JPH0778763A - 分子線束モニタリング装置及びその分子線束モニタリング装置を備えた分子線エピタキシー装置 - Google Patents
分子線束モニタリング装置及びその分子線束モニタリング装置を備えた分子線エピタキシー装置Info
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- JPH0778763A JPH0778763A JP22132693A JP22132693A JPH0778763A JP H0778763 A JPH0778763 A JP H0778763A JP 22132693 A JP22132693 A JP 22132693A JP 22132693 A JP22132693 A JP 22132693A JP H0778763 A JPH0778763 A JP H0778763A
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分子線束モニタリング装置のカバー内に付着
した原料の再蒸発を防止して、正確な分子線強度の測定
を繰り返しできるようにすること。 【構成】 円筒形カバー１１内に、コレクタ１２を取り
囲むようにしてグリッド１３を、測定子用電極１４に接
続して設け、側方にフィラメント（イオン化用熱陰極）
１５を防着板１６に取付け、ハウジング１７と移動機構
１８を介して、分子線の放射区域と非放射区域とを移動
できるようになっている。上記カバー１１の周囲に、冷
却管２１ａに接続された冷却パイプ２１をらせん状に取
付けている。 【効果】 使用時、カバー内部に付着した原料の再蒸発
が防止されるので、正確な分子線強度の測定が可能とな
る。
した原料の再蒸発を防止して、正確な分子線強度の測定
を繰り返しできるようにすること。 【構成】 円筒形カバー１１内に、コレクタ１２を取り
囲むようにしてグリッド１３を、測定子用電極１４に接
続して設け、側方にフィラメント（イオン化用熱陰極）
１５を防着板１６に取付け、ハウジング１７と移動機構
１８を介して、分子線の放射区域と非放射区域とを移動
できるようになっている。上記カバー１１の周囲に、冷
却管２１ａに接続された冷却パイプ２１をらせん状に取
付けている。 【効果】 使用時、カバー内部に付着した原料の再蒸発
が防止されるので、正確な分子線強度の測定が可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、クヌーセンセルなどの
膜厚制御に用いられる分子線束モニタリング装置、及び
該分子線束モニタリング装置を備え II VI族化合物半導
体などの成膜を行うための分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）装置に関する。
膜厚制御に用いられる分子線束モニタリング装置、及び
該分子線束モニタリング装置を備え II VI族化合物半導
体などの成膜を行うための分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の分子線エピタキシー装置は、図３
の構成説明図に示すように、高真空に排気された真空室
１内に、クヌーセンセル等からなる蒸発源２を複数個環
状に配置し、これらの蒸発源２の周りを液体窒素シュラ
ウド３で包囲すると共に、該蒸発源２の中に収納された
Ｇａ，Ａｓ等の金属材料をヒータによって加熱し、セル
から分子線（ビーム）の形で飛び出させ、該分子線を、
上記真空室１内に配置され基板加熱ヒータ４で加熱され
た基板５上に衝突させ、それぞれの材料の付着係数の違
いを利用して化学量論的組成比を保ってエピタキシャル
成長させるようになっている。図中、６は蒸発源２の出
口近傍に取り付けられたシャッタ機構のシャッタ板で、
蒸発源２から基板５に向かう分子線を機械的な該シャッ
タ６で遮り、成長を中断させることができるようにした
もので、各蒸発源毎に独立して取付けられている。ま
た、７は基板３の前方に取付けられたシャッタ機構のシ
ャッタ板であり、８は、該基板用シャッタ７の開放前に
放射されている蒸着元素の蒸着量測定に用いられる分子
線束モニタリング装置、９は該分子線束モニタリング装
置８の移動機構である。また真空室１は矢印方向にプリ
ヒート室、基板交換室に通じている。なお、図では省略
されているが、当該分子線エピタキシー装置には付属す
る真空ポンプ、分子線束モニタ、基板回転機構、分子線
エピタキシー装置の必要な機器は勿論取り付けられてい
る。
の構成説明図に示すように、高真空に排気された真空室
１内に、クヌーセンセル等からなる蒸発源２を複数個環
状に配置し、これらの蒸発源２の周りを液体窒素シュラ
ウド３で包囲すると共に、該蒸発源２の中に収納された
Ｇａ，Ａｓ等の金属材料をヒータによって加熱し、セル
から分子線（ビーム）の形で飛び出させ、該分子線を、
上記真空室１内に配置され基板加熱ヒータ４で加熱され
た基板５上に衝突させ、それぞれの材料の付着係数の違
いを利用して化学量論的組成比を保ってエピタキシャル
成長させるようになっている。図中、６は蒸発源２の出
口近傍に取り付けられたシャッタ機構のシャッタ板で、
蒸発源２から基板５に向かう分子線を機械的な該シャッ
タ６で遮り、成長を中断させることができるようにした
もので、各蒸発源毎に独立して取付けられている。ま
た、７は基板３の前方に取付けられたシャッタ機構のシ
ャッタ板であり、８は、該基板用シャッタ７の開放前に
放射されている蒸着元素の蒸着量測定に用いられる分子
線束モニタリング装置、９は該分子線束モニタリング装
置８の移動機構である。また真空室１は矢印方向にプリ
ヒート室、基板交換室に通じている。なお、図では省略
されているが、当該分子線エピタキシー装置には付属す
る真空ポンプ、分子線束モニタ、基板回転機構、分子線
エピタキシー装置の必要な機器は勿論取り付けられてい
る。
【０００３】上記のように、従来の分子線エピタキシー
装置においては、真空室１中に設置され、基板加熱ヒー
タ４によって加熱された基板５に向けて、原料を充填し
た蒸発源（クヌーセンセル）２を加熱することにより、
原料は蒸発し、分子線状に放射して基板５上に蒸着され
るが、この際、分子線状の維持と、加熱により放出する
原料以外の、例えば、Ｈ2 Ｏ，ＣＯ，Ｎ2 等の分子を最
小限に抑えるため、加熱部にさらされる箇所、及び原
料、基板に向った位置等の温度上昇を抑えるため、通常
液体窒素シュラウド３が設置されている。
装置においては、真空室１中に設置され、基板加熱ヒー
タ４によって加熱された基板５に向けて、原料を充填し
た蒸発源（クヌーセンセル）２を加熱することにより、
原料は蒸発し、分子線状に放射して基板５上に蒸着され
るが、この際、分子線状の維持と、加熱により放出する
原料以外の、例えば、Ｈ2 Ｏ，ＣＯ，Ｎ2 等の分子を最
小限に抑えるため、加熱部にさらされる箇所、及び原
料、基板に向った位置等の温度上昇を抑えるため、通常
液体窒素シュラウド３が設置されている。
【０００４】また、蒸着開始、停止を行うため、基板５
と蒸発源２の間に装備されたシャッタ機構のシャッタ板
７と６を開閉することにより、蒸着の開始、停止或いは
原料種の変更が行われる。
と蒸発源２の間に装備されたシャッタ機構のシャッタ板
７と６を開閉することにより、蒸着の開始、停止或いは
原料種の変更が行われる。
【０００５】また、蒸着速度の制御には、通常基板用シ
ャッタ７の開放前に放射されている蒸着元素の蒸着量測
定に、電離真空計を用いている。分子線強度を測定しク
ヌーセンセルの温度コントロールを行うことにより蒸着
速度の調整を行っている。この電離真空計を分子線束モ
ニタリング装置と呼んでいる。
ャッタ７の開放前に放射されている蒸着元素の蒸着量測
定に、電離真空計を用いている。分子線強度を測定しク
ヌーセンセルの温度コントロールを行うことにより蒸着
速度の調整を行っている。この電離真空計を分子線束モ
ニタリング装置と呼んでいる。
【０００６】従来の分子線束モニタリング装置は、図４
に示すように、円筒形カバー１１内に、中心部のコレク
タ１２を取り囲むようにしてグリッド１３がそれぞれ測
定子用電極１４に接続して設けられており、一側方（図
で左側）には、図示しない加熱用電源に接続されたフィ
ラメント（イオン化用熱陰極）１５が防着板１６に取付
けられている。そしてこれらはハウジング１７に取付け
られており、該ハウジング１７は、移動機構１８を介し
て、分子線の放射される区域と分子線の放射されない区
域とに亙って移動できるようになっている。なお、図
中、１９はハウジング１７の側方に取付けられた測定子
用電極である。
に示すように、円筒形カバー１１内に、中心部のコレク
タ１２を取り囲むようにしてグリッド１３がそれぞれ測
定子用電極１４に接続して設けられており、一側方（図
で左側）には、図示しない加熱用電源に接続されたフィ
ラメント（イオン化用熱陰極）１５が防着板１６に取付
けられている。そしてこれらはハウジング１７に取付け
られており、該ハウジング１７は、移動機構１８を介し
て、分子線の放射される区域と分子線の放射されない区
域とに亙って移動できるようになっている。なお、図
中、１９はハウジング１７の側方に取付けられた測定子
用電極である。
【０００７】上記のように構成された分子線束モニタリ
ング装置の作用、つまり測定原理は、ガス、蒸発の分子
が、フィラメント１５により発生した熱電子によりイオ
ン化され、グリッド１３により加速されたイオンがコレ
クタ１２に入射し、イオン電流として分子強度を読みと
るという原理に基づくものであり、この際、カバー１１
は、図３におけるクヌーセンセル等の蒸発源２の方向に
開口部を有し、該開口部を通過した蒸着原料のみが分子
線強度として圧力値でカウントされるようになってい
る。
ング装置の作用、つまり測定原理は、ガス、蒸発の分子
が、フィラメント１５により発生した熱電子によりイオ
ン化され、グリッド１３により加速されたイオンがコレ
クタ１２に入射し、イオン電流として分子強度を読みと
るという原理に基づくものであり、この際、カバー１１
は、図３におけるクヌーセンセル等の蒸発源２の方向に
開口部を有し、該開口部を通過した蒸着原料のみが分子
線強度として圧力値でカウントされるようになってい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の分子線
束モニタリング装置（図４）は、蒸着前に分子線強度を
測定し、蒸着時には分子線の放射されないところへ格納
されている。そして再度蒸着する際、分子線内に再び該
分子線束モニタリング装置を基板位置まで移動して測定
を行う。この際、カバー１１内に付着した先ほどの蒸着
元素がイオン化用フィラメント（熱陰極）５の温度によ
り再蒸発することがある。再蒸発が発生すると、この蒸
発元素も分子線としてカウントし正確な分子線束の測定
ができなくなることがあるという問題点があった。この
現象は硫黄、亜鉛、セレンなどの低温で蒸発される高蒸
気圧原料に多い。
束モニタリング装置（図４）は、蒸着前に分子線強度を
測定し、蒸着時には分子線の放射されないところへ格納
されている。そして再度蒸着する際、分子線内に再び該
分子線束モニタリング装置を基板位置まで移動して測定
を行う。この際、カバー１１内に付着した先ほどの蒸着
元素がイオン化用フィラメント（熱陰極）５の温度によ
り再蒸発することがある。再蒸発が発生すると、この蒸
発元素も分子線としてカウントし正確な分子線束の測定
ができなくなることがあるという問題点があった。この
現象は硫黄、亜鉛、セレンなどの低温で蒸発される高蒸
気圧原料に多い。
【０００９】本発明は、上記のような従来技術の問題点
を解決するもので、分子線束モニタリング装置のカバー
内に付着した原料の再蒸発を防止することにより、正確
な分子線強度の測定を繰り返しできる分子線束モニタリ
ング装置及び、該分子線束モニタリング装置を備えた分
子線エピタキシー装置を提供することを目的にしてい
る。
を解決するもので、分子線束モニタリング装置のカバー
内に付着した原料の再蒸発を防止することにより、正確
な分子線強度の測定を繰り返しできる分子線束モニタリ
ング装置及び、該分子線束モニタリング装置を備えた分
子線エピタキシー装置を提供することを目的にしてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、カバー内部に測定子電極及びフィラメ
ントを備え、ガス、蒸気の分子をイオン化し、イオン電
流として分子線強度を読みとるようにした分子線束モニ
タリング装置において、上記カバーに冷却機構を備え、
該カバー内に付着した原料の再蒸発を防止するようにし
たことを特徴としている。
めに、本発明は、カバー内部に測定子電極及びフィラメ
ントを備え、ガス、蒸気の分子をイオン化し、イオン電
流として分子線強度を読みとるようにした分子線束モニ
タリング装置において、上記カバーに冷却機構を備え、
該カバー内に付着した原料の再蒸発を防止するようにし
たことを特徴としている。
【００１１】また、上記冷却機構に代えて、上記カバー
に加熱機構を備えることを特徴としている。
に加熱機構を備えることを特徴としている。
【００１２】また、真空室内に備えられた複数個の蒸発
源から分子線を発生させ、該室内に配置され加熱された
基板上に、それぞれの材料のもつ付着係数の違いを利用
してエピタキシャル成長させるようにし、上記蒸発源か
らの蒸発の開始、停止を行なうため基板の近傍にシャッ
タ機構を備えた分子線エピタキシー装置において、上記
基板用シャッタ機構の前方に、内部に測定用電極及びフ
ィラメントを備えたカバーに冷却機構を備え、該カバー
内に付着した原料の再蒸発を防止するようにした分子線
束モニタリング装置を、移動機構を介して取付けたこと
を特徴としている。
源から分子線を発生させ、該室内に配置され加熱された
基板上に、それぞれの材料のもつ付着係数の違いを利用
してエピタキシャル成長させるようにし、上記蒸発源か
らの蒸発の開始、停止を行なうため基板の近傍にシャッ
タ機構を備えた分子線エピタキシー装置において、上記
基板用シャッタ機構の前方に、内部に測定用電極及びフ
ィラメントを備えたカバーに冷却機構を備え、該カバー
内に付着した原料の再蒸発を防止するようにした分子線
束モニタリング装置を、移動機構を介して取付けたこと
を特徴としている。
【００１３】更に、上記冷却機構に代えて、上記カバー
に加熱機構を備えたことを特徴としている。
に加熱機構を備えたことを特徴としている。
【００１４】
【作用】本発明は、上記のように分子線束モニタリング
装置のカバーに冷却機構を備え、該モニタリング装置内
を冷却できるようになっているので、上記カバー内に付
着した原料の再蒸発を防止することができ、これによっ
て正確な分子線強度の測定を繰り返えし行なうことがで
きる。
装置のカバーに冷却機構を備え、該モニタリング装置内
を冷却できるようになっているので、上記カバー内に付
着した原料の再蒸発を防止することができ、これによっ
て正確な分子線強度の測定を繰り返えし行なうことがで
きる。
【００１５】また、上記冷却機構に代えて該カバーに加
熱機構を備えることによっても、同様の作用が行われ
る。
熱機構を備えることによっても、同様の作用が行われ
る。
【００１６】他方、上記した何れの分子線束モニタリン
グ装置を分子線エピタキシー装置の基板用シャッタ機構
の前方に設けることにより、該シャッタ機構のシャッタ
板の開放前に放射されている蒸着元素の蒸着量が正確に
測定できるので、その測定結果に基づいて蒸発源の温度
・制御を行なうことにより、分子線エピタキシー装置に
おける蒸着速度の調整を正確に行なうことができる。
グ装置を分子線エピタキシー装置の基板用シャッタ機構
の前方に設けることにより、該シャッタ機構のシャッタ
板の開放前に放射されている蒸着元素の蒸着量が正確に
測定できるので、その測定結果に基づいて蒸発源の温度
・制御を行なうことにより、分子線エピタキシー装置に
おける蒸着速度の調整を正確に行なうことができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面と共に説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す分子線束モニタリ
ング装置の一部を断面で示した側面図であって、図中、
図４に記載した符号と同一の符号は同一ないし同類部分
を示すものとする。
る。図１は、本発明の一実施例を示す分子線束モニタリ
ング装置の一部を断面で示した側面図であって、図中、
図４に記載した符号と同一の符号は同一ないし同類部分
を示すものとする。
【００１８】図において、円筒形カバー１１内に、中心
部のコレクタ１２を取り囲むようにしてグリッド１３が
それぞれ測定子用電極１４に接続して設けられており、
一側方（図で左側）には、図示しない加熱用電源に接続
されたフィラメント（イオン化用熱陰極）１５が防着板
１６に取付けられている。そしてこれらはハウジング１
７に取付けられており、該ハウジング１７は、移動機構
１８を介して、分子線の放射される区域と分子線の放射
されない区域とに亙って移動できるようになっているこ
とは従来例（図４）と変りはないが、本実施例では、上
記したカバー１１の外側に、冷却水又は液体窒素などの
冷媒を循環させる冷却パイプ２１がらせん状に取付けら
れており、該冷却パイプ２１は冷却管２１ａを経て図示
しない外部の冷却装置に接続されている。
部のコレクタ１２を取り囲むようにしてグリッド１３が
それぞれ測定子用電極１４に接続して設けられており、
一側方（図で左側）には、図示しない加熱用電源に接続
されたフィラメント（イオン化用熱陰極）１５が防着板
１６に取付けられている。そしてこれらはハウジング１
７に取付けられており、該ハウジング１７は、移動機構
１８を介して、分子線の放射される区域と分子線の放射
されない区域とに亙って移動できるようになっているこ
とは従来例（図４）と変りはないが、本実施例では、上
記したカバー１１の外側に、冷却水又は液体窒素などの
冷媒を循環させる冷却パイプ２１がらせん状に取付けら
れており、該冷却パイプ２１は冷却管２１ａを経て図示
しない外部の冷却装置に接続されている。
【００１９】同様に、ハウジング１７の側方に、カバー
１１と直角方向に設けられ内部に測定子用電極１９を備
えたカバー１１Ａの外側にも、冷却パイプ２２がらせん
状に取付けられ、冷却管２２ａを介して冷却媒体が循環
されるようになっている。
１１と直角方向に設けられ内部に測定子用電極１９を備
えたカバー１１Ａの外側にも、冷却パイプ２２がらせん
状に取付けられ、冷却管２２ａを介して冷却媒体が循環
されるようになっている。
【００２０】上記のように、カバー１１の外側に冷却パ
イプ２１が取付けられているので、分子線強度の測定時
にはカバー１１が冷却されており、従って、該カバー１
１内に付着した原料の再蒸発が防止されるので、該カバ
ー１１の開口部を通過した分子線のみが圧力値として分
子線強度の測定値となる。従って、使用時、当該分子線
束モニタリング装置内に蒸発原料が付着しても、分子線
強度を正確に測定することができる。
イプ２１が取付けられているので、分子線強度の測定時
にはカバー１１が冷却されており、従って、該カバー１
１内に付着した原料の再蒸発が防止されるので、該カバ
ー１１の開口部を通過した分子線のみが圧力値として分
子線強度の測定値となる。従って、使用時、当該分子線
束モニタリング装置内に蒸発原料が付着しても、分子線
強度を正確に測定することができる。
【００２１】図２は、本発明の他の実施例を示す一部断
面側面図であって、図中、図１に記載した符号と同一の
符号は同一ないし同類部分を示すものとする。
面側面図であって、図中、図１に記載した符号と同一の
符号は同一ないし同類部分を示すものとする。
【００２２】この実施例では、カバー１１及び１１Ａの
外側に加熱用ヒータ３１及び３２が巻回されている点
で、先の実施例（図１）と相違し、その他の点で一致し
ている。
外側に加熱用ヒータ３１及び３２が巻回されている点
で、先の実施例（図１）と相違し、その他の点で一致し
ている。
【００２３】この実施例によっても、先の実施例（図
１）と同様に、該カバー１１内に付着した原料の再蒸発
が防止されるので、該カバー１１の開口部を通過した分
子線のみが圧力値として分子線強度の測定値となり、従
って、使用時、当該分子線束モニタリング装置内に蒸発
原料が付着しても、分子線強度を正確に判定することが
できる。
１）と同様に、該カバー１１内に付着した原料の再蒸発
が防止されるので、該カバー１１の開口部を通過した分
子線のみが圧力値として分子線強度の測定値となり、従
って、使用時、当該分子線束モニタリング装置内に蒸発
原料が付着しても、分子線強度を正確に判定することが
できる。
【００２４】上記した両実施例（図１，図２）に示した
分子線束モニタリング装置を、図３に示すような分子線
エピタキシー装置における基板用シャッタ板７の前方に
設けられるモニタリング装置８に適用して使用した場
合、真空室１中に設置され、基板加熱ヒータ４によって
加熱された基板５に向けて、原料を充填した蒸発源（ク
ヌーセンセル）２を加熱することにより、原料は蒸発
し、分子線状に放射して基板５上に蒸着されるが、この
際、基板用シャッタ板７の開放前に放射されている分子
線強度は、上記分子線束モニタリング装置によって測定
されるが、当該モニタリング装置ではカバー１１が冷却
又は加熱されているので、該カバー１１内に付着した蒸
発原料の再蒸発が防止され、カバー１１の開口部を通過
した分子線のみが測定されるので、蒸発源２の温度制御
が正確に行われる。
分子線束モニタリング装置を、図３に示すような分子線
エピタキシー装置における基板用シャッタ板７の前方に
設けられるモニタリング装置８に適用して使用した場
合、真空室１中に設置され、基板加熱ヒータ４によって
加熱された基板５に向けて、原料を充填した蒸発源（ク
ヌーセンセル）２を加熱することにより、原料は蒸発
し、分子線状に放射して基板５上に蒸着されるが、この
際、基板用シャッタ板７の開放前に放射されている分子
線強度は、上記分子線束モニタリング装置によって測定
されるが、当該モニタリング装置ではカバー１１が冷却
又は加熱されているので、該カバー１１内に付着した蒸
発原料の再蒸発が防止され、カバー１１の開口部を通過
した分子線のみが測定されるので、蒸発源２の温度制御
が正確に行われる。
【００２５】上記した二つの実施例では、 II VI族化合
物半導体に関して説明を行ったが、これに限らず、もち
ろん、III Ｖ族化合物半導体や、金属、他の全ての蒸着
装置に関しても適応ができる。
物半導体に関して説明を行ったが、これに限らず、もち
ろん、III Ｖ族化合物半導体や、金属、他の全ての蒸着
装置に関しても適応ができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カバー内部に測定子電極及びフィラメントを備え、ガ
ス、蒸気の分子をイオン化し、イオン電流として分子線
強度を読みとるようにした分子線束モニタリング装置に
おいて、上記カバーに冷却機構を備えたことにより、当
該モニタリング装置内を冷却できるので、上記カバー内
に付着した原料の再蒸発を防止して正確な分子線強度の
測定を繰り返えし行なうことができる。
カバー内部に測定子電極及びフィラメントを備え、ガ
ス、蒸気の分子をイオン化し、イオン電流として分子線
強度を読みとるようにした分子線束モニタリング装置に
おいて、上記カバーに冷却機構を備えたことにより、当
該モニタリング装置内を冷却できるので、上記カバー内
に付着した原料の再蒸発を防止して正確な分子線強度の
測定を繰り返えし行なうことができる。
【００２７】また、上記冷却機構に代えて該カバーに加
熱機構を備えることにより、同様の効果を奏することが
できる。
熱機構を備えることにより、同様の効果を奏することが
できる。
【００２８】上記した何れの分子線束モニタリング装置
を分子線エピタキシー装置の基板用シャッタ機構の前方
に設けることにより、該シャッタ機構のシャッタ板の開
放前に放射されている蒸着元素の蒸着量が正確に測定で
きるので、その測定結果に基づいて蒸発源の温度・制御
を行なうことにより、分子線エピタキシー装置における
蒸着速度の調整を正確に行なうことができる。
を分子線エピタキシー装置の基板用シャッタ機構の前方
に設けることにより、該シャッタ機構のシャッタ板の開
放前に放射されている蒸着元素の蒸着量が正確に測定で
きるので、その測定結果に基づいて蒸発源の温度・制御
を行なうことにより、分子線エピタキシー装置における
蒸着速度の調整を正確に行なうことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す分子線束モニタリング
装置の一部断面側面図である。
装置の一部断面側面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す分子線束モニタリン
グ装置の一部断面側面図である。
グ装置の一部断面側面図である。
【図３】分子線エピタキシー装置の構成説明図である。
【図４】従来例を示す分子線束モニタリング装置の一部
断面側面図である。
断面側面図である。
１ 真空室 ２ 蒸発源 ３ 液体窒素シュラウド ４ 基板加熱ヒータ ５ 基板 ６，７ シャッタ板 ８ 分子線束モニタリング装置 ９ 移動機構 １１，１１Ａ カバー １２ コレクタ １３ グリッド １４ 測定子電極 １５ フィラメント １６ 防着板 １７ ハウジング １８ 移動機構 １９ 測定子電極 ２１，２２ 冷却パイプ ２１ａ，２２ａ 冷却管 ３１，３２ 加熱用ヒータ
Claims (4)
- 【請求項１】 カバー内部に測定子電極及びフィラメン
トを備え、ガス、蒸気の分子をイオン化し、イオン電流
として分子線強度を読みとるようにした分子線束モニタ
リング装置において、上記カバーに冷却機構を備え、該
カバー内に付着した原料の再蒸発を防止するようにした
ことを特徴とする分子線束モニタリング装置。 - 【請求項２】 カバー内部に測定子電極及びフィラメン
トを備え、ガス、蒸気の分子をイオン化し、イオン電流
として分子線強度を読みとるようにした分子線束モニタ
リング装置において、上記カバーに加熱機構を備え、該
カバー内に付着した原料の再蒸発を防止するようにした
ことを特徴とする分子線束モニタリング装置。 - 【請求項３】 真空室内に備えられた複数個の蒸発源か
ら分子線を発生させ、該室内に配置され加熱された基板
上に、それぞれの材料のもつ付着係数の違いを利用して
エピタキシャル成長させるようにし、上記蒸発源からの
蒸発の開始、停止を行なうため基板の近傍にシャッタ機
構を備えた分子線エピタキシー装置において、上記基板
用シャッタ機構の前方に、内部に測定用電極及びフィラ
メントを備えたカバーに冷却機構を備え該カバー内に付
着した原料の再蒸発を防止するようにした分子線束モニ
タリング装置を、移動機構を介して取付けたことを特徴
とする分子線エピタキシー装置。 - 【請求項４】 真空室内に備えられた複数個の蒸発源か
ら分子線を発生させ、該室内に配置され加熱された基板
上に、それぞれの材料のもつ付着係数の違いを利用して
エピタキシャル成長させるようにし、上記蒸発源からの
蒸発の開始、停止を行なうため基板の近傍にシャッタ機
構を備えた分子線エピタキシー装置において、上記基板
用シャッタ機構の前方に、内部に測定用電極及びフィラ
メントを備えたカバーに加熱機構を備え該カバー内に付
着した原料の再蒸発を防止するようにした分子線束モニ
タリング装置を、移動機構を介して取付けたことを特徴
とする分子線エピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22132693A JPH0778763A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 分子線束モニタリング装置及びその分子線束モニタリング装置を備えた分子線エピタキシー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22132693A JPH0778763A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 分子線束モニタリング装置及びその分子線束モニタリング装置を備えた分子線エピタキシー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778763A true JPH0778763A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16765055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22132693A Pending JPH0778763A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 分子線束モニタリング装置及びその分子線束モニタリング装置を備えた分子線エピタキシー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778763A (ja) |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP22132693A patent/JPH0778763A/ja active Pending
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