JPH0775453B2 - 通信回線用サージ吸収器 - Google Patents
通信回線用サージ吸収器Info
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- JPH0775453B2 JPH0775453B2 JP3083148A JP8314891A JPH0775453B2 JP H0775453 B2 JPH0775453 B2 JP H0775453B2 JP 3083148 A JP3083148 A JP 3083148A JP 8314891 A JP8314891 A JP 8314891A JP H0775453 B2 JPH0775453 B2 JP H0775453B2
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- Japan
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- surge
- pieces
- surge absorber
- absorbing element
- absorber
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電話機、ファクシミリ、
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子部品に適する
サージ吸収器に関する。更に詳しくは通信回線等から侵
入してくる雷サージから通信機器を保護するために用い
られる半導体型サージ吸収素子を備えたサージ吸収器に
関するものである。
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子部品に適する
サージ吸収器に関する。更に詳しくは通信回線等から侵
入してくる雷サージから通信機器を保護するために用い
られる半導体型サージ吸収素子を備えたサージ吸収器に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】サージ吸収素子には、主として酸化亜鉛
バリスタ、炭化けい素バリスタ、ツェナダイオード等の
半導体型サージ吸収素子と、エアギャップ式放電管、マ
イクロギャップ式放電管等のギャップ型サージ吸収素子
とがある。ギャップ型サージ吸収素子は半導体型サージ
吸収素子に比べて大きなサージ電流を流すことができ、
半導体型サージ吸収素子はギャップ型サージ吸収素子に
比べて動作電圧に遅れを生じない特長がある。
バリスタ、炭化けい素バリスタ、ツェナダイオード等の
半導体型サージ吸収素子と、エアギャップ式放電管、マ
イクロギャップ式放電管等のギャップ型サージ吸収素子
とがある。ギャップ型サージ吸収素子は半導体型サージ
吸収素子に比べて大きなサージ電流を流すことができ、
半導体型サージ吸収素子はギャップ型サージ吸収素子に
比べて動作電圧に遅れを生じない特長がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体型サー
ジ吸収素子はギャップ型サージ吸収素子に比べて大きな
サージ電流が侵入すると特性が劣化したり破壊する欠点
がある。これは半導体型サージ吸収素子がギャップ型サ
ージ吸収素子に比べて大きな抵抗値を有しており、サー
ジ吸収時に発熱量が大きくなって熱的損傷を受けるため
である。特に酸化亜鉛バリスタにおいてはサージが印加
された直後に高い残留電圧が発生し、その特性の劣化や
破壊の主な原因になっている。またこの残留電圧はサー
ジ吸収素子の後段に接続される回路に印加され、通信機
器に悪影響を与える問題点があった。
ジ吸収素子はギャップ型サージ吸収素子に比べて大きな
サージ電流が侵入すると特性が劣化したり破壊する欠点
がある。これは半導体型サージ吸収素子がギャップ型サ
ージ吸収素子に比べて大きな抵抗値を有しており、サー
ジ吸収時に発熱量が大きくなって熱的損傷を受けるため
である。特に酸化亜鉛バリスタにおいてはサージが印加
された直後に高い残留電圧が発生し、その特性の劣化や
破壊の主な原因になっている。またこの残留電圧はサー
ジ吸収素子の後段に接続される回路に印加され、通信機
器に悪影響を与える問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、雷サージを吸収すること
に加えて、半導体型サージ吸収素子の熱的損傷による特
性劣化を防止し、しかもサージ吸収時の残留電圧を低減
して周辺の電子機器を保護する通信回線用サージ吸収器
を提供することにある。本発明の別の目的は、熱応動片
が熱変形している間、アークによる発熱を防止する通信
回線用サージ吸収器を提供することにある。
に加えて、半導体型サージ吸収素子の熱的損傷による特
性劣化を防止し、しかもサージ吸収時の残留電圧を低減
して周辺の電子機器を保護する通信回線用サージ吸収器
を提供することにある。本発明の別の目的は、熱応動片
が熱変形している間、アークによる発熱を防止する通信
回線用サージ吸収器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、大サージ
電流吸収時の半導体型サージ吸収素子の抵抗値を小さく
し、残留電圧を低減すれば、上記目的を達成できること
に着目し、本発明に到達した。本発明のサージ吸収器
は、図１に示すように加熱により閉じ冷却により開く熱
応動スイッチ１４と半導体型サージ吸収素子１６とが並
列に接続された通信用サージ吸収器１３である。その特
徴ある構成は、スイッチ１４が互いに向合う一対の導電
性熱応動片１７，１８を有し、熱応動片１７，１８の各
基端が絶縁材１９を介して互いに接着され、これらの基
端にリード線２１，２２がそれぞれ接続され、熱応動片
１７，１８の各先端に可動接点１７ａ，１８ａが配設さ
れ、かつサージ吸収素子１６が一対のバイメタル又は形
状記憶合金からなる熱応動片１７，１８の先端近傍にリ
ード線２５，２６を介して接続され、これらの熱応動片
１７，１８とリード線２５，２６の間に可動接点の動き
に追従可能な導電性ばね片２３，２４が介装されたこと
にある。
電流吸収時の半導体型サージ吸収素子の抵抗値を小さく
し、残留電圧を低減すれば、上記目的を達成できること
に着目し、本発明に到達した。本発明のサージ吸収器
は、図１に示すように加熱により閉じ冷却により開く熱
応動スイッチ１４と半導体型サージ吸収素子１６とが並
列に接続された通信用サージ吸収器１３である。その特
徴ある構成は、スイッチ１４が互いに向合う一対の導電
性熱応動片１７，１８を有し、熱応動片１７，１８の各
基端が絶縁材１９を介して互いに接着され、これらの基
端にリード線２１，２２がそれぞれ接続され、熱応動片
１７，１８の各先端に可動接点１７ａ，１８ａが配設さ
れ、かつサージ吸収素子１６が一対のバイメタル又は形
状記憶合金からなる熱応動片１７，１８の先端近傍にリ
ード線２５，２６を介して接続され、これらの熱応動片
１７，１８とリード線２５，２６の間に可動接点の動き
に追従可能な導電性ばね片２３，２４が介装されたこと
にある。
【０００６】
【作用】サージ電圧の印加時には熱応動スイッチ１４を
介してサージ吸収素子１６に電流が流れ通信機器を保護
する。印加直後に熱応動片１７，１８自体の抵抗により
熱応動片１７，１８が発熱し可動接点１７ａ，１８ａを
閉じてバイパス回路が形成され、サージ吸収素子１６へ
のサージ電流の侵入を抑える。サージ電圧が印加されな
くなり熱応動片１７，１８が冷却すれば熱応動スイッチ
１４はオープン状態に戻る。特に、熱応動片１７，１８
が熱変形している間、リード線２５，２６が塑性変形し
たり或いは熱応動片１７，１８から離れてアークを生じ
ないように、導電性ばね片２３，２４は可動接点１７
ａ，１８ａの動きに追従して熱応動片１７，１８とリー
ド線２５，２６とを絶えず電気的に接続するように作用
する。
介してサージ吸収素子１６に電流が流れ通信機器を保護
する。印加直後に熱応動片１７，１８自体の抵抗により
熱応動片１７，１８が発熱し可動接点１７ａ，１８ａを
閉じてバイパス回路が形成され、サージ吸収素子１６へ
のサージ電流の侵入を抑える。サージ電圧が印加されな
くなり熱応動片１７，１８が冷却すれば熱応動スイッチ
１４はオープン状態に戻る。特に、熱応動片１７，１８
が熱変形している間、リード線２５，２６が塑性変形し
たり或いは熱応動片１７，１８から離れてアークを生じ
ないように、導電性ばね片２３，２４は可動接点１７
ａ，１８ａの動きに追従して熱応動片１７，１８とリー
ド線２５，２６とを絶えず電気的に接続するように作用
する。
【０００７】次に本発明の一実施例を図面に基づいて詳
しく説明する。 ＜実施例＞図１及び図２に示すように、通信機器の電子
部品１０の一対の入力線路１１，１２には電子部品１０
に並列にサージ吸収器１３が接続される。サージ吸収器
１３は加熱により閉じ冷却により開く熱応動スイッチ１
４と半導体型サージ吸収素子１６とを備える。この例で
は、熱応動スイッチ１４はバイメタルスイッチであり、
サージ吸収素子１６は放電開始電圧２７０Ｖ（公称）の
酸化亜鉛バリスタである。熱応動スイッチ１４は一対の
導電性のバイメタル片１７，１８を有する。バイメタル
片１７，１８はそれぞれ外層がＦｅ−Ｎｉ合金の高膨張
体からなり、内層がインバー合金の低膨張体からなる。
バイメタル片１７，１８は基端がアルミナからなる絶縁
材１９を介して互いに接着され、先端に可動接点１７
ａ，１８ａが配設される。バイメタル片１７，１８の各
基端にはリード線２１，２２を介して前記入力線路１
１，１２が接続される。一対のバイメタル片１７，１８
の各先端近傍にはりん青銅からなる導電性ばね片２３，
２４の各一端が圧接され、ばね片２３，２４の各他端に
はリード線２５，２６を介してサージ吸収素子１６が接
続される。ばね片２３，２４の各一端をバイメタル片１
７，１８に固着しないのは、バイメタル片１７，１８の
動作速度を速めるためである。ばね片２３，２４は前記
可動接点１７ａ，１８ａの動きに追従してバイメタル片
１７，１８とリード線２５，２６とを絶えず電気的に接
続するように作用する。
しく説明する。 ＜実施例＞図１及び図２に示すように、通信機器の電子
部品１０の一対の入力線路１１，１２には電子部品１０
に並列にサージ吸収器１３が接続される。サージ吸収器
１３は加熱により閉じ冷却により開く熱応動スイッチ１
４と半導体型サージ吸収素子１６とを備える。この例で
は、熱応動スイッチ１４はバイメタルスイッチであり、
サージ吸収素子１６は放電開始電圧２７０Ｖ（公称）の
酸化亜鉛バリスタである。熱応動スイッチ１４は一対の
導電性のバイメタル片１７，１８を有する。バイメタル
片１７，１８はそれぞれ外層がＦｅ−Ｎｉ合金の高膨張
体からなり、内層がインバー合金の低膨張体からなる。
バイメタル片１７，１８は基端がアルミナからなる絶縁
材１９を介して互いに接着され、先端に可動接点１７
ａ，１８ａが配設される。バイメタル片１７，１８の各
基端にはリード線２１，２２を介して前記入力線路１
１，１２が接続される。一対のバイメタル片１７，１８
の各先端近傍にはりん青銅からなる導電性ばね片２３，
２４の各一端が圧接され、ばね片２３，２４の各他端に
はリード線２５，２６を介してサージ吸収素子１６が接
続される。ばね片２３，２４の各一端をバイメタル片１
７，１８に固着しないのは、バイメタル片１７，１８の
動作速度を速めるためである。ばね片２３，２４は前記
可動接点１７ａ，１８ａの動きに追従してバイメタル片
１７，１８とリード線２５，２６とを絶えず電気的に接
続するように作用する。
【０００８】このような構成のサージ吸収器１３では、
入力線路１１，１２間に雷サージが侵入すると、リード
線２１、バイメタル片１７、ばね片２３、リード線２
５、サージ吸収素子１６、リード線２６、ばね片２４、
バイメタル片１８、リード線２２の回路に電流が流れ、
サージ吸収器１３の後段に並列接続された電子部品１０
を雷サージから保護する。この電流が流れると瞬時にバ
イメタル片１７，１８がバイメタル片自体の抵抗により
発熱し熱変形する。その結果、可動接点１７ａ，１８ａ
が接触又は接近してアークを発生することにより、リー
ド線２１、バイメタル片１７、可動接点１７ａ、可動接
点１８ａ、バイメタル片１８、リード線２２のバイパス
回路に電流が流れ、サージ吸収素子１６へのサージ電流
の侵入が抑制される。バイメタル片１７，１８が熱変形
している間、リード線２５，２６が塑性変形したり或い
はバイメタル片１７，１８から離れてアークを生じない
ように、ばね片２３，２４はバイメタル片１７，１８と
接触を続ける。サージが侵入しなくなれば、バイメタル
片１７，１８が冷えて復元し、スイッチ１４は再びオー
プン状態に戻る。
入力線路１１，１２間に雷サージが侵入すると、リード
線２１、バイメタル片１７、ばね片２３、リード線２
５、サージ吸収素子１６、リード線２６、ばね片２４、
バイメタル片１８、リード線２２の回路に電流が流れ、
サージ吸収器１３の後段に並列接続された電子部品１０
を雷サージから保護する。この電流が流れると瞬時にバ
イメタル片１７，１８がバイメタル片自体の抵抗により
発熱し熱変形する。その結果、可動接点１７ａ，１８ａ
が接触又は接近してアークを発生することにより、リー
ド線２１、バイメタル片１７、可動接点１７ａ、可動接
点１８ａ、バイメタル片１８、リード線２２のバイパス
回路に電流が流れ、サージ吸収素子１６へのサージ電流
の侵入が抑制される。バイメタル片１７，１８が熱変形
している間、リード線２５，２６が塑性変形したり或い
はバイメタル片１７，１８から離れてアークを生じない
ように、ばね片２３，２４はバイメタル片１７，１８と
接触を続ける。サージが侵入しなくなれば、バイメタル
片１７，１８が冷えて復元し、スイッチ１４は再びオー
プン状態に戻る。
【０００９】＜サージ印加試験とその結果＞実施例の酸
化亜鉛バリスタで構成された半導体型サージ吸収素子１
６のみからなるサージ吸収器３０を比較例として、この
サージ吸収器３０と実施例のサージ吸収器１３について
次のサージ印加試験を行った。疑似サージとして、
（１．２×５０）μｓｅｃ−１０ｋＶの電圧サージと、
（８×２０）μｓｅｃ−３ｋＡの電流サージを用い
た。
化亜鉛バリスタで構成された半導体型サージ吸収素子１
６のみからなるサージ吸収器３０を比較例として、この
サージ吸収器３０と実施例のサージ吸収器１３について
次のサージ印加試験を行った。疑似サージとして、
（１．２×５０）μｓｅｃ−１０ｋＶの電圧サージと、
（８×２０）μｓｅｃ−３ｋＡの電流サージを用い
た。
【００１０】の電圧サージを実施例のサージ吸収器１
３に印加したときのサージ吸収波形図を図３に示し、比
較例のサージ吸収器３０に印加したときのサージ吸収波
形図を図４に示す。図４に示すように、比較例のサージ
吸収器３０ではサージ電圧印加後、約４００μｓｅｃま
で残留電圧が発生し、特に約２００μｓｅｃまで約２０
０〜１５０Ｖの残留電圧が発生した。これに対して図３
に示すように、実施例のサージ吸収器１３ではサージ電
圧を印加した直後に比較例と同様に約２５０Ｖの残留電
圧を生じたが、約２μｓｅｃで残留電圧は吸収された。
これにより、実施例のサージ吸収器では残留電圧を効率
良く低減し得ることが判明した。実施例のサージ吸収器
で約２００μｓｅｃ経過後、約５０Ｖの残留電圧が生じ
たが、バイメタル片の復帰によるものと考えられる。
３に印加したときのサージ吸収波形図を図３に示し、比
較例のサージ吸収器３０に印加したときのサージ吸収波
形図を図４に示す。図４に示すように、比較例のサージ
吸収器３０ではサージ電圧印加後、約４００μｓｅｃま
で残留電圧が発生し、特に約２００μｓｅｃまで約２０
０〜１５０Ｖの残留電圧が発生した。これに対して図３
に示すように、実施例のサージ吸収器１３ではサージ電
圧を印加した直後に比較例と同様に約２５０Ｖの残留電
圧を生じたが、約２μｓｅｃで残留電圧は吸収された。
これにより、実施例のサージ吸収器では残留電圧を効率
良く低減し得ることが判明した。実施例のサージ吸収器
で約２００μｓｅｃ経過後、約５０Ｖの残留電圧が生じ
たが、バイメタル片の復帰によるものと考えられる。
【００１１】の電流サージを実施例のサージ吸収器１
３及び比較例のサージ吸収器３０に印加したときの直流
放電開始電圧Ｖs及びこのサージを印加する前の直流放
電開始電圧Ｖsをそれぞれカーブトレーサにより測定し
た。また印加後のサージ吸収素子であるバリスタの発熱
の有無を調べた。その結果を表１に示す。
３及び比較例のサージ吸収器３０に印加したときの直流
放電開始電圧Ｖs及びこのサージを印加する前の直流放
電開始電圧Ｖsをそれぞれカーブトレーサにより測定し
た。また印加後のサージ吸収素子であるバリスタの発熱
の有無を調べた。その結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１から、の電流サージを印加前では両
サージ吸収器１３，３０とも直流放電開始電圧Ｖsが２
９０Ｖであったものが、電流サージ印加後、比較例のサ
ージ吸収器３０がバリスタの発熱により２５０Ｖに低下
したのに対して、実施例のサージ吸収器１３は２９０Ｖ
と変わらなかった。これにより、実施例のサージ吸収器
は電流サージに起因してバリスタの特性が劣化しないこ
とが判った。
サージ吸収器１３，３０とも直流放電開始電圧Ｖsが２
９０Ｖであったものが、電流サージ印加後、比較例のサ
ージ吸収器３０がバリスタの発熱により２５０Ｖに低下
したのに対して、実施例のサージ吸収器１３は２９０Ｖ
と変わらなかった。これにより、実施例のサージ吸収器
は電流サージに起因してバリスタの特性が劣化しないこ
とが判った。
【００１４】なお、上記実施例では半導体型サージ吸収
素子として、酸化亜鉛バリスタを示したが、炭化けい素
バリスタ、ツェナダイオード等の半導体型サージ吸収素
子を用いてもよい。また、熱応動スイッチとして、バイ
メタルスイッチを示したが、形状記憶合金からなるスイ
ッチでもよい。
素子として、酸化亜鉛バリスタを示したが、炭化けい素
バリスタ、ツェナダイオード等の半導体型サージ吸収素
子を用いてもよい。また、熱応動スイッチとして、バイ
メタルスイッチを示したが、形状記憶合金からなるスイ
ッチでもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のサージ吸収
器は加熱により閉じ冷却により開く熱応動スイッチと半
導体型サージ吸収素子とを並列に接続したので、雷サー
ジが侵入したときにサージ吸収素子がこれを吸収し、更
に熱応動スイッチが作動してバイパス回路が形成されサ
ージ吸収素子へのサージ電流が抑制される。これにより
サージ吸収素子の発熱が防止され、特性の劣化や熱的破
壊を大幅に減少できる。またサージ吸収時の残留電圧を
低減して、周辺の電子部品をより一層保護することがで
きる。特に、熱応動片が熱変形している間、リード線が
塑性変形したり或いは熱応動片から離れてアークを生じ
ないように、導電性ばね片は可動接点の動きに追従して
熱応動片とリード線とを絶えず電気的に接続するように
作用するため、アークによる発熱が防止され上記効果が
より顕著に発揮される。
器は加熱により閉じ冷却により開く熱応動スイッチと半
導体型サージ吸収素子とを並列に接続したので、雷サー
ジが侵入したときにサージ吸収素子がこれを吸収し、更
に熱応動スイッチが作動してバイパス回路が形成されサ
ージ吸収素子へのサージ電流が抑制される。これにより
サージ吸収素子の発熱が防止され、特性の劣化や熱的破
壊を大幅に減少できる。またサージ吸収時の残留電圧を
低減して、周辺の電子部品をより一層保護することがで
きる。特に、熱応動片が熱変形している間、リード線が
塑性変形したり或いは熱応動片から離れてアークを生じ
ないように、導電性ばね片は可動接点の動きに追従して
熱応動片とリード線とを絶えず電気的に接続するように
作用するため、アークによる発熱が防止され上記効果が
より顕著に発揮される。
【図１】本発明実施例のサージ吸収器の構成図。
【図２】本発明実施例のサージ吸収回路の構成図。
【図３】本発明実施例のサージ吸収器のサージ吸収波形
図。
図。
【図４】比較例のサージ吸収器のサージ吸収波形図。
１３ サージ吸収器 １４ 熱応動スイッチ １６ 半導体型サージ吸収素子 １７，１８ バイメタル片（熱応動片） １７ａ，１８ａ 可動接点 １９ 絶縁材 ２１，２２，２５，２６ リード線 ２３，２４ 導電性ばね片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 政利 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社 セラミックス研究 所内 (56)参考文献 特開 昭56−58738（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−116537（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−5039（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱により閉じ冷却により開く熱応動ス
イッチ(14)と半導体型サージ吸収素子(16)とが並列に接
続された通信回線用サージ吸収器(13)であって、 前記スイッチ(14)は互いに向合う一対の導電性熱応動片
(17,18)を有し、前記熱応動片(17,18)の各基端が絶縁材
(19)を介して互いに接着され、前記基端にリード線(21,
22)がそれぞれ接続され、前記熱応動片(17,18)の各先端
に可動接点(17a,18a)が配設され、 前記サージ吸収素子(16)は前記一対のバイメタル又は形
状記憶合金からなる熱応動片(17,18)の先端近傍にリー
ド線(25,26)を介して接続され、 前記一対の熱応動片(17,18)とリード線(25,26)の間に可
動接点の動きに追従可能な導電性ばね片(23,24)が介装
され た ことを特徴とする通信回線用サージ吸収器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3083148A JPH0775453B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 通信回線用サージ吸収器 |
| US07/853,912 US5247273A (en) | 1991-03-22 | 1992-03-19 | Surge absorber for protection of communication equipment connected to communication lines |
| CA002063654A CA2063654C (en) | 1991-03-22 | 1992-03-20 | Surge absorber for protection of communication equipment connected to communication lines |
| KR1019920004704A KR960004665B1 (ko) | 1991-03-22 | 1992-03-21 | 통신회선에 접속되는 통신기기보호용 서어지흡수기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3083148A JPH0775453B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 通信回線用サージ吸収器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295224A JPH04295224A (ja) | 1992-10-20 |
| JPH0775453B2 true JPH0775453B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=13794143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3083148A Expired - Fee Related JPH0775453B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 通信回線用サージ吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775453B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2619066A (en) * | 2022-05-26 | 2023-11-29 | Eaton Intelligent Power Ltd | Overvoltage protection device with improved integrated overtemperature protection |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0026861A1 (de) * | 1979-10-03 | 1981-04-15 | Cerberus Ag | Anordnung zum Überspannungsschutz |
| NL8006411A (nl) * | 1980-11-25 | 1982-06-16 | Philips Nv | Inrichting voor het beveiligen tegen oververhitting door overspanning van een spanningsbegrenzende schakeling. |
| JPS5896949A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽熱給湯装置 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3083148A patent/JPH0775453B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH04295224A (ja) | 1992-10-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960206 |
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