JPH0779074B2 - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH0779074B2 JPH0779074B2 JP63182120A JP18212088A JPH0779074B2 JP H0779074 B2 JPH0779074 B2 JP H0779074B2 JP 63182120 A JP63182120 A JP 63182120A JP 18212088 A JP18212088 A JP 18212088A JP H0779074 B2 JPH0779074 B2 JP H0779074B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- electron beam
- scanning
- pattern
- exposure method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、高密度集積回路で微小な図形パターンを描
くことのできる電子ビーム露光方法、特にベクタ走査方
法を利用する電子ビーム露光方法に関するものである。
くことのできる電子ビーム露光方法、特にベクタ走査方
法を利用する電子ビーム露光方法に関するものである。
[従来の技術] 第4図は例えば特開昭53−126277号公報に示された従来
の電子線露光装置のビーム走査方法を表わした図であ
る。
の電子線露光装置のビーム走査方法を表わした図であ
る。
このビーム走査方法は、ビームをONした後、一筆書きで
描けるところを塗りつぶして次の図形に飛ぶという方法
である。すなわち、まず最初に露光すべき小図形Q1の位
置をコンピュータ(図示せず)が指定するデータ(具体
的には小図形Q1を走査する際の走査開始点P1の座標)に
基づき、電子線を走査開始点P1に位置させる。
描けるところを塗りつぶして次の図形に飛ぶという方法
である。すなわち、まず最初に露光すべき小図形Q1の位
置をコンピュータ(図示せず)が指定するデータ(具体
的には小図形Q1を走査する際の走査開始点P1の座標)に
基づき、電子線を走査開始点P1に位置させる。
次に電子線は基準区画A1内の走査開始点P1から矢印で示
すように繰り返し5回走査され、小図形Q1が描かれる。
小図形Q1の露光が終了すると、コンピュータは全く同様
に小図形Q2、Q3の位置を指定し、基準区画A1内に小図形
Q2、Q3が同Q1に続いて描かれる。
すように繰り返し5回走査され、小図形Q1が描かれる。
小図形Q1の露光が終了すると、コンピュータは全く同様
に小図形Q2、Q3の位置を指定し、基準区画A1内に小図形
Q2、Q3が同Q1に続いて描かれる。
上述のようにして基準区画A1内の小図形Q1〜Q3を描き終
えると、コンピュータは次に露光すべき基準区画A2の位
置を指定し、基準区画A1の場合と全く同様に順次露光す
べき基準区画をジクザグ状に順次シフトさせるとともに
各基準区画内の小図形の露光を高速度で行う。
えると、コンピュータは次に露光すべき基準区画A2の位
置を指定し、基準区画A1の場合と全く同様に順次露光す
べき基準区画をジクザグ状に順次シフトさせるとともに
各基準区画内の小図形の露光を高速度で行う。
このビーム走査方法は一般にベクタ走査方法と称されて
いる。
いる。
第5図はたとえば特開昭62−86717号公報に示された他
のビーム走査方法を表したもので、このビーム走査方法
は、左端のパターン始点Xonにビームを偏向移動させ、
このラインの右端のパターン終点Xoffへ走査させ、以
下、この走査を繰り返すもので、丁度テレビのブラウン
管の電子線走査と同じ方法であり、ラスタ走査方法と称
されている。
のビーム走査方法を表したもので、このビーム走査方法
は、左端のパターン始点Xonにビームを偏向移動させ、
このラインの右端のパターン終点Xoffへ走査させ、以
下、この走査を繰り返すもので、丁度テレビのブラウン
管の電子線走査と同じ方法であり、ラスタ走査方法と称
されている。
すなわち、すべての座標点に対してビームON、OFF指令
に基づき、描画面すべてを走査していくということは例
えば描画面をX、Y座標14ビットD/A、クロック周波数5
MHzで走査したとしても、53.7秒かかる。また、ON、OFF
に関する情報に必要なメモリも214×214ビット必要とな
る。第6図はこのラスタ走査方法における各座標点のビ
ーム照射量を示す棒グラフ図である。
に基づき、描画面すべてを走査していくということは例
えば描画面をX、Y座標14ビットD/A、クロック周波数5
MHzで走査したとしても、53.7秒かかる。また、ON、OFF
に関する情報に必要なメモリも214×214ビット必要とな
る。第6図はこのラスタ走査方法における各座標点のビ
ーム照射量を示す棒グラフ図である。
[発明が解決しようとする課題] 従来の電子ビーム露光方法は以上のような露光方法によ
るので、ベクタ走査方法の場合、レジストの性質に応じ
て、ビームのON、OFFを反対にすること、すなわち、ネ
ガ、ポジ反転ができないという問題点があった。
るので、ベクタ走査方法の場合、レジストの性質に応じ
て、ビームのON、OFFを反対にすること、すなわち、ネ
ガ、ポジ反転ができないという問題点があった。
また、ラスタ走査方法の場合、ネガ、ポジ反転は容易な
ものの、不要な箇所を含めて、ビームを走査しなければ
ならないため、走査時間がかかり、大きなメモリ容量を
要するなどの問題点があった。
ものの、不要な箇所を含めて、ビームを走査しなければ
ならないため、走査時間がかかり、大きなメモリ容量を
要するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消することを課題と
して為されたもので、ネガ、ポジ反転を容易に行い同時
に走査時間を短くし、メモリ容量を小さくすることがで
きる電子ビーム露光方法を得ることを目的とする。
して為されたもので、ネガ、ポジ反転を容易に行い同時
に走査時間を短くし、メモリ容量を小さくすることがで
きる電子ビーム露光方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明にかかる電子ビーム露光方法は、露光パターン
が記録されたデータをラスタデータに変換してからネガ
用またはポジ用かを選択した後にベクタデータに再変換
し、このベクタデータに基づいて電子ビームを走査する
ものである。
が記録されたデータをラスタデータに変換してからネガ
用またはポジ用かを選択した後にベクタデータに再変換
し、このベクタデータに基づいて電子ビームを走査する
ものである。
[作用] この発明における電子ビーム露光方法は、パターンが記
録されたデータをラスタデータに変換してからネガ用ま
たはポジ用かを選択した後にベクタデータに再変換し、
このベクタデータに基づいて電子ビームを走査する。従
って、ネガ用及びポジ用の両方のデータのいずれかを容
易に選択できる。
録されたデータをラスタデータに変換してからネガ用ま
たはポジ用かを選択した後にベクタデータに再変換し、
このベクタデータに基づいて電子ビームを走査する。従
って、ネガ用及びポジ用の両方のデータのいずれかを容
易に選択できる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)は基板(図示せず)の情報がガーバ
ーデータ方式によって記録されている磁気テープ、
(2)は磁気テープ(1)及び大容量メモリ(3)を接
続した演算手段としてのホストコンピュータ、(4)は
データ転送ライン(5)を介してホストコンピュータ
(2)に接続した露光装置、(6)は露光装置(4)に
接続した小容量メモリである。
図において、(1)は基板(図示せず)の情報がガーバ
ーデータ方式によって記録されている磁気テープ、
(2)は磁気テープ(1)及び大容量メモリ(3)を接
続した演算手段としてのホストコンピュータ、(4)は
データ転送ライン(5)を介してホストコンピュータ
(2)に接続した露光装置、(6)は露光装置(4)に
接続した小容量メモリである。
次に動作について説明する。ホストコンピュータ(2)
は、まず、磁気テープ(1)から読み出したガーバーデ
ータをラスタデータに変換する。ネガ、ポジ反転するか
どうかを選択した後、そのラスタデータから横向きのベ
クタデータに再変換する。ベクタデータへの変換終了
後、ホストコンピュータ(2)は露光装置(4)にデー
タ転送を行う。
は、まず、磁気テープ(1)から読み出したガーバーデ
ータをラスタデータに変換する。ネガ、ポジ反転するか
どうかを選択した後、そのラスタデータから横向きのベ
クタデータに再変換する。ベクタデータへの変換終了
後、ホストコンピュータ(2)は露光装置(4)にデー
タ転送を行う。
この場合、ベクタデータは始点の座標と長さだけ持てば
よいので、ここで転送されるデータ及び露光装置で持た
なければならないメモリの容量は、大幅に削減すること
ができ、ネガ、ポジ反転も容易である。
よいので、ここで転送されるデータ及び露光装置で持た
なければならないメモリの容量は、大幅に削減すること
ができ、ネガ、ポジ反転も容易である。
第2図は上記ホストコンピュータからのデータに基づい
て、ネガパターンを作成する説明図である。第2図にお
いて、まず、最初、スタート位置X0からX1に移動された
偏向信号は、系の応答時間を待ち、ビームON後、位置X2
まで移動する。
て、ネガパターンを作成する説明図である。第2図にお
いて、まず、最初、スタート位置X0からX1に移動された
偏向信号は、系の応答時間を待ち、ビームON後、位置X2
まで移動する。
そこで、ビームをOFFし、偏向信号は位置X3に移動す
る。位置X2と位置X3のY座標は同じである。以後は同じ
ことの繰り返しで所望のパターンを描画する。
る。位置X2と位置X3のY座標は同じである。以後は同じ
ことの繰り返しで所望のパターンを描画する。
第4図に示されるベクタ走査方法による描画動作との違
いは、必ず、ベクタが例えばX軸方向に向かっていて、
Y軸座標の一方向から順次走査していくことである。
いは、必ず、ベクタが例えばX軸方向に向かっていて、
Y軸座標の一方向から順次走査していくことである。
また、ラスタ方式による描画動作との違いは、まず、Y
軸からみて全く露光すべき点がない場合、そのY軸に対
応する一行を全く走査せず、一行でもビームをONする必
要のない箇所を追加することはあっても、絶対にリファ
レンスとしては与えないことである。
軸からみて全く露光すべき点がない場合、そのY軸に対
応する一行を全く走査せず、一行でもビームをONする必
要のない箇所を追加することはあっても、絶対にリファ
レンスとしては与えないことである。
第2図において、座標軸以外の実線で書かれた部分は、
実際にビームを照射、露光したい部分である。このよう
にビームを照射した部分にパターンを発生させるタイプ
をネガパターンと称する。これは、従来の紫外線露光に
おいて、マスクフィルムを使っていた手法からの名称で
ある。
実際にビームを照射、露光したい部分である。このよう
にビームを照射した部分にパターンを発生させるタイプ
をネガパターンと称する。これは、従来の紫外線露光に
おいて、マスクフィルムを使っていた手法からの名称で
ある。
第3図は第2図のビームのON/OFFを反転させてポジパタ
ーンを作成する説明図であり、このポジパターンは一般
に高密度、微細に対応するためのものである。
ーンを作成する説明図であり、このポジパターンは一般
に高密度、微細に対応するためのものである。
従って、ビームを発生する露光装置(4)としては、ネ
ガパターン、ポジパターンの両方に対応して、容易に選
択できることが要求される。
ガパターン、ポジパターンの両方に対応して、容易に選
択できることが要求される。
なお、上記実施例では電子ビームについて説明したが、
イオンビームなどの荷電ビームであってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
イオンビームなどの荷電ビームであってもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
また、一台のホストコンピュータを一台の露光装置が専
有するのではなく、一台のホストコンピュータから何台
もの露光装置へデータ転送することも可能である。
有するのではなく、一台のホストコンピュータから何台
もの露光装置へデータ転送することも可能である。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、パターンが記録され
たデータをラスタデータに変換してからネガ用またはポ
ジ用かを選択した後に再変換したベクタデータに基づい
て電子ビームを走査するようにしたので、ネガ用及びポ
ジ用の両方のデータのいずれかを容易に選択でき、さら
に走査時間を短くし、電子ビーム露光装置のメモリ容量
を少なくできるなどの効果がある。
たデータをラスタデータに変換してからネガ用またはポ
ジ用かを選択した後に再変換したベクタデータに基づい
て電子ビームを走査するようにしたので、ネガ用及びポ
ジ用の両方のデータのいずれかを容易に選択でき、さら
に走査時間を短くし、電子ビーム露光装置のメモリ容量
を少なくできるなどの効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光方法
を実施する装置のブロック図、第2図はこの発明による
ネガパターン作成の説明図、第3図はこの発明方法によ
るポジパターン作成の説明図、第4図は従来のベクタ走
査方法の説明図、第5図は従来のラスタ走査方法の説明
図、第6図はそのラスタ走査方法におけるビーム照射量
を示す棒グラフ図である。 図において、(2)は演算手段(ホストコンピュー
タ)、4は露光装置である。
を実施する装置のブロック図、第2図はこの発明による
ネガパターン作成の説明図、第3図はこの発明方法によ
るポジパターン作成の説明図、第4図は従来のベクタ走
査方法の説明図、第5図は従来のラスタ走査方法の説明
図、第6図はそのラスタ走査方法におけるビーム照射量
を示す棒グラフ図である。 図において、(2)は演算手段(ホストコンピュー
タ)、4は露光装置である。
Claims (2)
- 【請求項1】基板上に塗布されたレジストに電子ビーム
を照射して所定のパターンを形成する電子ビーム露光方
法において、前記パターンが記録されたデータをラスタ
データに変換してからネガ用またはポジ用かを選択した
後にベクタデータに再変換し、前記ベクタデータに基づ
いて前記電子ビームを走査することを特徴とする電子ビ
ーム露光方法。 - 【請求項2】ラスタデータによる走査の方向と同じ方向
のベクタデータに再変換することを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182120A JPH0779074B2 (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63182120A JPH0779074B2 (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0231413A JPH0231413A (ja) | 1990-02-01 |
| JPH0779074B2 true JPH0779074B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=16112680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63182120A Expired - Lifetime JPH0779074B2 (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779074B2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-21 JP JP63182120A patent/JPH0779074B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0231413A (ja) | 1990-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2010414C (en) | Electron beam direct printing apparatus | |
| EP0956516B1 (en) | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate | |
| JPS59208719A (ja) | 粒子ビ−ム装置における集積回路製造方法 | |
| US4538232A (en) | Electron-beam lithographic apparatus | |
| CA1279732C (en) | Electron beam direct drawing device | |
| JP2614884B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及びその装置 | |
| US4989156A (en) | Method of drawing a pattern on wafer with charged beam | |
| JP2744833B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH0779074B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP3206448B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| Chang et al. | A computer-controlled electron-beam machine for microcircuit fabrication | |
| JP2894746B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH05335220A (ja) | 電子線描画装置、及び、電子線描画方法 | |
| JP3274149B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| US4484077A (en) | Exposure system and method using an electron beam | |
| JP3481017B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および該荷電粒子ビーム露光装置の露光データ処理方法 | |
| EP0029857B1 (en) | Electron beam projecting system | |
| JPS60119719A (ja) | 図形発生装置 | |
| JP2697943B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画における描画データの処理方法 | |
| JPS6230491B2 (ja) | ||
| JPS606538B2 (ja) | 電子ビーム露光方式 | |
| JPH03108712A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPS59117116A (ja) | 描画装置 | |
| JPS6017915A (ja) | ラスタ−型ビ−ム描画装置 | |
| JP3313606B2 (ja) | 電子線露光装置及び露光方法 |