２０２０、２２５０，２３２０となっ
た。
【００１７】従って、アルミニウム製の半同軸共振器と
同等の無負荷Ｑを得るには銅メッキ厚が共振周波数波長
の略１／１００００以上必要である。
同等の無負荷Ｑを得るには銅メッキ厚が共振周波数波長
の略１／１００００以上必要である。
【００１８】次に、銅メッキ厚が共振周波数波長の１／
１００００のものに、前記アルミニウム製の半同軸共振
器と同条件、常温（２５℃）〜−２５℃〜７５℃と２時
間間隔で温度変化させて試験をすると、図２（Ａ）に示
す様に周波数温度係数が−１９．７ppm/℃程度になり、
アルミニウム製の半同軸共振器と較べ温度係数は小さい
ことが確認された。
１００００のものに、前記アルミニウム製の半同軸共振
器と同条件、常温（２５℃）〜−２５℃〜７５℃と２時
間間隔で温度変化させて試験をすると、図２（Ａ）に示
す様に周波数温度係数が−１９．７ppm/℃程度になり、
アルミニウム製の半同軸共振器と較べ温度係数は小さい
ことが確認された。
【００１９】又、本実施例に係る半同軸共振器とアルミ
ニウム製の半同軸共振器に対して図３に示す様に、８５
℃〜２５℃〜−３５℃の間を４時間／サイクルで温度変
化させ長期間温度試験をした場合の中心周波数の経時的
変化を、本実施例に係る半同軸共振器に関して図４
（Ａ）に示し、アルミニウム製の半同軸共振器に関して
図４（Ｂ）に示す。図４（Ａ）図４（Ｂ）から分かる様
に、本実施例に係る半同軸共振器では周波数の経時的変
化は初期値に対して−０．０２％であり、アルミニウム
製の半同軸共振器では初期値に対して＋０．０１１％で
あり、本実施例に係る半同軸共振器は実用上支障ない範
囲の経時的変化であった。
ニウム製の半同軸共振器に対して図３に示す様に、８５
℃〜２５℃〜−３５℃の間を４時間／サイクルで温度変
化させ長期間温度試験をした場合の中心周波数の経時的
変化を、本実施例に係る半同軸共振器に関して図４
（Ａ）に示し、アルミニウム製の半同軸共振器に関して
図４（Ｂ）に示す。図４（Ａ）図４（Ｂ）から分かる様
に、本実施例に係る半同軸共振器では周波数の経時的変
化は初期値に対して−０．０２％であり、アルミニウム
製の半同軸共振器では初期値に対して＋０．０１１％で
あり、本実施例に係る半同軸共振器は実用上支障ない範
囲の経時的変化であった。
【００２０】又、無負荷Ｑの経時的変化についても図３
に示す長期間温度試験をした場合の中心周波数の経時的
変化を求めたが、本実施例に係る半同軸共振器では無負
荷Ｑの経時的変化は初期値に対して−２．６％であり、
アルミニウム製の半同軸共振器では初期値に対して＋
１．１％であり、無負荷Ｑに関しても本実施例に係る半
同軸共振器は実用上支障ない範囲の経時的変化であっ
た。
に示す長期間温度試験をした場合の中心周波数の経時的
変化を求めたが、本実施例に係る半同軸共振器では無負
荷Ｑの経時的変化は初期値に対して−２．６％であり、
アルミニウム製の半同軸共振器では初期値に対して＋
１．１％であり、無負荷Ｑに関しても本実施例に係る半
同軸共振器は実用上支障ない範囲の経時的変化であっ
た。
【００２１】更に、前記した様に本実施例に係る半同軸
共振器は合成樹脂材質であるのでタッピングビスが使用
でき、アルミニウム製の様にタップ加工が不要となり、
又合成樹脂はアルミニウム製に対して加工、成形性が良
好であり、量産が可能で製作費の低減と共に精度の向上
が可能となる。
共振器は合成樹脂材質であるのでタッピングビスが使用
でき、アルミニウム製の様にタップ加工が不要となり、
又合成樹脂はアルミニウム製に対して加工、成形性が良
好であり、量産が可能で製作費の低減と共に精度の向上
が可能となる。
【００２２】尚、上記実施例では銅メッキのみを施した
が、銅メッキの上に銀メッキ或は金メッキを施してもよ
く、更に他の良導電性金属のメッキを施してもよい。複
数層のメッキを施した場合は、メッキ層全体の導電性が
前記単体の銅メッキ層と等価となればよく、この場合も
全体のメッキ厚が共振周波数波長の略１／１００００以
上となればよい。又、前記外部導体１、内部導体３につ
いては成形上テーパをつける等、適宜変更を加え得るこ
とは言う迄もない。
が、銅メッキの上に銀メッキ或は金メッキを施してもよ
く、更に他の良導電性金属のメッキを施してもよい。複
数層のメッキを施した場合は、メッキ層全体の導電性が
前記単体の銅メッキ層と等価となればよく、この場合も
全体のメッキ厚が共振周波数波長の略１／１００００以
上となればよい。又、前記外部導体１、内部導体３につ
いては成形上テーパをつける等、適宜変更を加え得るこ
とは言う迄もない。
【００２３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、成形性
がよく量産性に優れ、機械加工が少ないので製作費が低
減されると共に寸法精度がよく、更に温度係数が小さい
ので製品品質が向上し、而も軽量であるという優れた効
果を発揮する。
がよく量産性に優れ、機械加工が少ないので製作費が低
減されると共に寸法精度がよく、更に温度係数が小さい
ので製品品質が向上し、而も軽量であるという優れた効
果を発揮する。
【図１】本発明が実施される半同軸共振器の断面図であ
る。
る。
【図２】（Ａ）は本実施例の温度変化に対する無負荷Ｑ
の変化を示す線図、（Ｂ）は従来例の温度変化に対する
無負荷Ｑの変化を示す線図である。
の変化を示す線図、（Ｂ）は従来例の温度変化に対する
無負荷Ｑの変化を示す線図である。
【図３】温度変化に対する経時的変化試験を行う場合の
温度変化曲線を示す線図である。
温度変化曲線を示す線図である。
【図４】（Ａ）は本実施例の温度変化に対する中心周波
数の経時的変化を示す線図、（Ｂ）は従来例の温度変化
に対する中心周波数の経時的変化を示す線図である。
数の経時的変化を示す線図、（Ｂ）は従来例の温度変化
に対する中心周波数の経時的変化を示す線図である。
【図５】（Ａ）は本実施例の温度変化に対する無負荷Ｑ
の経時的変化を示す線図、（Ｂ）は従来例の温度変化に
対する無負荷Ｑの経時的変化を示す線図である。
の経時的変化を示す線図、（Ｂ）は従来例の温度変化に
対する無負荷Ｑの経時的変化を示す線図である。
１ 外部導体 ２ カバー ３ 内部導体 ４ 整合ループ ５ 入力出力端子 ６ 入力出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 半同軸共振器の外部導体と内部導体とを
合成樹脂で構成すると共に導電性金属のメッキをし、該
メッキ層の厚みが共振周波数波長の略１／１００００以
上であることを特徴とする半同軸フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24379093A JPH0774519A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半同軸フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24379093A JPH0774519A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半同軸フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774519A true JPH0774519A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=17109000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24379093A Pending JPH0774519A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半同軸フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035792A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Tamagawa Electronics Co Ltd | 半同軸共振器及びフィルタ装置 |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP24379093A patent/JPH0774519A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035792A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Tamagawa Electronics Co Ltd | 半同軸共振器及びフィルタ装置 |
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