JPH0778941A - 半導体集積回路における過熱保護回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 過熱保護回路を温度ヒステリシス内で使用し
た時のノイズ等の外乱による誤動作を防ぐ。 【構成】 温度モニタ回路１と、温度検出出力に応じて
ＩＣチップ内の他の主要回路の動作を止める遮断回路２
を備えた過熱保護回路において、上記遮断回路２内にタ
イマ回路部２３を設け、温度モニタ回路１の信号が一定
時間以上同一レベルであることを判定し、このように判
定したのちに上記遮断の動作を行うものとした。 【効果】 過密実装状態で放熱が悪くなった場合でもノ
イズ等の外乱による誤動作なく安定した過熱保護回路動
作が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路におけ
る過熱保護回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８は従来の第１例の過熱保護回路を示
す図であり、図において、１は温度モニタ回路、２はＩ
Ｃチップ内の他の主要回路の動作を止める遮断回路、２
１は遮断回路内の入力部、２２は遮断信号を出力する出
力部である。

【０００３】次に動作について説明する。通常、ＩＣの
過熱保護回路は、遮断回路２に温度ヒステリシスを設け
て熱発振などが起きないようにしている。これは、過熱
保護回路が働くとＩＣ内の他の主要回路が遮断状態にな
り電力が消費されなくなってＩＣチップの温度が下がる
が、温度ヒステリシスがない場合には、温度が下がると
すぐに遮断状態が解除され、再び電力が消費されて温度
が上がってまた遮断状態になり、以下同様にこれを繰り
返すこととなり、熱的な発振状態となってしまうからで
ある。

【０００４】図２は過熱保護回路の動作曲線を示す。図
に示すように、この過熱保護回路の動作曲線は温度ヒス
テリシスを持っている。ＩＣの実使用状態としては、通
常図中のＡ点の温度で使用するが、この場合、ノイズ等
の外乱で半導体集積回路における過熱保護回路中の遮断
回路２が誤動作しても、該過熱保護回路の動作曲線は、
温度ヒステリシスを有する外に、チップ温度は上記Ａ点
の温度の近傍にあるので、該過熱保護回路はすぐに解除
状態に復帰することとなり、実使用上問題とはならな
い。

【０００５】ところが、過密実装等で放熱が悪い状態で
は、図中Ｂ点で使用することもあり得る。この場合、過
熱保護回路の動作状態としては、図中Ｃ点（解除状態）
にあることとなる。ここで前述のような外乱が飛び込ん
できた時を考えると、遮断回路２が誤動作して復帰する
時、外部の温度条件よりＤ点へ状態が移るため、依然と
して遮断状態が続くことになる。そして、最悪ＩＣの電
源をオフしないと過熱保護回路の解除状態（図中Ａ点の
状態）へ復帰しない場合もあることとなる。

【０００６】図１６は、従来の第２例の半導体集積回路
における過熱保護回路を示す図であり、図において、５
１は定電圧回路、５２は温度検出回路、５３は定電圧回
路５１、温度検出回路５２の出力信号によりヒステリシ
ス信号を作成し、チップ内の他の主要回路の動作を止め
る温度ヒステリシス遮断回路である。ここで、過熱保護
回路とは、ＩＣが過熱状態になった時、一時的に他の主
要回路の動作を止めることにより、チップ温度が過熱さ
れることを防ぐ回路であり、図１７に過熱保護回路の動
作曲線を示す。

【０００７】次に動作について説明する。温度検出回路
５２により、チップ温度を検出する。また、定電圧回路
５１の出力電圧を、あらかじめ設定温度（Ｔ１）のとき
出力する電圧に設定しておくことにより、チップ温度が
所望の温度に上昇した時、ヒステリシス遮断回路５３は
ＩＣの主要回路の動作を止めるように、出力信号として
“Ｈ”の信号を出力する。

【０００８】また、周囲温度がＴ１より下がって来た時
に、すぐに保護回路の動作を解除せずに、即ち、温度ヒ
ステリシス遮断回路５３が“Ｌ”の信号を出力するとい
うことをせずに、該温度ヒステリシス遮断回路５３の機
能により一定温度Ｔ２まで下がった時に初めて動作を解
除（“Ｌ”の信号を出力）し、ＩＣの主要回路を通常動
作にもどす。

【０００９】このように、この従来の第２例の過熱保護
回路では、チップ温度を検出し、温度によりヒステリシ
スをかけてＩＣの過熱保護を行っている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来の第１例の過熱保
護回路は以上のように構成されているので、過密実装等
で放熱が悪い状態で、温度ヒステリシス内の温度で使用
すると、ノイズ等の外乱で誤動作した場合、容易に遮断
状態から解除状態へ復帰しないという問題点があった。

【００１１】また、従来の第２例の過熱保護回路は以上
のような構成となっているので、放熱の良いパッケージ
を使用している場合などには、動作遮断後に容易に冷却
されるため、遮断状態から解除状態への復帰動作が早
く、熱発振をおこしてしまうという問題があった。

【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、過密実装状態で放熱が悪くなっ
た場合でも、外乱により誤動作した場合に、遮断状態か
ら解除状態へ復帰しないということなく、安定した過熱
保護回路動作を得ることのできる過熱保護回路を提供す
ることを目的としている。

【００１３】またこの発明は、放熱の良いパッケージを
使用していても、遮断状態から解除状態への復帰動作が
早く、熱発振をおこしてしまうということなく、安定し
た過熱保護回路動作を得ることのできる過熱保護回路を
提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路における過熱保護回路は、遮断回路部に、温度モ
ニタ回路の信号が一定時間以上同一レベルであることを
判定し、このように判定したのちに遮断の動作を行うよ
うにするタイマ回路を内蔵したものである。

【００１５】この発明に係る半導体集積回路における過
熱保護回路は、温度ヒステリシス回路の出力を受けてか
ら一定時間後に信号を出力する時間幅設定回路と、該時
間幅設定回路から信号が出力された時点で温度ヒステリ
シス回路の出力をラッチするラッチ回路とを備えたもの
である。

【００１６】

【作用】この発明の過熱保護回路においては、タイマ機
能を備えているので、遮断回路への入力信号がある一定
期間以上同一状態を維持して初めて遮断状態となるよう
制御が行われる。

【００１７】また、この発明の過熱保護回路において
は、時間幅設定回路と、ラッチ回路とを備えているの
で、温度ではなく時間により、遮断信号にヒステリシス
をかけるように制御が行われる。

【００１８】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の第１の実施例を図について
説明する。図１は本発明の実施例１による過熱保護回路
を示し、図１(a) はその回路ブロック図を、図１(b) は
その詳細な回路構成図を示す。図１(a) において、１は
温度モニタ回路、２は温度モニタ回路１の出力信号に応
じてＩＣチップ内の他の主要回路の動作を停止させる遮
断回路、２１は遮断回路２内の入力部、２２は遮断回路
２内の遮断信号を出力する出力部、２３は該入力部２１
と出力部２２との間に設けられ、上記温度モニタ回路１
の信号が一定時間以上同一レベルであることを判定し、
このように判定したのちに該遮断回路２の遮断の動作を
行うようにするタイマ回路である。この図１(a) の回路
の詳細を示す図１(b) において、Ｑ１〜Ｑ１７はトラン
ジスタ、Ｒ１〜Ｒ６，Ｒａ，Ｒｂは抵抗、Ｃａはコンデ
ンサ、Ｉ１〜Ｉ３は電流源、Ｃomp1は比較器である。

【００１９】本実施例１では、温度モニタ回路１はいわ
ゆるバンドギャップ型の定電圧回路の温度比例電圧を用
いるようにしている。そして、該温度モニタ回路１の点
(T)から出力される温度比例電圧は、差動入力回路から
なる遮断回路２の入力部２１に入り、ここで基準電圧
(A) と比較される。入力部２１で比較された結果は、出
力部２２のトランジスタＱ１５，Ｑ１６，Ｑ１７を経て
出力されるが、本実施例１では、トランジスタＱ１５と
Ｑ１６との間にタイマ回路２３を入れている。

【００２０】次に動作について説明する。図１の本実施
例１の過熱保護回路においても、従来例と同様、温度ヒ
ステリシスを設けている。タイマ回路２３は、遮断回路
２の入力部２１にはいった信号が、タイマ部２３で設定
する時間ｔ以上同一状態を保って初めて出力部２２が動
作するよう、該出力部２２を制御する機能を持つ。

【００２１】このように、図１の回路にノイズ等の外乱
がはいった場合、遮断回路２の入力部２１が反転信号を
出してもタイマ回路２３が設定する時間幅ｔ以上反転信
号が持続しなければ、出力部２２は遮断信号を出力しな
いことになる。即ち、図３の遮断回路２の出力は、この
とき解除状態にあるということを意味する。

【００２２】このとき、図２の過熱保護回路の動作曲線
上の各動作点での動作を考えると、次のようになる。図
中、Ａ点で使用する場合は前述の通り実用上問題はない
が、Ｂ点の温度、つまり動作点がＣ点にある状態で使用
する時は、本実施例１の回路の場合、ノイズがタイマ回
路２３で設定する時間幅以上の時間幅を持つものになら
ないと、遮断回路２１は遮断信号を出力しない。通常、
ノイズの時間幅は非常に短く、タイマ回路２３の設定す
る時間幅はノイズの時間幅よりも十分に大きく設定でき
る。そのため、Ｃ点でも誤動作のない安定した動作を続
けることができる。

【００２３】次に、この動作を図１(b) の詳細回路構成
図、及び図３(a) ，(b) のタイミングチャートを用いて
説明する。まず、ＩＣの温度が上がってくると、温度モ
ニタ回路の出力である(T) 点の電圧は図３(a) に示すよ
うに下がってくる。そして、このＴ点の電圧が比較する
電圧(A) を下まわると、トランジスタＱ１５がオフ状態
となり、定電流Ｉ２はコンデンサＣａへ流れ込む。する
と、(B) 点の電位は図３(a) のように、徐々に上昇して
いき、電圧ＶR を上まわるようになる。(B) 点はコンパ
レータＣomp1の非反転入力側なので、コンパレータの出
力(C) は“Ｌ”から“Ｈ”へ切りかわる。その結果、出
力(D) も遮断状態に入る。図３(a) からわかるように、
この実施例１ではタイマ回路２３を入れているので、Ｉ
Ｃの温度が有る基準値を越えてもすぐに出力が切りかわ
るのではなく、Δｔだけの時間遅れを持って切りかわ
る。Δｔは以下のように表される。

【００２４】

【数１】

【００２５】次に、図３(b) に示すように、ノイズ状の
信号が入った時を考えてみる。(T)点の電圧に図３(b)
のようなノイズＮがのった場合、遮断回路２の入力部２
１は、ＩＣの温度が基準値を越えたと判断し、トランジ
スタＱ１５をオフさせる。そして、前述のようにコンデ
ンサＣａが充電しはじめるが、ノイズの時間幅が上述の
(1) 式で示すΔｔに満たない場合は、図３(b) に示すと
おり(C) 点は反転せず、従って、(D) 点も遮断状態には
ならないことになる。

【００２６】このような本実施例１では、遮断回路２の
入力部２１と出力部２２との間にタイマ回路２３を挿入
して、遮断回路２の入力部２１が反転信号を出してもタ
イマ回路２３が設定する時間幅ｔ以上反転信号が持続し
なければ、出力部２２は遮断信号を出力しないようにし
たので、過密実装状態で放熱が悪くなった場合でも、安
定した過熱保護回路動作を得ることができる効果があ
る。

【００２７】実施例２．上記実施例１のタイマ回路とし
ては、ロジックのカウンタ回路を用いても同様の効果を
得ることができる。即ち、最近のＩＣ回路は内部クロッ
クを使っているものが多いので、この内部クロックを用
い、これをカウンタ回路でカウントすることにより、同
様の時間幅設定をすることができる。この場合、カウン
タ回路を使用することによって、充放電用の外付けコン
デンサや、抵抗が不要になる他、ロジック回路を組むだ
けなので、非常に簡単な回路，パターンで回路構成を実
現することができるものである。

【００２８】図４にこのようにした本発明の第２の実施
例を示す。図４(a) はその回路ブロック図を、図４(b)
はその詳細な回路構成図を示す。本実施例２は図４(a)
，(b) に示されるように、タイマ回路２３ａとして、
３つのＤＦＦ（Ｄタイプフリップフロップ）を用いたも
のであり、そのタイミングチャートは図５に示すように
なる。該図５からわかるように、Δｔをクロックの周期
から作るようにしている。この例では、ＤＦＦを３個使
用しているが、クロック周期とΔｔをどれくらいにする
かにより３個より多くてもすくなくてもよいものであ
る。

【００２９】このような本実施例２では、タイマ回路と
してロジックのカウンタ回路を用いたことにより、充放
電用の外付けコンデンサや、抵抗が不要になるばかりで
なく、非常に簡単な回路，パターンで回路構成を実現す
ることができる効果がある。

【００３０】実施例３．図６に本発明の第３の実施例に
よる過熱保護回路を示す。本実施例３では、タイマ回路
２３ｂは外部コンデンサ３１の充電時間を利用したもの
で、このコンデンサ３１を外付けにすることにより、時
間幅Δｔを可変にしているものである。

【００３１】このような本実施例３では、タイマ回路２
３ｂを外付けのコンデンサ３１の充電時間を利用したも
のとしたので、タイマ回路が設定する上記時間幅Δｔを
可変とすることができる効果がある。

【００３２】実施例４．図７に本発明の第４の実施例に
よる過熱保護回路を示し、図７(a) はそのブロック構成
図、図７(b) はその詳細な回路構成図である。本実施例
４では、タイマ回路２３ｃにおいて、実施例３における
定電流Ｉ2 の代わりに外付け抵抗３２を接続可能にし、
その外付け抵抗値でΔｔを可変にしたものである。ここ
で、Δｔは以下の式で表される。

【００３３】

【数２】

【００３４】このように本実施例４では、タイマ回路２
３ｃはコンデンサＣａの放電時間を利用したものとし、
かつ、抵抗３２を外付けすることでコンデンサＣａの放
電時間を可変としたので、上記時間幅Δｔを上記外付け
抵抗３２の抵抗値により可変とすることができる効果が
ある。

【００３５】実施例５．図８に本発明の第５の実施例に
よる過熱保護回路を示す。本実施例５のタイマ回路２３
ｄは、上記実施例３，４に示した外付け素子３１，３２
（本実施例５では、実施例４の抵抗３２をトランジスタ
により実現している）を内蔵するものとしたものであ
る。

【００３６】このような本実施例５では、上記実施例
３，４における外付け素子３１，３２を内蔵することに
より、時間幅Δｔは一定であるが、外付け素子を削減し
たので、素子を外付する手間を省くことができる。

【００３７】実施例６．以下、この発明の第６の実施例
を図について説明する。図１０は本発明の第６の実施例
による過熱保護回路を示し、図１０(a) はその回路ブロ
ック図を、図１０(b) はその詳細な回路構成図を、図１
１(a) ，(b) ，(c) はそのタイミングチャートを示す。
図１０(a) において、５１は温度に応じて設定できる定
電圧を発生する定電圧回路、５２はＩＣチップの温度を
検出する温度検出回路である。５６はＩＣチップ内の他
の主要回路の動作を止める遮断回路部であり、該遮断回
路部５６において、５３は上記定電圧回路５１の出力
と、上記温度検出回路５２との出力とを、温度ヒステリ
シスを持って比較する温度ヒステリシス回路、５４は温
度ヒステリシス回路５３の出力５３を受け、その出力が
入力した時間から一定時間後に信号を出力する時間幅設
定回路、５５は該時間幅設定回路５４から信号が出力さ
れた時点で上記温度ヒステリシス回路５３の出力波形Ｃ
をラッチするラッチ回路である。

【００３８】また、図１１(b) において、図１(b) と同
一符号は同一部分を示し、本実施例６の温度モニタ回路
１は、定電圧回路５１と、温度検出回路５２とからな
り、上記実施例１の温度モニタ回路１と同じ構成となっ
ている。また、遮断回路部５６は、上記実施例１の遮断
回路の入力部２１と、遮断回路の出力部２２とをあわせ
たものと同等の構成となっており、温度ヒステリシス回
路５３に接続される上記時間幅設定回路５４は、２つの
ＮＡＮＤ，ＮＡＮＤ１，２と、抵抗対Ｒ７，Ｒ８と、コ
ンデンサＣ２とからなっている。また、上記ラッチ回路
５５は、２つのトランジスタＱ１７，Ｑ１８と、反転バ
ッファＩＮＶとからなっている。

【００３９】次に本実施例６の動作を、図１１のタイミ
ングチャートを参照して説明する。図１０(a) ，(b) の
本実施例６の過熱保護回路においては、従来例と同様、
温度ヒステリシス回路５３を備えているとともに、さら
に、該温度ヒステリシス回路５３の温度検出波形Ａをラ
ッチして一定時間Ｔ経過後に遮断解除信号を出すよう
に、時間幅設定回路５４と、ラッチ回路５５とを備えて
いる。即ち、時間幅設定回路５４と、ラッチ回路５５が
ない場合は、遮断回路部５６の最終遮断出力Ｄは上記出
力Ａに対応してＴA 時間のみ“Ｌ" （遮断状態）となる
が、時間幅設定回路５４は、温度ヒステリシス回路５３
の出力波形Ｃの立下がりでトリガされ、その後上記Ｔ時
間，遮断状態を保持する（出力信号Ｂ）。そして、ラッ
チ回路５５で上記信号Ｃと上記信号Ｂの２つの信号が合
成され、最終的に図１１に示すような遮断出力Ｄが得ら
れる。ここで、時間ＴA はＩＣの放熱状態によって決ま
るが、上記時間Ｔは時間幅設定回路５４に内蔵するコン
デンサＣ2 によって決まる一定値である。そのため、時
間ＴA が小さくなっても時間Ｔをある一定の値とすれ
ば、常に一定以上の遮断時間を維持できることとなる。

【００４０】このような本実施例６の過熱保護回路で
は、時間幅設定回路５４と、ラッチ回路５５とを備え、
これにより温度ヒステリシス回路５３の出力波形が遮断
解除状態となったのちも、時間幅設定回路５４による時
間Ｔの間，遮断状態が維持されたのち、遮断解除状態と
なるようにし、いわば温度ではなく時間幅にてヒステリ
シスをかけるようにしたので、放熱の良いパッケージを
使用していても、すぐに遮断状態が解除されるというこ
とがなくなり、安定した過熱保護回路動作を得ることが
できる効果がある。

【００４１】実施例７．図１２は本発明の第７の実施例
を示し、図１２(a) は本実施例７による過熱保護回路の
詳細な回路構成図、図１２(b) は本実施例の動作タイミ
ングチャート図である。本実施例７の回路構成は、温度
ヒステリシス回路５３Ａの出力側に、コンパレータ５０
を含む時間幅設定回路５４Ａを接続したものであり、こ
の時間幅設定回路５４Ａでは、温度ヒステリシス回路５
３Ａの出力波形Ｃに比例した電圧を、トランジスタＱ１
６，トランジスタＱ１７を介してコンパレータ５０に正
入力端に入力するようにしている。このとき、この正入
力端にはコンデンサＣａが接続されており、上記電圧に
より該コンデンサＣａは充電されることとなる。一方、
抵抗対Ｒ７，Ｒ８は、比較電圧ＶR を作成してこれをコ
ンパレータ５０の非反転入力に入力するようにしてお
り、このコンパレータ５０の出力が遮断出力Ｄとなるも
のである。なお、図中Ｉ４は定電流源である。また、本
実施例７の遮断回路部５６では、上記実施例６における
ラッチ回路５５は設けられていない。

【００４２】次に、図１２(b) のタイミングチャートと
ともに、動作について説明する。図１２(a) におけるＣ
点が温度ヒステリシス回路５３Ａの出力となるが、この
信号Ｃを時間幅設定回路５４Ａがそのコンパレータ５０
に受けて、遮断状態から解除状態になったとき（Ｃ点の
立下がり）に、コンデンサＣａの充電時間を利用してＴ
時間の遅れをもたせている。従って、時間幅設定回路５
４Ａの出力Ｄとしては、上記温度ヒステリシス回路５３
Ａの出力であるＣ点の電圧により決まる時間ＴA と、上
記コンデンサＣａの充電時間により決まる時間Ｔとの和
が、遮断状態を保持する時間となる。

【００４３】このような本実施例７では、上記実施例６
と同様、温度ヒステリシス動作を用いずに、温度ヒステ
リシス回路の温度検出出力Ｃから、温度ではなく時間幅
にてヒステリシスをかけるようにしたので、温度ヒステ
リシス回路５３Ａの出力が遮断解除状態となったのち
も、時間幅設定回路５４Ａによる時間Ｔの間，遮断状態
が維持されたのち、遮断解除状態となることとなり、放
熱の良いパッケージを使用している場合においても、安
定した過熱保護回路動作を得ることができる効果があ
る。

【００４４】実施例８．本実施例８は、実施例６の時間
幅設定回路５４として、図１３(a) ，(b) に示すよう
に、外付けコンデンサ５７（Ｃ２）を設け、該外付けの
コンデンサＣ２の容量値を変化させることにより容易に
ヒステリシスの時間幅Ｔを変化させることのできる時間
幅設定回路５４Ｂとしたものである。その他、温度ヒス
テリシス回路５３，及びラッチ回路５５は、上記実施例
６と全く同様である。

【００４５】本実施例８では、時間幅設定回路５４Ｂを
用いて、温度ではなく時間幅にてヒステリシスをかける
ようにしたので、上記実施例６，７と同様、安定した過
熱保護回路動作を得ることができる効果がある。また、
外付けのコンデンサＣ２の容量値を変化させることによ
り、容易にヒステリシスの時間幅Ｔを変化させることが
できる効果がある。

【００４６】実施例９．本発明の第９の実施例は、実施
例６における時間幅設定回路５４として、図１４(a) ，
(b) に示すようにロジックのカウンタ回路、ここでは、
３つのＤＦＦ，即ちＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３を用いて構
成したロジックのカウンタ回路５４Ｃを用いたものであ
る。

【００４７】本実施例９のタイミングチャートを図１５
に示し、次に動作を説明する。上記ロジックのカウンタ
回路５４Ｃを構成する３つのＤＦＦ（ＦＦ１，ＦＦ２，
ＦＦ３）は、温度ヒステリシス回路５３のＣ点の電圧が
“Ｌ”→“Ｈ”になった時リセットがかかり、そのＱ出
力は“Ｌ”になる。そして、Ｃ点の電圧が“Ｌ”に反転
した時動きだすので、各ＤＦＦのＱ出力は、図１５に示
すような波形となる。

【００４８】本実施例９においても、時間幅設定回路５
４としてロジックのカウンタ回路５４Ｃを用いて、温度
ではなく時間幅にてヒステリシスをかけるようにしたの
で、上記実施例６，７，８と同様、安定した過熱保護回
路動作を得ることができる効果がある。

【００４９】なお本実施例９では、ＤＦＦを３個並べて
いるが、これはクロックＣＬＫの周期と時間Ｔをどの程
度にするかでＤＦＦの個数が決まるもので、３個より多
くても少なくてもよいものである。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
集積回路における過熱保護回路によれば、遮断回路部
に、温度モニタ回路の信号が一定時間以上同一レベルで
あることを判定し、このように判定したのちに遮断の動
作を行なわせるタイマ回路を内蔵したので、過密実装状
態で放熱が悪くなった場合でも、ノイズ等による誤動作
がなく安定した過熱保護回路動作を得られる効果があ
る。

【００５１】また、この発明にかかる過熱保護回路によ
れば、遮断回路部に、温度ヒステリシス回路の出力を受
けてから一定時間後に信号を出力する時間幅設定回路
を、さらには該時間幅設定回路から信号が出力された時
点で温度ヒステリシス回路の出力をラッチするラッチ回
路とを設け、いわば温度ではなく時間幅にてヒステリシ
スをかけるようにしたので、放熱の良いパッケージを使
用している時にも熱発振することなく、安定した過熱保
護回路動作を得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例による過熱保護回路を
示す図（図(a) は回路ブロック図，図(b) は詳細回路構
成図）である。

【図２】実施例１の過熱保護回路の動作を表す動作曲線
を示す図（図(a) ），及び外乱によるノイズが加わった
ときの動作を説明する図（図(b) ）である。

【図３】実施例１の過熱保護回路の動作タイミングチャ
ート図（図(a) は通常動作時，図(b) は外乱ノイズが加
わったときのもの）である。

【図４】この発明の第２の実施例による過熱保護回路を
示す図（図(a) は回路ブロック図，図(b) は詳細回路構
成図）である。

【図５】実施例２の過熱保護回路の動作タイミングチャ
ート図である。

【図６】この発明の第３の実施例による過熱保護回路を
示す図（図(a) は回路ブロック図，図(b) は詳細回路構
成図）である。

【図７】この発明の第４の実施例による過熱保護回路を
示す図（図(a) は回路ブロック図，図(b) は詳細回路構
成図）である。

【図８】この発明の第５の実施例による過熱保護回路を
示す図である。

【図９】従来の第１例による過熱保護回路を示す図であ
る。

【図１０】この発明の第６の実施例による過熱保護回路
を示す構成図（図(a) ，図(b) ）である。

【図１１】実施例６の過熱保護回路の動作説明図であ
る。

【図１２】この発明の第７の実施例による過熱保護回路
を示す回路構成図（図(a) ）、及びその動作タイミング
チャート図（図(b) ）である。

【図１３】この発明の第８の実施例による過熱保護回路
を示す構成図（図(a) ，図(b) ）である。

【図１４】この発明の第９の実施例による過熱保護回路
を示す構成図（図(a) ，図(b) ）である。

【図１５】上記実施例９の過熱保護回路の動作タイミン
グチャート図である。

【図１６】従来の第２例による過熱保護回路を示す図で
ある。

【図１７】図１６の過熱保護回路の動作を示す動作曲線
である。

【符号の説明】

１ 温度モニタ回路 ２ 遮断回路 ２１ 遮断回路の入力部 ２２ 遮断回路の出力部 ２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ タイマ回路 ２４ カウンタ回路 ３１ 外付けコンデンサ ３２ 外付け抵抗 ５１ 定電圧回路 ５２ 温度検出回路 ５３，５３Ａ 温度ヒステリシス回路 ５４，５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ 時間幅設定回路 ５５ ラッチ回路 ５６ 遮断回路部 ５７ 外付けコンデンサ ＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３ Ｄ−フリップフロップ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣチップの温度をモニタする温度モニ
   タ回路と、 上記温度モニタ回路の出力信号に応じて上記ＩＣチップ
   内の主要回路の動作を停止させる遮断回路とを備えた半
   導体集積回路における過熱保護回路において、 上記遮断回路は、上記温度モニタ回路の信号が一定時間
   以上同一レベルであることを判定し、このように判定し
   たのちに上記遮断の動作を行うものとするタイマ回路を
   内蔵するものであることを特徴とする半導体集積回路に
   おける過熱保護回路。
2. 【請求項２】 請求項１記載の過熱保護回路において、 上記タイマ回路に、Ｄタイプフリップフロップを用いた
   ことを特徴とする半導体集積回路における過熱保護回
   路。
3. 【請求項３】 請求項１記載の過熱保護回路において、 上記タイマ回路を、外付けのコンデンサを有するものと
   し、上記一定時間を該外付けのコンデンサの容量値によ
   り可変としたことを特徴とする半導体集積回路における
   過熱保護回路。
4. 【請求項４】 請求項１記載の過熱保護回路において、 上記タイマ回路に、外付けの抵抗を有するものとし、上
   記一定時間を該外付けの抵抗の抵抗値により可変とした
   ことを特徴とする半導体集積回路における過熱保護回
   路。
5. 【請求項５】 請求項１記載の過熱保護回路において、 請求項３記載の外付けのコンデンサ、及び請求項４記載
   の外付けの抵抗を、内蔵したことを特徴とする半導体集
   積回路における過熱保護回路。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の過
   熱保護回路において、 上記温度モニタ回路は、温度に応じて設定できる定電圧
   を発生する定電圧回路と、上記ＩＣチップの温度を検出
   する温度検出回路とからなるものであることを特徴とす
   る半導体集積回路における過熱保護回路。
7. 【請求項７】 温度に応じて設定できる定電圧を発生す
   る定電圧回路と、上記ＩＣチップの温度を検出する温度
   検出回路とからなり、ＩＣチップの温度をモニタする温
   度モニタ回路と、 該温度モニタ回路の上記温度検出回路の出力を受け、こ
   れを上記定電圧回路の出力と温度ヒステリシスをもって
   比較し、その比較出力に応じて上記ＩＣのチップ内の主
   要回路の動作を、上記温度検出時より温度ヒステリシス
   をつけて遮断するようにする温度ヒステリシス回路とを
   有する遮断回路を備えた半導体集積回路における過熱保
   護回路において、 上記遮断回路は、 上記温度ヒステリシス回路の出力を受け、その出力が入
   力した時間から一定時間後に信号を出力する時間幅設定
   回路と、 該時間幅設定回路から信号が出力された時点で上記温度
   ヒステリシス回路の出力をラッチし、その出力を遮断出
   力とするラッチ回路とを有するものであることを特徴と
   する半導体集積回路における過熱保護回路。
8. 【請求項８】 請求項７記載の過熱保護回路において、 上記時間幅設定回路は、上記温度ヒステリシス回路の出
   力波形をその信号入力端にコンデンサを持つコンパレー
   タに入力するものであり、 上記ラッチ回路を有さないことを特徴とする半導体集積
   回路における過熱保護回路。
9. 【請求項９】 請求項７記載の過熱保護回路において、 上記時間幅設定回路は、その設定する時間幅を決める外
   付けコンデンサを有するものであることを特徴とする半
   導体集積回路における過熱保護回路。
10. 【請求項１０】 請求項７記載の過熱保護回路におい
    て、 上記時間幅設定回路は、論理回路によるタイマ回路から
    なることを特徴とする半導体集積回路における過熱保護
    回路。