JPH077813B2 - Ceramic package - Google Patents
Ceramic packageInfo
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- JPH077813B2 JPH077813B2 JP60182263A JP18226385A JPH077813B2 JP H077813 B2 JPH077813 B2 JP H077813B2 JP 60182263 A JP60182263 A JP 60182263A JP 18226385 A JP18226385 A JP 18226385A JP H077813 B2 JPH077813 B2 JP H077813B2
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- ceramic substrate
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- ceramic
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 入出力端子,半導体チップ,搭載部を同一基板上に形成
し、これらを銅ブロック(筺体)に嵌合させることによ
り、パッケージずれによる特性の劣化を防止し、コスト
低減および接地インピーダンスの低減を実現する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] By forming an input / output terminal, a semiconductor chip, and a mounting portion on the same substrate and fitting them into a copper block (housing), deterioration of characteristics due to a package shift is prevented. Achieve cost reduction and ground impedance reduction.
本発明はセラミックパッケージに関するもので、さらに
詳しく言えば、FETチップ等を搭載する超高周波セラミ
ックパッケージの改良に関するものである。The present invention relates to a ceramic package, and more particularly, to an improvement of a super high frequency ceramic package on which an FET chip or the like is mounted.
FETチップ等を搭載する超高周波セラミックパッケージ
(以下には単にセラミックパッケージという)は、接地
導体としてセラミック基板の外側に厚膜のメタライズ面
を用いてきたが、使用周波数が高くなるにつれて接地導
体の構造が改良され、メタライズ面を金属ブロック基体
(筺体)に置き換え、接地インピーダンスを低減したパ
ッケージが開発された。この型のパッケージは、金属ブ
ロック基体、ラミネート構造の入力および出力端子をも
ったセラミックの3つの構造体からなる。Ultra-high frequency ceramic packages (hereinafter simply referred to as ceramic packages) that incorporate FET chips, etc. have used a thick film metallized surface on the outside of the ceramic substrate as the ground conductor, but the structure of the ground conductor increases as the operating frequency increases. Has been improved, the metallized surface has been replaced with a metal block substrate (housing), and a package with reduced ground impedance has been developed. This type of package consists of three structures, a metal block substrate, a ceramic with laminated input and output terminals.
上記したパッケージは第2図に示され、同図(a)はパ
ッケージの平面図、同図(b)と(c)は同図(a)の
B−B線およびC−C線に沿う断面図で、図において、
31は銅ブロック(金属ブロック基体)、32aと32bはセラ
ミック体、33はアースブロック、34は入力端子、35は出
力端子、36はメタライズ層、37は半導体チップ(以下単
にチップという)、38はゲートワイヤ、39,41はソース
ワイヤ、40はドレインワイヤ、42はラミネート部を示
し、図示のパッケージは、銅ブロック31、2つのセラミ
ック体32a,32bを主な構成部品とするものである。The above-mentioned package is shown in FIG. 2, where FIG. 2 (a) is a plan view of the package, and FIGS. 2 (b) and 2 (c) are cross-sections taken along line BB and line CC of FIG. In the figure, in the figure,
31 is a copper block (metal block base), 32a and 32b are ceramic bodies, 33 is a ground block, 34 is an input terminal, 35 is an output terminal, 36 is a metallized layer, 37 is a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a chip), 38 is The gate wire, 39 and 41 are source wires, 40 is a drain wire, and 42 is a laminated portion. The illustrated package has a copper block 31 and two ceramic bodies 32a and 32b as main components.
上記したパッケージについて、本発明者は下記の3つの
問題点を見出した。The present inventor has found the following three problems with the package described above.
セラミック体32a,32bの嵌め合わせにおいて位置ずれ
があると、第3図の平面図に示される如く、入力端子と
出力端子の位置ずれが発生し、FET特性のバラツキと性
能劣化の原因となる。When the ceramic bodies 32a and 32b are fitted together, there is a positional deviation between the input terminals and the output terminals as shown in the plan view of FIG. 3, which causes variations in FET characteristics and performance degradation.
接地用に金属小片でアースブロックを形成しているの
で接地インピーダンスが比較的高く、加えて組立工数が
増える。Since the ground block is formed of a small metal piece for grounding, the grounding impedance is relatively high and the number of assembly steps is increased.
部品数が多いので、組立に位置ぎめ用の治具を用いる
必要があり、製造コストが高くなる。Since the number of parts is large, it is necessary to use a positioning jig for assembly, which increases the manufacturing cost.
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、入出
力端子の位置ずれをなくし、アースブロックを接地イン
ピーダンスを低減するもので作り、構成部品点数を少な
くしたパッケージを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a package in which the displacement of input / output terminals is eliminated and the ground block is made to reduce the ground impedance, and the number of constituent parts is reduced. And
第1図は(a)は本発明実施例の平面図、同図(b)と
(c)は同図(a)のB−B線とC−C線に沿う断面図
である。同図において、11は銅ブロック、12はセラミッ
ク基板、13は入力端子、14は出力端子、15はゲートワイ
ヤ、16,18はソースワイヤ、17はドレインワイヤ、19はF
ETチップ、20はFETチップ搭載用メタライズ層、21はセ
ラミック体12上に設けたメタライズ層、22はラミネート
部である。FIG. 1A is a plan view of an embodiment of the present invention, and FIGS. 1B and 1C are sectional views taken along line BB and CC in FIG. 1A. In the figure, 11 is a copper block, 12 is a ceramic substrate, 13 is an input terminal, 14 is an output terminal, 15 is a gate wire, 16 and 18 are source wires, 17 is a drain wire, 19 is F
An ET chip, 20 is a metallization layer for mounting a FET chip, 21 is a metallization layer provided on the ceramic body 12, and 22 is a laminating portion.
第1図において、FETチップ19を搭載するメタライズ層2
0とラミネート部22を具備し、入力端子13と出力端子14
が形成されたセラミック基板12はH字型に構成し、セラ
ミック基板12の凹部12aと銅ブロックの凸部11aとを嵌合
する。In FIG. 1, the metallized layer 2 on which the FET chip 19 is mounted
0 and laminating section 22 are provided, and input terminal 13 and output terminal 14
The ceramic substrate 12 on which is formed is H-shaped, and the concave portion 12a of the ceramic substrate 12 and the convex portion 11a of the copper block are fitted to each other.
上記のセラミックパッケージにおいては、アースは銅ブ
ロック11でとるので接地インピーダンスは小になり、大
きな部品は銅ブロック11とセラミック基板12の2つであ
るので、組立工程が少なくコスト減になる。In the above-mentioned ceramic package, the ground is taken by the copper block 11, so the ground impedance is small, and the two large parts are the copper block 11 and the ceramic substrate 12, so the assembly process is small and the cost is reduced.
〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。Embodiments Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
第1図を再び参照すると、セラミック基板12には、半導
体チップ例えばFETチップ19を搭載するためのメタライ
ズ層20と、ラミネート部22をもった入力端子部(入力端
子13が形成された部分)と出力端子部(出力端子14をも
った部分)とが形成されている。FETチップ搭載用のメ
タライズ層20も入出力端子部のメタライズ層21と同じく
金メッキで作る。そして、セラミック基板12はH字型に
作られ、中央部分に凹部12aを提供する。このような構
成であるので、入力端子13と出力端子14とはメタライズ
層20の上に搭載されたFETと同一線上に並び、入出力端
子の位置ずれと、FETチップ19の搭載位置ずれがなくな
り、第3図を参照して説明した従来の問題点が解決され
る。なお、FETチップ19は、ゲートワイヤ15により入力
端子13に、ドレイ、ワイヤ17で出力端子14に接続され、
ソースワイヤ16と18によって銅ブロック11に接続されて
いる。Referring again to FIG. 1, the ceramic substrate 12 has a metallized layer 20 for mounting a semiconductor chip, for example, an FET chip 19, and an input terminal portion having a laminating portion 22 (a portion where the input terminal 13 is formed). An output terminal portion (a portion having the output terminal 14) is formed. The metallization layer 20 for mounting the FET chip is also gold-plated like the metallization layer 21 of the input / output terminals. The ceramic substrate 12 is H-shaped and provides a recess 12a in the central portion. With such a configuration, the input terminal 13 and the output terminal 14 are aligned on the same line as the FET mounted on the metallized layer 20, and the positional displacement of the input / output terminals and the positional displacement of the FET chip 19 are eliminated. , The conventional problems described with reference to FIG. 3 are solved. The FET chip 19 is connected to the input terminal 13 by the gate wire 15 and connected to the output terminal 14 by the drain and wire 17,
It is connected to the copper block 11 by source wires 16 and 18.
前記した如く、セラミック基板12は凹部12aが形成され
たH字型の構造であり、この凹部12aと銅ブロック11の
凸部11aとを嵌合し、例えばこれらを銀ろうで接着す
る。かくして、従来の3部品点数が2に減り、また銅ブ
ロック11とセラミック基板12の位置ぎめは、従来の位置
ぎめ用の治具を必要とせず、パッケージと製造コストを
低減する。As described above, the ceramic substrate 12 has an H-shaped structure in which the concave portion 12a is formed. The concave portion 12a and the convex portion 11a of the copper block 11 are fitted to each other and, for example, they are bonded with silver solder. Thus, the conventional three-component number is reduced to two, and the positioning of the copper block 11 and the ceramic substrate 12 does not require a conventional positioning jig, thereby reducing the package and the manufacturing cost.
電気的接続については、従来はアース用に金属小片で作
ったアースブロックを用いたが、本発明実施例において
は銅ブロック11にソースワイヤ16,18を接続するので、
接地インピーダンスを低減する。Regarding the electrical connection, conventionally, an earth block made of a small metal piece was used for earthing, but in the embodiment of the present invention, since the source wires 16 and 18 are connected to the copper block 11,
Reduce the ground impedance.
以上述べてきたように本発明によれば、同一セラミック
基板上に入出力端子およびFETチップ搭載用メタライズ
層を形成し、アースブロックを銅ブロックの一部に設
け、部品を銅ブロックとセラミック基板の2点にするこ
とにより、従来の3つの問題が解決され、セラミックパ
ッケージの信頼性を高める一方で、その製造コストを低
減する効果がある。As described above, according to the present invention, the input / output terminals and the FET chip mounting metallization layer are formed on the same ceramic substrate, the ground block is provided in a part of the copper block, and the component is composed of the copper block and the ceramic substrate. By setting the number of points to two, the conventional three problems can be solved, and while the reliability of the ceramic package is improved, the manufacturing cost thereof can be reduced.
第1図(a)は本発明実施例の平面図、同図(b)と
(c)は同図(a)のB−B線とC−C線に沿う断面
図、 第2図(a)は従来例の平面図、同図(b)と(c)は
同図(a)のB−B線とC−C線に沿う断面図、 第3図は従来例の問題点を示す平面図である。 第1図において、 11は銅ブロック、 11aは銅ブロックの凸部、 12はセラミック基板、 12aはセラミック基板の凹部、 13は入力端子、 14は出力端子、 15はゲートワイヤ、 16はソースワイヤ、 17はドレインワイヤ、 18はソースワイヤ、 19はFETチップ、 20はFETチップ搭載用のメタライズ層、 21はメタライズ層、 22はラミネート部である。1 (a) is a plan view of an embodiment of the present invention, FIGS. 1 (b) and 1 (c) are cross-sectional views taken along line BB and CC of FIG. 1 (a), and FIG. 2 (a). ) Is a plan view of the conventional example, (b) and (c) of FIG. 3 are cross-sectional views taken along line BB and CC of FIG. 3 (a), and FIG. 3 is a plan view showing problems of the conventional example. It is a figure. In FIG. 1, 11 is a copper block, 11a is a convex part of the copper block, 12 is a ceramic substrate, 12a is a concave part of the ceramic substrate, 13 is an input terminal, 14 is an output terminal, 15 is a gate wire, 16 is a source wire, Reference numeral 17 is a drain wire, 18 is a source wire, 19 is a FET chip, 20 is a metallized layer for mounting the FET chip, 21 is a metallized layer, and 22 is a laminated portion.
Claims (1)
るパッケージにして、 凹部(12a)をもったH字型のセラミック基板(12)の
両側に入力端子(13)と出力端子(14)を具備した入出
力端子部を設け、 半導体チップ(19)はセラミック基板(12)のメタライ
ズ層(20)上に接着して、ゲートワイヤ(15)とドレイ
ンワイヤ(17)をそれぞれ入力端子部と出力端子部に接
続し、 セラミック基板の凹部(12a)と銅ブロック(11)の凸
部(11a)とを嵌合させてこれらを接着し、 ソースワイヤ(16)と(18)は銅ブロック(11)に接続
されてなることを特徴とするセラミックパッケージ。1. A package for mounting a semiconductor chip (19) for ultra high frequencies, wherein an input terminal (13) and an output terminal (14) are provided on both sides of an H-shaped ceramic substrate (12) having a recess (12a). ) Is provided, the semiconductor chip (19) is bonded onto the metallized layer (20) of the ceramic substrate (12), and the gate wire (15) and the drain wire (17) are respectively input terminal parts. And the output terminal part, and the concave part (12a) of the ceramic substrate and the convex part (11a) of the copper block (11) are fitted and bonded together, and the source wires (16) and (18) are made of the copper block. A ceramic package characterized by being connected to (11).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182263A JPH077813B2 (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182263A JPH077813B2 (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Ceramic package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242546A JPS6242546A (en) | 1987-02-24 |
| JPH077813B2 true JPH077813B2 (en) | 1995-01-30 |
Family
ID=16115193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182263A Expired - Fee Related JPH077813B2 (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Ceramic package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077813B2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5229591B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-07-03 | マイクロン テクノロジー, インク. | Error correction codes for increased storage capacity in multilevel memory devices. |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182263A patent/JPH077813B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5229591B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-07-03 | マイクロン テクノロジー, インク. | Error correction codes for increased storage capacity in multilevel memory devices. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242546A (en) | 1987-02-24 |
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