JPH0776205B2 - α−ヒドロキシプロピンスルホン酸およびその塩、その製法およびこれを含有する酸性ニツケル浴 - Google Patents
α−ヒドロキシプロピンスルホン酸およびその塩、その製法およびこれを含有する酸性ニツケル浴Info
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- JPH0776205B2 JPH0776205B2 JP62236401A JP23640187A JPH0776205B2 JP H0776205 B2 JPH0776205 B2 JP H0776205B2 JP 62236401 A JP62236401 A JP 62236401A JP 23640187 A JP23640187 A JP 23640187A JP H0776205 B2 JPH0776205 B2 JP H0776205B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はα−ヒドロキシプロピンスルホン酸およびその
塩、ならびにその製法およびこの化合物を含有する酸性
ニッケル浴に関する。
塩、ならびにその製法およびこの化合物を含有する酸性
ニッケル浴に関する。
従来の技術 光沢のないメツキ層の代わりに光沢のあるニツケルメツ
キ層を得るために、酸性の、殊に弱酸性のニツケル電解
液に特定の有機物質が少量添加されることはずつと以前
から公知である。
キ層を得るために、酸性の、殊に弱酸性のニツケル電解
液に特定の有機物質が少量添加されることはずつと以前
から公知である。
第一光沢剤とも呼ばれる、この添加物の群は不飽和の、
たいていは芳香族のスルホン酸、スルフイン酸、スルホ
ンアミドまたはスルフイミドもしくはその塩でありおよ
び最も公知の化合物はたとえばm−ベンゾールジスルホ
ン酸および安臭香酸スルフイミドである。
たいていは芳香族のスルホン酸、スルフイン酸、スルホ
ンアミドまたはスルフイミドもしくはその塩でありおよ
び最も公知の化合物はたとえばm−ベンゾールジスルホ
ン酸および安臭香酸スルフイミドである。
この化合物は単独で電気浴に添加され、特定の電流密度
範囲を経て、光沢のある、しかしレベリング(平滑化)
されていない析出物を生じる。その単独の適用はそれに
より得られたニツケル被覆の品質が今日の要求に合致し
ないので、それゆえ全く実際に重要でない。
範囲を経て、光沢のある、しかしレベリング(平滑化)
されていない析出物を生じる。その単独の適用はそれに
より得られたニツケル被覆の品質が今日の要求に合致し
ないので、それゆえ全く実際に重要でない。
その明らかな欠点は析出物を脆弱化することなしに、粗
表面をレベリングする能力である。
表面をレベリングする能力である。
レベリングされた析出物を生じる化合物も既に公知され
ている。これは大体において第一光沢剤1種または数種
と一緒る適用される。
ている。これは大体において第一光沢剤1種または数種
と一緒る適用される。
公知のレベラー(平滑剤)はたとえば三重不飽和アルコ
ールまたは三重不飽和アミンである。これは特に時間の
かかる作業の際および既に軽い過配量の際低い電流密度
範囲で黒いメツキ層を生じる。しばしばメツキ層が低い
電流密度範囲で生じずおよび素地が見えるままである場
合すら生じる。
ールまたは三重不飽和アミンである。これは特に時間の
かかる作業の際および既に軽い過配量の際低い電流密度
範囲で黒いメツキ層を生じる。しばしばメツキ層が低い
電流密度範囲で生じずおよび素地が見えるままである場
合すら生じる。
その他にレベラーとしてピリジニウム−またはキノリニ
ウム化合物のような、四級の芳香族窒素含有化合物が提
案され、この際しかしレベリング作用は高い電流密度範
囲のみに限られる。
ウム化合物のような、四級の芳香族窒素含有化合物が提
案され、この際しかしレベリング作用は高い電流密度範
囲のみに限られる。
全てのレベラーは、これが既に開始時に、あるいはたい
ていは時間のかかる操作中でニツケル析出物を脆弱化す
るという点で一緒である。
ていは時間のかかる操作中でニツケル析出物を脆弱化す
るという点で一緒である。
レベリング作用を有する特定の物質にはその他とたとえ
ばプロパルギルアルデヒドのようなものが属しており、
これはしかし低い電流密度の範囲で、完全に被覆されて
いない箇所に導きおよび平均的電流密度範囲で階段析出
(レリーフ)を生じるという欠点を有する。その他にこ
れは化学的に不安定でありおよび水溶液中で貯蔵できな
い。
ばプロパルギルアルデヒドのようなものが属しており、
これはしかし低い電流密度の範囲で、完全に被覆されて
いない箇所に導きおよび平均的電流密度範囲で階段析出
(レリーフ)を生じるという欠点を有する。その他にこ
れは化学的に不安定でありおよび水溶液中で貯蔵できな
い。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は殊に低い電流密度で良好なレベリングも
すぐれた光沢形成も可能にする、電気浴、殊に酸性ニツ
ケル浴のための化合物を製造することである。
すぐれた光沢形成も可能にする、電気浴、殊に酸性ニツ
ケル浴のための化合物を製造することである。
問題点を解決するための手段 この課題は特許請求の範囲第1項から第4項で特徴づけ
られた化合物により解決する。
られた化合物により解決する。
本発明による化合物は酸性ニツケル浴中で驚異的にも良
好な深部分離もすぐれたレベリングも生じおよびさらに
浴のより長い操作の際も脆弱な析出物の形成を回避す
る。
好な深部分離もすぐれたレベリングも生じおよびさらに
浴のより長い操作の際も脆弱な析出物の形成を回避す
る。
本発明による新規化合物は浴中にそのようなものとして
含有され、その際これが既に浴の製造の際この浴にその
ようなものとして添加されるかまたは化学反応に基づき
他の化合物から浴中で形成されるかどうかはささいなこ
とである: 本発明による化合物の製造は、たとえばプロパルギルア
ルデヒドを水溶液中亜硫酸水素アルカリまたは亜硫酸水
素アンモニウムと等量で室温で反応させおよび反応生成
物を自体公知の方法で単離することにより行う。
含有され、その際これが既に浴の製造の際この浴にその
ようなものとして添加されるかまたは化学反応に基づき
他の化合物から浴中で形成されるかどうかはささいなこ
とである: 本発明による化合物の製造は、たとえばプロパルギルア
ルデヒドを水溶液中亜硫酸水素アルカリまたは亜硫酸水
素アンモニウムと等量で室温で反応させおよび反応生成
物を自体公知の方法で単離することにより行う。
α−ヒドロキシプロピンスルホン酸はそのようなものと
してまたはその塩、たとえばアルカリ塩、特にナトリウ
ム塩またはカリウム塩またはアンモニウム塩の形で使用
できる。
してまたはその塩、たとえばアルカリ塩、特にナトリウ
ム塩またはカリウム塩またはアンモニウム塩の形で使用
できる。
α−ヒドロキシプロピンスルホン酸はそのようなものと
してまたはその塩、たとえばアルカリ塩、特にナトリウ
ム塩またはカリウム塩またはかリウム塩またはアンモニ
ウム塩の形で使用できる。
してまたはその塩、たとえばアルカリ塩、特にナトリウ
ム塩またはカリウム塩またはかリウム塩またはアンモニ
ウム塩の形で使用できる。
浴は本発明による化合物の添加下のニツケル析出物の析
出のために一般に、緩衝のために付加的に弱酸が添加さ
れる、ニツケル塩溶液を使用する。
出のために一般に、緩衝のために付加的に弱酸が添加さ
れる、ニツケル塩溶液を使用する。
実際には有利に次の組成: 硫酸ニツケル(NiSO4・7H2O) 200〜400g/l 塩化ニツケル(NiCl2・6H2O) 30〜200g/l ホウ酸(H3BO3) 30〜50g/l を有する、ワツト浴(Wattsches Bad)を使用する。
浴は3〜5.5、特に4〜5のpH−価を有する。温度は電
流密度の上昇のために75℃までであり、大体において50
〜60℃である。
流密度の上昇のために75℃までであり、大体において50
〜60℃である。
高性能浴は10〜50g/lの塩化物含量を有しおよび本発明
による化合物の使用の際最良の結果を示す。塩化ニツケ
ルは部分的にまたは完全に塩化ナトリウムにより代えら
れていてよい。電流密度は55℃で10A/dm2までである。
による化合物の使用の際最良の結果を示す。塩化ニツケ
ルは部分的にまたは完全に塩化ナトリウムにより代えら
れていてよい。電流密度は55℃で10A/dm2までである。
本発明による化合物は驚異的にも公知レベラーのように
高い電流密度範囲で有利に作用するのではなく、中程度
〜低い電流密度範囲でもレベリング作用する。他の重要
な利点は本発明による化合物の強い配量の際でさえ、析
出物が公知レベラーとは反対に、たいてい低い電流密度
で生じる、黒いニツケル析出物を生じないことである。
高い電流密度範囲で有利に作用するのではなく、中程度
〜低い電流密度範囲でもレベリング作用する。他の重要
な利点は本発明による化合物の強い配量の際でさえ、析
出物が公知レベラーとは反対に、たいてい低い電流密度
で生じる、黒いニツケル析出物を生じないことである。
本発明による化合物はなるほど既にそれだけですぐれた
作用を示すが、最適の結果はしかし殊に公知第一光沢剤
およびレベラーとの組合せにより達成される。そこで、
この方法で全ての実際に必要な電流密度範囲にわたつ
て、析出物が黒いメツキ層の公知欠点を示すことなしに
すぐれたレベリングが達成される。
作用を示すが、最適の結果はしかし殊に公知第一光沢剤
およびレベラーとの組合せにより達成される。そこで、
この方法で全ての実際に必要な電流密度範囲にわたつ
て、析出物が黒いメツキ層の公知欠点を示すことなしに
すぐれたレベリングが達成される。
ニツケル浴中の本発明による化合物の濃度は非常にわず
かでありおよび0.005〜5g/l、特に0.05〜0.2g/lであ
る。低い濃度は本発明による化合物が第一光沢剤および
ピリジニウム化合物を主体とするレベラーとの組合せで
適用される場合、有利に適用する。
かでありおよび0.005〜5g/l、特に0.05〜0.2g/lであ
る。低い濃度は本発明による化合物が第一光沢剤および
ピリジニウム化合物を主体とするレベラーとの組合せで
適用される場合、有利に適用する。
第一光沢剤は大体において0.1〜10g/lの量で電解液に添
加する。レベラー、殊にピリジニウム化合物は有利に0.
02〜0.25g/l配量される。多孔性メツキ層の阻止のため
の湿潤剤は10g/lまでの量で添加する。
加する。レベラー、殊にピリジニウム化合物は有利に0.
02〜0.25g/l配量される。多孔性メツキ層の阻止のため
の湿潤剤は10g/lまでの量で添加する。
次例につき本発明を詳述する。
実施例 例1 α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、ナトリウム塩の製
造 40%亜硫酸水素ナトリウム−溶液 26gが250mg攪拌フラスコ中に装入される。これにプロパ
ルギルアルデヒド 5.4gが10分間に滴下される。反応は室温で生じおよびさ
らに20分後終了される。
造 40%亜硫酸水素ナトリウム−溶液 26gが250mg攪拌フラスコ中に装入される。これにプロパ
ルギルアルデヒド 5.4gが10分間に滴下される。反応は室温で生じおよびさ
らに20分後終了される。
単離のために反応溶液が50℃および20トルで回転蒸発器
で濃縮される。収率は理論値の97%である。
で濃縮される。収率は理論値の97%である。
α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、ナトリウム塩、融
点:130℃(分解) 特徴づけを溶剤としてD2O中標準3−(トリメチルシリ
ル)−プロピオン酸、ナトリウム塩(TMS)に対するNMR
およびIRスペクトルにより行つた。
点:130℃(分解) 特徴づけを溶剤としてD2O中標準3−(トリメチルシリ
ル)−プロピオン酸、ナトリウム塩(TMS)に対するNMR
およびIRスペクトルにより行つた。
δ=3.05ppm(TMS/D2O) δ=5.1ppm(TMS/D2O) 例2 α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、カリウム塩の製造 カリウム塩の製造の際40%重亜硫酸カリウム−溶液 が装入される。反応後カリウム塩は40℃および20トルで
濃縮される。収率は95%である。
濃縮される。収率は95%である。
α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、カリウム塩、融
点:134℃(分解) ハルセル(Hull-Zelle)中でこの物質ナトリウム塩と同
様の作用を示す。
点:134℃(分解) ハルセル(Hull-Zelle)中でこの物質ナトリウム塩と同
様の作用を示す。
スペクトルはナトリウム塩のものと同様である。
例3 α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、アンモニウム塩の
製造 アンモニウム塩の製造の際最初に二亜硫酸アンモニウム
がアンモニア溶液中への二酸化硫黄の導入により製造さ
れる(グメーリン(GMELIN)NH−巻、23、第259〜261ペ
ージ参照)。
製造 アンモニウム塩の製造の際最初に二亜硫酸アンモニウム
がアンモニア溶液中への二酸化硫黄の導入により製造さ
れる(グメーリン(GMELIN)NH−巻、23、第259〜261ペ
ージ参照)。
この際40%重亜硫酸アンモニウム−溶液 を使用する。収率は80%である。
ハルセル中でこの物質はナトリウム塩と同様の作用を示
す。
す。
スペクトルはナトリウム塩のものと同様である。
α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、アンモニウム塩、
融点:121℃より上(分解)。
融点:121℃より上(分解)。
例4 次の組成 硫酸ニツケル(NiSO4・7H2O) 270g/l 塩化ニツケル(NiCl2・6H2O) 40g/l ホウ酸 40g/l 2−エチルヘキシルスルフエート、Na−塩、湿潤剤とし
て0.1g/lを有する浴に本発明による化合物α−ヒドロキ
シプロピンスルホン酸、ナトリウム塩0.15g/lが添加さ
れた。
て0.1g/lを有する浴に本発明による化合物α−ヒドロキ
シプロピンスルホン酸、ナトリウム塩0.15g/lが添加さ
れた。
この添加は0.1〜3A/dm2の電流密度で注目すべき光沢深
部分離を伴う光沢のあるメツキ層を生じた。
部分離を伴う光沢のあるメツキ層を生じた。
例5 次の組成 硫酸ニツケル(NiSO4・7H3O) 250g/l 塩化ニツケル(NiCl2 6H2O) 80g/l ホウ酸 40g/l 2−エチルヘキシルスルフエート、Na−塩、湿潤剤とし
て0.1g/lを有する浴に本発明による化合物α−ヒドロキ
シプロピンスルホン酸、ナトリウム塩0.15g/lおよびサ
ツカリン(安息香酸スルフイミド、Na−塩)1g/lが添加
された。
て0.1g/lを有する浴に本発明による化合物α−ヒドロキ
シプロピンスルホン酸、ナトリウム塩0.15g/lおよびサ
ツカリン(安息香酸スルフイミド、Na−塩)1g/lが添加
された。
0.1〜8A/dm2の電流密度範囲で光沢のある、明らかにレ
ベリングされたメツキ層が達成された。
ベリングされたメツキ層が達成された。
例6 次の組成 硫酸ニツケル(NiSO4・7H2O) 270g/l 塩化ニツケル(NiCl2・6H2O) 40g/l ホウ酸 40g/l を有する浴にサツカリン1g/l、ピリジニウムプロピルス
ルホン酸ベタイン0.15g/lおよび湿潤剤としてラウリル
エーテルスルフエート0.5g/lが添加された。
ルホン酸ベタイン0.15g/lおよび湿潤剤としてラウリル
エーテルスルフエート0.5g/lが添加された。
析出物は2〜12A/dm2で光沢があり、しかし4〜10A/dm2
でレベリングされおよび高い光沢を有した。浴はそれに
よりたとえばバレル析出のためには完全に適していな
い。本発明による化合物0.15g/lの添加により範囲0.5〜
12A/dm2で良好にレベリングされた。レベリングは層厚
に依存せずにα−ヒドロキシプロピンスルホン酸、ナト
リウム塩が上述の範囲でレベリングされており、そこで
すぐれた装飾的効果がたとえばアーマチユア部分で生じ
た。
でレベリングされおよび高い光沢を有した。浴はそれに
よりたとえばバレル析出のためには完全に適していな
い。本発明による化合物0.15g/lの添加により範囲0.5〜
12A/dm2で良好にレベリングされた。レベリングは層厚
に依存せずにα−ヒドロキシプロピンスルホン酸、ナト
リウム塩が上述の範囲でレベリングされており、そこで
すぐれた装飾的効果がたとえばアーマチユア部分で生じ
た。
例7 次の組成 硫酸ニツケル(NiSO4・7H2O) 250g/l 塩化ナトリウム(NaCl) 60g/l ホウ酸(H3BO3) 30g/l 2−エチルヘキシルスルフエート、ナトリウム塩、湿潤
剤として を有する浴にサツカリン1g/lおよびアリルスルホン酸、
ナトリウム塩0.3g/lが添加された。均一な光沢のある試
験薄板がレベリングなしに達成された。本発明による物
質α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、ナトリウム塩0.
2g/lの添加後、9A/dm2までで均一な光沢のある、良好に
レベリングされたメツキ層が達成され、これはその深部
分離のために特にバレル中での材料電流メツキのために
適している。浴は8維間まで安定でありおよび不変に良
好な作業性を示した。
剤として を有する浴にサツカリン1g/lおよびアリルスルホン酸、
ナトリウム塩0.3g/lが添加された。均一な光沢のある試
験薄板がレベリングなしに達成された。本発明による物
質α−ヒドロキシプロピンスルホン酸、ナトリウム塩0.
2g/lの添加後、9A/dm2までで均一な光沢のある、良好に
レベリングされたメツキ層が達成され、これはその深部
分離のために特にバレル中での材料電流メツキのために
適している。浴は8維間まで安定でありおよび不変に良
好な作業性を示した。
Claims (10)
- 【請求項1】α−ヒドロキシプロピンスルホン酸または
その塩。 - 【請求項2】α−ヒドロキシプロピンスルホン酸のナト
リウム塩である、特許請求の範囲第1項記載の化合物。 - 【請求項3】α−ヒドロキシプロピンスルホン酸のカリ
ウム塩である、特許請求の範囲第1項記載の化合物。 - 【請求項4】α−ヒドロキシプロピンスルホン酸のアン
モニウム塩である、特許請求の範囲第1項記載の化合
物。 - 【請求項5】プロパルギルアルデヒドを水溶液中、亜硫
酸水素アルカリまたは−アンモニウムと、当量で室温で
反応させおよび反応生成物を自体公知の方法で単離する
ことを特徴とする、α−ヒドロキシプロピンスルホン酸
またはその塩の製法。 - 【請求項6】α−ヒドロキシプロピンスルホン酸または
その塩少なくとも1種を含有することを特徴とする、酸
性ニッケル浴。 - 【請求項7】化合物を0.005〜5g/lの濃度で含有する、
特許請求の範囲第6項記載の酸性ニッケル浴。 - 【請求項8】0.1〜10g/lの濃度で第一光沢剤を付加的に
含有する、特許請求の範囲第6項または第7項記載の酸
性ニッケル浴。 - 【請求項9】0.02〜0.25g/lの濃度でレベラーを付加的
に含有する、特許請求の範囲第6項または第7項記載の
酸性ニッケル浴。 - 【請求項10】10g/lまでの濃度で湿潤剤を付加的に含
有する、特許請求の範囲第6項または第7項記載の酸性
ニッケル浴。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3632514.7 | 1986-09-22 | ||
| DE19863632514 DE3632514A1 (de) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | (alpha)-hydroxi propinsulfonsaeure und deren salze, saure nickelbaeder enthaltend diese verbindungen sowie verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6391358A JPS6391358A (ja) | 1988-04-22 |
| JPH0776205B2 true JPH0776205B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=6310280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62236401A Expired - Lifetime JPH0776205B2 (ja) | 1986-09-22 | 1987-09-22 | α−ヒドロキシプロピンスルホン酸およびその塩、その製法およびこれを含有する酸性ニツケル浴 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0261331B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0776205B2 (ja) |
| AT (1) | AT397248B (ja) |
| DE (2) | DE3632514A1 (ja) |
| ES (1) | ES2026157T3 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4510533B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2010-07-28 | 英夫 本間 | マイクロバンプの形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2054221B2 (de) * | 1970-11-04 | 1973-11-08 | Badische Anilin- & Soda-Fabrik Ag, 6700 Ludwigshafen | Stabilisierte wässrige Losungen ungesättigter aliphaüscher Sulfon sauren bzw ihrer Salze |
| US3677913A (en) * | 1971-04-01 | 1972-07-18 | M & T Chemicals Inc | Nickel plating |
| US4062738A (en) * | 1974-10-04 | 1977-12-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Acid nickel electroplating additive therefor and method of making said additive |
| DE2544729A1 (de) * | 1975-10-07 | 1977-04-21 | Basf Ag | 1-hydroxy-propen-(2,3)-sulfonsaeure- (3)-verbindungen und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4435254A (en) * | 1978-11-01 | 1984-03-06 | M&T Chemicals Inc. | Bright nickel electroplating |
| DE3067275D1 (en) * | 1979-09-13 | 1984-05-03 | M & T Chemicals Inc | Bright nickel plating bath and process and composition therefor |
-
1986
- 1986-09-22 DE DE19863632514 patent/DE3632514A1/de not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-07-11 EP EP87110046A patent/EP0261331B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-11 ES ES198787110046T patent/ES2026157T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-11 DE DE8787110046T patent/DE3773099D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-21 AT AT0237787A patent/AT397248B/de not_active IP Right Cessation
- 1987-09-22 JP JP62236401A patent/JPH0776205B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2026157T3 (es) | 1992-04-16 |
| DE3632514A1 (de) | 1988-03-24 |
| EP0261331A1 (de) | 1988-03-30 |
| JPS6391358A (ja) | 1988-04-22 |
| EP0261331B1 (de) | 1991-09-18 |
| ATA237787A (de) | 1993-07-15 |
| AT397248B (de) | 1994-02-25 |
| DE3773099D1 (de) | 1991-10-24 |
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