JPH077878A - 高電圧部品の外面を絶縁する壁構造体及びその形成方法 - Google Patents
高電圧部品の外面を絶縁する壁構造体及びその形成方法Info
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- JPH077878A JPH077878A JP3351452A JP35145291A JPH077878A JP H077878 A JPH077878 A JP H077878A JP 3351452 A JP3351452 A JP 3351452A JP 35145291 A JP35145291 A JP 35145291A JP H077878 A JPH077878 A JP H077878A
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- Y10S174/26—High voltage cable, e.g. above 10kv, corona prevention having a plural-layer insulation system
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Insulation, Fastening Of Motor, Generator Windings (AREA)
- Insulating Of Coils (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高電圧コイル巻線間の空隙を無くするのに有
効な絶縁壁を、高電圧コイルの周りに形成する。 【構成】 外部が凸凹な高電圧コイル(1)の外面を絶
縁する壁構造体(30)は、表面が凸凹であるためにコ
イル外面に生じた空隙(18a,18b,18c)を充
填するための硬化可能な充填材で形成された内側絶縁層
(31)と、内側絶縁層を包囲する外側絶縁層(28)
と、内側絶縁層と外側絶縁層との間に設けられていて、
内側絶縁層内の電気応力、特に、絶縁材料を形成する硬
化可能な充填材を高電圧コイルの外面上に付着させた後
に残っている空隙中の電気応力を減少させる半導体層
(32)とを有する。かかる絶縁壁構造体を用いると、
内側成形層内の電気応力を減少させ、それにより、内側
成形層内に存在する空隙中に、損傷を引き起こすような
電気アークの生じる恐れが少なくなるので、高電圧コイ
ルの寿命が伸びるという利点がある。
効な絶縁壁を、高電圧コイルの周りに形成する。 【構成】 外部が凸凹な高電圧コイル(1)の外面を絶
縁する壁構造体(30)は、表面が凸凹であるためにコ
イル外面に生じた空隙(18a,18b,18c)を充
填するための硬化可能な充填材で形成された内側絶縁層
(31)と、内側絶縁層を包囲する外側絶縁層(28)
と、内側絶縁層と外側絶縁層との間に設けられていて、
内側絶縁層内の電気応力、特に、絶縁材料を形成する硬
化可能な充填材を高電圧コイルの外面上に付着させた後
に残っている空隙中の電気応力を減少させる半導体層
(32)とを有する。かかる絶縁壁構造体を用いると、
内側成形層内の電気応力を減少させ、それにより、内側
成形層内に存在する空隙中に、損傷を引き起こすような
電気アークの生じる恐れが少なくなるので、高電圧コイ
ルの寿命が伸びるという利点がある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、凸凹な表面を
備えた高電圧部品を被覆する絶縁体に関し、特に、構成
材料である絶縁物中に望ましくない空所を生じさせる傾
向のあるローベル(Roebeled)ストランド又は素線が外
面に設けられている高電圧コイルを被覆する絶縁壁構造
体及びその形成方法に関する。
備えた高電圧部品を被覆する絶縁体に関し、特に、構成
材料である絶縁物中に望ましくない空所を生じさせる傾
向のあるローベル(Roebeled)ストランド又は素線が外
面に設けられている高電圧コイルを被覆する絶縁壁構造
体及びその形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】交流発電機(同期発電機)で用いられる
高電圧コイルを絶縁するための壁構造体は従来技術にお
いて知られている。かかる壁構造体は、コイル素線を統
合してコイル・スタック(積重ね体)の状態にした後、
絶縁性で熱硬化性のエポキシで処理された材料のストリ
ップをコイル・スタックの頂面及び底面に付着させて形
成される。次に、コイル及びエポキシ処理材料を加熱可
能なプレス組立体の中に置く。プレス組立体は、エポキ
シ処理材料のストリップを加熱すると同時に圧縮し、そ
れにより、エポキシ処理材料のストリップは、先ず最初
に、液化してコイル外部の凸凹な表面の間に生じる空間
を満たし、次いで、硬化する。マイカテープ接地用壁を
統合状態のコイルの周りに形成し、これに、エポキシ樹
脂を真空含浸させる。接地用壁は、導電性のワニスを含
浸マイカテープに塗布すれば完成する。次に、その結果
得られたコイルを交流発電機(同期発電機)に組み込
む。
高電圧コイルを絶縁するための壁構造体は従来技術にお
いて知られている。かかる壁構造体は、コイル素線を統
合してコイル・スタック(積重ね体)の状態にした後、
絶縁性で熱硬化性のエポキシで処理された材料のストリ
ップをコイル・スタックの頂面及び底面に付着させて形
成される。次に、コイル及びエポキシ処理材料を加熱可
能なプレス組立体の中に置く。プレス組立体は、エポキ
シ処理材料のストリップを加熱すると同時に圧縮し、そ
れにより、エポキシ処理材料のストリップは、先ず最初
に、液化してコイル外部の凸凹な表面の間に生じる空間
を満たし、次いで、硬化する。マイカテープ接地用壁を
統合状態のコイルの周りに形成し、これに、エポキシ樹
脂を真空含浸させる。接地用壁は、導電性のワニスを含
浸マイカテープに塗布すれば完成する。次に、その結果
得られたコイルを交流発電機(同期発電機)に組み込
む。
【0003】望ましくない渦電流の発生のためにこれら
コイル中に生じる場合のある損失を最少限に抑えるた
め、これらコイルの巻線は、ローベル・バー(Roebel b
ar)と呼ばれる編組の形態に撚り合わせられる。かかる
ローベル・バーの外面は途切れ途切れの度合い、即ち、
不連続の度合いがひどい。その理由は、比較的厚くて平
らな素線(ストランド)がコイル表面上において同一平
面上で互いに滑らかに整列しないで、ばらばらな状態で
オーバーラップするからである。撚り合わされてオーバ
ーラップしているローベル素線によって生じた表面不連
続部はコイルの外面に多数の空隙(当該技術分野では、
「ボイド・スペース(void space)」とよばれる場合も
ある)を生じさせる傾向があるが、もし各空隙を絶縁材
料で完全に塞ぎ、或いは、充填しなければ、かかる空隙
は、望ましくないアークを生じさせる潜在的な場所とな
る。
コイル中に生じる場合のある損失を最少限に抑えるた
め、これらコイルの巻線は、ローベル・バー(Roebel b
ar)と呼ばれる編組の形態に撚り合わせられる。かかる
ローベル・バーの外面は途切れ途切れの度合い、即ち、
不連続の度合いがひどい。その理由は、比較的厚くて平
らな素線(ストランド)がコイル表面上において同一平
面上で互いに滑らかに整列しないで、ばらばらな状態で
オーバーラップするからである。撚り合わされてオーバ
ーラップしているローベル素線によって生じた表面不連
続部はコイルの外面に多数の空隙(当該技術分野では、
「ボイド・スペース(void space)」とよばれる場合も
ある)を生じさせる傾向があるが、もし各空隙を絶縁材
料で完全に塞ぎ、或いは、充填しなければ、かかる空隙
は、望ましくないアークを生じさせる潜在的な場所とな
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】残念なことには、溶融
状態の硬化性エポキシ材料を加圧下でかかるコイルの外
面に付着させる従来法は、高電圧コイルの外面の周りに
存在する、アークを発弧させる空隙の全てを充填する上
で、必ずしも完全に成功していたわけではない。したが
って、これらコイルの多くのものでは、エポキシ絶縁材
料が圧力下で硬化した後、気泡がこのエポキシ絶縁材料
中に残る。これら気泡は、コイルを約20kVの公称電
圧で動作させると、放電を生じる場所となる場合があ
り、また、経験の示すところによれば、ボイド・スペー
ス又は空隙の数が比較的少なくてもこれらの中にたとえ
僅かでもアークが生じると、かかるコイルの40年の予
想寿命が20年以下にまで極端に短くなる場合がある。
状態の硬化性エポキシ材料を加圧下でかかるコイルの外
面に付着させる従来法は、高電圧コイルの外面の周りに
存在する、アークを発弧させる空隙の全てを充填する上
で、必ずしも完全に成功していたわけではない。したが
って、これらコイルの多くのものでは、エポキシ絶縁材
料が圧力下で硬化した後、気泡がこのエポキシ絶縁材料
中に残る。これら気泡は、コイルを約20kVの公称電
圧で動作させると、放電を生じる場所となる場合があ
り、また、経験の示すところによれば、ボイド・スペー
ス又は空隙の数が比較的少なくてもこれらの中にたとえ
僅かでもアークが生じると、かかるコイルの40年の予
想寿命が20年以下にまで極端に短くなる場合がある。
【0005】明らかに、外面にローベル素線を有する高
電圧コイルの周りに絶縁壁を施す新規な方法であって、
これらコイルの巻線間のボイド・スペース又は空隙を無
くするのに一層有効な方法が要望されている。理想的に
は、かかる壁構造体は、かかる空隙の数を減少させるだ
けでなく、これら空隙中に生じる電気応力を一段と減少
させることができるべきである。最後に、もし、かかる
新規且つ改良型の壁構造体の形成が従来の製造装置及び
方法に適合し、従って、かかる壁構造体の製造設備の全
部を交換する必要がなければ、これは望ましいことであ
る。
電圧コイルの周りに絶縁壁を施す新規な方法であって、
これらコイルの巻線間のボイド・スペース又は空隙を無
くするのに一層有効な方法が要望されている。理想的に
は、かかる壁構造体は、かかる空隙の数を減少させるだ
けでなく、これら空隙中に生じる電気応力を一段と減少
させることができるべきである。最後に、もし、かかる
新規且つ改良型の壁構造体の形成が従来の製造装置及び
方法に適合し、従って、かかる壁構造体の製造設備の全
部を交換する必要がなければ、これは望ましいことであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】高電圧部品の外面を絶縁
する本発明の改良型壁構造体は、高電圧部品の表面に付
着された絶縁材料から形成された内側絶縁層と、壁構造
体を接地する外側の接地用壁と、内側絶縁層中の電気応
力を減少させる半導体材料の層とを有する。半導体層は
好ましくは内側絶縁層の外面と接地用壁の内面との間に
設けられる。改良型壁構造体は、高電圧部品と半導体材
料の層との間に設けられていて、内側絶縁層への電気応
力を一段と減少させる接続手段を更に有するのが良い。
する本発明の改良型壁構造体は、高電圧部品の表面に付
着された絶縁材料から形成された内側絶縁層と、壁構造
体を接地する外側の接地用壁と、内側絶縁層中の電気応
力を減少させる半導体材料の層とを有する。半導体層は
好ましくは内側絶縁層の外面と接地用壁の内面との間に
設けられる。改良型壁構造体は、高電圧部品と半導体材
料の層との間に設けられていて、内側絶縁層への電気応
力を一段と減少させる接続手段を更に有するのが良い。
【0007】本発明の絶縁壁構造体は、外面にローベル
素線が設けられた高電圧コイルに使用するのが最適であ
る。本発明をかかるコイルに適用する場合、内側絶縁層
は好ましくは、ローベル素線が幾何学的に凸凹であるた
めに高電圧部品の表面上に生じる空隙を充填するのに有
効な硬化性の非導電材料、例えば、エポキシから形成さ
れる。さらに、半導体層も同様に、硬化性の材料、例え
ば、炭素入りエポキシから形成されて、絶縁層と半導体
層が両方とも単一の強固な壁構造体の中に一体的に成形
できるようになることが好ましい。半導体層は半導体の
性質を有するので、内側絶縁層中の電気応力、特に、硬
化性のエポキシがコイル上に存在する多数の空隙の全て
を完全に充填することはできなかったために内側絶縁層
中に存在する小さな空気ポケット中の電気応力が効果的
に減少する。本発明は特に、20〜24kVで動作する
ローベル素線を備えるコイルに適用できる。かかる動作
条件のもとでは、この半導体層を形成する半導体材料の
抵抗は、約5,000〜50,000Ω/cm2、好ま
しくは、8,000〜20,000Ω/cm2のオーダ
ーである。
素線が設けられた高電圧コイルに使用するのが最適であ
る。本発明をかかるコイルに適用する場合、内側絶縁層
は好ましくは、ローベル素線が幾何学的に凸凹であるた
めに高電圧部品の表面上に生じる空隙を充填するのに有
効な硬化性の非導電材料、例えば、エポキシから形成さ
れる。さらに、半導体層も同様に、硬化性の材料、例え
ば、炭素入りエポキシから形成されて、絶縁層と半導体
層が両方とも単一の強固な壁構造体の中に一体的に成形
できるようになることが好ましい。半導体層は半導体の
性質を有するので、内側絶縁層中の電気応力、特に、硬
化性のエポキシがコイル上に存在する多数の空隙の全て
を完全に充填することはできなかったために内側絶縁層
中に存在する小さな空気ポケット中の電気応力が効果的
に減少する。本発明は特に、20〜24kVで動作する
ローベル素線を備えるコイルに適用できる。かかる動作
条件のもとでは、この半導体層を形成する半導体材料の
抵抗は、約5,000〜50,000Ω/cm2、好ま
しくは、8,000〜20,000Ω/cm2のオーダ
ーである。
【0008】本発明は更に、外部にローベル素線を備
え、絶縁層に僅かな電気応力を及ぼすに過ぎない電気部
品、例えば、高電圧コイルの周りに絶縁壁構造体を形成
する方法を提供する。この方法では、硬化性の絶縁材
料、例えば、エポキシを液化し、次に、加圧下で電気部
品の外面の周りに施して、ローベル素線が設けられてい
るために生じている空隙を充填させる。これと同時に、
硬化性の半導体材料、例えば、炭素入りのエポキシを絶
縁層の外面の周りに施して、内側絶縁層と半導体層の両
方が共に硬化して単一の一体壁構造体を形成するように
する。
え、絶縁層に僅かな電気応力を及ぼすに過ぎない電気部
品、例えば、高電圧コイルの周りに絶縁壁構造体を形成
する方法を提供する。この方法では、硬化性の絶縁材
料、例えば、エポキシを液化し、次に、加圧下で電気部
品の外面の周りに施して、ローベル素線が設けられてい
るために生じている空隙を充填させる。これと同時に、
硬化性の半導体材料、例えば、炭素入りのエポキシを絶
縁層の外面の周りに施して、内側絶縁層と半導体層の両
方が共に硬化して単一の一体壁構造体を形成するように
する。
【0009】
【実施例】今、図1及び図2参照すると(図中、同一の
参照番号は同一の部分を示すものとする)、本発明の目
的は、交流発電機又は同期発電機で用いられる形式の高
電圧部品、例えば高電圧コイル部分1の絶縁壁構造体を
提供することにある。かかるコイル部分1は、各々横断
面が全体として矩形の銅素線4を統合して形成したアレ
ー3を有する。アレー3では、これら素線4では列状且
つ柱状に配列されている。かかる素線アレー3は、交流
発電機または他の回転電機内におけるコイル部分1の動
作中、放熱のためのガス、例えば水素を導く一又は二以
上の通風路5を有する。図1に示す素線アレー3では、
この通風路5は、図示のように素線4を積み重ねて形成
した2つの柱状体の間に位置している。かかる通風路は
典型的には、ベントチューブと呼ばれることもある通風
管(図示せず)を収容している。変形例においては、か
かる通風路を素線4のうちの何本かにそれら自体に組込
んでもよい。コイル素線4のアレー3は通常は、図1に
示すコイル部分1の斜視図の後方部分の近くに断面で示
す絶縁壁構造体7(図2参照)によって完全に被覆され
ている。
参照番号は同一の部分を示すものとする)、本発明の目
的は、交流発電機又は同期発電機で用いられる形式の高
電圧部品、例えば高電圧コイル部分1の絶縁壁構造体を
提供することにある。かかるコイル部分1は、各々横断
面が全体として矩形の銅素線4を統合して形成したアレ
ー3を有する。アレー3では、これら素線4では列状且
つ柱状に配列されている。かかる素線アレー3は、交流
発電機または他の回転電機内におけるコイル部分1の動
作中、放熱のためのガス、例えば水素を導く一又は二以
上の通風路5を有する。図1に示す素線アレー3では、
この通風路5は、図示のように素線4を積み重ねて形成
した2つの柱状体の間に位置している。かかる通風路は
典型的には、ベントチューブと呼ばれることもある通風
管(図示せず)を収容している。変形例においては、か
かる通風路を素線4のうちの何本かにそれら自体に組込
んでもよい。コイル素線4のアレー3は通常は、図1に
示すコイル部分1の斜視図の後方部分の近くに断面で示
す絶縁壁構造体7(図2参照)によって完全に被覆され
ている。
【0010】本発明の絶縁壁構造体は多数の高電圧部品
のうち任意の一つと関連して用いるのが有利であるが、
交流発電機で用いられる形式の高電圧コイル部分1に用
いるのが最適である。かかるコイル部分1は使用にあた
っては、かかる交流発電機の固定子組立体11のスロッ
ト9に嵌め込まれている(図2参照)。かかる交流発電
機の効率を最高にするためには、これらコイル部分1の
各々を形成する銅素線4のアレー3を流れる望ましくな
い渦電流の量を無くし、或いは少なくとも減少させるこ
とが重要である。従って、頂端部及び底端部13,14
の素線は編組されてそれぞれローベル素線(Roebeled s
trand)15a,b及び16a,bを形成している(図1
参照)。かかる「編組」状態のローベル素線15a,b
及び16a,bは、エネルギーを弱める渦電流を効果的
に無力化させるために示されており、もしこのように構
成しなければ、かかる渦電流は素線アレー3中を自由に
流れることになる。残念ながら、かかるローベル素線1
5a,b及び16a,bは幾何学的に撚り合わせてオー
バーラップ状態になっているので、素線アレー3の頂端
部13及び底端部14において多数の凸凹な部分18
a,b,cを生じる。絶縁壁構造体7の大部分を形成す
る絶縁性エポキシ材料は、空隙又はボイド・スペースを
生じさせる気泡を生成させないで、これら凸凹部分18
a,b,cを完全に充填することは困難である。しかし
ながら、かかる空隙の形成と関連のある問題点を十分に
理解する前に、アレー3の素線4の間で且つこれらの周
りに在る全ての絶縁材料の構造と組立て法を明確に理解
する必要がある。
のうち任意の一つと関連して用いるのが有利であるが、
交流発電機で用いられる形式の高電圧コイル部分1に用
いるのが最適である。かかるコイル部分1は使用にあた
っては、かかる交流発電機の固定子組立体11のスロッ
ト9に嵌め込まれている(図2参照)。かかる交流発電
機の効率を最高にするためには、これらコイル部分1の
各々を形成する銅素線4のアレー3を流れる望ましくな
い渦電流の量を無くし、或いは少なくとも減少させるこ
とが重要である。従って、頂端部及び底端部13,14
の素線は編組されてそれぞれローベル素線(Roebeled s
trand)15a,b及び16a,bを形成している(図1
参照)。かかる「編組」状態のローベル素線15a,b
及び16a,bは、エネルギーを弱める渦電流を効果的
に無力化させるために示されており、もしこのように構
成しなければ、かかる渦電流は素線アレー3中を自由に
流れることになる。残念ながら、かかるローベル素線1
5a,b及び16a,bは幾何学的に撚り合わせてオー
バーラップ状態になっているので、素線アレー3の頂端
部13及び底端部14において多数の凸凹な部分18
a,b,cを生じる。絶縁壁構造体7の大部分を形成す
る絶縁性エポキシ材料は、空隙又はボイド・スペースを
生じさせる気泡を生成させないで、これら凸凹部分18
a,b,cを完全に充填することは困難である。しかし
ながら、かかる空隙の形成と関連のある問題点を十分に
理解する前に、アレー3の素線4の間で且つこれらの周
りに在る全ての絶縁材料の構造と組立て法を明確に理解
する必要がある。
【0011】再び図1を参照すると、コイル1の個々の
素線4は紙−薄手絶縁シート層20によって互いに絶縁
されており、紙−薄手絶縁シート層20は、薄手のガラ
ス布に絶縁性エポキシ樹脂を含浸して形成するのが良
い。これらの層20は薄いものであるのがよい。という
のは、コイル1を通って導かれる電圧がたとえ25KV
という高い電圧であっても、隣合う個々の素線4間の電
圧は僅か約5ボルトであり、これは電流がコイル1中を
流れているときに個々のコイル素線4のインピーダンス
によってのみ生じる。これとは対照的に、コイル1の素
線4とアースとの間の電位差は20kVのオーダーであ
る。したがって、上述の絶縁壁構造体7で構成される一
層重い絶縁物が素線アレー3全体を包囲している。この
壁構造体7は一般に、素線アレー3の頂端部13及び底
端部14上に施されたエポキシ含浸ダクロン(Dacron:
登録商標)フェルトの層で作られた内側絶縁層26と、
エポキシを含浸させたマイカテープの絶縁層26で形成
されると共にフェルトの層26上に且つ図示のようにぐ
るりと設けられた接地用壁27と、導電性塗料で形成さ
れた外側導電層29とを有する。従来型絶縁壁構造体7
の製造に当たり、エポキシ28を含浸させた絶縁性マイ
カのテープ状ストリップを、エポキシ含浸ダクロンフェ
ルトの層26を素線アレー3の頂端部13及び底端部1
4上に施した後、ストランド素線アレー3の周りにぐる
りと巻き付け、次に、コイル部分1全体を加熱可能なプ
レス組立体(図示せず)によって加熱すると同時に圧縮
する。加熱可能なプレス組立体は、層26,28の両方
のエポキシ材料をそれらの溶融温度よりも高い温度に
し、最終的に、これらの硬化温度にする。壁構造体7を
完全なものにするためには、導電性ポイントまたはワニ
スの層を、硬化後のエポキシ・マイカの層28の外面上
に付着させて接地用壁27を完成させる。
素線4は紙−薄手絶縁シート層20によって互いに絶縁
されており、紙−薄手絶縁シート層20は、薄手のガラ
ス布に絶縁性エポキシ樹脂を含浸して形成するのが良
い。これらの層20は薄いものであるのがよい。という
のは、コイル1を通って導かれる電圧がたとえ25KV
という高い電圧であっても、隣合う個々の素線4間の電
圧は僅か約5ボルトであり、これは電流がコイル1中を
流れているときに個々のコイル素線4のインピーダンス
によってのみ生じる。これとは対照的に、コイル1の素
線4とアースとの間の電位差は20kVのオーダーであ
る。したがって、上述の絶縁壁構造体7で構成される一
層重い絶縁物が素線アレー3全体を包囲している。この
壁構造体7は一般に、素線アレー3の頂端部13及び底
端部14上に施されたエポキシ含浸ダクロン(Dacron:
登録商標)フェルトの層で作られた内側絶縁層26と、
エポキシを含浸させたマイカテープの絶縁層26で形成
されると共にフェルトの層26上に且つ図示のようにぐ
るりと設けられた接地用壁27と、導電性塗料で形成さ
れた外側導電層29とを有する。従来型絶縁壁構造体7
の製造に当たり、エポキシ28を含浸させた絶縁性マイ
カのテープ状ストリップを、エポキシ含浸ダクロンフェ
ルトの層26を素線アレー3の頂端部13及び底端部1
4上に施した後、ストランド素線アレー3の周りにぐる
りと巻き付け、次に、コイル部分1全体を加熱可能なプ
レス組立体(図示せず)によって加熱すると同時に圧縮
する。加熱可能なプレス組立体は、層26,28の両方
のエポキシ材料をそれらの溶融温度よりも高い温度に
し、最終的に、これらの硬化温度にする。壁構造体7を
完全なものにするためには、導電性ポイントまたはワニ
スの層を、硬化後のエポキシ・マイカの層28の外面上
に付着させて接地用壁27を完成させる。
【0012】最終的には内側絶縁層26を形成する材料
の液化と圧縮の両方を同時に行えば、オーバーラップ状
態のローベル素線15a,b及び16a,bによって生
じる凸凹な部分18a,b,c内の空隙を大体無くせる
が、残念なことに、かかる空隙の全てを除去することは
できない。したがって、注意深く制御された製造条件の
下であっても、液化して圧縮したエポキシ樹脂がコイル
アレー3の頂端部13及び底端部14の凸凹な部分の全
てを充填できなければ、製造されたかかるコイル部分の
全ての製品不合格率が相当大きくなる場合が結果として
生じる。
の液化と圧縮の両方を同時に行えば、オーバーラップ状
態のローベル素線15a,b及び16a,bによって生
じる凸凹な部分18a,b,c内の空隙を大体無くせる
が、残念なことに、かかる空隙の全てを除去することは
できない。したがって、注意深く制御された製造条件の
下であっても、液化して圧縮したエポキシ樹脂がコイル
アレー3の頂端部13及び底端部14の凸凹な部分の全
てを充填できなければ、製造されたかかるコイル部分の
全ての製品不合格率が相当大きくなる場合が結果として
生じる。
【0013】図3は本発明の絶縁壁構造体30を示して
いる。上述の従来技術と同様に、本発明の壁構造体30
は、ローベル素線15a,b及び16a,bによって生
じた凸凹な空間または部分18a,b,cを満たすこと
ができる非導電性の熱硬化性エポキシ材料から形成され
た内側絶縁層31を有する。好ましい実施例では、層3
1は、マイカ紙とB段階エポキシを組み合わせて形成し
たものである。しかしながら、従来型壁構造体7とは異
なり、本発明の壁構造体30は内側絶縁層31と接地用
壁27との間に半導体材料の層、即ち、半導体層32を
有する。好ましい実施例では、半導体層32は、炭素入
りのエポキシ材料のペーストから形成されており、この
ペーストは、熱と圧力を同時に加えて壁構造体30を製
造すると、内側絶縁層31を形成する非導電性エポキシ
に融着して構造的にこれと一体になることができる。そ
の結果得られた、層31と層32の結合性により、従来
型壁構造体7と関連のある同種の構造的な結合性が得ら
れるだけでなく、2つの層31,32の間の追加の空隙
形成の防止に役立つ。図3に示すように、半導体層の外
面は、従来技術と関連して説明した接地用壁27と構造
的に同一の接地用壁27によって被覆されている。
いる。上述の従来技術と同様に、本発明の壁構造体30
は、ローベル素線15a,b及び16a,bによって生
じた凸凹な空間または部分18a,b,cを満たすこと
ができる非導電性の熱硬化性エポキシ材料から形成され
た内側絶縁層31を有する。好ましい実施例では、層3
1は、マイカ紙とB段階エポキシを組み合わせて形成し
たものである。しかしながら、従来型壁構造体7とは異
なり、本発明の壁構造体30は内側絶縁層31と接地用
壁27との間に半導体材料の層、即ち、半導体層32を
有する。好ましい実施例では、半導体層32は、炭素入
りのエポキシ材料のペーストから形成されており、この
ペーストは、熱と圧力を同時に加えて壁構造体30を製
造すると、内側絶縁層31を形成する非導電性エポキシ
に融着して構造的にこれと一体になることができる。そ
の結果得られた、層31と層32の結合性により、従来
型壁構造体7と関連のある同種の構造的な結合性が得ら
れるだけでなく、2つの層31,32の間の追加の空隙
形成の防止に役立つ。図3に示すように、半導体層の外
面は、従来技術と関連して説明した接地用壁27と構造
的に同一の接地用壁27によって被覆されている。
【0014】好ましい実施例では、半導体層32の抵抗
率は、絶縁層31中の電気応力を実質的に減少させるほ
ど小さいが、アレー3中の個々の素線間に望ましくない
短絡状態の生ずる恐れがないほど大きく選択されてい
る。従って、コイル素線のアレー3に印加される電圧は
20〜25KVのオーダーである場合に、半導体層32
の抵抗は、単位面積(1平方センチメートル)当たり約
5,000〜50,000Ωの間、より好ましくは、約
8,000〜20,000Ω/cm2の間にあるよう選
択される。
率は、絶縁層31中の電気応力を実質的に減少させるほ
ど小さいが、アレー3中の個々の素線間に望ましくない
短絡状態の生ずる恐れがないほど大きく選択されてい
る。従って、コイル素線のアレー3に印加される電圧は
20〜25KVのオーダーである場合に、半導体層32
の抵抗は、単位面積(1平方センチメートル)当たり約
5,000〜50,000Ωの間、より好ましくは、約
8,000〜20,000Ω/cm2の間にあるよう選
択される。
【0015】内側絶縁層31に加わる電気応力を事実上
無くすため、本発明の絶縁壁構造体30の半導体層32
を、接続用インタフェース35を用いて、素線アレー3
の頂端部13または底端部14のいずれか一方において
素線15a,bまたは16a,bの一方に電気的に接続
するのが良い。構造的には、この接続用インタフェース
35は、内側絶縁層31を形成する絶縁性充填材に設け
られた開口部に過ぎず、半導体層32を形成する半導体
エポキシ樹脂は、層31と層32の両方を形成するエポ
キシ材料に熱と圧力の両方を同時に加えると、この開口
部に入り込むことができる。かかる接続用インタフェー
ス35を本発明の絶縁壁構造体30内に設けると、内側
絶縁層31中の総電位はかなり低くなる。これについて
は、図7を参照して後で一層詳しく説明する。かかる接
続用インタフェース35を本発明の絶縁壁構造体7に用
いると、半導体層32を形成する材料の抵抗はかかる接
続用インタフェース35を設けない場合のこの層の抵抗
よりも高いので好ましい。具体的にいえば、この抵抗
は、接続用インタフェース35を設けない場合には単位
面積当たり約10,000Ωであるが、かかるインタフ
ェース35を設けると、単位面積当たり約40000Ω
のレベルまで大きくなる。
無くすため、本発明の絶縁壁構造体30の半導体層32
を、接続用インタフェース35を用いて、素線アレー3
の頂端部13または底端部14のいずれか一方において
素線15a,bまたは16a,bの一方に電気的に接続
するのが良い。構造的には、この接続用インタフェース
35は、内側絶縁層31を形成する絶縁性充填材に設け
られた開口部に過ぎず、半導体層32を形成する半導体
エポキシ樹脂は、層31と層32の両方を形成するエポ
キシ材料に熱と圧力の両方を同時に加えると、この開口
部に入り込むことができる。かかる接続用インタフェー
ス35を本発明の絶縁壁構造体30内に設けると、内側
絶縁層31中の総電位はかなり低くなる。これについて
は、図7を参照して後で一層詳しく説明する。かかる接
続用インタフェース35を本発明の絶縁壁構造体7に用
いると、半導体層32を形成する材料の抵抗はかかる接
続用インタフェース35を設けない場合のこの層の抵抗
よりも高いので好ましい。具体的にいえば、この抵抗
は、接続用インタフェース35を設けない場合には単位
面積当たり約10,000Ωであるが、かかるインタフ
ェース35を設けると、単位面積当たり約40000Ω
のレベルまで大きくなる。
【0016】図5は、本発明の絶縁壁構造体30の変形
例を示しており、この変形例では、半導体層は、コイル
・アレー3の頂端部13及び底端部14だけを被覆する
2つの層38a,bに分割されている。内側絶縁層31
はアレー3の頂端部13のローベル素線15a,bとア
レー3の底端部14のローベル素線16a,bを互いに
完全に絶縁しているので、半導体層38a,bのそれぞ
れをコイル・アレー3に別々に接続する2つの接続用イ
ンタフェース40a,bを設けるのが良い。本発明のこ
の特定の実施例は、高電圧コイル部分1の周りにおける
絶縁性を全体として幾分向上させるという利点がある。
その理由は、素線アレー3の側部が、内側絶縁層31及
び接地用壁27の内側層28から形成された絶縁性充填
材で完全に被覆されているからである。しかしながら、
側部には半導体材料がないので、側部の電気応力は、図
3に示す本発明の第1の実施例に対するレベルまでは減
少しないであろう。しかしながら、これは些細なことに
過ぎない。というのは、絶縁材料中で生じる恐れのある
空隙部分の殆ど全ては、素線アレー3の頂端部13及び
底端部14で生じるであろうからであり、またこれらは
不連続な表面という特徴のあるアレー3の領域であるか
らである。
例を示しており、この変形例では、半導体層は、コイル
・アレー3の頂端部13及び底端部14だけを被覆する
2つの層38a,bに分割されている。内側絶縁層31
はアレー3の頂端部13のローベル素線15a,bとア
レー3の底端部14のローベル素線16a,bを互いに
完全に絶縁しているので、半導体層38a,bのそれぞ
れをコイル・アレー3に別々に接続する2つの接続用イ
ンタフェース40a,bを設けるのが良い。本発明のこ
の特定の実施例は、高電圧コイル部分1の周りにおける
絶縁性を全体として幾分向上させるという利点がある。
その理由は、素線アレー3の側部が、内側絶縁層31及
び接地用壁27の内側層28から形成された絶縁性充填
材で完全に被覆されているからである。しかしながら、
側部には半導体材料がないので、側部の電気応力は、図
3に示す本発明の第1の実施例に対するレベルまでは減
少しないであろう。しかしながら、これは些細なことに
過ぎない。というのは、絶縁材料中で生じる恐れのある
空隙部分の殆ど全ては、素線アレー3の頂端部13及び
底端部14で生じるであろうからであり、またこれらは
不連続な表面という特徴のあるアレー3の領域であるか
らである。
【0017】図6A及び図6Bは本発明の動作原理を説
明する略図である。図6Aは、従来型壁構造体7の接地
用壁27及び内側絶縁層26が本質的にどのように2つ
の直列接続のコンデンサ(キャパシタ)を形成するか、
を示しており、この場合、上側のコンデンサの両電極
は、導電性塗料の層29及び接地用壁のマイカ・エポキ
シ層28と半導体層32との間のインタフェースによっ
て形成され、下側のコンデンサの両電極は、上述の層2
8と層32の間のインタフェース及び素線アレー3の表
面によって形成されている。層25を形成する絶縁材料
が受ける電気応力は、絶縁壁構造体7のリアクタンスに
正比例し、このリアクタンスは図6Aに概略的に示すコ
ンデンサのキャパシタンスに逆比例する。もしこのリア
クタンスを小さくすべきであるならば、素線アレー3の
周りの絶縁壁構造体のキャパシタンスを大きくする必要
がある。図6Bは、本発明の絶縁壁構造体30の中に半
導体層32を設けることによってこのキャパシタンスを
どのように確かに増大させているか、を示している。半
導体層32の導電性により、素線アレー3の表面及び層
28,32間のインタフェースによって形成されるコン
デンサ板の間の距離は効果的に減じられる。更に、少な
くとも本発明の図3の実施例に関しては、板3及び29
の面積は増大している。というのは、電気応力は、素線
アレー3の頂端部13及び底端部14だけにはもはや存
在せず、半導体層がアレー3を完全に包囲しているの
で、今や、素線アレー3の側部を全て包囲している。板
の間の距離の減少に加えて、コンデンサ板のサイズのこ
の効果的な増大により、周知の式であるC=kA/dに
従ってキャパシタンスが大きくなる(それ故、絶縁壁構
造体30のリアクタンスが減少する)。なお、上式中、
kは比誘電率、Aはキャパシタ板の面積、dは板の相互
離隔距離である。
明する略図である。図6Aは、従来型壁構造体7の接地
用壁27及び内側絶縁層26が本質的にどのように2つ
の直列接続のコンデンサ(キャパシタ)を形成するか、
を示しており、この場合、上側のコンデンサの両電極
は、導電性塗料の層29及び接地用壁のマイカ・エポキ
シ層28と半導体層32との間のインタフェースによっ
て形成され、下側のコンデンサの両電極は、上述の層2
8と層32の間のインタフェース及び素線アレー3の表
面によって形成されている。層25を形成する絶縁材料
が受ける電気応力は、絶縁壁構造体7のリアクタンスに
正比例し、このリアクタンスは図6Aに概略的に示すコ
ンデンサのキャパシタンスに逆比例する。もしこのリア
クタンスを小さくすべきであるならば、素線アレー3の
周りの絶縁壁構造体のキャパシタンスを大きくする必要
がある。図6Bは、本発明の絶縁壁構造体30の中に半
導体層32を設けることによってこのキャパシタンスを
どのように確かに増大させているか、を示している。半
導体層32の導電性により、素線アレー3の表面及び層
28,32間のインタフェースによって形成されるコン
デンサ板の間の距離は効果的に減じられる。更に、少な
くとも本発明の図3の実施例に関しては、板3及び29
の面積は増大している。というのは、電気応力は、素線
アレー3の頂端部13及び底端部14だけにはもはや存
在せず、半導体層がアレー3を完全に包囲しているの
で、今や、素線アレー3の側部を全て包囲している。板
の間の距離の減少に加えて、コンデンサ板のサイズのこ
の効果的な増大により、周知の式であるC=kA/dに
従ってキャパシタンスが大きくなる(それ故、絶縁壁構
造体30のリアクタンスが減少する)。なお、上式中、
kは比誘電率、Aはキャパシタ板の面積、dは板の相互
離隔距離である。
【0018】図7は、板中の電気応力の減少の観点にお
いて、従来型絶縁壁7の能力と本発明の絶縁壁30の能
力を相対的に比較するグラフである。このグラフの縦軸
は、コイル素線を覆う絶縁壁内における望ましくないア
ークの発生の結果としてコイル部分1内に生じる電流損
失量と比例する「タンジェントデルタ(tan δ)」で知
られる量を示し、グラフの横軸は、kVで表示された電
位差を示す。破線のグラフAは、従来型絶縁壁構造体7
に関して電圧の上昇と共にどのようにtan δが増大する
かを示し、実線のグラフBは、図4及び図5に示す本発
明の2つの実施例のいずれか一方について電圧の上昇と
共にどのようにtan δが増大するかを示している。これ
らグラフ線を大まかに比較して分かったことは、本発明
の絶縁壁30についてはtan δが(それ故、電気応力
も)一層小さくなるだけではなく、本発明の絶縁壁構造
体30では20〜24kVの範囲内におけるこの電気応
力の増大の勾配が遥かに小さいことである。実線のグラ
フCは、半導体層32を含むが、素線アレー3の個々の
素線4と半導体層32との間の接続用インタフェース3
5,40a,bを含まない本発明の実施例について、印
加電圧の上昇と共にtan δがどのように変化しているか
を示している。電気応力は20kVのレベルにおいて著
しく低いというわけではないが、注目すべき重要なこと
は、本発明のかかる実施例については、この電気応力は
実際には、20〜24kVの重要な範囲においては僅か
に負に傾斜しており、これに対し、従来型絶縁壁構造体
7に係る勾配はほぼ45°の角度で増大していることで
ある。
いて、従来型絶縁壁7の能力と本発明の絶縁壁30の能
力を相対的に比較するグラフである。このグラフの縦軸
は、コイル素線を覆う絶縁壁内における望ましくないア
ークの発生の結果としてコイル部分1内に生じる電流損
失量と比例する「タンジェントデルタ(tan δ)」で知
られる量を示し、グラフの横軸は、kVで表示された電
位差を示す。破線のグラフAは、従来型絶縁壁構造体7
に関して電圧の上昇と共にどのようにtan δが増大する
かを示し、実線のグラフBは、図4及び図5に示す本発
明の2つの実施例のいずれか一方について電圧の上昇と
共にどのようにtan δが増大するかを示している。これ
らグラフ線を大まかに比較して分かったことは、本発明
の絶縁壁30についてはtan δが(それ故、電気応力
も)一層小さくなるだけではなく、本発明の絶縁壁構造
体30では20〜24kVの範囲内におけるこの電気応
力の増大の勾配が遥かに小さいことである。実線のグラ
フCは、半導体層32を含むが、素線アレー3の個々の
素線4と半導体層32との間の接続用インタフェース3
5,40a,bを含まない本発明の実施例について、印
加電圧の上昇と共にtan δがどのように変化しているか
を示している。電気応力は20kVのレベルにおいて著
しく低いというわけではないが、注目すべき重要なこと
は、本発明のかかる実施例については、この電気応力は
実際には、20〜24kVの重要な範囲においては僅か
に負に傾斜しており、これに対し、従来型絶縁壁構造体
7に係る勾配はほぼ45°の角度で増大していることで
ある。
【図1】従来型絶縁壁構造体によって絶縁された、頂端
部及び底端部にローベル巻線を備えるコイル部分の斜視
図である。
部及び底端部にローベル巻線を備えるコイル部分の斜視
図である。
【図2】図1に示すコイル部分が交流発電機の固定子組
立体のスロット内にどのように収納されているかを示す
図である。
立体のスロット内にどのように収納されているかを示す
図である。
【図3】本発明の壁構造体によって絶縁されている、頂
端部及び底端部にローベル素線を備えるコイル部分の斜
視図である。
端部及び底端部にローベル素線を備えるコイル部分の斜
視図である。
【図4】4−4線における図3に示すコイルの部分横断
面図であり、導電層とこの導電層とコイル部分の頂部コ
イル素線の間の接続用インタフェースの両方を示す図で
ある。
面図であり、導電層とこの導電層とコイル部分の頂部コ
イル素線の間の接続用インタフェースの両方を示す図で
ある。
【図5】本発明の変形例によって絶縁されているコイル
部分の横断面図であり、半導体層がコイル素線のアレー
を完全には包囲せず、素線アレーの頂端部及び底端部だ
けを被覆している状態を示す図である。
部分の横断面図であり、半導体層がコイル素線のアレー
を完全には包囲せず、素線アレーの頂端部及び底端部だ
けを被覆している状態を示す図である。
【図6】本発明の絶縁壁の半導体層が高電圧素線のアレ
ーの外面と内側絶縁層の外面との間のキャパシタンスを
どのように増大させて、それにより内側絶縁層に及ぼさ
れる電気応力をどのように減少させるかを示す図であ
る。
ーの外面と内側絶縁層の外面との間のキャパシタンスを
どのように増大させて、それにより内側絶縁層に及ぼさ
れる電気応力をどのように減少させるかを示す図であ
る。
【図7】図1に示す従来型コイル部分(点線で示す)
と、本発明の改良型絶縁壁構造体(実線で示す)の両方
について、絶縁壁構造体内の電気圧応力が電圧の上昇と
共にどのように増大するかを比較して示すグラフであ
る。
と、本発明の改良型絶縁壁構造体(実線で示す)の両方
について、絶縁壁構造体内の電気圧応力が電圧の上昇と
共にどのように増大するかを比較して示すグラフであ
る。
1 高電圧コイル 18a,18b,18c 空隙又はボイドスペース 28 外側絶縁層 30 壁構造体 31 内側絶縁層 32 半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レオナード ブライアン シモンズ アメリカ合衆国 フロリダ州 ウインター スプリングス ノザーン ウェイ 1422 (72)発明者 エミール マイケル フォート アメリカ合衆国 フロリダ州 メイトラン ド レイクショア ドライブ 627
Claims (13)
- 【請求項1】 外部が凸凹な高電圧部品の外面を絶縁す
る壁構造体において、表面が凸凹であるために部品の外
面に生じた空隙を充填するための硬化性充填材から形成
された内側絶縁層と、内側絶縁層を包囲する外側絶縁層
と、内側絶縁層と外側絶縁層との間に設けられていて、
内側絶縁層内の電気応力、特に、絶縁材料を形成する硬
化性充填材を部品の外面上に付着させた後に残っている
空隙の電気応力を減少させる半導体層とを有することを
特徴とする壁構造体。 - 【請求項2】 高電圧部品と半導体層との間に設けられ
ていて、内側絶縁層中の電気応力を一段と減少させる接
続手段を更に有することを特徴とする請求項1の壁構造
体。 - 【請求項3】 高電圧部品は、異なる電圧レベルで動作
する複数の導体を有し、壁構造体は、複数の前記導体の
うち一つと半導体層との間に設けられていて、内側絶縁
層中の電気応力を一段と減少させる接続手段を更に有す
ることを特徴とする請求項1の壁構造体。 - 【請求項4】 高電圧部品は約20〜25kVの電圧で
動作し、半導体の抵抗は約8,000〜20,000Ω
/cm2であることを特徴とする請求項1の壁構造体。 - 【請求項5】 半導体の抵抗は約10,000Ω/cm
2であることを特徴とする請求項4の壁構造体。 - 【請求項6】 半導体層は、内側絶縁層の外面の中に一
体的に成形できる硬化性の材料から形成されていること
を特徴とする請求項1の壁構造体。 - 【請求項7】 内側絶縁層は、非導電性のエポキシ材料
から形成され、半導体層は、炭素入りエポキシを内側絶
縁層の外面上に一体成形したものであることを特徴とす
る請求項6の壁構造体。 - 【請求項8】 高電圧部品の外面には、ローベル巻線が
設けられていることを特徴とする請求項1の壁構造体。 - 【請求項9】 半導体層の厚さは約0.3〜0.6cm
であり、高電圧部品は、ローベル巻線から形成された動
作電圧が18〜25kVのコイルであることを特徴とす
る請求項8の壁構造体。 - 【請求項10】 外部にローベル巻線を備えた高電圧コ
イルの外面を絶縁する壁構造体において、コイルを包囲
すると共にローベル巻線によってコイル外面上に生じた
空隙を充填する硬化性エポキシ材料から形成されている
内側絶縁層と、内側絶縁層を包囲していて、壁構造体を
接地する接地用壁と、内側絶縁層の外面の周りに一体成
形されていて、内側絶縁層中の電気応力、特に、内側絶
縁層をコイルの外部上のローベル巻線上に付着させた後
に残っている空隙の電気応力を減少させる炭素入りエポ
キシ材料から形成された半導体層とを有することを特徴
とする壁構造体。 - 【請求項11】 凸凹な外面を備えた電気部品の周りに
壁構造体を形成する方法において、部品の外面の周りに
硬化性の絶縁材料を付着させて、部品の外面の凸凹によ
って生じている空隙を満たして内側絶縁層を形成する段
階と、内側絶縁層を形成する絶縁材料の硬化前に硬化性
の半導体材料を内側絶縁層の外面の周りに付着させて、
内側絶縁層と構造的に一体であって、内側絶縁層に加わ
る電気応力、特に、残存している空隙に加わる電気応力
を減少させる半導体層を形成する段階とを含むことを特
徴とする方法。 - 【請求項12】 内側絶縁層に加わる電気応力を一段と
減少させるために部品と半導体層との間に電気的接続手
段を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1
1の方法。 - 【請求項13】 壁構造体を接地する導電性の外側層を
備える接地用壁を形成する段階を更に含むことを特徴と
する請求項11の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US627277 | 1990-12-14 | ||
| US07/627,277 US5175396A (en) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Low-electric stress insulating wall for high voltage coils having roebeled strands |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077878A true JPH077878A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=24513996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351452A Pending JPH077878A (ja) | 1990-12-14 | 1991-12-12 | 高電圧部品の外面を絶縁する壁構造体及びその形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5175396A (ja) |
| EP (1) | EP0490705B1 (ja) |
| JP (1) | JPH077878A (ja) |
| CA (1) | CA2057602A1 (ja) |
| DE (1) | DE69110632T2 (ja) |
| ES (1) | ES2075373T3 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009118719A (ja) * | 2006-12-15 | 2009-05-28 | General Electric Co <Ge> | 電気絶縁材として用いられる非線形誘電体 |
| EP2348615A1 (en) * | 2010-01-22 | 2011-07-27 | Alstom Technology Ltd | Conductive bar for electric machines |
| JP2013505700A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 電動機械の高電圧固定子コイル内の電位差緩和構造 |
Families Citing this family (75)
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|---|---|---|---|---|
| AU3052997A (en) | 1996-05-29 | 1998-01-05 | Asea Brown Boveri Ab | Rotating electrical machine comprising high-voltage stator winding and elongated support devices supporting the winding and method for manufacturing such machine |
| AU718707B2 (en) | 1996-05-29 | 2000-04-20 | Abb Ab | Insulated conductor for high-voltage windings and a method of manufacturing the same |
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