JPH0777436B2 - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JPH0777436B2 JPH0777436B2 JP1183976A JP18397689A JPH0777436B2 JP H0777436 B2 JPH0777436 B2 JP H0777436B2 JP 1183976 A JP1183976 A JP 1183976A JP 18397689 A JP18397689 A JP 18397689A JP H0777436 B2 JPH0777436 B2 JP H0777436B2
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- photocharges
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、チャネル領域中の光電荷をチャネル領域外に
排出させる固体撮像素子の駆動方法に関する （ロ）従来の技術 従来、CCD固体撮像素子を用いたテレビカメラの如き撮
像装置に於いては、CCDの動作原理を活用して電子的に
露光制御を行うことが考えられている。このような露光
制御方法は、例えば特開昭63−24764号公報に開示され
ている如く、垂直走査期間毎の光電変換期間の途中でそ
れまで撮像部に蓄積した光電荷を転送排出し、残余の光
電変換期間に光電変換して得た光電荷を蓄積するように
構成されれいる。即ち、光電荷の排出のタイミングの変
更に依って光電変換期間が伸縮されるもので、光電荷の
排出のタイミングがCCDの出力信号のレベルに従って設
定される。
排出させる固体撮像素子の駆動方法に関する （ロ）従来の技術 従来、CCD固体撮像素子を用いたテレビカメラの如き撮
像装置に於いては、CCDの動作原理を活用して電子的に
露光制御を行うことが考えられている。このような露光
制御方法は、例えば特開昭63−24764号公報に開示され
ている如く、垂直走査期間毎の光電変換期間の途中でそ
れまで撮像部に蓄積した光電荷を転送排出し、残余の光
電変換期間に光電変換して得た光電荷を蓄積するように
構成されれいる。即ち、光電荷の排出のタイミングの変
更に依って光電変換期間が伸縮されるもので、光電荷の
排出のタイミングがCCDの出力信号のレベルに従って設
定される。
このようなCCDの駆動法では、撮像部の不要な光電荷を
読出転送方向とは反対の方向に転送することで排出して
いるが、逆方向への転送に依る光電荷の排出は、読出転
送時と同様に排出転送時にもスミアが発生するという問
題がある。そこで、スミアの発生しない光電荷の排出方
法が種々考えられている。例えば、本願出願人既提案の
特願平１−96713号では、縦型オーバーフロードレイン
構造のCCDに於いて、オーバーフロードレインとなる半
導体基板の電位を高くすることで、蓄積転送チャネルと
半導体基板との間の電位障壁を消滅させて蓄積転送チャ
ネルから半導体基板側に光電荷を排出させている。
読出転送方向とは反対の方向に転送することで排出して
いるが、逆方向への転送に依る光電荷の排出は、読出転
送時と同様に排出転送時にもスミアが発生するという問
題がある。そこで、スミアの発生しない光電荷の排出方
法が種々考えられている。例えば、本願出願人既提案の
特願平１−96713号では、縦型オーバーフロードレイン
構造のCCDに於いて、オーバーフロードレインとなる半
導体基板の電位を高くすることで、蓄積転送チャネルと
半導体基板との間の電位障壁を消滅させて蓄積転送チャ
ネルから半導体基板側に光電荷を排出させている。
第３図は、上述の駆動方法を採用するCCD固体撮像素子
の要部平面図であり、第４図は第３図Ｘ−Ｘ′線断面図
である。ここでは、フレームトランスファ型CCDの撮像
部が示してある。
の要部平面図であり、第４図は第３図Ｘ−Ｘ′線断面図
である。ここでは、フレームトランスファ型CCDの撮像
部が示してある。
Ｎ型の半導体基板（１）の一方の面には、Ｐ−We11領域
（２）が形成され、このＰ−Well領域（２）内にはP+型
のチャネルストップ領域（３）が複数本平行に配列形成
される。各チャネルストップ領域（３）の間にはＮ型の
拡散領域（４）が形成されて埋込型の蓄積転送チャネル
が構成される。そして、拡散領域（４）上にチャネルス
トップ領域（３）に直交する転送電極（5a）（5b）が絶
縁膜（６）を介して形成される。この転送電極（5a）
（5b）は、２層構造を成し、このうち上層の転送電極
（5b）はチャネルストップ領域（３）上でその幅が細く
なっていると共に、隣り合う下層の転送電極（5a）間に
跨がって設けられる。これら転送電極（5a）（5b）は、
４相の転送クロックφF1〜φF4に依ってパルス駆動され
るものであり、各転送電極（5a）（5b）には４相の転送
クロックφF1〜φF4が順次印加される。
（２）が形成され、このＰ−Well領域（２）内にはP+型
のチャネルストップ領域（３）が複数本平行に配列形成
される。各チャネルストップ領域（３）の間にはＮ型の
拡散領域（４）が形成されて埋込型の蓄積転送チャネル
が構成される。そして、拡散領域（４）上にチャネルス
トップ領域（３）に直交する転送電極（5a）（5b）が絶
縁膜（６）を介して形成される。この転送電極（5a）
（5b）は、２層構造を成し、このうち上層の転送電極
（5b）はチャネルストップ領域（３）上でその幅が細く
なっていると共に、隣り合う下層の転送電極（5a）間に
跨がって設けられる。これら転送電極（5a）（5b）は、
４相の転送クロックφF1〜φF4に依ってパルス駆動され
るものであり、各転送電極（5a）（5b）には４相の転送
クロックφF1〜φF4が順次印加される。
一方、半導体基板（１）は、電位制御クロックφsubが
印加され、Ｐ−Well領域（２）はチャネルストップ領域
（３）を介して接地電位に固定される。このように、半
導体基板（１）に電位制御クロックφsubが印加され、
Ｐ−Well領域（２）に特定の電位を印加したときのＹ−
Ｙ′線（第４図中）のポテンシャルの状態を第５図に示
す。このとき、転送電極（5b）は、接地レベルに対して
一定の値だけ高いレベルに保持され、半導体基板（１）
が低電位に保持されてＰ−Well領域（２）付近にポテン
シャル障壁が形成される。従って、このポテンシャル障
壁と半導体基板（１）表面ポテンシャル障壁との間に形
成されるポテンシャル井戸に光電荷ｅが蓄積されること
になる。この光電荷ｅの転送は、Ｐ−Well領域（２）付
近のポテンシャル障壁が十分な高さを維持できる範囲で
各転送電極（5a）（5b）の電位を変動して行う。
印加され、Ｐ−Well領域（２）はチャネルストップ領域
（３）を介して接地電位に固定される。このように、半
導体基板（１）に電位制御クロックφsubが印加され、
Ｐ−Well領域（２）に特定の電位を印加したときのＹ−
Ｙ′線（第４図中）のポテンシャルの状態を第５図に示
す。このとき、転送電極（5b）は、接地レベルに対して
一定の値だけ高いレベルに保持され、半導体基板（１）
が低電位に保持されてＰ−Well領域（２）付近にポテン
シャル障壁が形成される。従って、このポテンシャル障
壁と半導体基板（１）表面ポテンシャル障壁との間に形
成されるポテンシャル井戸に光電荷ｅが蓄積されること
になる。この光電荷ｅの転送は、Ｐ−Well領域（２）付
近のポテンシャル障壁が十分な高さを維持できる範囲で
各転送電極（5a）（5b）の電位を変動して行う。
ここで、転送電極（5a）（5b）の電位を一定レベル以下
にすると共に半導体基板（１）の電位を高くすると、第
６図に破線で示す如く半導体基板（１）表面のポテンシ
ャルが浅くなり、これに伴って拡散領域（４）内のポテ
ンシャルが浅くなるためにＰ−Well領域（２）付近のポ
テンシャル障壁が消滅して光電荷ｅが全て半導体基板
（１）側に流れる。従って、蓄積転送チャネルに蓄積さ
れる光電荷ｅを排出する場合には、転送電極（5a）（5
b）の電位を下げることに依って行うことができる。
にすると共に半導体基板（１）の電位を高くすると、第
６図に破線で示す如く半導体基板（１）表面のポテンシ
ャルが浅くなり、これに伴って拡散領域（４）内のポテ
ンシャルが浅くなるためにＰ−Well領域（２）付近のポ
テンシャル障壁が消滅して光電荷ｅが全て半導体基板
（１）側に流れる。従って、蓄積転送チャネルに蓄積さ
れる光電荷ｅを排出する場合には、転送電極（5a）（5
b）の電位を下げることに依って行うことができる。
このように光電荷の排出方法に依ると、撮像部全体の光
電荷を略同時に、しかも極めて短い期間に排出すること
ができるため、逆転送に依る光電荷の排出方法に比して
スミアが大幅に抑圧される。
電荷を略同時に、しかも極めて短い期間に排出すること
ができるため、逆転送に依る光電荷の排出方法に比して
スミアが大幅に抑圧される。
（ハ）発明が解決しようとする課題 しかしながら、光電荷を拡散領域（４）から半導体基板
（１）側に流す場合、拡散領域（４）内に不要な光電荷
を残留することがある。これは、拡散領域（４）やＰ−
Well領域（２）等の不純物濃度、両領域（４）及び
（２）の厚さ等の製造時のばらつきに依り、Ｐ−Well領
域（２）付近のポテンシャル障壁が消滅し易い領域と、
消滅し難い領域とが生ずるためであり、各領域を均一な
電位とした場合、ポテンシャル障壁の消滅し難い領域に
光電荷が残留する。このような光電荷の残留を防止する
ためには、全ての領域でＰ−Well領域（２）付近のポテ
ンシャル障壁が十分に消滅するような極めて高い電位差
を拡散領域（４）と半導体基板（１）との間に与える必
要がある。従って、CCDを駆動する駆動パルスの電圧が
高くなるという問題が生ずる。
（１）側に流す場合、拡散領域（４）内に不要な光電荷
を残留することがある。これは、拡散領域（４）やＰ−
Well領域（２）等の不純物濃度、両領域（４）及び
（２）の厚さ等の製造時のばらつきに依り、Ｐ−Well領
域（２）付近のポテンシャル障壁が消滅し易い領域と、
消滅し難い領域とが生ずるためであり、各領域を均一な
電位とした場合、ポテンシャル障壁の消滅し難い領域に
光電荷が残留する。このような光電荷の残留を防止する
ためには、全ての領域でＰ−Well領域（２）付近のポテ
ンシャル障壁が十分に消滅するような極めて高い電位差
を拡散領域（４）と半導体基板（１）との間に与える必
要がある。従って、CCDを駆動する駆動パルスの電圧が
高くなるという問題が生ずる。
そこで本発明は、拡散領域（４）内の光電荷を排出する
際の駆動パルスの電圧を下げると共に、拡散領域（４）
内に光電荷を残留するのを防止することを目的とする。
際の駆動パルスの電圧を下げると共に、拡散領域（４）
内に光電荷を残留するのを防止することを目的とする。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、
一導電型の半導体基板の一主面に逆導電型の拡散領域が
設けられると共に、この拡散領域内に複数のチャネル領
域がチャネルストップ領域で互いに分離されて配列形成
され、上記チャネル領域中の過剰な光電荷を上記半導体
基板に受けるCCD固体撮像素子の駆動方法に於いて、上
記チャネル領域と上記半導体基板との間に電位障壁を形
成しうる上記半導体基板の電位に対し、上記半導体基板
を高電位として上記電位障壁を消滅させると共に、上記
チャネル領域上に設けられた転送電極をパルス駆動する
ことで、上記チャネル領域中の光電荷を上記チャネル領
域から上記半導体基板側に排出せしめることを特徴とす
る。
一導電型の半導体基板の一主面に逆導電型の拡散領域が
設けられると共に、この拡散領域内に複数のチャネル領
域がチャネルストップ領域で互いに分離されて配列形成
され、上記チャネル領域中の過剰な光電荷を上記半導体
基板に受けるCCD固体撮像素子の駆動方法に於いて、上
記チャネル領域と上記半導体基板との間に電位障壁を形
成しうる上記半導体基板の電位に対し、上記半導体基板
を高電位として上記電位障壁を消滅させると共に、上記
チャネル領域上に設けられた転送電極をパルス駆動する
ことで、上記チャネル領域中の光電荷を上記チャネル領
域から上記半導体基板側に排出せしめることを特徴とす
る。
（ホ）作 用 本発明に依れば、撮像部の光電荷が読出方向とは反対の
方向に転送さえる過程に於いてチャネル領域から半導体
基板側に排出されるために、チャネル領域と半導体基板
との間の電位障壁の消滅し難い領域に残留した光電荷は
転送経路中の電位障壁が消滅し易い領域で半導体基板側
に排出される。
方向に転送さえる過程に於いてチャネル領域から半導体
基板側に排出されるために、チャネル領域と半導体基板
との間の電位障壁の消滅し難い領域に残留した光電荷は
転送経路中の電位障壁が消滅し易い領域で半導体基板側
に排出される。
（ヘ）実施例 本発明の一実施例を図面に従って説明する。
第１図は本発明駆動方法を要いて自動露光制御を行う撮
像装置のブロック図である。
像装置のブロック図である。
CCD固体撮像素子（10）は、撮像部に照射された映像を
光電変換し、得られた光電荷が一定期間毎に読出駆動さ
れて画面単位で連続する撮像信号Ｘ（ｔ）を出力する。
この映像信号Ｘ（ｔ）は信号処理回路（11）でサンプル
ホールド、マンガ補正等の処理が施され、ビデオ信号Ｙ
（ｔ）として外部機器に出力される。
光電変換し、得られた光電荷が一定期間毎に読出駆動さ
れて画面単位で連続する撮像信号Ｘ（ｔ）を出力する。
この映像信号Ｘ（ｔ）は信号処理回路（11）でサンプル
ホールド、マンガ補正等の処理が施され、ビデオ信号Ｙ
（ｔ）として外部機器に出力される。
CCD（10）は、各種クロックでパルス駆動されるもの
で、読出クロック発生回路（12）から順方向転送クロッ
クφＦ、排出クロック発生回路（13）から逆方向転送ク
ロックφＢが撮像部の転送電極に供給される。さらに、
CCD（10）の半導体基板（１）は、制御クロック発生回
路（14）から電位制御クロックφsubが供給される。こ
れらクロック発生回路（12）（13）及び（14）には、読
出タイミング設定回路（15）及び排出タイミング設定回
路（16）から、夫々読出タイミング信号FT及び排出タイ
ミング信号RTが供給され、この読出タイミング信号FT及
び排出タイミング信号RTに従って各クロック発生回路
（12）（13）及び14が動作する。即ち、CCD（10）に蓄
積された光電荷は、一定期間毎に順方向転送クロックφ
Ｆに依って読出駆動され、排出タイミング信号RTで設定
されるタイミングに逆方向転送クロックφＢで読出駆動
の方向とは反対の方向に転送されると共に電位制御クロ
ックφsubで半導体基板側に排出せしめられる。
で、読出クロック発生回路（12）から順方向転送クロッ
クφＦ、排出クロック発生回路（13）から逆方向転送ク
ロックφＢが撮像部の転送電極に供給される。さらに、
CCD（10）の半導体基板（１）は、制御クロック発生回
路（14）から電位制御クロックφsubが供給される。こ
れらクロック発生回路（12）（13）及び（14）には、読
出タイミング設定回路（15）及び排出タイミング設定回
路（16）から、夫々読出タイミング信号FT及び排出タイ
ミング信号RTが供給され、この読出タイミング信号FT及
び排出タイミング信号RTに従って各クロック発生回路
（12）（13）及び14が動作する。即ち、CCD（10）に蓄
積された光電荷は、一定期間毎に順方向転送クロックφ
Ｆに依って読出駆動され、排出タイミング信号RTで設定
されるタイミングに逆方向転送クロックφＢで読出駆動
の方向とは反対の方向に転送されると共に電位制御クロ
ックφsubで半導体基板側に排出せしめられる。
一方、露光量判定回路（17）は、CCD（10）から得られ
る映像信号Ｘ（ｔ）の露光量を検知し、その露光量が適
正範囲以上であれば露光抑制信号CLOSE、適正範囲以下
であれば露光促進信号OPENを排出タイミング設定回路
（16）に与える。そして、排出タイミング設定回路（1
6）は、露光抑制信号CLOSE及び露光促進信号OPENに従っ
て露光期間を伸縮制御する。
る映像信号Ｘ（ｔ）の露光量を検知し、その露光量が適
正範囲以上であれば露光抑制信号CLOSE、適正範囲以下
であれば露光促進信号OPENを排出タイミング設定回路
（16）に与える。そして、排出タイミング設定回路（1
6）は、露光抑制信号CLOSE及び露光促進信号OPENに従っ
て露光期間を伸縮制御する。
第２図は第１図の動作を示すタイミング図である。
読出タイミング信号FTは、垂直走査信号VDのブランキン
グ期間の所定のタイミングにタイミングパルス（ａ）を
有しており、このタイミングパルス（ａ）の入力で読出
クロック発生回路（12）は一画面分の光電荷を垂直方向
に転送するクロックパルス（ｂ）を発生する。排出タイ
ミング信号RTは、垂直走査期間の特定のタイミングにタ
イミングパルス（ｃ）を有しており、このタイミングに
それまで蓄積した光電荷が排出される。このタイミング
パルス（ｃ）の発生するタイミングは、露光量判定回路
（17）からの露光抑制信号CLOSEで遅らせられ、露光促
進信号OPENで速められるように構成されている。タイミ
ングパルス（ｃ）が排出クロック発生回路（13）及び制
御クロック発生回路（14）に入力されると、水平走査信
号HDのブランキング期間に電位制御クロックφsubが立
上り、一定期間（ここでは水平走査信号HDの１周期）の
後同じくブランキング期間に立下ると共に、電位制御ク
ロックφsubが立上ってから立下るまでの期間の水平走
査信号HDのブランキング期間に逆方向転送クロックφＢ
がクロックパルス（ｄ）を発生する。光電荷の排出期間
中は、電位制御クロックφsubに依って半導体基板の電
位が高められてポテンシャルが深く形成され、チャネル
領域と半導体基板との間のポテンシャル障壁が消滅され
た状態で、チャネル領域の光電荷が逆方向に転送され
る。従って、ポテンシャル障壁が完全に消滅せずに光電
荷が残留するような領域があった場合、その残留電荷が
一定の区間を転送される間にポテンシャル障壁の消滅し
た領域に入れば半導体基板側に排出される。この排出期
間が終わってから、次に順方向転送クロックφＦがクロ
ックパルス（ｂ）を発生するまでの期間が露光期間Ｅと
して設定され、この期間Ｅで一画面分の光電荷が蓄積さ
れる。
グ期間の所定のタイミングにタイミングパルス（ａ）を
有しており、このタイミングパルス（ａ）の入力で読出
クロック発生回路（12）は一画面分の光電荷を垂直方向
に転送するクロックパルス（ｂ）を発生する。排出タイ
ミング信号RTは、垂直走査期間の特定のタイミングにタ
イミングパルス（ｃ）を有しており、このタイミングに
それまで蓄積した光電荷が排出される。このタイミング
パルス（ｃ）の発生するタイミングは、露光量判定回路
（17）からの露光抑制信号CLOSEで遅らせられ、露光促
進信号OPENで速められるように構成されている。タイミ
ングパルス（ｃ）が排出クロック発生回路（13）及び制
御クロック発生回路（14）に入力されると、水平走査信
号HDのブランキング期間に電位制御クロックφsubが立
上り、一定期間（ここでは水平走査信号HDの１周期）の
後同じくブランキング期間に立下ると共に、電位制御ク
ロックφsubが立上ってから立下るまでの期間の水平走
査信号HDのブランキング期間に逆方向転送クロックφＢ
がクロックパルス（ｄ）を発生する。光電荷の排出期間
中は、電位制御クロックφsubに依って半導体基板の電
位が高められてポテンシャルが深く形成され、チャネル
領域と半導体基板との間のポテンシャル障壁が消滅され
た状態で、チャネル領域の光電荷が逆方向に転送され
る。従って、ポテンシャル障壁が完全に消滅せずに光電
荷が残留するような領域があった場合、その残留電荷が
一定の区間を転送される間にポテンシャル障壁の消滅し
た領域に入れば半導体基板側に排出される。この排出期
間が終わってから、次に順方向転送クロックφＦがクロ
ックパルス（ｂ）を発生するまでの期間が露光期間Ｅと
して設定され、この期間Ｅで一画面分の光電荷が蓄積さ
れる。
上述の如き駆動方法に依れば、逆方向転送クロックφＢ
で転送される一定の区間内の一部でチャネル領域から半
導体基板側に光電荷が排出されれば良いことから、CCD
（10）の製造ばらつきに依って部分的に光電荷の排出さ
れ難い領域があったとしても、この領域に応じて電位制
御し、駆動電圧を低下させることが可能である。
で転送される一定の区間内の一部でチャネル領域から半
導体基板側に光電荷が排出されれば良いことから、CCD
（10）の製造ばらつきに依って部分的に光電荷の排出さ
れ難い領域があったとしても、この領域に応じて電位制
御し、駆動電圧を低下させることが可能である。
尚、本実施例に於いては、光電荷の排出タイミングをCC
D（10）の露光量に対応させた（自動露光制御）場合を
例示しているが、本発明駆動方法を用いて可変速電子チ
ャッタを実現することもできる。この場合には、排出タ
イミングを手動で設定することに依り、所定のシャッタ
速度の静止画を得ることができる。
D（10）の露光量に対応させた（自動露光制御）場合を
例示しているが、本発明駆動方法を用いて可変速電子チ
ャッタを実現することもできる。この場合には、排出タ
イミングを手動で設定することに依り、所定のシャッタ
速度の静止画を得ることができる。
（ト）発明の効果 本発明に依れば、チャネル領域に残留した光電荷を駆動
電圧を上げることなく半導体基板側に排出することがで
きるため、光電荷を効率良く排出させることでき、露光
期間の伸縮制御を容易に実現できる。
電圧を上げることなく半導体基板側に排出することがで
きるため、光電荷を効率良く排出させることでき、露光
期間の伸縮制御を容易に実現できる。
また、駆動電圧を低くすることが可能なため、駆動クロ
ックを発生する回路を容易に構成することができ、コス
トの低下が望める。
ックを発生する回路を容易に構成することができ、コス
トの低下が望める。
第１図は本発明駆動方法を用いた撮像装置のブロック
図、第２図は第１図の動作タイミング図、第３図はCCD
固体撮像素子の要部平面図、第４図は第３図の断面図、
第５図はCCD固体撮像素子内のポテンシャル図である。 （10）……CCD固体撮像素子、（12）……読出クロック
発生回路、（13）……排出クロック発生回路、（14）…
…制御クロック発生回路、（15）……読出タイミング設
定回路、（16）……排出タイミング設定回路、（17）…
…露光量判定回路。
図、第２図は第１図の動作タイミング図、第３図はCCD
固体撮像素子の要部平面図、第４図は第３図の断面図、
第５図はCCD固体撮像素子内のポテンシャル図である。 （10）……CCD固体撮像素子、（12）……読出クロック
発生回路、（13）……排出クロック発生回路、（14）…
…制御クロック発生回路、（15）……読出タイミング設
定回路、（16）……排出タイミング設定回路、（17）…
…露光量判定回路。
Claims (2)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板の一主面に逆導電型
の拡散領域が設けられると共に、この拡散領域内に光電
変換に依り発生する光電荷を蓄積転送する複数のチャネ
ル領域がチャネルストップ領域で互いに分離されて配列
形成され、上記チャネル領域中の過剰な光電荷を上記半
導体基板に受けるCCD固体撮像素子の駆動方法に於い
て、 上記チャネル領域と上記半導体基板との間に電位障壁を
形成して上記チャネル領域内に上記光電荷を蓄積する際
に上記半導体基板に印加する電位に対し、上記半導体基
板に印加する電位を高電位として上記電位障壁を消滅さ
せると共に、上記チャネル領域上に設けられた転送電極
をパルス駆動することで上記チャネル領域中の光電荷を
一定の区間転送しながら上記半導体基板へ排出せしめる
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 【請求項２】請求項第１項記載の固体撮像素子の駆動方
法に於いて、 水平及び垂直方向に走査される上記固体撮像素子の垂直
走査期間中、垂直走査期間の始まりから途中までの第１
の期間に上記チャネル領域中の光電荷を上記半導体基板
に排出せしめた後、垂直走査期間の終わりまでの第２の
期間に上記チャネル領域中に光電荷を蓄積し、この第２
の期間に得た光電荷を一画面の映像情報として出力する
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183976A JPH0777436B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| KR1019900008215A KR100276971B1 (ko) | 1989-06-20 | 1990-06-01 | 고체촬상소자의 구동방법 |
| US07/534,236 US5057926A (en) | 1989-06-20 | 1990-06-07 | Driving method for discharging overflow charges in a solid state imaging device |
| DE69025651T DE69025651T2 (de) | 1989-06-20 | 1990-06-12 | Ansteuerverfahren eines Festkörper-Bildaufnehmers |
| EP90111128A EP0403939B1 (en) | 1989-06-20 | 1990-06-12 | Method of driving a solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183976A JPH0777436B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348586A JPH0348586A (ja) | 1991-03-01 |
| JPH0777436B2 true JPH0777436B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16145130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183976A Expired - Lifetime JPH0777436B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-07-17 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777436B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3561596B2 (ja) | 1996-11-27 | 2004-09-02 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362480A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP2573582B2 (ja) * | 1986-09-05 | 1997-01-22 | 日本電気株式会社 | 固体撮像子の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1183976A patent/JPH0777436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348586A (ja) | 1991-03-01 |
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