JPH0777323B2 - 半導体回路素子用パッケージ - Google Patents
半導体回路素子用パッケージInfo
- Publication number
- JPH0777323B2 JPH0777323B2 JP63035384A JP3538488A JPH0777323B2 JP H0777323 B2 JPH0777323 B2 JP H0777323B2 JP 63035384 A JP63035384 A JP 63035384A JP 3538488 A JP3538488 A JP 3538488A JP H0777323 B2 JPH0777323 B2 JP H0777323B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit element
- semiconductor circuit
- package
- container body
- high frequency
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体回路素子用のパッケージにおいて、内蔵回路素子
部へ安定した同軸変換構成を得るために容器本体部に金
属筒状部を形成した半導体回路素子用パッケージに関
し、 変換効率の安定性と信頼性の向上が実現され、かつ、低
価格の半導体回路素子用パッケージを提供することを目
的とし、 高周波領域で動作する半導体回路素子（13）を放熱板
（12）上に取付け、容器本体部（11）とキャップ（23）
からなる容器内に収容する半導体回路素子用パッケージ
において、 前記容器本体部（11）に同軸変換部として金属筒状部
（11a）を一体的に形成してなることを特徴とする半導
体回路素子用パッケージを含み構成する。
部へ安定した同軸変換構成を得るために容器本体部に金
属筒状部を形成した半導体回路素子用パッケージに関
し、 変換効率の安定性と信頼性の向上が実現され、かつ、低
価格の半導体回路素子用パッケージを提供することを目
的とし、 高周波領域で動作する半導体回路素子（13）を放熱板
（12）上に取付け、容器本体部（11）とキャップ（23）
からなる容器内に収容する半導体回路素子用パッケージ
において、 前記容器本体部（11）に同軸変換部として金属筒状部
（11a）を一体的に形成してなることを特徴とする半導
体回路素子用パッケージを含み構成する。
本発明は、半導体回路素子用のパッケージにおいて、内
蔵回路素子部へ安定した同軸変換構成を得るために容器
本体部に金属筒状部を形成した半導体回路素子用パッケ
ージに関する。
蔵回路素子部へ安定した同軸変換構成を得るために容器
本体部に金属筒状部を形成した半導体回路素子用パッケ
ージに関する。
マイクロ波領域で作動する高周波回路素子として、例え
ば増幅器と同軸変換部構造等を有する半導体回路素子の
容器は、第６図〜第９図に示す如く構成されている。
ば増幅器と同軸変換部構造等を有する半導体回路素子の
容器は、第６図〜第９図に示す如く構成されている。
第６図はキャップを取り外した状態の半導体回路素子用
パッケージの斜視図、第７図はキャップを被せた状態の
半導体回路素子用パッケージの縦断面図、第８図はキャ
ップを被せた状態の半導体回路素子用パッケージの斜視
図、第９図は同軸変換部の縦断面図である。これらの図
において、容器本体部11は４角形の金属板からなり、そ
の上面に銅等の材料からなる放熱板12がネジ14等により
固定されている。この放熱板12上には、アルミナ等のマ
イクロストリップラインに半導体回路素子13が設けられ
ており、該半導体回路素子13からの発熱が放熱板12、容
器本体部11を介して外部に放出されるようになってい
る。また、容器本体部11には、孔を形成し、この孔に金
属棒からなる高周波入出力端子15,16と内蔵回路制御用
端子17,18が設けられている。容器本体部11は、金属性
で導電性であるから各端子15〜18と該容器本体部11との
間は、例えば誘電体となる材料として該電体ガラス19等
でハーメチックシールされている。また、高周波入出力
端子15,16部分には、同軸変換部の伝送損失を減少する
ために、該高周波入出力端子15,16の周りをほぼ半円筒
状に覆う部分を形成した金属ブロック20,21が容器本体
部11内にロー付け等により固定されている。高周波入出
力端子15,16の端部と半導体回路素子13との間は、接続
用細線22,…で接続されている。そして、半導体回路素
子13を搭載した容器本体部11上部には、金属製からなる
キャップ23で不活性ガスを封入した状態で覆い、抵抗溶
接機等で溶接し気密封止される。
パッケージの斜視図、第７図はキャップを被せた状態の
半導体回路素子用パッケージの縦断面図、第８図はキャ
ップを被せた状態の半導体回路素子用パッケージの斜視
図、第９図は同軸変換部の縦断面図である。これらの図
において、容器本体部11は４角形の金属板からなり、そ
の上面に銅等の材料からなる放熱板12がネジ14等により
固定されている。この放熱板12上には、アルミナ等のマ
イクロストリップラインに半導体回路素子13が設けられ
ており、該半導体回路素子13からの発熱が放熱板12、容
器本体部11を介して外部に放出されるようになってい
る。また、容器本体部11には、孔を形成し、この孔に金
属棒からなる高周波入出力端子15,16と内蔵回路制御用
端子17,18が設けられている。容器本体部11は、金属性
で導電性であるから各端子15〜18と該容器本体部11との
間は、例えば誘電体となる材料として該電体ガラス19等
でハーメチックシールされている。また、高周波入出力
端子15,16部分には、同軸変換部の伝送損失を減少する
ために、該高周波入出力端子15,16の周りをほぼ半円筒
状に覆う部分を形成した金属ブロック20,21が容器本体
部11内にロー付け等により固定されている。高周波入出
力端子15,16の端部と半導体回路素子13との間は、接続
用細線22,…で接続されている。そして、半導体回路素
子13を搭載した容器本体部11上部には、金属製からなる
キャップ23で不活性ガスを封入した状態で覆い、抵抗溶
接機等で溶接し気密封止される。
このように構成される半導体回路素子用パッケージは、
第９図に示す如く、筒状に形成された導波管24内に高周
波入出力端子15,16を挿入するようにして取り付けられ
る。導波管24内には、例えば、2GHz〜10GHz程度の高周
波が導入され、同軸変換部を構成する高周波入出力端子
15,16がアンテナとして作用し電気信号に変換される。
第９図に示す如く、筒状に形成された導波管24内に高周
波入出力端子15,16を挿入するようにして取り付けられ
る。導波管24内には、例えば、2GHz〜10GHz程度の高周
波が導入され、同軸変換部を構成する高周波入出力端子
15,16がアンテナとして作用し電気信号に変換される。
しかし、従来の半導体回路素子13の容器構造では、高周
波入出力端子15,16部分の伝送損失減少を考慮した金属
ブロック20,21をロー付け作業等の手法により容器本体
部11に取り付ける際に、ロー材の流れ出しによる電極間
の短絡、浮き傾き等の不完全接着による接続不良、位置
ズレ等の精度不良によりインピーダンスのマッチング不
良が生じ変換効率の低下等、信頼性上の諸問題点が発生
することがあった。
波入出力端子15,16部分の伝送損失減少を考慮した金属
ブロック20,21をロー付け作業等の手法により容器本体
部11に取り付ける際に、ロー材の流れ出しによる電極間
の短絡、浮き傾き等の不完全接着による接続不良、位置
ズレ等の精度不良によりインピーダンスのマッチング不
良が生じ変換効率の低下等、信頼性上の諸問題点が発生
することがあった。
そこで本発明は、変換効率の安定性と信頼性の向上が実
現され、かつ、低価格の半導体回路素子用パッケージを
提供することを目的とする。
現され、かつ、低価格の半導体回路素子用パッケージを
提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、高周波領域で動作し、導波管からの電波
を受信するアンテナとしての高周波入力端子を有する半
導体回路素子を放熱板上に取付け、容器本体部とキャッ
プからなる容器内に収容する半導体回路素子用パッケー
ジにおいて、前記容器本体部に同軸変換部として金属筒
状部を一体的に形成し、該金属筒状部の中に前記高周波
入力端子を挿通してなることを特徴とする半導体回路素
子用パッケージによって解決される。
を受信するアンテナとしての高周波入力端子を有する半
導体回路素子を放熱板上に取付け、容器本体部とキャッ
プからなる容器内に収容する半導体回路素子用パッケー
ジにおいて、前記容器本体部に同軸変換部として金属筒
状部を一体的に形成し、該金属筒状部の中に前記高周波
入力端子を挿通してなることを特徴とする半導体回路素
子用パッケージによって解決される。
すなわち、本発明は容器本体部を、例えばプレス加工す
るときに同時に絞りだし等により同軸変換部の金属筒状
部を一体的に形成することができ、従来の金属ブロック
をロー付け等によって取り付けるような不安定な要因を
解消し、低価格の容器を提供することができる。従っ
て、半導体回路素子用パッケージの小型軽量化と、量産
性の著しい向上が得られ、価格低減に寄与することがで
きる。
るときに同時に絞りだし等により同軸変換部の金属筒状
部を一体的に形成することができ、従来の金属ブロック
をロー付け等によって取り付けるような不安定な要因を
解消し、低価格の容器を提供することができる。従っ
て、半導体回路素子用パッケージの小型軽量化と、量産
性の著しい向上が得られ、価格低減に寄与することがで
きる。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明す
る。
る。
第１図はキャップを取り外した状態の半導体回路素子用
パッケージの斜視図、第２図はキャップを被せた状態の
半導体回路素子用パッケージの縦断面図、第３図はキャ
ップを被せた状態の半導体回路素子用パッケージの斜視
図、第４図は同軸変換部の縦断面図、第５図は第４図の
同軸変換部のＡ−Ａ線断面図である。なお、第６図〜第
９図に対応する部分は同一の符号を記す。これらの図に
おいて、従来と同様に形成された容器本体部11の上面に
は、銅等の材料からなる放熱板12に取り付けられたアル
ミナ等のマイクロストリップラインに設けた半導体回路
素子13がネジ14等により固定されている。また、容器本
体部11には、例えば、外径が0.5mm程度の高周波入出力
端子15,16と内蔵回路制御用端子17,18が設けられてい
る。高周波入出力端子15,16部分には、インピーダンス
のマッチングをとるとともに同軸変換部の伝送損失を減
少するために、該高周波入出力端子15,16の周りを円筒
状に覆う金属筒状部11a,…が容器本体部11に一体的に成
形されている。このような金属筒状部11a,…は、内径が
例えば3mm程度で高さが放熱板14よりやや低い程度であ
り、容器本体部11のプレス加工と同時にバーリング加工
等の絞りだし法により一体成形できる。この金属筒状部
11a,…の中心には各端子15〜18がその端部が金属筒状部
11aよりやや突出するように挿通されている。容器本体
部11は、金属性で導電性であるから各端子15〜18と該容
器本体部11の金属筒状部11a,…との間は、誘電体ガラス
19等でハーメチックシールされ、電気的絶縁性と気密性
とが保たれるようになっている。また、半導体回路素子
13が固定される放熱板12には、金属筒状部11a,…に当接
しないよう切欠き部分12a,…が形成されている。高周波
入出力端子15,16の端部と半導体回路素子13との間は、
接続用細線22,…で接続されている。そして、半導体回
路素子13を搭載した容器本体部11上部は、金属製からな
るキャップ23で不活性ガスを封入した状態で覆い、抵抗
溶接機等で溶接し気密封止される。
パッケージの斜視図、第２図はキャップを被せた状態の
半導体回路素子用パッケージの縦断面図、第３図はキャ
ップを被せた状態の半導体回路素子用パッケージの斜視
図、第４図は同軸変換部の縦断面図、第５図は第４図の
同軸変換部のＡ−Ａ線断面図である。なお、第６図〜第
９図に対応する部分は同一の符号を記す。これらの図に
おいて、従来と同様に形成された容器本体部11の上面に
は、銅等の材料からなる放熱板12に取り付けられたアル
ミナ等のマイクロストリップラインに設けた半導体回路
素子13がネジ14等により固定されている。また、容器本
体部11には、例えば、外径が0.5mm程度の高周波入出力
端子15,16と内蔵回路制御用端子17,18が設けられてい
る。高周波入出力端子15,16部分には、インピーダンス
のマッチングをとるとともに同軸変換部の伝送損失を減
少するために、該高周波入出力端子15,16の周りを円筒
状に覆う金属筒状部11a,…が容器本体部11に一体的に成
形されている。このような金属筒状部11a,…は、内径が
例えば3mm程度で高さが放熱板14よりやや低い程度であ
り、容器本体部11のプレス加工と同時にバーリング加工
等の絞りだし法により一体成形できる。この金属筒状部
11a,…の中心には各端子15〜18がその端部が金属筒状部
11aよりやや突出するように挿通されている。容器本体
部11は、金属性で導電性であるから各端子15〜18と該容
器本体部11の金属筒状部11a,…との間は、誘電体ガラス
19等でハーメチックシールされ、電気的絶縁性と気密性
とが保たれるようになっている。また、半導体回路素子
13が固定される放熱板12には、金属筒状部11a,…に当接
しないよう切欠き部分12a,…が形成されている。高周波
入出力端子15,16の端部と半導体回路素子13との間は、
接続用細線22,…で接続されている。そして、半導体回
路素子13を搭載した容器本体部11上部は、金属製からな
るキャップ23で不活性ガスを封入した状態で覆い、抵抗
溶接機等で溶接し気密封止される。
上記構成の半導体回路素子用パッケージによれば、同軸
変換部を形成する金属筒状部11a,…が、容器本体部11の
プレス加工と同時にバーリング加工等の絞りだし法によ
り一体成形されるため、従来の金属ブロックをロー付け
等によって取り付けるような不安定な要因がなくなり、
かつバラツキも少なく成形でき、位置精度、電極間短絡
等の問題が解消される。また、従来の金属ブロックが不
要になるため小型化でき、組立も容易になる。さらに、
放熱板12に切欠き部分12a,…を形成しているため、高周
波入出力端子15,16の端部と半導体回路素子13との間の
接続用細線22,…の結線を短距離にすることができる。
従って、半導体回路素子用パッケージの小型軽量化と、
量産性の著しい向上が得られ、価格低減に寄与すること
ができる。
変換部を形成する金属筒状部11a,…が、容器本体部11の
プレス加工と同時にバーリング加工等の絞りだし法によ
り一体成形されるため、従来の金属ブロックをロー付け
等によって取り付けるような不安定な要因がなくなり、
かつバラツキも少なく成形でき、位置精度、電極間短絡
等の問題が解消される。また、従来の金属ブロックが不
要になるため小型化でき、組立も容易になる。さらに、
放熱板12に切欠き部分12a,…を形成しているため、高周
波入出力端子15,16の端部と半導体回路素子13との間の
接続用細線22,…の結線を短距離にすることができる。
従って、半導体回路素子用パッケージの小型軽量化と、
量産性の著しい向上が得られ、価格低減に寄与すること
ができる。
なお、上記実施例において、金属筒状部11aは容器本体
部11とプレス加工等により一体形成されていればよく、
その径等は高周波入出力端子15,16の外径と誘電体ガラ
ス19の誘電率等により決定される。また、誘電体ガラス
19は少なくとも電気的絶縁と気密を達成できる他の誘電
体を用いることができる。
部11とプレス加工等により一体形成されていればよく、
その径等は高周波入出力端子15,16の外径と誘電体ガラ
ス19の誘電率等により決定される。また、誘電体ガラス
19は少なくとも電気的絶縁と気密を達成できる他の誘電
体を用いることができる。
以上説明したように本発明によれば、高周波領域回路を
形成する半導体回路素子を収容する容器本体部とキャッ
プからなる容器において、容器本体部に同軸変換部とし
て金属筒状部を一体的に形成する構造により、プレス加
工時に一体成形することが可能になり、位置精度、電極
間短絡等の問題が解消でき、低価格の容器を提供するこ
とができる。これにより、半導体回路素子用パッケージ
の同軸変換構造の安定性と小型化、軽量化及び量産性の
著しい向上が得られ、価格低減に寄与することができ
る。
形成する半導体回路素子を収容する容器本体部とキャッ
プからなる容器において、容器本体部に同軸変換部とし
て金属筒状部を一体的に形成する構造により、プレス加
工時に一体成形することが可能になり、位置精度、電極
間短絡等の問題が解消でき、低価格の容器を提供するこ
とができる。これにより、半導体回路素子用パッケージ
の同軸変換構造の安定性と小型化、軽量化及び量産性の
著しい向上が得られ、価格低減に寄与することができ
る。
第１図は本発明実施例の斜視図、 第２図は本発明実施例の縦断面図、 第３図は本発明実施例の斜視図、 第４図は第１図の半導体装置の同軸変換部の縦断面図、 第５図は第４図の同軸変換部のＡ−Ａ線断面図、 第６図は従来例の装置の斜視図、 第７図は従来例の半導体装置の縦断面図、 第８図は従来例の半導体装置の斜視図、 第９図は第６図の半導体装置の同軸変換部の縦断面図で
ある。 図において、 11は容器本体部、11aは金属筒状部、12は放熱板、12aは
切欠き部、13は半導体回路素子、14はネジ、15,16は高
周波入出力端子、17,18は内蔵回路制御用端子、19は誘
電体ガラス、20,21は金属ブロック、22は接続用細線、2
3はキャップ、24は導波管、を示す。
ある。 図において、 11は容器本体部、11aは金属筒状部、12は放熱板、12aは
切欠き部、13は半導体回路素子、14はネジ、15,16は高
周波入出力端子、17,18は内蔵回路制御用端子、19は誘
電体ガラス、20,21は金属ブロック、22は接続用細線、2
3はキャップ、24は導波管、を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】高周波領域で動作し、導波管からの電波を
受信するアンテナとしての高周波入力端子を有する半導
体回路素子（13）を放熱板（12）上に取付け、容器本体
部（11）とキャップ（23）からなる容器内に収容する半
導体回路素子用パッケージにおいて、 前記容器本体部（11）に同軸変換部として金属筒状部
（11a）を一体的に形成し、該金属筒状部の中に前記高
周波入力端子を挿通してなることを特徴とする半導体回
路素子用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035384A JPH0777323B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体回路素子用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035384A JPH0777323B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体回路素子用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211955A JPH01211955A (ja) | 1989-08-25 |
| JPH0777323B2 true JPH0777323B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=12440406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035384A Expired - Lifetime JPH0777323B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体回路素子用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777323B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4321662Y1 (ja) * | 1965-09-03 | 1968-09-11 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63035384A patent/JPH0777323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01211955A (ja) | 1989-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |