JPH0779125A - 増幅器のバイアス制御システム - Google Patents

増幅器のバイアス制御システム

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JPH0779125A
JPH0779125A JP14928294A JP14928294A JPH0779125A JP H0779125 A JPH0779125 A JP H0779125A JP 14928294 A JP14928294 A JP 14928294A JP 14928294 A JP14928294 A JP 14928294A JP H0779125 A JPH0779125 A JP H0779125A
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フアブリス・レイノ
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パトリス・レニイエ
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    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H03G3/3047Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers for intermittent signals, e.g. burst signals

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 入力信号をクリッピングさせずに増幅器のバ
イアスをできるだけ小さくするシステムを提供する。 【構成】 増幅器10の入力信号(Ve)の一部分をサ
ンプリングする手段(11)と、サンプリングされた信
号を減衰する手段(12)と、減衰済み信号を検出する
手段(15)と、検出された電圧(Vd)を基準電圧
(Vref)と比較し論理レベルを供給する手段(1
6)と、この論理レベルを受け取り、検出された電圧
(Vd)が基準電圧(Vref)とほぼ等しくなるよう
にするために減衰手段(12)に印加される制御信号
(S)を生成する手段(17)と、制御手段(17)か
ら制御信号(S)を受け取りバイアス信号(Vp)を生
成する手段(18)とを備え、これらの手段が互いに協
働して、入力信号(Ve)をクリッピングなしに増幅す
るようにしながら増幅器(10)のバイアスができるだ
け小さくなるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明の分野は、増幅器のバイア
ス制御システムの分野である。本発明は特に、TDMA
(時分割多重接続)モードで伝送される信号の送信機ま
たは受信機中で利用される種類の、出力のダイナミック
レンジが大きな超高周波出力増幅器に適用される。
【0002】本発明は、たとえばTDMAモードで伝送
される、無線電気信号の送信または受信に利用される増
幅器の効率を最適化しようとするものである。本発明に
より、増幅器に印加された信号が線形に増幅されるよう
に、最小のエネルギー消費量で、すなわち最小のバイア
スで増幅器をバイアスさせることにより、一定した増幅
器利得を確保することができる。本発明は特に、受信パ
ケットの長さ、その振幅、そのダイナミックレンジ及び
その時間間隔がどうであろうと、TDMAモードで伝送
されるあらゆるタイプの信号に適用される。
【0003】
【従来の技術】松下電器産業株式会社名義の欧州特許出
願第0472330号は、ダイオード式検出器で増幅器
の出力信号の振幅を検出する、TDMAモードで伝送さ
れる超高周波信号の増幅システムを記載している。この
検出器は、増幅された信号のエンベロープを受け取るデ
ジタル減衰器と協働して、基本的に約20dBに制限さ
れている、出力側に置かれた検出器の感度を増大させ
る。従って、この減衰器は、増幅すべき信号のエンベロ
ープに応じて予め確定された制御法則の適用を受ける。
【0004】この種のシステムの主な欠点は、増幅すべ
き信号のエンベロープを生成する回路、たとえばEEP
ROMメモリを必要とすることである。このEEPRO
Mのプログラミングには、受信されるパケットの長さと
その時間的相対位置を知ることが前提となる。その上、
増幅器制御システム内で、検出ダイオードの非線形特性
を補償するための線形化装置を使用する必要もある。
【0005】
【課題を解決するための手段】これらの欠点を是正する
ため、本発明では、入力信号とバイアス信号を受け取
り、増幅した出力信号を供給する、増幅器のバイアス制
御システムであって、 −入力信号又は出力信号の一部分をサンプリングし、サ
ンプリングされた信号を供給する、サンプリング手段
と、 −サンプリングされた信号を減衰し、減衰済み信号を供
給する減衰手段と、 −減衰済み信号を検出し、検出された電圧を供給する検
出手段と、 −検出された電圧を基準電圧と比較し、論理レベルを供
給する比較手段と、 −論理レベルを受け取り、検出された電圧が基準電圧と
ほぼ等しくなるようにするために減衰手段に印加される
制御信号を供給する制御手段と、 −制御手段から制御信号を受け取り、バイアス信号を生
成する手段とを備え、これらの手段が互いに協働して、
増幅器の利得が線形増幅範囲で一定になり、かつ入力信
号のクリッピングなしの増幅を保ちながらこの増幅器の
バイアスができるだけ小さくなるようにするシステムを
提案する。
【0006】制御手段は、2進ワードを生成する増減カ
ウンタから構成すると好都合であり、バイアス信号生成
手段は、増減カウンタから2進ワードを受け取って低域
フィルタにアナログ信号を供給し、この出力信号がバイ
アス制御信号となる、デジタル−アナログ変換器を含む
と好都合である。
【0007】減衰手段は、2進ワードを受け取る復号器
と協働する、直列に接続された複数のデジタル制御式減
衰器のセットから構成することが好ましい。
【0008】バイアス制御の対象となる増幅器は、少な
くとも1個の超高周波トランジスタを含むと好都合であ
る。
【0009】有利な実施例では、本発明のシステムは、 −入力信号の一部分をサンプリングし、サンプリングさ
れた第1の信号を供給するサンプリング手段と、 −出力信号の一部分をサンプリングし、サンプリングさ
れた第2の信号を供給するサンプリング手段と、 −サンプリングされた第1の信号を減衰し、減衰済みの
第1の信号を供給する減衰手段と、 −サンプリングされた第2の信号を減衰し、減衰済みの
第2の信号を供給する減衰手段と、 −減衰済みの第1の信号を検出し、検出された第1の電
圧を供給する検出手段と、 −減衰済みの第2の信号を検出し、検出された第2の電
圧を供給する検出手段と、 −検出された第1の電圧を第1の基準電圧と比較し、第
1の論理レベルを供給する比較手段と、 −検出された第2の電圧を第2の基準電圧と比較し、第
2の論理レベルを供給する比較手段と、 −第1の論理レベルを受け取り、検出された第1の電圧
が第1の基準電圧とほぼ等しくなるようにするためにサ
ンプリングされた第1の信号の減衰手段に印加される第
1の制御信号を供給する制御手段と、 −第2の論理レベルを受け取り、検出された第2の電圧
が第2の基準電圧とほぼ等しくなるようにするためにサ
ンプリングされた第2の信号の減衰手段に印加される第
2の制御信号を供給する制御手段と、 −第1の制御信号を第2の制御信号から差し引いて差信
号を得る減算手段と、 −差信号を受け取り、Vpoがオフセット電圧、μとh
が定数、Va1 とVa2 がそれぞれ第1及び第2の制御
信号であるとして、 Vco=Vpo+μ・Va1 −h・(Va2 −Va1 ) に等しい電圧Vcoを増幅器に供給する、バイアス信号
生成手段とを備える。
【0010】こうして、増幅特性のドリフト補正を実施
することができる。
【0011】各検出手段がそれぞれ、電圧検出ダイオー
ドから構成され、第1及び第2の基準電圧が、Vrが固
定電圧、kが対応する電圧検出ダイオードの近くに置か
れた温度検出ダイオードの正の温度定数、Vが温度検出
ダイオードから供給される電圧、Toが基準温度、Tが
周囲温度であるとして、 Vr−k・V・(To−T) に等しいことが好ましい。
【0012】したがって、周囲温度の変動も補償され
る。
【0013】本発明のその他の特徴及び利点は、単に例
示的なものとして示した以下の好ましい実施例に関する
説明と添付の図面から明らかになるものに限定されるも
のではない。
【0014】
【実施例】図1は本発明の好ましい実施例の概略図であ
る。
【0015】効率の最適化の対象となる増幅器10は、
増幅すべき超高周波入力信号Veを受け取り、増幅した
信号Vsを供給する。増幅器10はまた、制御入力上で
バイアス信号Vpを受け取る。サンプリング手段11
は、たとえば方向性カップラから構成され、入力信号V
eの一部分をサンプリングし、サンプリングされた信号
を減衰するために手段12に供給する。減衰手段12
は、この場合、復号器14によって制御される直列に接
続されたn個のデジタル減衰器131 、132 、... 、
13n から構成される。減衰手段12は、減衰済み信号
を、ダイオード検出器で構成される検出手段15に供給
する。この検出器は、検出された電圧Vdを比較手段1
6に供給し、比較手段16は、この検出電圧Vdを基準
電圧Vrefと比較する。
【0016】比較手段16は、たとえばヒステリシス形
演算増幅器から構成される。この増幅器は、その出力線
を介して制御手段17に論理レベル(0または1)を供
給する。制御手段17は、検出電圧Vdが基準電圧Vr
efにほぼ等しくなるようにするために、減衰手段12
に印加される制御信号Sを生成する。このループは、検
出電圧Vdが基準電圧Vrefに等しくなるように減衰
手段12を制御する。制御信号Sは、演算増幅器16が
論理レベル1を出力するときにその値が増大し、逆に演
算増幅器が論理レベルOを出力するときにその値が減少
する。
【0017】サンプリング手段11はまた、増幅器10
の出力信号Vsの一部分もサンプリングできることに留
意されたい。したがってこの回路は、図1に示すシステ
ムが示す「フィードフォワード」型の、フィードバック
・ループを構成する。
【0018】検出器15を保護するため、減衰器は、シ
ステムがその最大値に初期化されるように設定される。
したがって、電圧VdがVrefより低い間は、低論理
レベルが制御手段17の入力に現れ、制御手段17はV
dがVrefを上回るまで、単調減少する2進数を生成
する。
【0019】この2進数は、減衰器の数によって決まる
ビット数で符号化される。例を挙げると、4ビット制御
されるデジタル減衰器3個を使って、DCから2GHz
までの周波数で60dBのダイナミックレンジを得るこ
とが可能である。
【0020】もちろん、制御手段17はアナログ型にす
ることもでき、たとえばVdがVrefに等しくなるよ
うにアナログ減衰手段を制御する電圧を供給する、積分
器から構成することもできる。しかしながら、減衰器制
御システムは、その線形帯域で利用しなければならない
ので、より複雑である。比較手段16は過度の頻繁な出
力の遷移を避けるため、ヒステリシスを有することが好
ましい。
【0021】基準電圧Vrefは、ダイオード検出器1
5の特性によって決まり、この検出器の特性曲線I=f
(U)が、この機能点すなわち検出器の感度が最大とな
る点の両側で最小の勾配を示すような電圧に相当する。
【0022】制御手段は、本実施例ではデジタル型であ
り、したがって制御クロックHの周波数で2進ワードを
供給する。制御手段は、その出力2進ワードa)の重み
が、VdとVrefの比較の結果に応じて各クロックH
ごとに増加または減少する、増減カウンタを含むことが
できる。
【0023】制御信号Sは、増幅器10に印加されるバ
イアス信号の生成手段18にも印加される。この生成手
段18は、図1では、デジタル・アナログ変換器19
と、それに続く低域フィルタ20とを含み、低域フィル
タ20は電圧Vaを供給する。電圧変換器21は増幅器
10にバイアス電圧Vpを供給する。この電圧変換器2
1は、たとえばVaをVp=a・Va+b(aとbは定
数)に変圧し、これによって、増幅器10がクリッピン
グなしでかつ最小のバイアス電流でVeの増幅を実施す
るのに十分な電流でバイアスされるようにする。このと
き、増幅器10の利得は線形増幅範囲内でほぼ一定であ
り、その電流のバイアスはその入力に印加された信号の
電力に適合される。
【0024】本発明の装置の動作は、増幅器10を構成
するトランジスタの静的負荷線を示す図2に関する以下
の説明からよりよく理解されよう。
【0025】図には3つの機能点A、B、Cが示されて
いる。機能点Aは、クラスAでの動作に対応する。すな
わち、増幅器のバイアスが最大であり、増幅器の入力に
印加される大きな振幅の信号が飽和せずに増幅される。
逆により小さな振幅の信号の場合は、機能点を点Bに置
くことにより、すなわち増幅器のバイアス電流を減少さ
せることにより、クリッピングなしに増幅が得られる。
したがって入力信号の振幅に応じて増幅器のバイアスが
適合され、その結果、最適の効率が得られる。機能点C
は増幅すべき信号の不在に対応することに留意された
い。このとき増幅器は休止しており、電流を全く消費し
ない。
【0026】本発明は、超高周波で動作するMOSFE
Tパワートランジスタから構成される増幅器に適用する
ことが好ましい。この種のトランジスタは直列接続で複
数個接続することができる。
【0027】図1に関して述べたシステムは、増幅器1
0の特性のドリフトを考慮に入れるようにさらに改良す
ることができる。線形増幅を達成したい場合、したがっ
てこの増幅器の出力に第2の検出器を置く必要がある場
合、これらのドリフトを補償することが必要である。ま
た、検出器15の機能点を変位させる温度ドリフトを補
償することも望ましい。
【0028】図3は、温度と増幅器のパラメータの変更
を行うことのできる、本発明の実施例の概略図である。
【0029】図のシステムは、図1に関して述べた検出
器が減衰済み入力(または出力)信号の一部分を受け取
る、諸要素と同じものを含み、またこの増幅器の出力信
号を処理する、諸要素と同じものを含む。このシステム
は、 −入力信号の一部分をサンプリングしサンプリングされ
た、第1の信号を供給するサンプリング手段111 と、 −出力信号の一部分をサンプリングしサンプリングされ
た、第2の信号を供給するサンプリング手段112 と、 −サンプリングされた第1の信号を減衰し、減衰済みの
第1の信号を供給する減衰手段121 と、 −サンプリングされた第2の信号を減衰し、減衰済みの
第2の信号を供給する減衰手段122 と、 −減衰済みの第1の信号を検出し、検出された第1の電
圧Vd1 を供給する検出手段151 と、 −減衰済みの第2の信号を検出し、検出された第2の電
圧Vd2 を供給する検出手段152 と、 −検出された第1の電圧Vd1 を第1の基準電圧Vre
1 と比較し、第1の論理レベルを供給する比較手段1
1 と、 −検出された第2の電圧Vd2 を第2の基準電圧Vre
2 と比較し、第2の論理レベルを供給する比較手段1
2 と、 −第1の論理レベルを受け取り、検出された第1の電圧
Vd1 が第1の基準電圧Vref1 とほぼ等しくなるよ
うにするために、サンプリングされた第1の信号の減衰
手段121 に印加される第1の制御信号S1 を生成する
制御手段171 と、 −第2の論理レベルを受け取り、検出された第2の電圧
Vd2 が第2の基準電圧Vref2 とほぼ等しくなるよ
うにするために、サンプリングされた第2の信号の減衰
手段122 に印加される第2の制御信号S2 を生成する
制御手段172 と、 −デジタル−アナログ変換器191 、192 とそれに続
くローパスフィルタ201 、202 とを介して動作し、
第1の制御信号S1 を第2の制御信号S2 から差し引い
てこの場合はVa2 −Va1 に相当する差信号S2 −S
1 を得る減算手段30と、 −差信号Va2 −Va1 を受け取り、Vpoがオフセッ
ト電圧、μとhが定数、Va1 とVa2 がそれぞれ第1
及び第2の制御信号であるとして、 Vco=Vpo+μ・Va1 −h・(Va2 −Va1 ) に等しい電圧Vcoを増幅器10に供給する、バイアス
信号生成手段31とを備える。
【0030】Vp+a・Vco+b(a、bは定数)を
設定することにより電圧Vcoを増幅器10に適合させ
るために、トランジスタ装置32を付加することができ
る。これによって、使用する増幅器に適合されたバイア
ス電流が生成される。
【0031】従って、電圧Vcoは入力電圧Veの変動
に追従するが、増幅器の利得値によっても変調される。
こうして、この増幅器の特性のドリフトが考慮される。
したがって、増幅器は所望の線形利得範囲で動作し、バ
イアス電流は最適に、すなわち増幅済み信号のクリッピ
ングを引き起こさずにできるだけ小さくなる。
【0032】各検出器の温度補償は、Vd1 とVd2
得るのに利用される電圧検出ダイオードと同じ、温度検
出ダイオードを用いた手段によって達成することがで
き、これらの温度検出ダイオードは、同じ温度ドリフト
を受けるように電圧検出ダイオードの近くに置かれる。
これらの温度検出ダイオードを331 、332 で示し、
Vd1 、Vd2 を供給する電圧検出ダイオードを3
1 、342 で示す。温度検出ダイオード331 、33
2 の出力電圧はモジュール351 、352 に印加され、
これらのモジュールはそれぞれ、kが使用される温度検
出ダイオードの温度定数(k>0)、Vがこのダイオー
ドから供給される電圧、Toが基準温度(たとえば25
℃)、Toが基準温度(例えば25℃)、Tが周囲温度
であるとして −K・V・(To−T) に等しい出力電圧を供給する。
【0033】これらのモジュールの出力電圧は、加算器
361 、362 に印加され、これらの加算器はその他に
固定電圧Vr1 とVr2 をも受け取る。これらの加算器
はその出力として基準電圧Vref1 とVref2 を供
給する。このようにして、電圧検出ダイオード341
342 の機能点を変位させる周囲温度の変動が補償でき
る。
【0034】増幅器の出力信号の一部分のサンプリング
手段112 は、それが供給する出力信号のレベルがサン
プリング手段111 から発行される出力信号のレベルに
等しくなるように減衰を行う、固定減衰器37を備える
ことが好ましい。その場合、増幅器10の入力側と出力
側にある装置は、同等の入力電力で動作するので、同じ
にすることができる。
【0035】本発明は、独立した入力信号のエンベロー
プを残したままで非常に広いダイナミックレンジで増幅
器のバイアスを最適化することができる。この増幅器に
よって消費される電力が減少し、したがって電池または
バッテリで動作する無線電器信号の送信機及び/または
受信機はより長い期間電池交換又は充電せずに使用でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい実施例の概略図である。
【図2】図1の増幅器を構成するトランジスタの静的負
荷線を表すグラフである。
【図3】増幅器の機能パタメータの変動と温度の変動を
考慮に入れることのできる本発明の実施例の概略図であ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03G 5/16 C 9067−5J

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号(Ve)とバイアス信号(V
    p)を受け取り、増幅した出力信号(Vs)を供給する
    増幅器(10)のバイアス制御システムであって、 −前記入力信号(Ve)または出力信号(Vs)の一部
    分をサンプリングし、サンプリングされた信号を供給す
    る、サンプリング手段(11)と、 −前記サンプリングされた信号を減衰し、減衰済み信号
    を提供する減衰手段(12)と、 −前記減衰済み信号を検出し、検出された電圧(Vd)
    を供給する検出手段(15)と、 −前記検出された電圧(Vd)を基準電圧(Vref)
    と比較し、論理レベルを供給する比較手段(16)と、 −前記論理レベルを受け取り、前記検出された電圧(V
    d)が前記基準電圧(Vref)とほぼ等しくなるよう
    にするために前記減衰手段(12)に印加される制御信
    号(S)を生成する制御手段(17)と、 −前記制御手段(17)から前記制御信号(S)を受け
    取り、バイアス信号(Vp)を生成する手段(18)と
    を備え、これらの手段が互いに協働して、前記増幅器
    (10)の利得が線形増幅範囲で一定になり、かつ前記
    入力信号(Ve)のクリッピングなしに前記増幅器(1
    0)のバイアスができるだけ小さくなるようにするシス
    テム。
  2. 【請求項2】 前記制御手段(17)が、2進ワードを
    生成する増減カウンタから構成される、請求項1に記載
    のシステム。
  3. 【請求項3】 前記バイアス信号(Vp)を生成する手
    段(18)が、前記増減カウンタ(17)から2進ワー
    ドを受け取ってローパスフィルタ(20)にアナログ信
    号を供給し、この出力信号が前記バイアス信号を構成す
    る、デジタル−アナログ変換器(19)を含む、請求項
    1及び2に記載のシステム。
  4. 【請求項4】 前記減衰手段(12)が、前記2進ワー
    ドを受け取る復号器(14)と協働する、直列に続され
    た複数のデジタル制御式減衰器(131 〜13n )のセ
    ットから構成される、請求項1から3のいずれか一項に
    記載のシステム。
  5. 【請求項5】 前記増幅器(10)が、少なくとも1個
    の超高周波トランジスタを含む、請求項1から4のいず
    れか一項に記載のシステム。
  6. 【請求項6】 入力信号(Ve)とバイアス信号(V
    p)を受け取り、増幅した出力信号(Vs)を供給する
    増幅器(10)のバイアス制御システムであって、 −前記入力信号(Ve)の一部分をサンプリングし、サ
    ンプリングされた第1の信号を供給するサンプリング手
    段(111 )と、 −前記出力信号(Vs)の一部分をサンプリングし、サ
    ンプリングされた第2の信号を供給するサンプリング手
    段(112 )と、 −前記サンプリングされた第1の信号を減衰し、減衰済
    みの第1の信号を供給する減衰手段(121 )と、 −前記サンプリングされた第2の信号を減衰し、減衰済
    みの第2の信号を供給する減衰手段(122 )と、 −前記減衰済みの第1の信号を検出し、検出された第1
    の電圧(Vd1 )を供給する検出手段(151 )と、 −前記減衰済みの第2の信号を検出し、検出された第2
    の電圧(Vd2 )を供給する検出手段(152 )と、 −前記検出された第1の電圧(Vd1 )を第1の基準電
    圧(Vref1 )と比較し、第1の論理レベルを供給す
    る比較手段(161 )と、 −前記検出された第2の電圧(Vd2 )を第2の基準電
    圧(Vref2 )と比較し、第2の論理レベルを供給す
    る比較手段(162 )と、 −前記第1の論理レベルを受け取り、前記検出された第
    1の電圧(Vd1 )が前記第1の基準電圧(Vre
    1 )とほぼ等しくなるようにするために前記サンプリ
    ングされた第1の信号の前記減衰手段(121 )に印加
    される第1の制御信号(S1 )を生成する制御手段(1
    1 )と、 −前記第2の論理レベルを受け取り、前記検出された第
    2の電圧(Vd2 )が前記第2の基準電圧(Vre
    2 )とほぼ等しくなるようにするために前記サンプリ
    ングされた第2の信号の前記減衰手段(122 )に印加
    される第2の制御信号(S2 )を生成する制御手段(1
    2 )と、 −前記第1の制御信号(Va1 )を前記第2の制御信号
    (Va2 )から差し引いて差信号(Va2 −Va1 )を
    得る減算手段(30)と、 −前記差信号(Va2 −Va1 )を受け取り、Vpoが
    オフセット電圧、μとhが定数、Va1 とVa2 がそれ
    ぞれ前記第1及び第2の制御信号であるとして、 Vco=Vpo+μ・Va1 −h・(Va2 −Va1 ) に等しい電圧Vcoを増幅器(10)に供給する、バイ
    アス信号生成手段(31)とを備えるシステム。
  7. 【請求項7】 前記各検出手段(151 、152 )がそ
    れぞれ、電圧検出ダイオード(341 、342 )から構
    成され、前記第1及び第2の基準電圧(Vref1 、V
    ref2 )が、Vrが固定電圧、kが対応する電圧検出
    ダイオード(341 、342 )の近くに置かれた温度検
    出ダイオード(331 、332 )の正の温度定数、Vが
    前記温度検出ダイオード(331 、332 )から供給さ
    れる電圧、Toが基準温度、Tが周囲温度であるとし
    て、 Vr−k・V・(To−T) に等しい、請求項6に記載のシステム。
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