JPH0778913A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0778913A JPH0778913A JP5330741A JP33074193A JPH0778913A JP H0778913 A JPH0778913 A JP H0778913A JP 5330741 A JP5330741 A JP 5330741A JP 33074193 A JP33074193 A JP 33074193A JP H0778913 A JPH0778913 A JP H0778913A
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田実装時において樹脂組成物硬化体にクラ
ックが発生し難いという耐熱衝撃性に優れ、さらに低応
力性、耐湿性および離型性、そして総合的に信頼性に優
れる表面実装型半導体装置を提供する。 【構成】 特定のエポキシ樹脂、特定のフェノ−ル樹
脂、特定の硬化促進剤、特定のオルガノポリシロキサン
および無機質充填剤、場合により酸化ポリエチレンワッ
クスを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止して半導体装置とする。
ックが発生し難いという耐熱衝撃性に優れ、さらに低応
力性、耐湿性および離型性、そして総合的に信頼性に優
れる表面実装型半導体装置を提供する。 【構成】 特定のエポキシ樹脂、特定のフェノ−ル樹
脂、特定の硬化促進剤、特定のオルガノポリシロキサン
および無機質充填剤、場合により酸化ポリエチレンワッ
クスを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止して半導体装置とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はエポキシ樹脂組成物硬
化体で半導体素子が樹脂封止された樹脂封止型半導体装
置に関し、耐熱衝撃性、耐湿性、低応力性および離型性
に優れた信頼性を有する半導体装置に関するものであ
る。
化体で半導体素子が樹脂封止された樹脂封止型半導体装
置に関し、耐熱衝撃性、耐湿性、低応力性および離型性
に優れた信頼性を有する半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ
等の半導体素子は、セラミックやプラスチック等により
封止され半導体装置化されている。なかでもプラスチッ
クすなわち樹脂組成物硬化体を用いた樹脂封止が量産性
に優れ、かつ封止材料が安価であることから半導体素子
封止の主流となっている。
等の半導体素子は、セラミックやプラスチック等により
封止され半導体装置化されている。なかでもプラスチッ
クすなわち樹脂組成物硬化体を用いた樹脂封止が量産性
に優れ、かつ封止材料が安価であることから半導体素子
封止の主流となっている。
【０００３】近年、電子機器の高機能化、高性能化の手
段として高密度実装に適した表面実装型の半導体装置が
市場の大きな位置を占めるに至り、年々その使用比率の
拡大が続いている。この種の表面実装型半導体装置は、
リ−ドピンが平面的に装置から取り出され、プリント配
線基板に直接接続できる構造となっており、実装容積の
軽減に寄与している。
段として高密度実装に適した表面実装型の半導体装置が
市場の大きな位置を占めるに至り、年々その使用比率の
拡大が続いている。この種の表面実装型半導体装置は、
リ−ドピンが平面的に装置から取り出され、プリント配
線基板に直接接続できる構造となっており、実装容積の
軽減に寄与している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記のような
表面実装型半導体装置において、プリント配線基板への
実装前に樹脂組成物硬化体が水分を吸湿している場合に
は、その半導体装置が半田実装時の高温にさらされるこ
とで半導体装置内の水分の蒸気圧によって硬化体にクラ
ックが生じる。
表面実装型半導体装置において、プリント配線基板への
実装前に樹脂組成物硬化体が水分を吸湿している場合に
は、その半導体装置が半田実装時の高温にさらされるこ
とで半導体装置内の水分の蒸気圧によって硬化体にクラ
ックが生じる。
【０００５】すなわち、〔図１〕に示すような表面実装
型半導体装置３において、水分は矢印Ａのように樹脂組
成物硬化体１を通って、表面実装型半導体装置３に侵入
し、主としてＳｉチップ７の表面やダイパッド４の裏面
に滞留する。そしてベ−パ−フェ−ズソルダリング等の
半田実装を行う際に、この表面実装型半導体装置３は高
温にさらされ、そのため上記滞留水分が半田実装におけ
る加熱により気化し、その蒸気圧により、図２に示すよ
うに、ダイパッド４の裏面の樹脂硬化体部分を下方へ押
しやり、そこに空隙５を作ると同時に樹脂硬化体３にク
ラック６を生じさせる。なお、〔図１〕および〔図２〕
において、８はワイヤ−、一般的に金線である。
型半導体装置３において、水分は矢印Ａのように樹脂組
成物硬化体１を通って、表面実装型半導体装置３に侵入
し、主としてＳｉチップ７の表面やダイパッド４の裏面
に滞留する。そしてベ−パ−フェ−ズソルダリング等の
半田実装を行う際に、この表面実装型半導体装置３は高
温にさらされ、そのため上記滞留水分が半田実装におけ
る加熱により気化し、その蒸気圧により、図２に示すよ
うに、ダイパッド４の裏面の樹脂硬化体部分を下方へ押
しやり、そこに空隙５を作ると同時に樹脂硬化体３にク
ラック６を生じさせる。なお、〔図１〕および〔図２〕
において、８はワイヤ−、一般的に金線である。
【０００６】この様なクラック発生という問題に対する
解決策として、半導体素子を樹脂組成物で封止した後、
得られる半導体装置全体を密封し、基板実装前に開封し
て使用する方法がある。また、基板実装前に例えば１０
０℃で２４時間乾燥することにより水分を除去し、その
後半田実装を行うという方法が提案され、すでに実施さ
れている。しかしながら、このような前処理方法によれ
ば、基板実装の工程が煩雑になるという欠点がある。
解決策として、半導体素子を樹脂組成物で封止した後、
得られる半導体装置全体を密封し、基板実装前に開封し
て使用する方法がある。また、基板実装前に例えば１０
０℃で２４時間乾燥することにより水分を除去し、その
後半田実装を行うという方法が提案され、すでに実施さ
れている。しかしながら、このような前処理方法によれ
ば、基板実装の工程が煩雑になるという欠点がある。
【０００７】一方、表面実装型半導体装置を構成する樹
脂組成物硬化体の吸水率を低下させ、クラックを防止す
る試みもなされている。しかし、このような低吸水性の
エポキシ樹脂組成物硬化体では、半導体素子の導体配線
部の腐食等の耐湿信頼性や高温での導体金属間化合物の
形成による導体抵抗の増大といった高温放置特性に劣っ
ている事が、その後の本発明者の検討により判明した。
すなわち上記低吸水性のエポキシ樹脂組成物においても
総合的に信頼性の改善が必要となったのである。
脂組成物硬化体の吸水率を低下させ、クラックを防止す
る試みもなされている。しかし、このような低吸水性の
エポキシ樹脂組成物硬化体では、半導体素子の導体配線
部の腐食等の耐湿信頼性や高温での導体金属間化合物の
形成による導体抵抗の増大といった高温放置特性に劣っ
ている事が、その後の本発明者の検討により判明した。
すなわち上記低吸水性のエポキシ樹脂組成物においても
総合的に信頼性の改善が必要となったのである。
【０００８】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、基板実装前の前処理をすることもなく、しか
も半田実装時において樹脂組成物硬化体にクラックが発
生し難いという耐熱衝撃性に優れ、さらに低応力性およ
び耐湿性、そして総合的に信頼性に優れる表面実装型半
導体装置を提供する事をその目的とする。
たもので、基板実装前の前処理をすることもなく、しか
も半田実装時において樹脂組成物硬化体にクラックが発
生し難いという耐熱衝撃性に優れ、さらに低応力性およ
び耐湿性、そして総合的に信頼性に優れる表面実装型半
導体装置を提供する事をその目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｅ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物により半導体素子を封
止してなるという構成をとる。 （Ａ）下記の構造式〔化６〕で表されるエポキシ樹脂。
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｅ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物により半導体素子を封
止してなるという構成をとる。 （Ａ）下記の構造式〔化６〕で表されるエポキシ樹脂。
【化６】 （Ｂ）下記の構造式〔化７〕で表されるフェノ−ル樹
脂。
脂。
【化７】 （Ｃ）下記の一般式〔化８〕で表される硬化促進剤。
【化８】 （Ｄ）下記の一般式〔化９〕で表されるオルガノポリシ
ロキサン。
ロキサン。
【化９】 （Ｅ）無機質充填剤。
【００１０】樹脂組成物硬化体のクラックの発生を防止
するには一般的に樹脂組成物硬化体に対する水分の吸
湿を抑制する。ダイパッドの裏面およびＳｉチップ
（半導体素子）の表面と樹脂組成物硬化体との間の接着
力を高める。半田実装時における高温での樹脂組成物
硬化体の強度を高める。半田実装時における高温での
樹脂組成物硬化体の弾性率を低下させる等を考慮すれば
良いと考えられる。
するには一般的に樹脂組成物硬化体に対する水分の吸
湿を抑制する。ダイパッドの裏面およびＳｉチップ
（半導体素子）の表面と樹脂組成物硬化体との間の接着
力を高める。半田実装時における高温での樹脂組成物
硬化体の強度を高める。半田実装時における高温での
樹脂組成物硬化体の弾性率を低下させる等を考慮すれば
良いと考えられる。
【００１１】この発明では、上記の事柄を考慮しつつ、
上記構成とすることで、半田実装時の耐クラック性の向
上および低応力性が同時に達成された。また総合的に信
頼性に優れることが判明し、この発明に到達した。
上記構成とすることで、半田実装時の耐クラック性の向
上および低応力性が同時に達成された。また総合的に信
頼性に優れることが判明し、この発明に到達した。
【００１２】エポキシ樹脂（Ａ）成分は上記構造式〔化
６〕で表されるエポキシ樹脂が用いられるが、半田実装
時の樹脂組成物硬化体の耐クラック性を低下させない範
囲で従来公知のビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビス
フェノ−ルＦ型エポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型
エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂等
のグリシジルエ−テル型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹
脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂等の一分子中に二個以上のエポキシ基を
有するエポキシ樹脂を併用できる。この場合、構造式
〔化６〕のエポキシ樹脂の含有量は全エポキシ樹脂の５
０重量％以上とされる。上記エポキシ樹脂の中でも表面
実装型半導体装置の樹脂としては、ビフェニル骨格を有
するものが好ましい。
６〕で表されるエポキシ樹脂が用いられるが、半田実装
時の樹脂組成物硬化体の耐クラック性を低下させない範
囲で従来公知のビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビス
フェノ−ルＦ型エポキシ樹脂、フェノ−ルノボラック型
エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂等
のグリシジルエ−テル型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹
脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂等の一分子中に二個以上のエポキシ基を
有するエポキシ樹脂を併用できる。この場合、構造式
〔化６〕のエポキシ樹脂の含有量は全エポキシ樹脂の５
０重量％以上とされる。上記エポキシ樹脂の中でも表面
実装型半導体装置の樹脂としては、ビフェニル骨格を有
するものが好ましい。
【００１３】上記特定のフェノ−ル樹脂（Ｂ）成分は、
構造式〔化７〕で表され、上記エポキシ樹脂の硬化剤成
分として作用するものである。〔化７〕のような骨格構
造を有するものを用いる事により樹脂組成物硬化体の低
吸湿化が図れる。
構造式〔化７〕で表され、上記エポキシ樹脂の硬化剤成
分として作用するものである。〔化７〕のような骨格構
造を有するものを用いる事により樹脂組成物硬化体の低
吸湿化が図れる。
【００１４】この〔化７〕で示される特殊なフェノ−ル
樹脂としては、水酸基当量１２０〜１９０、軟化点８０
〜１３０℃のものを用いるのが好ましい。そして、上記
特定のフェノ−ル樹脂は、それ自体で硬化剤成分を構成
してもよいし、それ以外の通常用いられるフェノ−ル樹
脂と併用しても差し支えない。
樹脂としては、水酸基当量１２０〜１９０、軟化点８０
〜１３０℃のものを用いるのが好ましい。そして、上記
特定のフェノ−ル樹脂は、それ自体で硬化剤成分を構成
してもよいし、それ以外の通常用いられるフェノ−ル樹
脂と併用しても差し支えない。
【００１５】前者の場合には、硬化剤成分の全部が上記
構造式〔化７〕で表される特定のフェノ−ル樹脂で構成
され、後者の場合は硬化剤成分の一部が〔化７〕の特定
のフェノ−ル樹脂で構成される事となる。
構造式〔化７〕で表される特定のフェノ−ル樹脂で構成
され、後者の場合は硬化剤成分の一部が〔化７〕の特定
のフェノ−ル樹脂で構成される事となる。
【００１６】上記通常用いられるノボラック型フェノ−
ル樹脂としては、水酸基当量７０〜１５０、軟化点５０
〜１１０℃のものを用いるのが好ましい。上記構造式
〔化７〕で表される特定のフェノ−ル樹脂と、このよう
な通常用いられるフェノ−ル樹脂とを併用する場合に
は、上記特定のフェノ−ル樹脂を硬化剤成分全体の５０
重量％以上に設定する事が好ましく、特に好ましくは７
０重量％以上である。
ル樹脂としては、水酸基当量７０〜１５０、軟化点５０
〜１１０℃のものを用いるのが好ましい。上記構造式
〔化７〕で表される特定のフェノ−ル樹脂と、このよう
な通常用いられるフェノ−ル樹脂とを併用する場合に
は、上記特定のフェノ−ル樹脂を硬化剤成分全体の５０
重量％以上に設定する事が好ましく、特に好ましくは７
０重量％以上である。
【００１７】上記エポキシ樹脂とフェノ−ル樹脂との配
合比はエポキシ基１当量あたりフェノ−ル樹脂中の水酸
基が０．８〜１．２当量となるように配合するのが好ま
しい。
合比はエポキシ基１当量あたりフェノ−ル樹脂中の水酸
基が０．８〜１．２当量となるように配合するのが好ま
しい。
【００１８】上記エポキシ樹脂および上記フェノ−ル樹
脂とともに用いられる硬化促進剤（Ｃ）成分は、上記の
一般式〔化８〕で表される有機ホスフィン化合物であ
る。
脂とともに用いられる硬化促進剤（Ｃ）成分は、上記の
一般式〔化８〕で表される有機ホスフィン化合物であ
る。
【００１９】特に、表面実装型半導体装置を構成する樹
脂組成物硬化体の半田耐熱性（半田実装時にクラックを
発生させない）においては、Ｒ1 は水素、メチル基また
はメトキシ基であることが好ましい。そして、上記〔化
８〕で表される硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂お
よびフェノ−ル樹脂の総量１００重量部に対して０．１
〜２０重量部の割合に設定することが好ましい。好適に
は０．５〜１０重量部である。すなわち、０．１重量部
未満では所望の樹脂組成物硬化体に対する半田耐熱性が
得られがたく、逆に２０重量部を超えると高温時の電気
特性が低下する事によって耐湿信頼性が低下する傾向が
見られるからである。
脂組成物硬化体の半田耐熱性（半田実装時にクラックを
発生させない）においては、Ｒ1 は水素、メチル基また
はメトキシ基であることが好ましい。そして、上記〔化
８〕で表される硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂お
よびフェノ−ル樹脂の総量１００重量部に対して０．１
〜２０重量部の割合に設定することが好ましい。好適に
は０．５〜１０重量部である。すなわち、０．１重量部
未満では所望の樹脂組成物硬化体に対する半田耐熱性が
得られがたく、逆に２０重量部を超えると高温時の電気
特性が低下する事によって耐湿信頼性が低下する傾向が
見られるからである。
【００２０】また、この発明では半導体装置の高温吸湿
での電気絶縁性向上を目的に上記の一般式〔化９〕で表
されるオルガノポリシロキサン（Ｄ）を含有する。
での電気絶縁性向上を目的に上記の一般式〔化９〕で表
されるオルガノポリシロキサン（Ｄ）を含有する。
【００２１】この〔化９〕で表されるオルガノポリシロ
キサンの配合量は、無機質充填剤の総量１００重量部に
対して０．０１重量部〜１．０重量部の割合に設定する
事が好ましく、特に０．５重量部以下に設定することが
好結果をもたらす。すなわち、１．０重量部以上になる
と電気絶縁性以外の諸特性に悪影響を与える可能性があ
るからである。
キサンの配合量は、無機質充填剤の総量１００重量部に
対して０．０１重量部〜１．０重量部の割合に設定する
事が好ましく、特に０．５重量部以下に設定することが
好結果をもたらす。すなわち、１．０重量部以上になる
と電気絶縁性以外の諸特性に悪影響を与える可能性があ
るからである。
【００２２】上記無機質充填剤（Ｅ）としては、溶融シ
リカ粉末または結晶性シリカ粉末を用いる事が好適であ
り、粒度２００メッシュ以上の粗粉を除いたものを用い
る事が好ましい。そして、上記充填剤の形状としては球
状および破砕により得られる角状のもの等必要に応じて
適宜選択することができる。また、充填剤中に含まれる
ウラン、トリウム等の放射性元素、アルカリ金属、アル
カリ土類金属およびそれらのイオン、さらにはハロゲン
イオンを含むアニオンの含有量はできるだけ少ない方が
好ましく、その許容量は各種半導体装置の種類によって
決定される。
リカ粉末または結晶性シリカ粉末を用いる事が好適であ
り、粒度２００メッシュ以上の粗粉を除いたものを用い
る事が好ましい。そして、上記充填剤の形状としては球
状および破砕により得られる角状のもの等必要に応じて
適宜選択することができる。また、充填剤中に含まれる
ウラン、トリウム等の放射性元素、アルカリ金属、アル
カリ土類金属およびそれらのイオン、さらにはハロゲン
イオンを含むアニオンの含有量はできるだけ少ない方が
好ましく、その許容量は各種半導体装置の種類によって
決定される。
【００２３】上記無機質充填剤の配合量は、エポキシ樹
脂組成物全体の６５〜９５重量％の範囲に設定する事が
好ましく、特に好ましくは７５〜９２重量％の範囲であ
る。すなわち、無機質充填剤の配合量が６５重量％未満
では、樹脂組成物硬化体の吸湿量が増大し、また高温で
の強度が低下するため半田実装時の耐クラック性に劣り
易く、逆に、９５重量％を超えるとトランスファ−成形
時に樹脂組成物の溶融粘度が増大する傾向があり、キャ
ビティ−内で未充填やワイヤ−流れ等の成形不良が発生
する傾向が見られるからである。
脂組成物全体の６５〜９５重量％の範囲に設定する事が
好ましく、特に好ましくは７５〜９２重量％の範囲であ
る。すなわち、無機質充填剤の配合量が６５重量％未満
では、樹脂組成物硬化体の吸湿量が増大し、また高温で
の強度が低下するため半田実装時の耐クラック性に劣り
易く、逆に、９５重量％を超えるとトランスファ−成形
時に樹脂組成物の溶融粘度が増大する傾向があり、キャ
ビティ−内で未充填やワイヤ−流れ等の成形不良が発生
する傾向が見られるからである。
【００２４】また、本発明においては、離型剤として、
従来公知のステアリン酸、ベヘニン酸およびモンタン酸
等の長鎖カルボン酸、これを原料とする亜鉛、アルミニ
ウム、カルシウム等の金属塩、エステル類、アミド類ま
たはポリオレフィン系離型剤等が挙げられ、単独でもし
くは併せて用いることができる。そのような離型剤の配
合割合は、エポキシ樹脂組成物全体に対して、０．１〜
３．０重量％が好ましい。さらに好ましくは、０．５〜
２．０重量％である。すなわち、０．１重量％未満では
所望の離型性が得られ難い。逆に、３．０重量％を超え
ると耐半田クラック性が低下する傾向が見られるからで
ある。
従来公知のステアリン酸、ベヘニン酸およびモンタン酸
等の長鎖カルボン酸、これを原料とする亜鉛、アルミニ
ウム、カルシウム等の金属塩、エステル類、アミド類ま
たはポリオレフィン系離型剤等が挙げられ、単独でもし
くは併せて用いることができる。そのような離型剤の配
合割合は、エポキシ樹脂組成物全体に対して、０．１〜
３．０重量％が好ましい。さらに好ましくは、０．５〜
２．０重量％である。すなわち、０．１重量％未満では
所望の離型性が得られ難い。逆に、３．０重量％を超え
ると耐半田クラック性が低下する傾向が見られるからで
ある。
【００２５】また、上記ポリオレフィン系離型剤の中で
も特に好ましい離型剤は、酸化ポリエチレンワックス
（Ｆ）である。この酸化ポリエチレンワックスは、他の
汎用の離型剤に較べて連続成形性に優れるという特徴を
持つ。この酸化ポリエチレンワックスは、たとえば、低
級ポリエチレンワックスを部分酸化して合成されるもの
である。そして、上記酸化ポリエチレンワックスにおい
て、酸価が１３〜３０で滴点（溶融して液滴状になる温
度）が９０〜１３０℃、さらにＤＧＦ−Ｍ−ＩＶ２〔Ｄ
ＩＮ５３４０１またはＡＳＴＭ Ｄ１３８７〕で測定し
たケン化価が２０〜１２０のものを用いるのが好まし
い。
も特に好ましい離型剤は、酸化ポリエチレンワックス
（Ｆ）である。この酸化ポリエチレンワックスは、他の
汎用の離型剤に較べて連続成形性に優れるという特徴を
持つ。この酸化ポリエチレンワックスは、たとえば、低
級ポリエチレンワックスを部分酸化して合成されるもの
である。そして、上記酸化ポリエチレンワックスにおい
て、酸価が１３〜３０で滴点（溶融して液滴状になる温
度）が９０〜１３０℃、さらにＤＧＦ−Ｍ−ＩＶ２〔Ｄ
ＩＮ５３４０１またはＡＳＴＭ Ｄ１３８７〕で測定し
たケン化価が２０〜１２０のものを用いるのが好まし
い。
【００２６】この酸化ポリエチレンワックスの配合割合
は、上記他の離型剤と同様にエポキシ樹脂組成物全体に
対して、０．１〜３．０重量％が好ましい。さらに好ま
しくは、０．５〜２．０重量％である。すなわち、０．
１重量％未満では所望の離型性が得られ難く、その結
果、生産性が低下する恐れがある。逆に、３．０重量％
を超えると生産性は向上するものの、耐半田クラック性
が低下する傾向が見られるからである。
は、上記他の離型剤と同様にエポキシ樹脂組成物全体に
対して、０．１〜３．０重量％が好ましい。さらに好ま
しくは、０．５〜２．０重量％である。すなわち、０．
１重量％未満では所望の離型性が得られ難く、その結
果、生産性が低下する恐れがある。逆に、３．０重量％
を超えると生産性は向上するものの、耐半田クラック性
が低下する傾向が見られるからである。
【００２７】本発明には、さらに上記構造式〔化７〕で
表される特定のフェノ−ル樹脂を用いる際には、予め下
記の一般式〔化１０〕で表されるオルガノファンクショ
ナルシラン化合物との反応物としておくこともできる
し、一括配合すなわち別々に用いることもできる。すな
わち、下記の一般式〔化１０〕で表されるオルガノファ
ンクショナルシラン化合物を適宜選択使用し、上記特定
のフェノ−ル樹脂の一部または全部と反応させることに
より、半田実装時において樹脂組成物硬化体の高温強度
を増大させたり、半導体素子表面との接着力を向上させ
たりすることが可能となる。すなわち、耐熱衝撃信頼性
の向上が一層顕著になるといった効果が図れる。
表される特定のフェノ−ル樹脂を用いる際には、予め下
記の一般式〔化１０〕で表されるオルガノファンクショ
ナルシラン化合物との反応物としておくこともできる
し、一括配合すなわち別々に用いることもできる。すな
わち、下記の一般式〔化１０〕で表されるオルガノファ
ンクショナルシラン化合物を適宜選択使用し、上記特定
のフェノ−ル樹脂の一部または全部と反応させることに
より、半田実装時において樹脂組成物硬化体の高温強度
を増大させたり、半導体素子表面との接着力を向上させ
たりすることが可能となる。すなわち、耐熱衝撃信頼性
の向上が一層顕著になるといった効果が図れる。
【化１０】
【００２８】オルガノファンクショナルシラン化合物と
上記特定のフェノ−ル樹脂との反応は、この特定のフェ
ノ−ル樹脂の溶融温度以上で反応脱離成分、すなわちメ
タノ−ルやエタノ−ルというアルコ−ル成分が反応系か
ら除去できるまで行えばよい。通常、１５０℃から１９
０℃の温度で１５分から３００分、好ましくは１７０℃
から１８０℃で２０分から９０分の間反応を行う。この
反応では反応触媒として一般式〔化８〕で表される有機
ホスフィン化合物を用いても良い。
上記特定のフェノ−ル樹脂との反応は、この特定のフェ
ノ−ル樹脂の溶融温度以上で反応脱離成分、すなわちメ
タノ−ルやエタノ−ルというアルコ−ル成分が反応系か
ら除去できるまで行えばよい。通常、１５０℃から１９
０℃の温度で１５分から３００分、好ましくは１７０℃
から１８０℃で２０分から９０分の間反応を行う。この
反応では反応触媒として一般式〔化８〕で表される有機
ホスフィン化合物を用いても良い。
【００２９】オルガノファンクショナルシラン化合物と
上記特定のフェノ−ル樹脂との反応物を製造する場合、
一般式〔化１０〕で表されるオルガノファンクショナル
シラン化合物の配合量は、特定のフェノ−ル樹脂１００
重量部に対して０．１〜１０重量部の割合に設定するこ
とが好ましい。すなわち、０．１重量部未満では得られ
る樹脂組成物硬化体の耐熱衝撃信頼性が得られがたく、
逆に１０重量部をこえるとオルガノファンクショナルシ
ラン化合物と上記特定のフェノ−ル樹脂との反応中にゲ
ル化する危険性が高くなるからである。
上記特定のフェノ−ル樹脂との反応物を製造する場合、
一般式〔化１０〕で表されるオルガノファンクショナル
シラン化合物の配合量は、特定のフェノ−ル樹脂１００
重量部に対して０．１〜１０重量部の割合に設定するこ
とが好ましい。すなわち、０．１重量部未満では得られ
る樹脂組成物硬化体の耐熱衝撃信頼性が得られがたく、
逆に１０重量部をこえるとオルガノファンクショナルシ
ラン化合物と上記特定のフェノ−ル樹脂との反応中にゲ
ル化する危険性が高くなるからである。
【００３０】この発明では、耐湿信頼性や高温放置特性
の向上を目的としてハイドロタルサイト類化合物や五酸
化アンチモン等のイオントラップ剤を用いることができ
る。
の向上を目的としてハイドロタルサイト類化合物や五酸
化アンチモン等のイオントラップ剤を用いることができ
る。
【００３１】このようなハイドロタルサイト類化合物
は、例えば、下記の一般式〔化１１〕で表される。
は、例えば、下記の一般式〔化１１〕で表される。
【化１１】
【００３２】一方、五酸化アンチモンはＳｂ2 Ｏ5 で表
されるものであり、無水物でも結晶水を含む含水物でも
よい。
されるものであり、無水物でも結晶水を含む含水物でも
よい。
【００３３】上記ハイドロタルサイト類化合物や五酸化
アンチモンはそのまま配合に供してもよく、別途シラン
カップリング剤で表面被覆処理したものを用いてもよ
い。また、予め、本発明の有機成分の一部に熱ロ−ル等
を用いて予備分散したものを用いても良い。
アンチモンはそのまま配合に供してもよく、別途シラン
カップリング剤で表面被覆処理したものを用いてもよ
い。また、予め、本発明の有機成分の一部に熱ロ−ル等
を用いて予備分散したものを用いても良い。
【００３４】このハイドロタルサイト類化合物や五酸化
アンチモンの配合量は、エポキシ樹脂およびフェノ−ル
樹脂の総量１００重量部に対して０．５重量部から１５
重量部の割合に設定することが好ましく、特に１０重量
部以下に設定することが好結果をもたらす。すなわち、
１５重量部以上であると耐湿信頼性や高温放置特性以外
の諸特性に悪影響が見られるからである。
アンチモンの配合量は、エポキシ樹脂およびフェノ−ル
樹脂の総量１００重量部に対して０．５重量部から１５
重量部の割合に設定することが好ましく、特に１０重量
部以下に設定することが好結果をもたらす。すなわち、
１５重量部以上であると耐湿信頼性や高温放置特性以外
の諸特性に悪影響が見られるからである。
【００３５】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分、および場合により（Ｆ）
成分に、さらに添加剤を配合しておくこともできる。添
加剤としては、離型剤、ハイドロタルサイト類化合物、
五酸化アンチモン、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤
および着色剤等がある。
は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分、および場合により（Ｆ）
成分に、さらに添加剤を配合しておくこともできる。添
加剤としては、離型剤、ハイドロタルサイト類化合物、
五酸化アンチモン、難燃剤、難燃助剤、カップリング剤
および着色剤等がある。
【００３６】上記難燃剤および難燃助剤としては、ノボ
ラック型臭素化エポキシ樹脂またはビスフェノ−ルＡ型
臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の化合物を適
宜に単独でもしくは併せて用いる事ができる。
ラック型臭素化エポキシ樹脂またはビスフェノ−ルＡ型
臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の化合物を適
宜に単独でもしくは併せて用いる事ができる。
【００３７】上記カップリング剤としては、シランカッ
プリング剤等が挙げられる。
プリング剤等が挙げられる。
【００３８】さらに、本発明には、上記各成分以外にシ
リコ−ンゴムや合成ゴム等各種エラストマ−を配合して
低応力化を図る事もできる。
リコ−ンゴムや合成ゴム等各種エラストマ−を配合して
低応力化を図る事もできる。
【００３９】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
例えば次のようにして製造することができる。すなわ
ち、上記エポキシ樹脂成分、フェノ−ル樹脂成分（一部
がオルガノファンクショナルシラン化合物と反応したも
のや全部がオルガノファンクショナルシランと反応した
ものも含む）、硬化促進剤成分および無機質充填剤の主
成分や、その他離型剤等の添加剤を適宜配合した後、こ
の配合物を温度８０℃から１２０℃でロ−ル機またはニ
−ダ等により半硬化状まで混練する。つぎに、公知の手
段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の
工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を製造する事
ができる。なお、上記混練に先立って、原料中の固形物
の粉砕や全成分のドライブレンドを行う事が好ましい。
例えば次のようにして製造することができる。すなわ
ち、上記エポキシ樹脂成分、フェノ−ル樹脂成分（一部
がオルガノファンクショナルシラン化合物と反応したも
のや全部がオルガノファンクショナルシランと反応した
ものも含む）、硬化促進剤成分および無機質充填剤の主
成分や、その他離型剤等の添加剤を適宜配合した後、こ
の配合物を温度８０℃から１２０℃でロ−ル機またはニ
−ダ等により半硬化状まで混練する。つぎに、公知の手
段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の
工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を製造する事
ができる。なお、上記混練に先立って、原料中の固形物
の粉砕や全成分のドライブレンドを行う事が好ましい。
【００４０】このようなエポキシ樹脂組成物を用いて半
導体素子を封止し、本発明の半導体装置を得るには、特
に限定するものでは無く、通常のトランスファ−成形等
の従来公知のモ−ルド成形により行う事ができる。
導体素子を封止し、本発明の半導体装置を得るには、特
に限定するものでは無く、通常のトランスファ−成形等
の従来公知のモ−ルド成形により行う事ができる。
【００４１】
【発明の効果】このようにして本発明で得られる半導体
装置は、電子機器への実装に際して前処理することもな
く、しかも半田実装時に樹脂組成物硬化体にクラックが
発生しないという耐熱衝撃信頼性に優れ、さらに低応力
性および耐湿信頼性、そして総合的に信頼性に優れるも
のである。また、離型剤として酸化ポリエチレンワック
スを使用した場合には、連続成形性が優れるため、生産
性の向上が計れる。
装置は、電子機器への実装に際して前処理することもな
く、しかも半田実装時に樹脂組成物硬化体にクラックが
発生しないという耐熱衝撃信頼性に優れ、さらに低応力
性および耐湿信頼性、そして総合的に信頼性に優れるも
のである。また、離型剤として酸化ポリエチレンワック
スを使用した場合には、連続成形性が優れるため、生産
性の向上が計れる。
【００４２】まず、実施例に先立って下記に示す各成分
を準備した。 「エポキシ樹脂Ａ」下記の構造式〔化１２〕で示される
エポキシ樹脂であり、エポキシ当量２００、軟化点７３
℃である。
を準備した。 「エポキシ樹脂Ａ」下記の構造式〔化１２〕で示される
エポキシ樹脂であり、エポキシ当量２００、軟化点７３
℃である。
【化１２】 「エポキシ樹脂Ｂ」下記の構造式〔化１３〕で示される
エポキシ樹脂であり、エポキシ当量２００、軟化点１０
０℃である。
エポキシ樹脂であり、エポキシ当量２００、軟化点１０
０℃である。
【化１３】
【００４３】「フェノ−ル樹脂Ｃ」下記の構造式〔化１
４〕で示されるフェノ−ル樹脂であり、水酸基当量１８
０、軟化点１２０℃である。
４〕で示されるフェノ−ル樹脂であり、水酸基当量１８
０、軟化点１２０℃である。
【化１４】 「フェノ−ル樹脂Ｄ」下記の構造式〔化１５〕で示され
るフェノ−ル樹脂であり、水酸基当量１１０、軟化点８
２℃である。
るフェノ−ル樹脂であり、水酸基当量１１０、軟化点８
２℃である。
【化１５】
【００４４】「硬化促進剤」有機ホスフィン化合物ａ
は、〔化８〕のＲ1 が水素であるトリフェニルホスフィ
ンである。有機ホスフィン化合物ｂは、〔化８〕のＲ1
がメチル基である。ＤＢＵは、下記の構造式〔化１６〕
で示される１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウン
デセン−７である。
は、〔化８〕のＲ1 が水素であるトリフェニルホスフィ
ンである。有機ホスフィン化合物ｂは、〔化８〕のＲ1
がメチル基である。ＤＢＵは、下記の構造式〔化１６〕
で示される１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウン
デセン−７である。
【化１６】 「オルガノポリシロキサン」下記の構造式〔化１７〕で
示されるオルガノポリシロキサンであり、アミン当量４
５０、平均分子量９００である。
示されるオルガノポリシロキサンであり、アミン当量４
５０、平均分子量９００である。
【化１７】
【００４５】「オルガノファンクショナルシランＥ」下
記の構造式〔化１８〕で示されるオルガノファンクショ
ナルシランＥ。
記の構造式〔化１８〕で示されるオルガノファンクショ
ナルシランＥ。
【化１８】 「オルガノファンクショナルシランＦ」下記の構造式
〔化１９〕で示されるオルガノファンクショナルシラン
Ｆ。
〔化１９〕で示されるオルガノファンクショナルシラン
Ｆ。
【化１９】
【００４６】「オルガノファンクショナルシランＥとフ
ェノ−ル樹脂Ｃとの反応生成物」１７５℃に加熱溶融し
たフェノ−ル樹脂Ｃ１００重量部に対してオルガノファ
ンクショナルシランＥ０．１５重量部を加え、１７５℃
で１時間加熱溶融で攪拌後、室温まで冷却して使用し
た。 「オルガノファンクショナルシランＦとフェノ−ル樹脂
Ｃとの反応生成物」１７５℃に加熱溶融したフェノ−ル
樹脂Ｃ１００重量部に対してオルガノファンクショナル
シランＦ０．１５重量部を加え、１７５℃で１時間加熱
溶融で攪拌後、室温まで冷却して使用した。
ェノ−ル樹脂Ｃとの反応生成物」１７５℃に加熱溶融し
たフェノ−ル樹脂Ｃ１００重量部に対してオルガノファ
ンクショナルシランＥ０．１５重量部を加え、１７５℃
で１時間加熱溶融で攪拌後、室温まで冷却して使用し
た。 「オルガノファンクショナルシランＦとフェノ−ル樹脂
Ｃとの反応生成物」１７５℃に加熱溶融したフェノ−ル
樹脂Ｃ１００重量部に対してオルガノファンクショナル
シランＦ０．１５重量部を加え、１７５℃で１時間加熱
溶融で攪拌後、室温まで冷却して使用した。
【００４７】「酸化ポリエチレンワックス」ヘキスト社
製ＰＥＤ−５２１（酸価１５、滴点１０５℃）を用い
た。 「離型剤ａ」ヘキストワックスＯＰ（酸価１２、滴点１
００℃）を用いた。 「離型剤ｂ」カルナバワックス（酸価５、滴点８３℃）
を用いた。
製ＰＥＤ−５２１（酸価１５、滴点１０５℃）を用い
た。 「離型剤ａ」ヘキストワックスＯＰ（酸価１２、滴点１
００℃）を用いた。 「離型剤ｂ」カルナバワックス（酸価５、滴点８３℃）
を用いた。
【００４８】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を説明する。 実施例１〜１３および比較例１〜５ 下記の〔表１〕、〔表２〕および〔表３〕に示す各成分
を同表に示す割合で配合し、ミキシングロ−ル（温度１
００℃）で１０分間混練し、冷却固化後、粉砕を行うこ
とにより目的とするエポキシ樹脂組成物を得た。
を同表に示す割合で配合し、ミキシングロ−ル（温度１
００℃）で１０分間混練し、冷却固化後、粉砕を行うこ
とにより目的とするエポキシ樹脂組成物を得た。
【表１】
【表２】
【表３】
【００４９】このようにして得られた粉末状のエポキシ
樹脂組成物を用いて半導体素子をトランスファ−成形で
モ−ルドすることにより半導体装置を得た。この半導体
装置は８０ピン四方向フラットパッケ−ジ（ＱＦＰ）
〔サイズ：２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚み２．５ｍｍ〕で、
７ｍｍ×７ｍｍのダイパッド、６．５ｍｍ×６．５ｍｍ
のＳｉチップを有するものである。
樹脂組成物を用いて半導体素子をトランスファ−成形で
モ−ルドすることにより半導体装置を得た。この半導体
装置は８０ピン四方向フラットパッケ−ジ（ＱＦＰ）
〔サイズ：２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚み２．５ｍｍ〕で、
７ｍｍ×７ｍｍのダイパッド、６．５ｍｍ×６．５ｍｍ
のＳｉチップを有するものである。
【００５０】このようにして得られた半導体装置につい
て、２６０℃×１０秒間の半田浸漬を行い樹脂組成物硬
化体のクラックが発生するまでの８５℃／８５％ＲＨで
の限界吸湿時間を測定した。また、上記実施例および比
較例で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて、厚み１ｍ
ｍ×直径５０ｍｍの円板状の硬化体を作成し（硬化条
件：１８０℃×５時間）、この円板状の硬化体について
８５℃／８５％ＲＨ下で５００時間吸湿させて飽和吸水
率を測定した。
て、２６０℃×１０秒間の半田浸漬を行い樹脂組成物硬
化体のクラックが発生するまでの８５℃／８５％ＲＨで
の限界吸湿時間を測定した。また、上記実施例および比
較例で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて、厚み１ｍ
ｍ×直径５０ｍｍの円板状の硬化体を作成し（硬化条
件：１８０℃×５時間）、この円板状の硬化体について
８５℃／８５％ＲＨ下で５００時間吸湿させて飽和吸水
率を測定した。
【００５１】さらに、硬化体の曲げ強度および曲げ弾性
率をＪＩＳ Ｋ−６９１１ ５．１７に準じて室温およ
び２６０℃下で測定した。
率をＪＩＳ Ｋ−６９１１ ５．１７に準じて室温およ
び２６０℃下で測定した。
【００５２】さらに上記実施例および比較例で得られた
エポキシ樹脂組成物を用い上記と同様にして得られた半
導体装置を８５℃／８５％ＲＨ下で７２時間吸湿させた
後、２６０℃×１０秒間の半田浸漬を行った。これを１
２１℃×１００％ＲＨ下に放置（以下、「ＳＤＰＣＴ試
験」と称する。）して、半導体素子表面のアルミパタ−
ン部の腐食による５０％の不良に発生した耐湿性劣化時
間を測定した。
エポキシ樹脂組成物を用い上記と同様にして得られた半
導体装置を８５℃／８５％ＲＨ下で７２時間吸湿させた
後、２６０℃×１０秒間の半田浸漬を行った。これを１
２１℃×１００％ＲＨ下に放置（以下、「ＳＤＰＣＴ試
験」と称する。）して、半導体素子表面のアルミパタ−
ン部の腐食による５０％の不良に発生した耐湿性劣化時
間を測定した。
【００５３】また、上記と同様にして得られた半導体装
置を１３１℃×８５％ＲＨ下に電圧３０ボルトを印加し
ながら放置（以下、「バイアス印加試験」と称する）し
て、半導体素子表面のアルミパタ−ン部の腐食による配
線抵抗値が３倍以上になる耐湿性劣化時間を測定した。
置を１３１℃×８５％ＲＨ下に電圧３０ボルトを印加し
ながら放置（以下、「バイアス印加試験」と称する）し
て、半導体素子表面のアルミパタ−ン部の腐食による配
線抵抗値が３倍以上になる耐湿性劣化時間を測定した。
【００５４】つぎに、上記と同様にして得られた半導体
装置を１５０℃／５分間〜−６０℃／５分間の温度サイ
クルテスト（以下、「ＴＣＴ試験」と称する）で３００
サイクルを行い、樹脂組成物硬化体から受ける熱応力に
よる半導体素子表面のアルミパタ−ン部の変形量を測定
した。
装置を１５０℃／５分間〜−６０℃／５分間の温度サイ
クルテスト（以下、「ＴＣＴ試験」と称する）で３００
サイクルを行い、樹脂組成物硬化体から受ける熱応力に
よる半導体素子表面のアルミパタ−ン部の変形量を測定
した。
【００５５】つぎに、上記と同様にして得られた半導体
装置を２２５℃に放置して半導体素子表面のアルミパタ
−ン部の抵抗変化率を測定し、配線抵抗値が３倍以上に
なる高温放置劣化時間を測定した。
装置を２２５℃に放置して半導体素子表面のアルミパタ
−ン部の抵抗変化率を測定し、配線抵抗値が３倍以上に
なる高温放置劣化時間を測定した。
【００５６】つぎに、実施例および比較例のエポキシ樹
脂組成物について、その硬化体の離型性を評価した。離
型性の評価方法は次のようにして行った。すなわち、
〔図３〕に示すような三層構造（上型１０、中型１１、
下型１２）の成形型を用いて、１０ショットの成形を行
った。そして、１０ショット目の樹脂組成物硬化体にお
ける離型時の荷重を測定した。〔図３〕において、１３
はカル、１４はスプル−、１５はランナ−、１６はキャ
ビティ−である。離型時の荷重の測定は、〔図４〕に示
すように、成形型の中型１１を支持台１７上に載置し、
プッシュプルゲ−ジ１８を用いて上方から中型１１内の
樹脂組成物硬化体１９を脱型した。このときの荷重値、
すなわち離型荷重を測定した。そして、その値から連続
成形性について評価した。連続成形性が、非常に優れて
いる場合は◎、優れている場合○とした。
脂組成物について、その硬化体の離型性を評価した。離
型性の評価方法は次のようにして行った。すなわち、
〔図３〕に示すような三層構造（上型１０、中型１１、
下型１２）の成形型を用いて、１０ショットの成形を行
った。そして、１０ショット目の樹脂組成物硬化体にお
ける離型時の荷重を測定した。〔図３〕において、１３
はカル、１４はスプル−、１５はランナ−、１６はキャ
ビティ−である。離型時の荷重の測定は、〔図４〕に示
すように、成形型の中型１１を支持台１７上に載置し、
プッシュプルゲ−ジ１８を用いて上方から中型１１内の
樹脂組成物硬化体１９を脱型した。このときの荷重値、
すなわち離型荷重を測定した。そして、その値から連続
成形性について評価した。連続成形性が、非常に優れて
いる場合は◎、優れている場合○とした。
【００５７】これらの結果を〔表４〕、〔表５〕、〔表
６〕および〔表７〕に示した。
６〕および〔表７〕に示した。
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【００５８】上記〔表４〕〜〔表７〕の結果から、実施
例品は比較例品に較べて飽和吸水率が低く、硬化体特性
に優れている。しかも、実施例品の樹脂組成物硬化体の
クラック発生の限界吸湿時間および５０％不良発生時間
が比較例品に較べて長時間であり、配線変形量も小さ
い。。このことから、実施例品は耐熱衝撃信頼性、耐湿
信頼性および硬化体の低応力性に優れている事がわか
る。また、酸化ポリエチレンワックスを使用した場合
は、離型性、すなわち連続成形性に優れることがわか
る。
例品は比較例品に較べて飽和吸水率が低く、硬化体特性
に優れている。しかも、実施例品の樹脂組成物硬化体の
クラック発生の限界吸湿時間および５０％不良発生時間
が比較例品に較べて長時間であり、配線変形量も小さ
い。。このことから、実施例品は耐熱衝撃信頼性、耐湿
信頼性および硬化体の低応力性に優れている事がわか
る。また、酸化ポリエチレンワックスを使用した場合
は、離型性、すなわち連続成形性に優れることがわか
る。
【００５９】
【図１】表面実装型半導体装置の樹脂組成物硬化体のク
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
【図２】表面実装型半導体装置の樹脂組成物硬化体のク
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
【図３】樹脂組成物硬化体の離型荷重試験片を作製する
成形型の縦断面図である。
成形型の縦断面図である。
【図４】樹脂組成物硬化体の離型荷重試験を説明する縦
断面図である。
断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長沢 徳 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 （Ａ）下記の構造式〔化１〕で表されるエポキシ樹脂。 【化１】 （Ｂ）下記の構造式〔化２〕で表されるフェノ−ル樹
脂。 【化２】 （Ｃ）下記の一般式〔化３〕で表される硬化促進剤。 【化３】 （Ｄ）下記の一般式〔化４〕で表されるオルガノポリシ
ロキサン。 【化４】 （Ｅ）無機質充填剤。 - 【請求項２】 請求項１記載の（Ａ）〜（Ｅ）成分と酸
化ポリエチレンワックス（Ｆ）成分を含有するエポキシ
樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装
置。 - 【請求項３】 フェノ−ル樹脂の一部または全部が下記
の一般式〔化５〕で表されるオルガノファンクショナル
シラン化合物との反応物である請求項１あるいは請求項
２いづれか記載の半導体装置。 【化５】 - 【請求項４】 イオントラップ剤としてハイドロタルサ
イト類化合物および五酸化アンチモンより選ばれる少な
くとも一種を含有してなる請求項１〜３のいずれか一項
に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33074193A JP3167853B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-171574 | 1993-07-12 | ||
| JP17157493 | 1993-07-12 | ||
| JP33074193A JP3167853B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-12-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778913A true JPH0778913A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3167853B2 JP3167853B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=26494261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33074193A Expired - Fee Related JP3167853B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3167853B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192532A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003105174A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005314565A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPWO2004065486A1 (ja) * | 2003-01-17 | 2006-05-18 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
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