JPH0778877B2

JPH0778877B2 - 光ディスク装置

Info

Publication number: JPH0778877B2
Application number: JP63084722A
Authority: JP
Inventors: 青児西脇
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-04-06
Filing date: 1988-04-06
Publication date: 1995-08-23
Anticipated expiration: 2010-08-23
Also published as: JPH01256026A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は光ディスクおよび情報を光ディスクに記録また
は再生する光学ヘッドを含めた光ディスク装置に関す
る。

従来の技術従来の技術として、例えばアプライドフィジクスレ
ターズ（APPLIED PHYSICS LETTERS）（VOLUMU 42 NUMBE
R 2）に掲載されているハイデシシティオプティカ
ルディスクシェイプトグルーグズ（“High densi
ty optical disk with V−shaped grooves"）に示され
ているものに基づいて説明する。まず従来の光ディスク
装置の構成について以下図面に基づいて説明する。

第９図は従来の光ディスクの反射面を示し、Ｖ字形の周
期溝の斜面100上にピット101が形成されている。このＶ
溝光ディスクの場合トラックは斜面に相当し、トラック
ピッチは溝のピッチの1/2である。

第10図は従来の光学ヘッドの原理図を示す。半導体レー
ザー102から出た光（波長830nm）は回折格子103によっ
て３光束に分離され、偏光ビームスプリッタ104を経て
集光レンズ105により平行光にされ、反射プリズム106、
1/4波長板107を経て絞りレンズ108によりＶ字形のプリ
グルーブの形成された光ディスク反射面109に絞り込ま
れる。この光ディスク反射面109より反射した戻り光は
３光束に分離したまま再び絞りレンズ108、1/4波長板10
7、反射プリズム106を経て集光レンズ105により集光さ
れ、偏光ビームスプリッタ104を反射する。３光束の
内、外側の２光束は光検出器111、112に受光され再生信
号となる。中央の光束はシリンドリカルレンズ110を透
過して光検出器113に受光され、フォーカス、トラッキ
ング制御用の信号となる。

第11図は光ディスク反射面上でのビームスポットの配置
を示しており、Ｖ溝の斜面上を外側の２光束に対応した
ビームスポット114、115が走査し、Ｖ溝の山頂上（また
は谷底上）を中央の光束に対応したビームスポット116
が走査する。

第12図はＶ溝斜面上を走査する光の戻り光が絞りレンズ
開口面上で示す光強度分布を現しており、隣接トラック
にピットがない場合のＶ溝斜面100からの戻り光は強度
分布118を示し、隣接トラックにピット117があれば強度
分布119に変わる。仮に開口面上に再生信号検出器があ
れば、開口径R0に対し光軸に対する隙間δ０を適切に選
ぶことで光検出器120上でのクロストーク成分（隣接ト
ラック上の信号による外乱）をキャンセルすることがで
きる。

第13図はクロストークが光検出器と光軸との隙間とどの
様な関係にあるかを示しており、光検出器上121での戻
り光の径Ｒに対し隙間δを適切に選ぶことでクロストー
クを著しく落とすことができる。従って、トラックピッ
チを密にすることができ、光ディスクの高密度化を実現
できる。

発明が解決しようとする課題このような従来の光ディスク装置に於て、次のような問
題点がある。

第14図（ａ）はビームスポット122と走査トラック中心1
23とのずれ（ディフォーカス量εＦ、オフトラック量ε
Ｔ）を示しており、（ｂ）はトラックピッチ１μｍの時
のクロストークとディフォーカス量εＦとの関係、
（ｃ）はクロストークとオフトラック量εＴとの関係を
示す。クロストークは片側の隣接トラックにピットがあ
る場合の値であり、ディフォーカス量εＦは反射面が絞
りレンズ10から遠ざかる方向を正とし、オフトラック量
εＴはピット124のある側の隣接トラックに近付く方向
を負とし、その反対側、すなわちピットのない側の隣接
トラックに近付く方向を正とする。

ディフォーカス、オフトラックは調整時及び経年変化に
伴う様々な誤差要因によってどうしても生じるもので、
少なくともディフォーカス量±１μｍ、オフトラック量
±0.2μｍに対するシステムの品質を保証しなければな
らない。第14図より従来の光ディスク装置はジャストフ
ォーカス（εＦ＝０）、ジャストトラッキング（εＴ＝
０）に於いてクロストークは小さいが、ディフォーカ
ス、オフトラックが生じると著しく劣化し、ディフォー
カス量±１μｍでクロストーク−28dB、オフトラック量
±0.2μｍでクロストーク−21dBまで落ちる。

光学ヘッドは解折格子によって分離した３光束を絞って
光ディスク反射面上に精度良く配置し、３つの戻り光を
それぞれ３つの光検出器で受光する構成となるので光学
系の構成が複雑となる。また、光ディスク反射面上に３
つのビームスポットが形成されるので再生専用に限ら
れ、追記用、もしくは記録、消去用には適さない。さら
に、光ディスクの溝及び信号ピットを形成するには溝が
Ｖ字形なのでレジストの硬化を応用した工法は適用でき
ず、技術的に十分確立していない切削による工法でＶ溝
を形成した上、レジストの硬化、イオンミリングを利用
して信号ピットを形成するので、その工法は複雑なもの
となる。

本発明はかかる問題点に鑑み、ディフオーカス、オフト
ラックなどの誤差要因に対するクロストークの劣化を押
え、光学ヘッド、光ディスクの構成、工法が容易で、再
生専用のみでなく追記用、もしくは記録、消去用の応用
も可能な高密度光ディスク装置を提供することを目的と
する。

課題を解決するための手段本発明は、半導体レーザーと、このレーザーからの光を
集光し平行光とする第一の集光手段と、、前記集光され
たレーザー光をプリグルーブもしくはプリピットの形成
された光ディスク反射面に集光させると共に前記光ディ
スク反射面からの戻り光を集光する第二の集光手段と、
前記第二の集光手段を経た戻り光を前記光ディスクの径
方向に対応する分割線でいくつかの領域に分割してそれ
ぞれ検出する検出手段と、前記検出手段の一対から差信
号を得る差動増幅器とを備え、前記差信号を再生信号と
し、前記第二の集光手段によって光ディスク反射面に集
光された光スポットが非点収差をもち、非点収差によっ
て生じる第一の焦線がほぼ前記光ディスク反射面上にあ
りかつ前記光ディスクの径方向に平行であるを特徴とす
る光ディスク装置である。

作用上記のような構成により、反射面上の光スポットに非点
収差をもたせ、戻り光を分割して検出しその差分を再生
信号とすることでクロストークがキャンセルされ、ディ
フォーカス、オフトラックなどの誤差要因に対するクロ
ストークの劣化を抑えることができるので、トラックピ
ッチを密にすることが可能である。また、レーザー光を
分離せずに１光束のまま光ディスク反射面上に集光し、
戻り光を検出する構成となるので光学系の構成が簡単に
なる。また、光ディスク反射面上のビームスポットは１
つであり、再生専用に限らず、追記用、もしくは記録、
消去用にも適用できる。さらに、光ディスクの溝がＵ字
形なので溝の形成にはレジストの硬化を応用した工法が
適用でき、しかも溝及び信号ピットの深さが均一なので
溝、ピットを同時に形成でき、その工法が簡単になる。

実施例以下本発明の実施例を第１図から第８図に基づいて説明
する。

第１図は本発明の第一実施例における光ディスクの反射
面を示し、トラック溝１はレーザー照射側に凸のＵ字形
ガイド溝３に挟まれており、ピット２がＵ字形ガイド溝
３に接してトラック溝１上に、また記録ドット４もトラ
ック溝１上に形成されている。Ｕ字形ガイド溝３、ビッ
ト２の光学的深さはレーザー波長のおよそ1/8に相当
し、トラック溝１の幅はトラックピッチのほぼ1/2であ
る。この光ディスクの場合、Ｖ溝光ディスクと違って、
トラックピッチは溝のピッチに等しい。トラッキングの
感度は一般に周期溝のピッチに逆比例するので、本実施
例の光ディスクはＶ溝光ディスクに比べトラッキング感
度が大きい。

第２図は本発明の第一実施例における光学ヘッドの原理
図を示す。半導体レーザー５から出た光（波長830nm）
は集光レンズ６により平行光にされ、拡大プリズム７に
より円形断面平行光にされ、偏光ビームスプリッタ８、
1/4波長板９を経て絞りレンズ10により光ディスク反射
面11に絞り込まれる。この光ディスク反射面11より反射
した戻り光は再び絞りレンズ10、1/4波長板９を経て偏
光ビームスプリッタ８を反射し、凸レンズ12により集光
される。この収束する戻り光はハーフミラー13を反射し
て焦点15前にある光検出器17に受光され、ハーフミラー
13を透過しハーフミラー14を反射する光は焦点16後にあ
る光検出器18に受光され、ハーフミラー14を透過する光
は光検出器19に受光される。

第３図は本発明の第一実施例における光学ヘッド信号検
出部の原理図を示す。光検出器19はディスク回転方向に
平行な分割線19Lとそれに直交する分割線19mにより19A,
19B,19C,19Dの四つの領域に分割される（ａ）。分割線1
9Lと19mとの交点は戻り光20の中心と一致する。加算増
幅器21A、21B、21C、21Dはそれぞれ光検出器19Aと19C、
19Aと19B、19Cと19D、19Bと19Dの検出出力を加算し、差
動増幅器22A、22Bはそれぞれ加算増幅器21Aと21B、21C
と21Dの出力の差動をとっている。差動増幅器22Aの出力
をトラッキングエラー（TE）信号、22Bの出力を再生信
号とする。差信号を再生信号に用いるのでクロストーク
はキャンセルされ、小さく抑えることができる。光検出
器17、18はそれぞれ半導体レーザー５の接合面の法線方
向に対応する方向に沿って戻り光23、24の一部を検出
し、差動増幅器25によってフォーカスエラー（FE）信号
を得る（ｂ）。なお半導体レーザー５の接合面の法線方
向は拡大プリズム７による拡大方向に直交するが、ディ
スク径方向とは一致しなくともよい。

第４図（ａ）は本発明の第一実施例におけるビームスポ
ットF1と走査トラック中心26とのずれ（ディフオーカス
量εＦ、オフトラック量εＴ）を示しており、（ｂ）は
トラックピッチ１μｍの時のクロストークとディフォー
カス量εＦとの関係、（ｃ）はクロストークとオフトラ
ック量εＴとの関係を示す。クロストークは片側の隣接
トラックにピットがある場合の値であり、ディフォーカ
ス量εＦは反射面が絞りレンズ10から遠ざかる方向を正
とし、オフトラック量εＴはピット27のある側の隣接ト
ラックに近付く方向を負とし、その反対側、すなわちピ
ットのない側の隣接トラックに近付く方向を正とする。
なお、収束光28には非点収差があるとし、前述のビーム
スポットF1はディスク径方向の焦線であり、第４図
（ｂ），（ｃ）はF1ともう一つの焦線F2との間隔ａχ
（すなわち非点隔差量）をパラメーターにして描いてい
る。（ａχはF2がF1に比べ絞りレンズ10に近い側にある
のを正とする。）第４図（ｂ），（ｃ）より非点隔差量ａχ＝0.0μｍの
ときよりａχ＝0.5μｍの方がジャストフォーカス（ε
Ｆ＝０）、ジャストトラッキング（εＴ＝０）に於ける
クロストークが小さく、ディフォーカス、オフトラック
によって劣化はするが、従来例に比べかなり改善されて
いる。（ディフォーカス量±１μｍでクロストーク−32
dB、オフトラック量±0.2μｍでクロストーク−27dBを
維持している。）従ってトラックピッチを密にすることができ、光ディス
クの高密度化を実現できる。なお、ビームスポットF1は
ディスク径方向の焦線であるので、反射面上のビームス
ポットはその走査方向（ディスク回転方向）によく絞ら
れており、ディスク回転方向の信号密度は落ちない。

第５図は本発明の第一実施例において、集光レンズを光
軸に沿って移動したときの光ディスク反射面近くの焦線
（または焦点）の様子とフォーカス制御光検出器上での
戻り光の分布を示す説明図である。

第５図（ａ）はレーザー光が無収差の状態で結像し、そ
の焦点がξ−η平面上に位置するように凸レンズ12を光
軸方向に動かし、光検出器17、18を調整した状態であ
り、この時光検出器17、18上の戻り光29、30は共に直径
ａの円形状となる。従って光検出器17、18の差動出力で
あるFE信号は０であり、光ディスク反射面がξ−η平面
に一致するような制御がかかる。

第５図（ｂ）は（ａ）の状態から集光レンズ６を光軸に
沿って拡大プリズム７からΔだけ遠ざけた場合で、レー
ザー光は結像点で非点隔差を生じ、ディスク径方向の焦
線F1はξ−η平面から（fo/mfc）^２Δだけ、ディスク回
転方向の焦線F2は（fo/fc）^２Δだけ絞りレンズ10から
遠ざかる。従って非点隔差量ａχは（fo/fc）^２Δ（１
−1/m²）である。（ただし、fo:絞りレンズ焦点距離、f
c:集光レンズ焦点距離、m:拡大プリズム拡大率）一般に
拡大率ｍ＞２であり、非点隔差量ａχが小さければ焦線
F1はξ−η平面にほぼ一致するものと考えらる。光ディ
スク反射面がξ−η平面すなわち焦線F1に一致すると
き、光検出器17、18上の戻り光31、32は楕円形状とな
り、接合面法線方向に前者は短く後者は長くなるが、接
合面法線に直交する方向には共に径ａを保つ。従って光
検出器17、18の差動出力であるFE信号はほぼ０であり、
焦線F1が光ディスク反射面上にあるような制御がかか
る。

第５図（ｃ）は（ａ）の状態から集光レンズ６を光軸に
沿って拡大プリズム７にΔだけ近付けた場合で、レーザ
ー光は結像点で非点隔差を生じ、ディスク径方向の焦線
F1はξ−η平面から（fo/mfc）^２Δだけ、ディスク回転
方向の焦線F2は（fo/fc）^２Δだけ絞りレンズ10に近付
く。従って非点隔差量ａχは（fo/fc）^２Δ（１−1/
m²）である。非点隔差量ａχが小さければ焦線F1はξ−
η平面にほぼ一致するものと考えられるので、光ディス
ク反射面がξ−η平面すなわち焦線F1に一致するとき、
光検出器17、18上の戻り光33、34は楕円形状となり、接
合面法線方向に前者は短く後者は長くなるが、接合面法
線に直交する方向には共に径ａを保つ。従って光検出器
17、18の差動出力であるFE信号はほぼ０であり、（ｂ）
と同じく焦線F1が光ディスク反射面上にあるような制御
がかかる。

従って、焦線F1が光ディスク反射面上に制御され、かつ
クロストークが小さくなるような非点隔差量ａχを加え
るには、集光レンズ６を光軸に沿って拡大プリズム７に
近付ければよく、検出系の再調整をする必要がない。な
おクロストークが小さくなるような非点隔差量ａχを加
える他の実施例として、半導体レーザー５と集光レンズ
６との間に透明平行平板を光軸と傾けて設定することで
も実現できる。

第６図（ａ）（ｂ）は同一ピットによる再生信号間隔と
クロストーク信号間隔の差とディフオーカス量の関係を
示す説明図である。ビームスポット35がピット36のある
トラック37上を走査するとき、ピット36の始端と終端で
再生信号38と39が発生しその間隔をt₁とする。ビームス
ポット40がピットのない隣接トラック41上を走査すると
き、ピット36の始端と終端でクロストーク信号42と43が
発生しその間隔をt₂とする。再生信号間隔とクロストー
ク信号間隔の差t₂−t₁は０でなく、ディフォーカス量ε
Ｆによって変動する。第６図（ａ）は非点隔差量ａχ＝
0.5μｍのときの様子を示している。一般にデジタル信
号の場合、近接するトラックのピット長とピット間隔は
ある単位長の整数倍であり、t₂−t₁＝０であれば隣接す
るトラック間で再生信号とクロフトーク信号が一旦同期
すると、かなりの確率で再生信号とクロストーク信号が
重なりあい信号の読み誤り率が増大する。しかし本発明
によればt₂−t₁≠０なので、始端のクロストーク信号が
再生信号の外乱となっても終端のクロストーク信号は外
乱とならず、読み誤り率が小さくなる。

なお、第一実施例ではレーザー光を分離せずに１光束の
まま光ディスク反射面上に集光し、戻り光を検出する構
成となるので光学系の構成が従来例に比べ簡単になる。
また、光ディスク反射面上のビームスポットは１つであ
り、再生専用に限らず、追記用、もしくは記録、消去用
にも適用できる。さらに、光ディスクの溝がＵ字形なの
で溝の形成にはレジストの硬化を応用した工法が適用で
き、しかも溝及び信号ピットの深さが均一なので溝、ピ
ットを同時に形成でき、その工法が簡単になる。

第７図（ａ）（ｂ）は本発明の第二実施例における光学
ヘッド信号検出部の原理図を示す。光検出器19は19E,19
Fの二つの領域に分割され、戻り光内の溝回折によって
生ずる０次回折光20Cと±１次回折光20R,20Lの重なる部
分を中心に受光する。差動増幅器22Cは光検出器19Eと19
Fの出力の差動をとっている。差動増幅器22Cの出力をTE
信号とする。光検出器上の戻り光は受光量に比べオフト
ラックによる強度変化の度合が大きく、第一実施例に比
べてTE信号の品質がよい。

光検出器17、18はそれぞれ17R,17C,17Lと18R,18C,18Lの
三つの領域に分割され、光検出器17C、18Cはディスク径
方向に対応する方向に沿って戻り光23、24の一部を検出
し、差動増幅器25によってフォーカスエラー（FE）信号
を得る。半導体レーザー５の接合面の法線方向とディス
ク径方向とを一致させれば、第５図で説明したように、
集光レンズ６を光軸に沿って動かすことで、焦線F1が光
ディスク反射面上に制御され、かつクロストークが小さ
くなるような非点隔差量ａχを加えることができる。光
検出器17R,17Lと18R,18Lはそれぞれ光検出器17C、18Cを
中心にして挟んでおり、17L、18Rと17R、18Lの出力をそ
れぞれ加算増幅器21E、21Fによって加算し、差動増幅器
22Dによって加算増幅器21E、21Fの出力の差動をとって
再生信号とする。この場合のクロストークも第一実施例
と同じであり、第４図で示したように、非点隔差を加え
ることで従来例に比べてかなり改善することができる。

第８図は本発明の第三の実施例における光ディスクの反
射面を示し、レーザー照射側に凸のトラック溝1Aがラン
ド部3Aに挟まれており、トラック溝1Aの不連続部として
ピット2Aが形成されている。また記録ドット４もトラッ
ク溝1A上に形成されている。トラック溝1Aの光学的深さ
はレーザー波長のおよそ1/8に相当し、トラック溝１の
幅はトラックピッチのほぼ1/2である。この光ディスク
の場合も、Ｖ溝光ディスクと違って、トラックピッチは
溝のピッチに等しい。従って本実施例の光ディスクはＶ
溝光ディスクに比べトラッキング感度が大きい。

なおトラック溝がレーザー照射側に対して凹か凸かによ
り、第４図に示したクロストークとディフォーカス量ε
Ｆ、オフトラック量εＴとの関係における非点隔差量ａ
χの極性は反転するので、焦線F1が光ディスク反射面上
に制御され、かつクロストークが小さくなるような非点
隔差量ａχを加えるには、集光レンズ６を光軸に沿って
拡大プリズム７から遠ざけなければならない。その他は
第一実施例と同じであり同等の効果を期待できる。ま
た、第三実施例に第二実施例にを適用してもよい。

発明の効果以上本発明の光ディスク装置により、トラックピッチを
密にしてもクロストークがキャンセルされ、ディフォー
カス、オフトラックなどの誤差要因に対するクロストー
クの劣化も抑えることができるので、光ディスクの高密
度化が実現できる。その最適調整も集光レンズを光軸に
沿って動かすことで容易に実現できる。また、レーザー
光を分離せずに１光束のまま光ディスク反射面に集光
し、戻り光を検出する構成となるので光学系の構成が簡
単になる。また、光ディスク反射面上のビームスポット
は１つであり、再生専用に限らず、追記用、もしくは記
録、消去用にも適用できる。さらに、光ディスクの溝が
Ｕ字形なので溝の形成にはレジストの効果を応用した工
法が適用でき、しかも溝及び信号ピットの深さが均一な
ので溝、ピットを同時に形成でき、その工法が簡単にな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一実施例における光ディスクの反射
面の原理図、第２図は本発明の第一実施例における光学
ヘッドの原理図、第３図は本発明の第一実施例における
光学ヘッド信号検出部の原理図、第４図（ａ）は本発明
の第一実施例におけるビームスポットの位置を示す説明
図、（ｂ）はクロストークとディフォーカス量εＦとの
関係を示す説明図、（ｃ）はクロストークとオフトラッ
ク量εＴとの関係を示す説明図、第５図は本発明の第一
実施例における光ディスク反射面近くの焦線（または焦
点）の様子とフォーカス制御光検出器上での戻り光の分
布を示す説明図、第６図は同一ピットによる再生信号間
隔とクロストーク信号間隔の差とディフォーカス量の関
係を示す説明図、第７図は本発明の第二実施例における
光学ヘッド信号検出部の原理図、第８図は本発明の第三
実施例における光ディスクの反射面の原理図、第９図は
従来の光ディスクの反射面の原理図、第10図は従来の光
学ヘッドの原理図、第11図は第10図におけるビームスポ
ットの配置図、第12図はＶ溝斜面上を走査する光の戻り
光が絞りレンズ開口面上で示す光強度分布の説明図、第
13図はクロストークとが光検出器の隙間との関係を示す
説明図、第14図は従来例の動作を示す概略図である。１……トラック溝、３……Ｕ字形ガイド溝、２……ピッ
ト、４……記録ドット、５……半導体レーザー、６……
集光レンズ、７……拡大プリズム、８……偏光ビームス
プリッタ、９……1/4波長板、10……絞りレンズ、11…
…光ディスク反射面、12……凸レンズ、13,14……ハー
フミラー、17,18,19……光検出器。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザーと、このレーザーからの光
を集光し平行光とする第一の集光手段と、前記集光され
たレーザー光をプリグルーブもしくはプリピットの形成
された光ディスク反射面に集光させると共に前記光ディ
スク反射面からの戻り光を集光する第二の集光手段と、
前記第二の集光手段を経た戻り光を前記光ディスクの径
方向に対応する分割線でいくつかの領域に分割してそれ
ぞれ検出する検出手段と、前記検出手段の一対から差信
号を得る差動増幅器とを備え、前記差信号を再生信号と
し、前記第二の集光手段によって光ディスク反射面に集
光された光スポットが非点収差をもち、非点収差によっ
て生じる第一の焦線がほぼ前記光ディスク反射面上にあ
りかつ前記光ディスクの径方向に平行であるを特徴とす
る光ディスク装置。
【請求項２】請求項１において、プリグルーブもしくは
プリピットのディスク径方向のピッチがレーザー光の波
長の1.5倍より小さいことを特徴とする光ディスク装
置。
【請求項３】請求項１において、非点収差による非点隔
差量がレーザー光の波長の0.3倍より大きく１倍より小
さいことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】請求項１において、プリグリーブの断面形
状を矩形もしくはＵ字形とし、プリグルーブもしくはプ
リピットの光学的深さを前記レーザー光の波長のほぼ1/
8とすることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】請求項４において、プリグルーブもしくは
プリピットのディスク径方向の幅をピッチのぼほ1/2と
することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】請求項１において、第二の集光手段によっ
て光ディスク反射面に集光された光スポットが前記第二
の集光手段に向かって凸のプリグルーブに挟まれたトラ
ック上を追従する場合は、非点収差によって生じる第二
の焦線が前記光ディスク反射面から見て前記第二の集光
手段の側にあり、前記光スポットが前記第二の集光手段
に向かって凹のプリグルーブに挟まれたトラック上を追
従する場合は、前記第二の焦線が前記光ディスク反射面
から見て前記第二の集光手段の反対側にあることを特徴
とする光ディスク装置。
【請求項７】半導体レーザーと、このレーザーからの光
を集光し平行光とする第一の集光手段と、集光されたレ
ーザー光の一方のビーム幅を拡大する光ビーム整形手段
と、前記整形されたレーザー光をプリグルーブもしくは
プリピットの形成された光ディスク反射面に集光させる
と共に光ディスク反射面からの戻り光を集光する第二の
集光手段と、前記第二の集光手段を経た戻り光を前記光
ディスクの径方向に対応する分割線でいくつかの領域に
分割してそれぞれ検出する検出手段と、前記検出手段の
一対から差信号を得る差動増幅器とを備え、前記差信号
を再生信号とし、前記第二の集光手段によって光ディス
ク反射面に集光された光スポットが非点収差をもち、非
点収差によって生じる第一の焦線がほぼ前記光ディスク
反射面上にありかつ前記光ディスクの径方向に平行であ
るを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】請求項７において、半導体レーザーの接合
面がディスク径方向と平行であり、第二の集光手段を経
た戻り光を集束させる第三の集光手段と、前記第三の集
光手段を経た前記戻り光を二光束に分離する分離手段
と、分離された戻り光の一方を焦点位置の手前で検出す
る第一の検出手段と、分離された戻り光の他方を焦点位
置後で検出する第二の検出手段とを備え、前記第一、第
二の検出手段は前記接合面の法線方向に対応する方向に
沿って形成され、それぞれ前記分離された戻り光の一部
を検出し、その差信号をフオーカス制御信号とすること
を特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】請求項８において、第一の集光手段を光ビ
ーム整形手段に近付けるもしくは遠ざけることによって
光ディスク反射面に集光された光スポットに非点収差を
もたせることを特徴とする光ディスク装置。