JPH0777283B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0777283B2 JPH0777283B2 JP4647493A JP4647493A JPH0777283B2 JP H0777283 B2 JPH0777283 B2 JP H0777283B2 JP 4647493 A JP4647493 A JP 4647493A JP 4647493 A JP4647493 A JP 4647493A JP H0777283 B2 JPH0777283 B2 JP H0777283B2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発振閾電流値を低減す
る層構造を持つ半導体レーザに関する。
る層構造を持つ半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザは分子線成長法（以
下ＭＢＥ法と略す）や有機金属気相結晶成長法（以下Ｍ
ＯＶＰＥ法と略す）により形成され。この成長法の特質
故に非常に薄い半導体層からなる量子井戸構造活性層を
有する半導体レーザが容易に作製されている。ＡｌＧａ
ＩｎＰ系可視光半導体レーザを例にとると、この量子井
戸構造活性層を有する半導体レーザは図１の後述する本
発明の実施例と基本的に同じ素子構造であるが、ｎ型ク
ラッド層２が多層構造ではなく単一のｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ１μｍ）からなる層構造
がとられている。ところで量子井戸レーザの発振閾電流
値は、量子井戸を構成するヘテロ界面の品質に大きく依
存する。すなわち界面近傍で非発光中心の多い場合は、
レーザの活性層に注入された電流のうち非発光再結合す
る割合が多くなり発振閾電流値は上昇する。また、界面
に凹凸がある場合は、量子井戸の厚さに依存した量子効
果によるエネルギー準位が面内で不揃いになるため、半
導体レーザの利得スペクトル幅が広がる。この結果、利
得ピーク値は減少し発振閾電流値は上昇する。発振閾電
流値が上昇すると、電力消費量が増大し信頼性が低下す
るので好ましくない。量子井戸構造でない活性層でも界
面の凹凸により光導波路の損失が上昇し好ましくない。
その他、電子を反射するための超格子構造体をｐクラッ
ド層中の活性層近傍に設けた半導体レーザ（特開昭６３
ー４６７８８）でも、超格子の各層の厚さが設計値から
僅かに異なるだけで超格子構造体の電子反射効果が失わ
れてしまうため、界面の凹凸を減らすことは重要であ
る。
下ＭＢＥ法と略す）や有機金属気相結晶成長法（以下Ｍ
ＯＶＰＥ法と略す）により形成され。この成長法の特質
故に非常に薄い半導体層からなる量子井戸構造活性層を
有する半導体レーザが容易に作製されている。ＡｌＧａ
ＩｎＰ系可視光半導体レーザを例にとると、この量子井
戸構造活性層を有する半導体レーザは図１の後述する本
発明の実施例と基本的に同じ素子構造であるが、ｎ型ク
ラッド層２が多層構造ではなく単一のｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ１μｍ）からなる層構造
がとられている。ところで量子井戸レーザの発振閾電流
値は、量子井戸を構成するヘテロ界面の品質に大きく依
存する。すなわち界面近傍で非発光中心の多い場合は、
レーザの活性層に注入された電流のうち非発光再結合す
る割合が多くなり発振閾電流値は上昇する。また、界面
に凹凸がある場合は、量子井戸の厚さに依存した量子効
果によるエネルギー準位が面内で不揃いになるため、半
導体レーザの利得スペクトル幅が広がる。この結果、利
得ピーク値は減少し発振閾電流値は上昇する。発振閾電
流値が上昇すると、電力消費量が増大し信頼性が低下す
るので好ましくない。量子井戸構造でない活性層でも界
面の凹凸により光導波路の損失が上昇し好ましくない。
その他、電子を反射するための超格子構造体をｐクラッ
ド層中の活性層近傍に設けた半導体レーザ（特開昭６３
ー４６７８８）でも、超格子の各層の厚さが設計値から
僅かに異なるだけで超格子構造体の電子反射効果が失わ
れてしまうため、界面の凹凸を減らすことは重要であ
る。
【０００３】図３にこの弊害を取り除くための工夫をし
た従来例の量子井戸レーザを示す（特開昭６０ー２０２
９８１号公報）。ＭＢＥ法により結晶成長を行い、Ｇａ
Ａｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層１２、連続的に組成変化したＡｌ
ＧａＡｓ層２０、活性層１３、連続的に組成変化したＡ
ｌＧａＡｓ層２１、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１７を備えた構造において、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層１２の一部に１５ｎｍ厚のＡｌＧａＡｓと１５ｎｍ
厚のＧａＡｓの超格子構造１９を設けている。
た従来例の量子井戸レーザを示す（特開昭６０ー２０２
９８１号公報）。ＭＢＥ法により結晶成長を行い、Ｇａ
Ａｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層１２、連続的に組成変化したＡｌ
ＧａＡｓ層２０、活性層１３、連続的に組成変化したＡ
ｌＧａＡｓ層２１、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１７を備えた構造において、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層１２の一部に１５ｎｍ厚のＡｌＧａＡｓと１５ｎｍ
厚のＧａＡｓの超格子構造１９を設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図４に示
すように、ＭＯＶＰＥ法により結晶成長を行い、ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、活性
層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層７を備えた構造において、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２の一部に１５ｎｍ厚のＡｌＧａＩｎＰと１
５ｎｍ厚のＧａＩｎＰの超格子構造１０を設けた、従来
の発明（特開昭６０ー２０２９８１）の半導体レーザを
試作したところ、超格子構造１０の無い場合に比べ、活
性層のヘテロ界面の凹凸が大きくなり発振閾電流値が上
昇した。本発明の目的は、このような活性層のヘテロ界
面の凹凸を小さくすることにより、発振閾電流値を低減
した半導体レーザを提供することにある。
すように、ＭＯＶＰＥ法により結晶成長を行い、ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２、活性
層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６、ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層７を備えた構造において、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２の一部に１５ｎｍ厚のＡｌＧａＩｎＰと１
５ｎｍ厚のＧａＩｎＰの超格子構造１０を設けた、従来
の発明（特開昭６０ー２０２９８１）の半導体レーザを
試作したところ、超格子構造１０の無い場合に比べ、活
性層のヘテロ界面の凹凸が大きくなり発振閾電流値が上
昇した。本発明の目的は、このような活性層のヘテロ界
面の凹凸を小さくすることにより、発振閾電流値を低減
した半導体レーザを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は、ｎ型クラッド層とｐ型ク
ラッド層とで活性層を挟んでなるダブルヘテロ構造が基
板上に形成された半導体レーザであって，前記基板と活
性層との間に存在するクラッド層が、１０ｎｍ以上３０
０ｎｍ以下の厚さのＡｌを含む第１の薄膜層と、この第
１の薄膜層よりＡｌ組成が小さいか又はＡｌを含まない
３ｎｍ以下の厚さの第２の薄膜層とからなる多層構造を
備えていることを特徴としている。
めに本発明が提供する手段は、ｎ型クラッド層とｐ型ク
ラッド層とで活性層を挟んでなるダブルヘテロ構造が基
板上に形成された半導体レーザであって，前記基板と活
性層との間に存在するクラッド層が、１０ｎｍ以上３０
０ｎｍ以下の厚さのＡｌを含む第１の薄膜層と、この第
１の薄膜層よりＡｌ組成が小さいか又はＡｌを含まない
３ｎｍ以下の厚さの第２の薄膜層とからなる多層構造を
備えていることを特徴としている。
【０００６】
【作用】基板上に半導体材料の結晶成長を行うと、その
半導体結晶表面には微細な凹凸が生じる。この凹凸の高
低差は、厚さが増すと大きくなる傾向にある。しかし、
組成、特にＡｌ組成の違いでこの凹凸の高低差の膜厚依
存性は若干異なる。Ａｌ組成の大きい結晶は、結晶成長
により膜厚が厚くなるにつれ、結晶表面に形成される凹
凸が少しずつ深くなり、凹凸の高低差が減ることは殆ど
無い。一方Ａｌ組成の小さい、またはＡｌを含まない結
晶は、成長初期、膜厚にして３ｎｍ以下のときには凹ん
だところに成長し易く凹凸の高低差を低減する効果を示
す。さらに成長すると凹凸の高低差は急激に大きくな
り、同じ厚さではＡｌ組成の大きい結晶に比べ凹凸の高
低差は大きい。そこでＡｌ組成の大きい層を１０ｎｍ以
上３００ｎｍ以下の厚さに成長して、結晶表面に若干の
凹凸を生じさせたあと、Ａｌ組成の小さい、またはＡｌ
を含まない結晶を３ｎｍ以下の厚さに成長すると、凹ん
だ部分に集中して成長するため凹凸の高低差を緩和する
ことができる。なお、Ａｌ組成の大きい層の厚さを１０
ｎｍ以上としたのは、凹凸が殆ど無い表面上ではＡｌ組
成の小さい、またはＡｌを含まない層３ｎｍ厚で逆に凹
凸の高低差を大きくしてしまうからである。またＡｌ組
成の大きい層の厚さを３００ｎｍ以下としたのは、３０
０ｎｍ以上では凹凸が大きすぎてＡｌ組成の小さい、ま
たはＡｌを含まない層で平坦化の効果が現れないためで
ある。このようにＡｌ組成の大きい層とＡｌ組成の小さ
い、またはＡｌを含まない層とを組み合わせ多層構造と
することにより、半導体レーザのクラッド層として必要
な約１μｍの厚さに積層した表面でも凹凸を小さくする
ことができる。
半導体結晶表面には微細な凹凸が生じる。この凹凸の高
低差は、厚さが増すと大きくなる傾向にある。しかし、
組成、特にＡｌ組成の違いでこの凹凸の高低差の膜厚依
存性は若干異なる。Ａｌ組成の大きい結晶は、結晶成長
により膜厚が厚くなるにつれ、結晶表面に形成される凹
凸が少しずつ深くなり、凹凸の高低差が減ることは殆ど
無い。一方Ａｌ組成の小さい、またはＡｌを含まない結
晶は、成長初期、膜厚にして３ｎｍ以下のときには凹ん
だところに成長し易く凹凸の高低差を低減する効果を示
す。さらに成長すると凹凸の高低差は急激に大きくな
り、同じ厚さではＡｌ組成の大きい結晶に比べ凹凸の高
低差は大きい。そこでＡｌ組成の大きい層を１０ｎｍ以
上３００ｎｍ以下の厚さに成長して、結晶表面に若干の
凹凸を生じさせたあと、Ａｌ組成の小さい、またはＡｌ
を含まない結晶を３ｎｍ以下の厚さに成長すると、凹ん
だ部分に集中して成長するため凹凸の高低差を緩和する
ことができる。なお、Ａｌ組成の大きい層の厚さを１０
ｎｍ以上としたのは、凹凸が殆ど無い表面上ではＡｌ組
成の小さい、またはＡｌを含まない層３ｎｍ厚で逆に凹
凸の高低差を大きくしてしまうからである。またＡｌ組
成の大きい層の厚さを３００ｎｍ以下としたのは、３０
０ｎｍ以上では凹凸が大きすぎてＡｌ組成の小さい、ま
たはＡｌを含まない層で平坦化の効果が現れないためで
ある。このようにＡｌ組成の大きい層とＡｌ組成の小さ
い、またはＡｌを含まない層とを組み合わせ多層構造と
することにより、半導体レーザのクラッド層として必要
な約１μｍの厚さに積層した表面でも凹凸を小さくする
ことができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示す半導体レー
ザの断面図（切断面を示すハッチングは省略）であり、
図２はこの半導体レーザの製作行程図である。図１は、
実施例の半導体レーザを共振器軸に垂直な面で切断して
示している。以下、ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レー
ザを例として説明する。
ザの断面図（切断面を示すハッチングは省略）であり、
図２はこの半導体レーザの製作行程図である。図１は、
実施例の半導体レーザを共振器軸に垂直な面で切断して
示している。以下、ＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レー
ザを例として説明する。
【０００９】本実施例の製作においては、まず一回目の
減圧ＭＯＶＰＥ法による成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ２
０ｎｍ）とｎ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ１ｎｍ）の繰
り返しからなるｎ型クラッド層２（厚さ１μｍ）、Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ１０ｎｍ）ウエルと（Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ５ｎｍ）バリアからなる
ウエル数３の量子井戸構造活性層３、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４（厚さ１μｍ）、
ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６を順次に形成した（図２（ａ））。成長条件は、温度
６６０℃、圧力７０torr、Ｖ／III ＝２００である。原
料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、ト
リエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム
（ＴＭＩｎ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）、ｎ型ドーパントとしてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ
6 ）、ｐ型ドーパントとしてジメチルジンク（ＤＭＺ
ｎ）を用いた。こうして成長したウエハにフォトリソグ
ラフィにより幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ2 マスク
９を形成した（図２（ｂ））。次にこのＳｉＯ2 マスク
９を用いてｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層４の途中までメサ状にエッチングした（図２
（ｃ））。さらに同じマスク９を用いた２回目のＭＯＶ
ＰＥ成長によりＳｉドープＧａＡｓ層８を選択的にメサ
部両脇に埋め込んだ（図２（ｄ））。そしてＳｉＯ2 マ
スク９を除去し（図２（ｅ））、３回目のＭＯＶＰＥ成
長によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を形成した（図２
（ｆ））。この後、電極３１，３２を形成し、劈開して
レーザ光放射端面を形成して図１に示す半導体レーザと
した。
減圧ＭＯＶＰＥ法による成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ２
０ｎｍ）とｎ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ１ｎｍ）の繰
り返しからなるｎ型クラッド層２（厚さ１μｍ）、Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ１０ｎｍ）ウエルと（Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（厚さ５ｎｍ）バリアからなる
ウエル数３の量子井戸構造活性層３、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層４（厚さ１μｍ）、
ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６を順次に形成した（図２（ａ））。成長条件は、温度
６６０℃、圧力７０torr、Ｖ／III ＝２００である。原
料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、ト
リエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム
（ＴＭＩｎ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）、ｎ型ドーパントとしてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ
6 ）、ｐ型ドーパントとしてジメチルジンク（ＤＭＺ
ｎ）を用いた。こうして成長したウエハにフォトリソグ
ラフィにより幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ2 マスク
９を形成した（図２（ｂ））。次にこのＳｉＯ2 マスク
９を用いてｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層４の途中までメサ状にエッチングした（図２
（ｃ））。さらに同じマスク９を用いた２回目のＭＯＶ
ＰＥ成長によりＳｉドープＧａＡｓ層８を選択的にメサ
部両脇に埋め込んだ（図２（ｄ））。そしてＳｉＯ2 マ
スク９を除去し（図２（ｅ））、３回目のＭＯＶＰＥ成
長によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を形成した（図２
（ｆ））。この後、電極３１，３２を形成し、劈開して
レーザ光放射端面を形成して図１に示す半導体レーザと
した。
【００１０】このようにして製作した本発明の半導体レ
ーザ及び図４の従来のレーザの断面について透過型電子
顕微鏡により活性層の凹凸を観察したところ、凹凸の高
低差はそれぞれ１ｎｍ以下及び６ｎｍ程度で、発振閾電
流は、それぞれ４０ｍＡ及び５５ｍＡであった。このよ
うに、従来の半導体レーザに比べ本発明の半導体レーザ
はヘテロ界面が平坦化され発振閾電流値が低くなった。
また、本発明の半導体レーザは雰囲気温度５０℃、光出
力５ｍＷで１００００時間以上の連続発光という高信頼
性を示した。
ーザ及び図４の従来のレーザの断面について透過型電子
顕微鏡により活性層の凹凸を観察したところ、凹凸の高
低差はそれぞれ１ｎｍ以下及び６ｎｍ程度で、発振閾電
流は、それぞれ４０ｍＡ及び５５ｍＡであった。このよ
うに、従来の半導体レーザに比べ本発明の半導体レーザ
はヘテロ界面が平坦化され発振閾電流値が低くなった。
また、本発明の半導体レーザは雰囲気温度５０℃、光出
力５ｍＷで１００００時間以上の連続発光という高信頼
性を示した。
【００１１】なお、上記実施例においてはＡｌＧａＩｎ
Ｐ系可視光半導体レーザの場合について説明したが、本
発明は、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰＡｓ系、Ａｌ
ＧａＳｂ系などＡｌを含むクラッド層を用いる半導体レ
ーザに適用できることは勿論である。
Ｐ系可視光半導体レーザの場合について説明したが、本
発明は、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰＡｓ系、Ａｌ
ＧａＳｂ系などＡｌを含むクラッド層を用いる半導体レ
ーザに適用できることは勿論である。
【００１２】
【発明の効果】以上に実施例を挙げて詳しく説明してき
たように、本発明により、発振閾電流値が低く、信頼性
に優れた半導体レーザが得られた。
たように、本発明により、発振閾電流値が低く、信頼性
に優れた半導体レーザが得られた。
【図１】本発明の半導体レーザの断面図である。
【図２】図１の半導体レーザの製造行程図である。
【図３】ヘテロ界面品質向上のための工夫をした従来の
半導体レーザの断面図である。
半導体レーザの断面図である。
【図４】従来方式の考え方でヘテロ界面の品質向上を試
みて製作した半導体レーザの断面図である。
みて製作した半導体レーザの断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多層構造クラッド
層 ３ ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸構造活性層 ４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ５ ｐ型ＧａＩｎＰ層 ６ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ８ ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層 ９ ＳｉＯ2 マスク
層 ３ ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸構造活性層 ４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ５ ｐ型ＧａＩｎＰ層 ６ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ８ ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層 ９ ＳｉＯ2 マスク
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで活
性層を挟んでなるダブルヘテロ構造が基板上に形成され
ている半導体レーザにおいて、前記基板と活性層との間
に存在するクラッド層が、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
の厚さのＡｌを含む第１の薄膜層とこの第１の薄膜層よ
りＡｌ組成が小さいか又はＡｌを含まない３ｎｍ以下の
厚さの第２の薄膜層とからなる多層構造を備えているこ
とを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記多層構造がＡｌＧａＩｎＰ系、Ａｌ
ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰＡｓ系またはＡｌＧａＳｂ
系材料でなることを特徴とする請求項１に記載の半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4647493A JPH0777283B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4647493A JPH0777283B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260720A JPH06260720A (ja) | 1994-09-16 |
| JPH0777283B2 true JPH0777283B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=12748194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4647493A Expired - Lifetime JPH0777283B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777283B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3363003B2 (ja) | 1995-10-03 | 2003-01-07 | 株式会社日立製作所 | 光増幅装置及び光増幅装置を用いた光伝送システム |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP4647493A patent/JPH0777283B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06260720A (ja) | 1994-09-16 |
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