JPH0781023B2 - Method of making abrasion resistant polycarbonate articles - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は一般的にいえばポリカーボネート物品に関し、
特に改善された耐摩耗性を示すポリカーボネート物品に
関するものである。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to polycarbonate articles,
In particular, it relates to polycarbonate articles that exhibit improved abrasion resistance.
従来の技術 ポリカーボネート樹脂は広範囲の用途に有用な物理的及
び化学的性質をもつ周知の、商業的に入手し得る物質で
ある。ポリカーボネートは優れた破損抵抗を示すので、
自動車の前照灯及び制動灯のレンズ、窓の安全防護ガラ
ス、建築用透明板ガラス等のような多数の製品において
ガラスの代替として使用されてきた。しかしながら、ポ
リカーボネートによって示される主たる欠点はそれらの
引掻抵抗性がきわめて低いこと及び紫外線に誘発される
分解に感受性であることにある。Prior Art Polycarbonate resins are well known, commercially available materials with physical and chemical properties useful in a wide range of applications. Polycarbonate exhibits excellent breakage resistance, so
It has been used as a replacement for glass in many products such as automotive headlight and brake light lenses, window safety glass, architectural clear glazing and the like. However, the main drawbacks exhibited by polycarbonates are their very low scratch resistance and their sensitivity to UV-induced degradation.
ポリカーボネートのような熱可塑性樹脂の引掻抵抗性を
改良する方法はポリカーボネートの表面上に無機質の保
護層を設ける工程を含むものであった。たとえば、Kaga
nowiczの米国特許第4,328,646号明細書には、硬質被覆
前駆体の混合物をグロー放電処理しそしてその生成物を
直接プラスチック基体上にきわめて薄いフィルムとして
析着させることによって耐摩耗性物品を形成することが
開示されている。しかしながら、該基体と硬質被覆層と
の間に中間層が存在しないので、該物品を種々の加熱/
冷却サイクルに暴露する場合には表面に亀裂を生ずるこ
とがしばしばある。A method of improving the scratch resistance of thermoplastics such as polycarbonate has included the step of providing an inorganic protective layer on the surface of the polycarbonate. For example, Kaga
Nowicz, U.S. Pat. No. 4,328,646, discloses the formation of wear resistant articles by glow discharge treating a mixture of hard coating precursors and depositing the product directly onto a plastic substrate as an extremely thin film. Is disclosed. However, since there is no intermediate layer between the substrate and the hard coating layer, the article is subjected to various heating / heating.
Surfaces often crack when exposed to cooling cycles.
Hallらの米国特許第4,200,681号明細書にはポリカーボ
ネート基体の表面上に析着された中間プライマー層上に
ガラス(SiO2)の表面層を蒸着によって形成せしめるこ
とが記載されている。しかしながら、SiO2の層を施すた
めの蒸着技術はいくつかの理由でしばしば望ましくな
い。たとえば、SiO2の個々の粒子が蒸発後に被覆表面上
に個々特定の析着部位によって変動する速度で凝縮し得
るので、しばしばピット、ピンホール及びその他の欠陥
をもつ不均一なガラス表面を与える。さらに、この技術
は一般に照準線析着のみを可能にし、したがって弯曲表
面又はくぼみ目のある表面に施されたガラス被覆の厚み
には望ましくないばらつきを生ずる。しかも、Hallらの
方法と同様の蒸着法はその下層表面と反応してきわめて
密着性の被覆を形成し得る反応性のフィルム形成種を生
成しない。これらの方法はまた析着工程中にしばしば維
持が困難になるようなきわめて低い操作温度を必要と
し、またポリカーボネートの望ましくないガス発生をも
たらす。Hall et al., U.S. Pat. No. 4,200,681, describes depositing a glass (SiO 2 ) surface layer by vapor deposition on an intermediate primer layer deposited on the surface of a polycarbonate substrate. However, vapor deposition techniques for applying layers of SiO 2 are often undesirable for several reasons. For example, individual particles of SiO 2 can condense on the coated surface after evaporation at a rate that varies with individual specific deposition sites, often providing a non-uniform glass surface with pits, pinholes and other defects. Moreover, this technique generally only allows line-of-sight deposition, thus resulting in undesired variations in the thickness of the glass coating applied to curved or indented surfaces. Moreover, vapor deposition processes similar to those of Hall et al. Do not produce reactive film-forming species that can react with the underlying surface to form a highly adherent coating. These processes also require extremely low operating temperatures, which are often difficult to maintain during the deposition process, and lead to undesired outgassing of the polycarbonate.
Geffckenらの米国特許第3,713,869号明細書にはポリカ
ーボネート表面にグロー放電によって重合された中間層
を析着させる方法が記載されている。この中間層上には
ついで硬質無機層がHallらによって使用されたと同様の
方法で電子ビームガンによって蒸着されるので、上述し
たと同じ欠点がもたらされる。Geffcken et al U.S. Pat. No. 3,713,869 describes a method of depositing an interlayer polymerized by glow discharge on a polycarbonate surface. On this intermediate layer, a hard inorganic layer is then deposited by an electron beam gun in the same way as used by Hall et al., Leading to the same drawbacks mentioned above.
したがってより高い耐摩耗性をもち、しかも種々の他の
物理的性質についても改善された耐摩耗性ポリカーボネ
ート物品の製造のための改良法には多大の関心がもたれ
ておりそのための研究が続けられている。Accordingly, there has been much interest in and continued research into improved processes for the production of abrasion resistant polycarbonate articles having higher abrasion resistance, yet improved in various other physical properties. There is.
したがって本発明の一目的は高度の耐摩耗性をもつポリ
カーボネート物品の製造法を提供するにある。Accordingly, one object of the present invention is to provide a method of making polycarbonate articles having a high degree of abrasion resistance.
本発明の別の目的はポリカーボネート基体上に均一な厚
みをもつ平滑で硬質の透明層を施す改良された方法を提
供するにある。Another object of the present invention is to provide an improved method of applying a smooth, hard transparent layer of uniform thickness on a polycarbonate substrate.
さらに本発明の別の一目的は均一な厚みをもち、高度に
耐摩耗性でありかつピンホール及び微小亀裂をもたない
表面層を析層された耐摩耗性ポリカーボネート物品を提
供するにある。Yet another object of the present invention is to provide an abrasion resistant polycarbonate article having a uniform thickness, highly abrasion resistant and having a surface layer deposited which is free of pinholes and microcracks.
発明の要旨 本発明に従えば、上述した目的はポリカーボネート基
体;該基体上の粘着性樹脂質組成物からなる界面層;及
び耐摩耗性表面層を有する耐摩耗性プラスチック物品を
製造する改良法の発見によって達成された。本発明に従
うかゝる改良法はつぎの工程; (a)該基体の表面(下塗りを施しても施さなくてもよ
い)に界面層を施す工程;及び (b)該界面層上にプラズマによって増進された化学的
蒸着法(以下においてはPECVDともいう)によって表面
層を施す工程; からなる。SUMMARY OF THE INVENTION In accordance with the present invention, an object of the above is to provide an improved process for producing an abrasion resistant plastic article having a polycarbonate substrate; an interfacial layer comprising an adhesive resinous composition on the substrate; and an abrasion resistant surface layer. Achieved by discovery. The improved method according to the present invention comprises the following steps; (a) a step of applying an interface layer to the surface of the substrate (which may or may not be undercoated); and (b) enhancement by plasma on the interface layer. The step of applying the surface layer by the chemical vapor deposition method (hereinafter, also referred to as PECVD) described above.
本発明の界面層は種々の材料から形成することができそ
して塗布手段によって基体上に施すことができる。別法
によれば、界面層は下記に詳述するごとくPECVDによっ
て基体に施すことができる。The interface layer of the present invention can be formed from a variety of materials and can be applied to the substrate by coating means. Alternatively, the interfacial layer can be applied to the substrate by PECVD as detailed below.
耐摩耗性表面層は下記に詳述することき広範囲の材料か
ら構成し得る。The wear resistant surface layer can be composed of a wide range of materials as detailed below.
概略的にいえば、本明細書において使用する用語PECVD
(plasma−enhanced chemical vapor deposition)は基
体を反応室中に配置し;ついで所望の層を形成し得る少
なくとも一種のガス状反応剤を被覆表面に対して層流状
に該反応室に通送し;そして適当な圧力において電場を
発生させて該反応剤にプラズマを形成させることからな
る方法を意味する。これらのガス状反応剤はプラズマ中
でかつ被覆表面上で反応して所望の層を形成する。本明
細書において、用語“表面”“被覆表面”又は“析着表
面”は、特に示さない限り、界面層を施す場合には基体
表面又は下塗り表面を指し、また表面層を施す場合には
界面層表面を指すものであることを理解すべきである。Broadly speaking, the term PECVD as used herein
(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) places a substrate in a reaction chamber; and then delivers at least one gaseous reactant capable of forming the desired layer to the reaction chamber in a laminar flow with respect to the coated surface. And an electric field at a suitable pressure to form a plasma in the reactants. These gaseous reactants react in the plasma and on the coated surface to form the desired layer. As used herein, the terms "surface", "coated surface" or "deposition surface", unless otherwise indicated, refer to the substrate surface or subbing surface when applying an interfacial layer and to the interface when applying a surface layer. It should be understood that it refers to the layer surface.
本発明の方法を使用することによって、たとえば高い引
張り強さ及び高い衝撃強度のようなポリカーボネートの
典型的特性のすべてを具備し、しかも優れた耐摩耗性を
示すポリカーボネート物品が得られる。さらに、耐摩耗
性表面層とポリカーボネート基体との間に界面層を存在
させることによって該表面層と基体間に高度の接着が得
られる。By using the method of the present invention, a polycarbonate article is obtained that has all of the typical properties of a polycarbonate, such as high tensile strength and high impact strength, yet exhibits excellent abrasion resistance. Furthermore, the presence of an interfacial layer between the abrasion resistant surface layer and the polycarbonate substrate provides a high degree of adhesion between the surface layer and the substrate.
さらに、高い操作温度を必要とし、その結果しばしばポ
リカーボネート材料に有害な影響を与える慣用の蒸着法
とは異なり、PECVDは本明細書中に開示されるごとくポ
リカーボネートに対して無害な温度で行なうことができ
る。本明細書において使用する場合“慣用の”蒸着法と
いう用語は被覆物質前駆体を気相で高温、典型的には40
0℃以上の温度において反応させるCVD法及び予め形成さ
れた被覆組成物を単に基体上に蒸着させる“物理的蒸着
法”の両者を意味するものである。これらの方法はプラ
ズマの使用を伴わないものである。Further, unlike conventional vapor deposition methods that require high operating temperatures, and therefore often have a detrimental effect on polycarbonate materials, PECVD can be performed at temperatures that are harmless to polycarbonate as disclosed herein. it can. The term "conventional" vapor deposition method as used herein refers to coating material precursors in the gas phase at elevated temperatures, typically 40
It means both the CVD method of reacting at temperatures above 0 ° C. and the “physical vapor deposition method” of simply depositing a preformed coating composition on a substrate. These methods do not involve the use of plasma.
発明の詳細な開示 本発明の方法によって形成される物品はポリカーボネー
ト基体を含む。かかる基体の製造に適するポリカーボネ
ート材料は当業者に周知でありかつたとえば、こゝに参
考文献として引用する米国特許第4,200,681号及び同第
4,210,699号明細書に記載されている。かゝるポリカー
ボネートは一般に式: (式中、Rは二価フェノールの二価の基、たとえばビス
フェノールAとしても知られている2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−プロパンからの二価の基、 である)の反復単位からなる。DETAILED DISCLOSURE OF THE INVENTION The article formed by the method of the present invention comprises a polycarbonate substrate. Polycarbonate materials suitable for making such substrates are well known to those skilled in the art and are described, for example, in US Pat. Nos. 4,200,681 and 4,200,681, which are incorporated herein by reference.
4,210,699. Such polycarbonates generally have the formula: Where R is a divalent group of a dihydric phenol, such as a divalent group from 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -propane, also known as bisphenol A, Is a repeating unit.
本発明の範囲内のポリカーボネートはいくつかの周知の
方法によって製造することができる。たとえば、ポリカ
ーボネートの製造は二価フェノールとカーボネート前駆
体との反応によって達成し得る。広範囲の二価フェノー
ル、たとえばビスフェノールA、を本発明において使用
することができる。多数の二価フェノールはこゝに参考
文献として引用する米国特許第2,999,835号、同第3,08
2,365号、同第3,160,121号、同第3,334,154号及び同第
4,190,681号明細書に開示されている。多数のカーボネ
ート前駆体を使用することができ、それらの典型的なも
のはカルボニルハライド、カーボネートエステル又はハ
ロホルメートのいずれかである。カーボネート前駆体の
例は米国特許第4,190,681号明細書に記載されている。Polycarbonates within the scope of the present invention can be made by several well known methods. For example, the production of polycarbonate may be accomplished by reacting a dihydric phenol with a carbonate precursor. A wide range of dihydric phenols, such as bisphenol A, can be used in the present invention. Many dihydric phenols are incorporated herein by reference, U.S. Pat. Nos. 2,999,835 and 3,083.
No. 2,365, No. 3,160,121, No. 3,334,154 and No. 3
No. 4,190,681. A large number of carbonate precursors can be used, typical of which are either carbonyl halides, carbonate esters or haloformates. Examples of carbonate precursors are described in US Pat. No. 4,190,681.
ポリカーボネート基体はカーボネート物品について意図
される最終用途に応じて種々の形状に成形され得る。た
とえば、ポリカーボネートフィルム基体は溶融重合体を
平坦な開放成形型上に流し込み、ついで該材料を均一な
厚みにプレスすることによって形成し得る。冷却後、該
フィルムは、さらに後述するごとく、ついでその上に界
面層を施すこともできる。さらに、ポリカーボネート基
体は管、棒又は不規則な形状の物体の形とすることもで
きる。本発明の物品がガラス材料として使用される場合
には、ポリカーボネート材料は周知の方法、たとえば押
出し又は射出成形によって平らな又は弯曲したシートに
成形することができる。The polycarbonate substrate may be molded into various shapes depending on the intended end use for the carbonate article. For example, a polycarbonate film substrate may be formed by casting the molten polymer onto a flat open mold and then pressing the material to a uniform thickness. After cooling, the film can then be provided with an interfacial layer thereon, as further described below. In addition, the polycarbonate substrate can also be in the form of tubes, rods or irregularly shaped objects. When the article of the invention is used as a glass material, the polycarbonate material can be formed into flat or curved sheets by well known methods such as extrusion or injection molding.
前述したとおり、界面層は本発明の方法によってポリカ
ーボネート基体の表面上に施される。本明細書において
使用する用語“界面層”は本発明の表面層と基体との間
に配設される接着性樹脂質組成物の層を定義するもので
ある。界面層の表面はその後に施される表面層と接触状
態にある。界面層の反対側の面はさらに後述するごとく
基体表面上に下塗り層が存在するか否かに応じて基体の
対向表面と接触状態にあるか又は接触しない状態にあ
る。As previously mentioned, the interfacial layer is applied on the surface of the polycarbonate substrate by the method of the present invention. The term "interfacial layer" as used herein defines the layer of adhesive resinous composition disposed between the surface layer of the present invention and the substrate. The surface of the interface layer is in contact with the subsequently applied surface layer. The opposite surface of the interface layer is either in contact or not in contact with the opposing surface of the substrate, depending on whether an undercoat layer is present on the substrate surface, as described further below.
本発明の界面層の組成はポリカーボネート物品について
意図される最終用途及び界面層をポリカーボネート基体
上に施すための方法の両方に関係する。The composition of the interface layer of the present invention relates both to the end use intended for the polycarbonate article and to the method for applying the interface layer onto the polycarbonate substrate.
本発明の好ましい実施態様における界面層の重要な機能
の一つは一種又はそれ以上の紫外線(UV)吸収剤に対す
る導入部位として作用することである。かゝる吸収剤を
比較的薄い界面層中に濃縮させることによってその下に
あるポリカーボネートは吸収剤がポリカーボネート自体
の全体に分散されている場合よりも一層効率的に紫外線
から保護される。One of the important functions of the interfacial layer in the preferred embodiment of the present invention is to act as an introduction site for one or more ultraviolet (UV) absorbers. By concentrating such an absorber in a relatively thin interfacial layer, the underlying polycarbonate is protected from UV radiation more efficiently than if the absorber were dispersed throughout the polycarbonate itself.
オルガノシリコン類は界面層形成用の特に有用な材料で
ある。本明細書において用語“オルガノシリコン”は少
なくとも1個の珪素原子が少なくとも1個の炭素原子に
結合されている有機化合物を包含する意味で使用するも
のとし、そしてシリコーン物質及び通常はシラン類、シ
ロキサン類、シラザン類及びオルガノシリコーン類と呼
ばれている物質を包含する。本発明の方法及び物品のた
めに適当なオルガノシリコン類はC.Eaborn著Organosili
con Compounds,1960年Butterworths Scientific Public
ations発行、に記載されている。他の適当なオルガノシ
リコン化合物はK.Saunders著、Organic Polymer Chemis
try,1973年Chapman ad Hall Ltd.発行、に記載されてい
る。Organosilicones are particularly useful materials for interface layer formation. The term "organosilicon" is used herein to include organic compounds in which at least one silicon atom is bound to at least one carbon atom, and silicone materials and usually silanes, siloxanes. Includes materials referred to as classes, silazanes and organosilicones. Suitable organosilicones for the methods and articles of the present invention are C. Eaborn, Organosili.
con Compounds, 1960 Butterworths Scientific Public
Published by ations. Other suitable organosilicon compounds are described by K. Saunders, Organic Polymer Chemis.
try, published by Chapman ad Hall Ltd., 1973.
本発明のために有用なオルガノシリコン組成物の非限定
的な例は一般式: R7 nSiZ(4-n) (式中、R7は一価炭化水素基又はハロゲン化一価炭化水
素基を表わし;Zは加水分解性基を表わしそしてnは0な
いし2の数であり得る)によって表わされる化合物の部
分加水分解及び縮合生成物である。より特定的にいえ
ば、Zは好ましくはハロゲン、アルコキシ、アシルオキ
シ又はアリールオキシ基のような基である。かゝる化合
物は当業者に周知でありかつたとえばこゝに参考文献と
して引用するS.Schroeterらの米国特許第4,224,378号明
細書に記載されている。Non-limiting examples of organosilicon compositions useful for the present invention have the general formula: R 7 n SiZ (4-n) where R 7 is a monovalent hydrocarbon group or a halogenated monovalent hydrocarbon group. Z is a hydrolyzable group and n may be a number from 0 to 2) and is a partial hydrolysis and condensation product of the compound represented by More specifically, Z is preferably a group such as a halogen, alkoxy, acyloxy or aryloxy group. Such compounds are well known to those skilled in the art and are described, for example, in US Pat. No. 4,224,378 to S. Schroeter et al., Which is incorporated herein by reference.
本発明の範囲内に入る他の代表的なオルガノシリコンは
式: R8Si(OH)3 (式中、R8は約1〜約3個の炭素原子を含むアルキル
基、ビニル基、3,3,3−トリフルオルプロピル基、γ−
グリシドキシプロピル基及びγ−メタクリルオキシプロ
ピル基からなる群から選ばれる)をもつシラノール(た
ヾしシラノールの少なくとも約70重量%はCH3Si(OH)
3である)の部分縮合物を包含する。かゝる化合物はこ
ゝに参考文献として引用する米国特許第4,242,381号明
細書に記載されている。Other representative organosilicons within the scope of the present invention have the formula: R 8 Si (OH) 3 where R 8 is an alkyl group containing from about 1 to about 3 carbon atoms, a vinyl group, 3, 3,3-trifluoropropyl group, γ-
A silanol having a glycidoxypropyl group and a γ-methacryloxypropyl group) (at least about 70% by weight of the silanol is CH 3 Si (OH)).
3 )). Such compounds are described in US Pat. No. 4,242,381, which is incorporated herein by reference.
界面層が後述するごとくPECVDによって施用されるべき
場合の本発明のために好ましいオルガノシリコン化合物
はヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシロキサン
ビニルトリメチルシラン及びオクタメチルシクロテトラ
シロキサンである。これらの化合物の単量体蒸気はプラ
ズマ中で重合して界面層を形成する。この点については
さらに後述される。Preferred organosilicon compounds for the present invention where the interfacial layer is to be applied by PECVD as described below are hexamethyldisilazane, hexamethyldisiloxane vinyltrimethylsilane and octamethylcyclotetrasiloxane. Monomer vapors of these compounds polymerize in plasma to form an interface layer. This point will be described later.
オルガノシリコンに基づく界面層がより高硬度をもつこ
とを望む場合には、オルガノシリコン物質はその中に分
散された状態のコロイド状シリカを含有し得る。オルガ
ノシリコン物質中のコロイド状シリカの分散物は当業者
に周知であり、たとえばこゝに参考文献として引用する
米国特許第3,986,997号、同第4,027,073号、同第4,239,
798号、同第4,284,685号及び同第4,436,851号明細書に
記載されている。典型的には、コロイド状シリカはオル
ガノシリコンの水溶液中に分散される。たとえば、これ
らの化合物はシラノールの部分縮合物の低級脂肪族(た
とえば約6個より少ない炭素原子を持つ)アルコール−
水溶液中のコロイド状シリカの分散物からなることがで
きる。If it is desired that the organosilicon-based interfacial layer have a higher hardness, the organosilicon material can contain colloidal silica dispersed therein. Dispersions of colloidal silica in organosilicon materials are well known to those skilled in the art and are described, for example, in U.S. Pat.Nos. 3,986,997, 4,027,073, 4,239, which are incorporated herein by reference.
No. 798, No. 4,284,685 and No. 4,436,851. Colloidal silica is typically dispersed in an aqueous solution of organosilicon. For example, these compounds are lower aliphatic (eg having less than about 6 carbon atoms) alcohols of silanol partial condensates.
It can consist of a dispersion of colloidal silica in an aqueous solution.
コロイド状シリカを使用する場合、それは界面層の全不
揮発分重量の約5%〜約70%を構成すべきである。さら
に、本発明において使用される水性コロイド状シリカ分
散物は一般に直径約5〜約150nm(ナノメーター)の範
囲の粒度を有する。特に好ましい粒度範囲は直径で約5
〜約30nmである。If colloidal silica is used, it should comprise from about 5% to about 70% of the total nonvolatile weight of the interfacial layer. Further, the aqueous colloidal silica dispersions used in this invention generally have a particle size in the range of about 5 to about 150 nm (nanometers) in diameter. A particularly preferred particle size range is about 5 in diameter.
~ About 30 nm.
界面層として使用するために特に好ましいコロイド状シ
リカ含有オルガノシリコン物質はこゝに参考文献として
引用するB.Ashbyらの米国特許第4,374,674号明細書に記
載されており、それはつぎの成分; (a)脂肪族アルコール及び水の混合物中の式RSi(O
H)3又はR2Si(OH)2(式中、Rは約1〜3個の炭素
原子をもつアルキル基及び約6〜20個の炭素原子をもつ
アリール基からなる群から選んだ基である)をもつシラ
ノール(たヾし該シラノールの少なくとも70重量%はCH
3Si(OH)3又は(CH3)2Si(OH)2である)の部分縮
合物を溶液中のコロイド状シリカの分散物(該分散物は
10〜50重量%の固有分を含み、該固形分は10〜70重量%
のコロイド状シリカ及び0〜90重量%の部分縮合物から
本質的になる):及び (b)式 (式中、Xは>C=O又は であり;YはH又はOHであり;ZはH,OH,OQ又はOWである
が、YがHである場合には少なくとも1個のZはOHであ
り;Qは−CH2(CH2)nSi(R2)xOR1)y;であり;Wは−CmH
2m+1であり;x=0、1又は2、y=1、2又は3、x+
y=3であり;R1は約1〜6個の炭素原子をもつアルキ
ル又ひアルカノイル基であり;R2は約1〜6個の炭素原
子をもつアルキル基であり;n=0、1又は2そしてm=
1〜18である)をもつ化合物からなる有効量の紫外線吸
収剤からなる。この物質を構成する組成物は典型的には
約3.0〜7.0の範囲内のpHを与えるに十分な量の酸を含有
する。前記したAshbyらの特許明細書はさらにこれらの
被覆の施用及び硬化の方法も記載している。A particularly preferred colloidal silica-containing organosilicon material for use as an interfacial layer is described in B. Ashby et al., U.S. Pat. No. 4,374,674, which is incorporated herein by reference, which comprises the following components: ) Formula RSi (O in a mixture of aliphatic alcohol and water
H) 3 or R 2 Si (OH) 2 (wherein R is a group selected from the group consisting of an alkyl group having about 1 to 3 carbon atoms and an aryl group having about 6 to 20 carbon atoms). Silanol having a certain amount (but at least 70% by weight of the silanol is CH
A partial condensate of 3 Si (OH) 3 or (CH 3 ) 2 Si (OH) 2 ) in a solution of a colloidal silica dispersion (wherein the dispersion is
Includes 10 to 50% by weight of solids, said solids being 10 to 70% by weight
Consisting essentially of colloidal silica of 0 to 90% by weight) and a formula (b). (In the formula, X is> C = O or Y is H or OH; Z is H, OH, OQ or OW, but when Y is H, at least one Z is OH; and Q is --CH 2 (CH 2 ) N Si (R 2 ) x OR 1 ) y ;; W is −C m H
2m + 1 ; x = 0, 1 or 2, y = 1, 2 or 3, x +
y = 3; R 1 is an alkyl or alkanoyl group having about 1 to 6 carbon atoms; R 2 is an alkyl group having about 1 to 6 carbon atoms; n = 0, 1 Or 2 and m =
1 to 18)). The composition comprising this material typically contains an amount of acid sufficient to provide a pH in the range of about 3.0 to 7.0. The aforementioned Ashby et al. Patent also describes methods of applying and curing these coatings.
R2Si(OH)2型のシラノールの代表的な縮合物及びそれ
から形成される組成物はこゝに参考文献として引用する
米国特許第4,159,206号明細書に開示かれている。Representative condensates of R 2 Si (OH) 2 type silanols and compositions formed therefrom are disclosed in US Pat. No. 4,159,206, incorporated herein by reference.
界面層としての使用のために好ましい別のオルガノシリ
コン物質は水酸化アンモニウムで安定化されたコロイド
状シリカ及びオルガノトリアルコキシシランから誘導さ
れた部分縮合物の水/脂肪族アルコール分散物からな
る。かゝる物質はこゝに参考文献として引用するB.Anth
onyの米国特許第4,624,870号明細書に記載されておりか
つ好ましくはアルカリ性pH、すなわち少なくとも約7.1
のpHで使用される。Another preferred organosilicon material for use as an interfacial layer consists of ammonium hydroxide-stabilized colloidal silica and a water / aliphatic alcohol dispersion of a partial condensate derived from an organotrialkoxysilane. Such substances are referred to herein by B. Anth.
ony U.S. Pat.No. 4,624,870 and preferably has an alkaline pH, i.e. at least about 7.1.
Used at a pH of.
コロイド状シリカを含むオルガノシリコン物質は一般に
はPECVDによって施用されるのではなく、下記のごとく
慣用的に基体上に被覆される。本発明の方法によって形
成されり表面層は、別の態様では、粘着性樹脂質組成物
としてアクリル系物質、すなわち熱可塑性又は熱硬化性
アクリル系重合体と含有する。こゝで“アクリル系”と
はアクリル型官能基を分子の基とともに含む化合物を包
含する。この型のアクリル系物質の一例は後述するアク
リルオキシ官能性シランである。Organosilicon materials, including colloidal silica, are not typically applied by PECVD, but are conventionally coated on a substrate as described below. In another embodiment, the surface layer formed by the method of the present invention contains an acrylic substance, that is, a thermoplastic or thermosetting acrylic polymer as the adhesive resinous composition. The term "acrylic" as used herein includes a compound containing an acrylic functional group together with a molecular group. An example of this type of acrylic material is the acryloxy-functional silane described below.
アクリル系物質の例は紫外線(UV)硬化性のものであ
る。これらの物質は典型的には単量体としてポリカーボ
ネートを基体に施される。この型の好ましい一組成物
は、つぎの成分: (A)一般式: (式中、nは1〜4の値をもつ整数であり;R3は脂肪族
炭化水素基、少なくとも1個のエーテル結合をもつ脂肪
族炭化水素基及び少なくとも1個のエーテル結合をもつ
置換脂肪族炭化水素基からなる群から選んだ基であり;
そしてR′は水素又は低級アルキル基である)によって
表わされる少なくとも一種の多官能性アクリレート単量
体; (B)コロイド状シリカ; (C)式: (式中、R4は一価炭化水素基であり;R5は二価炭化水素
基であり;R6は水素原子又は一価炭化水素基であり;xは
1〜4の整数である)の少なくとも一種のアクリルオキ
シ官能性シラン;及び (D)光化学反応開始剤; からなる。An example of an acrylic material is ultraviolet (UV) curable. These materials are typically applied to the substrate as a monomer, polycarbonate. One preferred composition of this type has the following components: (A) General formula: (In the formula, n is an integer having a value of 1 to 4; R 3 is an aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group having at least one ether bond, and a substituted fat having at least one ether bond. A group selected from the group consisting of group hydrocarbon groups;
And R'is hydrogen or a lower alkyl group), at least one polyfunctional acrylate monomer represented by: (B) colloidal silica; (C) formula: (In the formula, R 4 is a monovalent hydrocarbon group; R 5 is a divalent hydrocarbon group; R 6 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group; x is an integer of 1 to 4) At least one acryloxy-functional silane; and (D) a photochemical reaction initiator.
かゝる組成物を基体に施した後、それに紫外線を該多官
能性アクリレート単量体を重合、架橋せしめるに十分な
時間照射し、それによって硬化被覆を形成させる。窒素
のような不活性雰囲気中で該アクリル系組成物を硬化さ
せる場合にはケトンが開始剤として有用であり、一方酸
素含有雰囲気中で硬化させる場合には少なくとも一種の
ケトン及び少なくとも一種のアミンの混合物が開始剤と
して有用である。この点については、こゝに参考文献と
して引用するR.Chungの米国特許第4,478,876号明細書に
記載されている。After applying such a composition to a substrate, it is irradiated with UV light for a time sufficient to polymerize and crosslink the polyfunctional acrylate monomer, thereby forming a cured coating. Ketones are useful as initiators when curing the acrylic composition in an inert atmosphere such as nitrogen, while at least one ketone and at least one amine when curing in an oxygen-containing atmosphere. The mixture is useful as an initiator. This is described in US Pat. No. 4,478,876 to R. Chung, which is hereby incorporated by reference.
紫外線硬化性物質はこゝに参考文献として引用するR.Ch
ungの米国特許第4,486,504号及び同第4,372,835号明細
書に詳細に記載されている。多の適当な紫外線硬化性ア
クリル型官能基含有物質は同様にこゝに参考文献として
引用するD.Olsonらの米国特許第4,455,205号及び同第4,
491,508号明細書に記載されている。これらの物質の施
用及び硬化のための適当な方法は上記引用した特許文献
中により詳細に記載されている。UV curable materials are referenced herein by R. Ch.
It is described in detail in U.S. Pat. Nos. 4,486,504 and 4,372,835. A number of suitable UV-curable acrylic functional group containing materials are also disclosed in U.S. Pat. Nos. 4,455,205 and 4,455,205 to D. Olson et al., Which are also incorporated herein by reference.
No. 491,508. Suitable methods for the application and curing of these materials are described in more detail in the patent documents cited above.
本発明のために適当な他の熱硬化性アクリル系重合体は
Encyclopedia of Polymer Science and Technology、第
1巻(Interscience Publishers,John Wiley and Sons,
Inc.,1964年発行)及びD.Solomon著、Chemistry of Org
anic Film Formers(John Wiley and Sons,Inc.,1967年
発行)に及び前記した各引用文献中に記載されている。
さらに、米国特許第4,242,383号明細書にも適当な熱硬
化性アクリル系重合体について記載されているので、そ
れらの記載もこゝに引用する。Other thermosetting acrylic polymers suitable for the present invention are
Encyclopedia of Polymer Science and Technology, Volume 1 (Interscience Publishers, John Wiley and Sons,
Inc., 1964) and D. Solomon, Chemistry of Org
Anic Film Formers (John Wiley and Sons, Inc., 1967) and in each of the references cited above.
Further, US Pat. No. 4,242,383 also describes a suitable thermosetting acrylic polymer, and those descriptions are also incorporated herein.
既に述べたごとく、熱可塑性アクリル系物質も界面層を
構成し得る。適当な熱可塑性アクリル系物質の中には基
体上に被覆される前に重合されたものがある。この型の
アクリル系物質の例はアクリル酸エステル及びメタクリ
ル酸エステルからなる群から選んだ少なくとも一種の単
量体を重合することによって形成されたものである。こ
れらの及びその他の適当な熱可塑性アクリル系物質はこ
ゝに参考文献として引用するS.Schroeterらの米国特許
第4,239,798号明細書により詳細に記載されている。ア
クリレート又はメタクリレート単量体類から形成される
共重合体もまた本明細書において使用される用語“熱可
塑性アクリル系重合体”の意味する範囲内に包含され
る。As already mentioned, thermoplastic acrylics can also constitute the interface layer. Among the suitable thermoplastic acrylics are those that have been polymerized prior to coating on a substrate. An example of this type of acrylic material is one formed by polymerizing at least one monomer selected from the group consisting of acrylic acid esters and methacrylic acid esters. These and other suitable thermoplastic acrylics are described in more detail in US Pat. No. 4,239,798 to S. Schroeter et al., Incorporated herein by reference. Copolymers formed from acrylate or methacrylate monomers are also included within the meaning of the term "thermoplastic acrylic polymer" as used herein.
界面層を構成するアクリル系組成物はさらに紫外線吸収
剤を含有し得る。かゝる吸収剤の例はヒドロキシベンゾ
フェノン及びベンゾトリアゾール型のものであるが、そ
の他の吸収剤も使用し得る。紫外線吸収剤の量は一部は
個々特定のアクリル系物質の組成に、また一部は紫外線
吸収剤が下塗り層中及び/又は基体物質自体中にも存在
するかどうかに関係する。The acrylic composition forming the interface layer may further contain an ultraviolet absorber. Examples of such absorbents are of the hydroxybenzophenone and benzotriazole type, but other absorbents may also be used. The amount of UV absorber is related in part to the composition of the particular acrylic material and in part to whether the UV absorber is also present in the subbing layer and / or the substrate material itself.
アクリル系組成物はそれらの反応剤前駆体が揮発性であ
る場合には後述するごとくPECVD法によって施用するこ
とができる。たとえば、アクリル酸エステル単量体又は
メタクリル酸エステル単量体を蒸気化し、ついでプラズ
マ重合させることによりその下の基礎となる被覆表面上
に重合体被覆を析着形成することができる。Acrylic compositions can be applied by the PECVD method, as described below, when the reactant precursors are volatile. For example, the acrylic or methacrylic acid ester monomer can be vaporized and then plasma polymerized to deposit a polymer coating on the underlying coating surface underneath.
界面層はまた別の態様ではポリオレフィンによって構成
し得る。適当なポリオレフィンの非限定的な例はポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリイソプレン及びこれらの
型の物質の共重合体を包含する。さらに合成及び天然エ
ラストマーもこゝで使用する用語“ポリオレフィン”の
広義の定義に包含されるものであり、これらの多数のエ
ラストマーについてはEncyclopedia of Polrmer Scienc
e and Technolgy、第5巻、第406〜482頁(1966)に開
示されている。これらの物質の多くは蒸気化させ、つい
でそれらの単量体前駆体を後述するプラズマ条件下でプ
ロズマ重合させることによって本発明に従って析着せし
め得る。The interfacial layer may be composed of polyolefin in another embodiment. Non-limiting examples of suitable polyolefins include polyethylene, polypropylene, polyisoprene and copolymers of these types of materials. In addition, synthetic and natural elastomers are also included within the broad definition of the term "polyolefin" as used herein, and many of these elastomers are described in the Encyclopedia of Polrmer Scienc.
e and Technolgy, Vol. 5, pp. 406-482 (1966). Many of these materials may be deposited according to the present invention by vaporizing and then subjecting their monomeric precursors to plasma polymerization under the plasma conditions described below.
本発明の耐摩耗性物品の製造においては、界面層を当業
者に周知の慣用の方法、たとえば噴霧塗り、ロール塗
り、カーテン塗り、浸漬塗り及び刷毛塗り、によって基
体の表面上に施すことができる。ポリカーボネート基体
の表面に下塗りを施さない場合には、界面層物質を基体
表面(典型的には後述するごとくまず清浄化しかつ予備
処理される)に直接施すことになる。たとえば、基体表
面は有機溶剤溶液中に溶解されたさらに硬化可能なオル
ガノポリシロキサンで被覆し、ついで揮発性溶剤を周知
の方法で蒸発させた後、該オルガノポリシロキサンをポ
リカーボネート上で熱硬化し得る。種々の他の既知の被
覆方法はこゝに参考文献として引用する米国特許第3,98
6,997号及び同第4,242,383号明細書により詳細に記載さ
れている。In the manufacture of the abrasion resistant article of the present invention, the interfacial layer may be applied to the surface of the substrate by conventional methods well known to those skilled in the art, such as spray coating, roll coating, curtain coating, dip coating and brush coating. . If the surface of the polycarbonate substrate is not primed, the interfacial layer material will be applied directly to the substrate surface (typically first cleaned and pretreated as described below). For example, the substrate surface may be coated with a further curable organopolysiloxane dissolved in an organic solvent solution, followed by evaporation of the volatile solvent in a known manner, followed by thermal curing of the organopolysiloxane on the polycarbonate. . Various other known coating methods are disclosed in US Pat. No. 3,983, incorporated herein by reference.
6,997 and 4,242,383.
前述したとおり、界面層を施用するに先立って基体の表
面に下塗りを施すことができる。この下塗り層は界面層
のポリカーボネート基体への接着性を増加させる傾向を
もつ。As mentioned above, the surface of the substrate may be primed prior to applying the interface layer. This subbing layer tends to increase the adhesion of the interfacial layer to the polycarbonate substrate.
下塗り層の形成のためには種々の周知の物質が、ポリカ
ーボネート及び界面層物質の両者と相溶性である限り、
使用することができる。好ましい下塗り物質は前述した
熱可塑性及び熱硬化性アクリル系重合体であるが、下塗
り物質は一般に界面層物質とは若干の組成上の相違を有
する。As long as various known materials for forming the subbing layer are compatible with both the polycarbonate and the interfacial layer material,
Can be used. Preferred undercoat materials are the thermoplastic and thermosetting acrylic polymers described above, but the undercoat materials generally have some compositional differences from the interfacial layer materials.
下塗り物質の形成及びその施用についての詳細は当業者
に周知である。たとえば、アクリル系組成物はまず水、
ヒドロキシエーテル又はアルカノール、アクリル系重合
体及び個々特定の物品の最終用途に必要な他の周知の添
加剤、たとえば前述したもののような紫外線吸収化合
物、を含有するエマルジョンを調製することによって形
成し得る。該混合物をポリカーボネートの表面に施した
後、水及びヒドロキシエーテル又はアルカノール成分の
実質的部分をついで蒸発させる。ついで、アクリル系重
合体及び添加剤を含む得られた溶剤層を熱硬化させて下
塗り層を形成し得る。この方法の詳細は米国特許第4,24
2,383号明細書に記載されている。Details of forming a subbing material and its application are well known to those skilled in the art. For example, the acrylic composition is first water,
It may be formed by preparing an emulsion containing a hydroxy ether or alkanol, an acrylic polymer and other well known additives necessary for the end use of the particular article, eg UV absorbing compounds such as those mentioned above. After applying the mixture to the surface of the polycarbonate, water and a substantial portion of the hydroxyether or alkanol components are then evaporated. The resulting solvent layer containing the acrylic polymer and additives can then be thermoset to form an undercoat layer. Details of this method are described in U.S. Pat.
No. 2,383.
前記したとおり、界面層は基体上に、又は基体の上方
(over)、すなわち基体上に施された下塗り層の表面上
に、施すことができる。界面層の施用は既述した慣用の
方法によって又は表面層を析着させるために使用される
PECVD法によって達成することができる。一般に、PECDV
はガス放電からフィルムを基体に施す周知の方法であ
る。たとえば、無機物質のプラズマ放電についてはKirk
−OthmerのEncyclopedia of Chemical Technology、第1
0巻に記載されている。さらに、無機薄膜のプラズマ析
着に関する詳細はVosson及びKern編、Thin Film Proces
ses(Academic Press,1978年発行)に示されている。プ
ラズマ析着法の例は米国特許第4,96,315号、同第4,137,
365号、同第4,361,595号及び同第4,396,641号明細書に
も記載されている。上記した参考文献のすべてはプラズ
マ析着法を一般的に記載しているが、本明細書において
開示される方法は優れた耐摩耗性、光学的性質及び層間
の密着性を有するポリカーボネート物品を得るために下
記に示す種々の操作パラメーターに従って行なわれなけ
ればならない。As mentioned above, the interfacial layer can be applied on the substrate or over the substrate, ie on the surface of the subbing layer applied on the substrate. The application of the interfacial layer is used by the conventional methods already mentioned or for depositing the surface layer.
It can be achieved by the PECVD method. In general, PECDV
Is a well known method of applying a film to a substrate from a gas discharge. For example, Kirk for plasma discharge of inorganic materials
-Othmer's Encyclopedia of Chemical Technology, 1st
It is described in Volume 0. For further details on plasma deposition of inorganic thin films, see Vosson and Kern, Thin Film Proces.
ses (Academic Press, published 1978). Examples of plasma deposition methods are U.S. Pat.Nos. 4,96,315 and 4,137,
No. 365, No. 4,361,595 and No. 4,396,641 are also described. While all of the above references generally describe plasma deposition methods, the methods disclosed herein provide polycarbonate articles with excellent wear resistance, optical properties and interlaminar adhesion. In order to do so, the various operating parameters indicated below must be followed.
本発明のためのPECVDの操作に関する以下の一般的説明
は界面層及び表面層の析着の両方に適用される。表面層
の形成については後に詳述する。フィルム形成ガス状反
応剤中に低圧で放電を起させる場合には、反応剤はイオ
ン化されそしてプズマを形成する。基体上又はその上方
にフィルムを形成させる前には、物質の一部はプラズマ
中に生ずるイオン、電子及び原子状フリーラジカルの形
態をしている。反応種の大部分は原子状フリーラジカル
からなる。本発明者等は特定の理論に拘束されることを
望むものではないが、より高いプロズマ周波数、たとえ
ば13.56MHzにおいては、フリーラジカル種がプラズマか
ら析着表面に拡散するときに基体上又はその上方でのフ
ィルム形成のほとんどが生起すると考えられる。したが
って、フリーラジカルは下塗りを施された又は施されな
い基体上又はその上方で(又は界面層上又はその上方
で)反応して所望の層を形成する。慣用的な化学的蒸着
法にまさるPECVD法の明らかな利点は適用された電場が
フリーラジカルの形成を助長し、それによってポリカー
ボネート基体への損傷を阻止するに十分低い析着温度、
すなわち約130℃よりも低い温度の使用を可能にする点
にある。さらに、本発明において開示される操作条件下
でPECVD法を使用する場合には、慣用のCVD法において可
能であるよりも著しく高割合のフリーラジカルにて行な
い得るものである。本発明で開示される方法に適するPE
CVD装置系の一つは型式2411の名称でPlasma Therm Inc.
によって販売されている。しかしながら、本発明によっ
て得られる優れた結果を達成するためには、このPECVD
装置又は任意の他のPECVD装置は本明細書に開示される
操作パラメーター及び組成パラメーターの範囲内で使用
されなければならない。The following general description of the operation of PECVD for the present invention applies to both interfacial layer and surface layer deposition. The formation of the surface layer will be described in detail later. When a discharge is initiated at low pressure in a film forming gaseous reactant, the reactant is ionized and forms a plasma. Prior to forming the film on or above the substrate, some of the material is in the form of ions, electrons and atomic free radicals generated in the plasma. Most of the reactive species consist of atomic free radicals. Although we do not wish to be bound by any particular theory, at higher prosma frequencies, such as 13.56 MHz, when free radical species diffuse from the plasma onto the deposition surface or above the substrate. It is believed that most of the film formation in the US occurs. Thus, the free radicals react on or above the primed or unprimed substrate (or on or above the interfacial layer) to form the desired layer. The obvious advantage of PECVD over conventional chemical vapor deposition is that the applied electric field promotes the formation of free radicals, thereby lowering the deposition temperature sufficiently to prevent damage to the polycarbonate substrate,
That is, it enables the use of temperatures lower than about 130 ° C. Furthermore, when using the PECVD process under the operating conditions disclosed in the present invention, it is possible to perform with a significantly higher proportion of free radicals than is possible with conventional CVD processes. PE suitable for the method disclosed in the present invention
One of the CVD device systems is Plasma Therm Inc. under the name of model 2411.
Sold by. However, in order to achieve the excellent results obtained by the present invention, this PECVD
The equipment or any other PECVD equipment must be used within the operating and compositional parameters disclosed herein.
界面層又は表面層をPECVD法によって施すべき場合に
は、下塗りを施された又は施されていない基体を電場を
発生せしめ得る反応室中に装入する。この反応室は実質
的に減圧排気し得るもの、すなわち約1.0ミリトルに等
しいかそれよりも低い圧力まで排気し得るものでなけれ
ばならない。If the interface or surface layer is to be applied by the PECVD method, the primed or unprimed substrate is placed in a reaction chamber capable of generating an electric field. The reaction chamber should be capable of being evacuated to a substantially reduced pressure, ie, to a pressure equal to or less than about 1.0 mtorr.
電場の発生及び適用法はこの方法にとって臨界的なもの
ではない。たとえば、電場はたとえばJ.Vossenの報文、
“Glow Discharge Phenomena in Plasma Etching and P
lasma Depostion",J,Electrochemical Society,1979年
2月号、第319〜324頁に記載されるごとき誘導結合装置
によって形成せしめ得る。The method of generating and applying the electric field is not critical to this method. For example, the electric field is J. Vossen's report,
“Glow Discharge Phenomena in Plasma Etching and P
lasma Depostion ", J, Electrochemical Society, February 1979, pages 319-324.
電場の形成には容量結合装置を使用することもでき、こ
の方式は本発明における使用に好ましいものである。前
記引用したVossonの報文に一般的に記載されているこの
方法によれば、反応室内に2個の電極を配置しこれらの
電極間にプラズマを形成させる。各電極は良好な電気導
体である物質、たとえばアルミニウム、の板であり得
る。これらの電極は各々が他方の電極に平行な平面をも
つことが好ましい。Capacitive coupling devices can also be used to create the electric field, which is preferred for use in the present invention. According to this method, generally described in the Vosson article cited above, two electrodes are placed in the reaction chamber and a plasma is formed between these electrodes. Each electrode can be a plate of material that is a good electrical conductor, such as aluminum. Each of these electrodes preferably has a plane parallel to the other electrode.
容量結合装置を利用する本発明の方法の好ましい実施態
様においては、電極を水平に配列する、すなわち上方の
電極を反応室の上方域に配設し、その際該電極の平らな
表面が該真空反応室の下方域に配設された下方の電極の
平らな表面に面するようにする。両電極間の間隔は適用
される電場の所望の強さ及び被覆を施される物品の寸法
に関係する。これらの作業変数の相互関係は蒸着技術の
当業者には明らかであり、したがって当業者は本発明の
個々特定の使用のためにこれらの変数を過度の実験を必
要とすることなしに調整せしめ得る。好ましい実施態様
においては、基体を上方電極に面している下方電極の表
面に、被覆を施されるべき基体表面が上方電極の対向表
面に平行になるように配置する。別法として、電極間に
プラズマを発生せしめ得る限り、電極は反応室内に垂直
に又はその他の幾何学的平面に沿って配設し得ることは
当業者には明らかであろう。In a preferred embodiment of the method of the invention which utilizes a capacitive coupling device, the electrodes are arranged horizontally, i.e. the upper electrode is arranged in the upper region of the reaction chamber, the flat surface of the electrode being the vacuum. It faces the flat surface of the lower electrode arranged in the lower region of the reaction chamber. The spacing between the electrodes is related to the desired strength of the applied electric field and the dimensions of the article to be coated. The interrelationship of these operating variables will be apparent to those skilled in the vapor deposition art, and thus one of skill in the art may adjust these variables for each particular use of the present invention without requiring undue experimentation. . In a preferred embodiment, the substrate is arranged on the surface of the lower electrode facing the upper electrode such that the surface of the substrate to be coated is parallel to the facing surface of the upper electrode. It will be apparent to those skilled in the art that, as an alternative, the electrodes can be arranged vertically in the reaction chamber or along other geometric planes, so long as a plasma can be generated between the electrodes.
フィルム形成物質はPECVD法に使用するためには蒸気態
又はガス態でなければならない。アクリル系又はオルガ
ノシリコーン系単量体のような蒸気態反応剤は反応室へ
の導入前の液体状態から蒸気化される。The film-forming substance must be in vapor or gas form for use in the PECVD process. Vapor-type reactants such as acrylic or organosilicone monomers are vaporized from the liquid state before introduction into the reaction chamber.
好ましい実施態様においては、液状物質を冷却し、つい
でそれに真空を適用することによって脱ガスし、この液
体をついでその個々の沸点に応じて、後述する系のごと
き流路系を流れるに十分な正の蒸気圧を与えるように周
囲温度又はそれより高い温度に加熱する。別法によれ
ば、ヘリウムのようなキャリヤーガスを該液体中に吹込
むことにより所望の組成をもつ希釈された蒸気混合物を
得ることができる。In a preferred embodiment, the liquid substance is cooled and then degassed by applying a vacuum thereto, the liquid being then, depending on its individual boiling point, sufficiently positive to flow through a channel system such as the system described below. Heat to ambient temperature or higher to give a vapor pressure of. Alternatively, a carrier gas such as helium may be bubbled into the liquid to obtain a diluted vapor mixture with the desired composition.
シラン又は亜酸化窒素のようなガス状反応剤はプラズマ
中での反応のために常態で適当であるが、場合によって
は予め単独で又はキャリヤーガスとともに液状で貯蔵し
て反応室中への適当な計量を確保する。Gaseous reactants such as silane or nitrous oxide are normally suitable for reaction in the plasma, but in some cases they may be stored beforehand alone or in liquid form with a carrier gas into a reaction chamber. Secure weighing.
反応室はガス状反応剤の導入前に排気する。本発明の方
法に必要な反応室の圧力は約50ミリトル〜約10トルの範
囲であり、好ましい圧力は界面層を施す場合には約0.3
トル〜約0.6トル、表面層を施す場合には約1.0トルであ
る。The reaction chamber is evacuated before introducing the gaseous reactants. The reaction chamber pressure required for the process of the present invention ranges from about 50 mtorr to about 10 torr, with a preferred pressure of about 0.3 when the interfacial layer is applied.
Torr to about 0.6 torr, with a surface layer of about 1.0 torr.
本発明の被覆の組成物を形成するガス状反応剤は外部供
給源から一連の導入管を遠して反応室中に供給され得
る。種々のガスを反応室中に導入する技術についての詳
細は当該技術において周知であり、こゝで詳細に説明す
る必要はないであろう。たとえば、各ガスの導入管はす
べてのガスを反応室中に導入する中央供給管に連結され
る。好ましい実施態様においては、表面層のためのガス
状反応剤は反応剤の反応室中への流入性を改善するため
にヘリウムのようなキャリヤーガスと混合される。キャ
リヤーガス及び反応剤ガスの反応器への流量は当業者に
は周知でありかつガスの流量の測定及びかゝる流量の制
御の両方に役立つ質量流量制御弁によって制御され得
る。さらに、キャリヤーガスを使用する場合、予めガス
状反応剤と混合しもよくまたは別の導入管によって中央
供給管中に供給してもよい。たとえば、二酸化珪素の形
成反応剤としてシラン(SiH4)を使用する場合には、予
めヘリウムとSiH4:He容量比が約2:98〜20:80の範囲にな
るように混合すことができる。キャリヤーガスは本発明
によって必須のものではないが、その使用によって反応
室内でのプラズマ密度及びガス圧力の均一性が改良され
る。さらに、キャリヤーガスの使用はプラズマによって
形成された被覆物質の気相粒状化を防止しかつフィルム
の透明性及び耐摩耗性についての品質を改良する傾向を
示す。The gaseous reactants forming the coating composition of the present invention can be fed into the reaction chamber away from a series of inlet tubes from an external source. The details of techniques for introducing various gases into the reaction chamber are well known in the art and need not be discussed at length here. For example, each gas inlet pipe is connected to a central supply pipe that introduces all gases into the reaction chamber. In a preferred embodiment, the gaseous reactant for the surface layer is mixed with a carrier gas such as helium to improve the flow of the reactant into the reaction chamber. The flow rates of the carrier gas and the reactant gas into the reactor are well known to those skilled in the art and can be controlled by mass flow control valves which serve both to measure the flow rate of the gas and to control such flow rate. Furthermore, if a carrier gas is used, it may be premixed with the gaseous reactants or may be fed into the central feed pipe by means of a separate inlet pipe. For example, when silane (SiH 4 ) is used as a reaction agent for forming silicon dioxide, it can be mixed in advance so that the volume ratio of helium and SiH 4 : He is in the range of about 2:98 to 20:80. . Although a carrier gas is not essential according to the invention, its use improves the plasma density and gas pressure uniformity within the reaction chamber. Furthermore, the use of carrier gas tends to prevent vapor phase granulation of the coating material formed by the plasma and improve the quality of the film for transparency and abrasion resistance.
容量結合装置を使用する場合には、中央供給弁から反応
器に入るガス状反応剤は上方及び下方の電極間及び被覆
される基体上を通過する。基体、下塗り層又は界面層上
の被覆の品質は後述するごとく反応剤の流速及び流動力
学、すなわち層流特性の両方に大きく左右される。たと
えば、過大な流速の使用は活性なフィルム形成反応が反
応して析着表面上に被覆を形成する前に反応剤が該析着
表面上の帯域を通り過ぎさせられてしまう事態を惹起さ
せる。逆に、流速が過小である場合には、フィルム形成
反応剤は速ぐに消耗され、したがってフィルムの厚みが
不均一になる。アクリル系又はオルガノシリコーン系単
量体のような界面層反応剤の流速は約5sccm〜約250sccm
の範囲であることができ、約20sccm〜約100sccmが好ま
しい。後述するプラズマサーム(Plasma Therm)反応器
より大きい反応室を必要とするかもしれない約10平方フ
ィートより大きい被覆表面に対しては、より高い流速、
たとえば約2000sccmまでの流速が必要となり得る。耐摩
耗性表面層を形成する反応剤の流速は、キャリヤーガス
を使用する場合には各反応剤について約500sccm〜約10,
000sccmの範囲であり、一方キャリヤーガスを使用しな
い場合には約5sccm〜約500sccmの範囲である。当業者は
本明細書中の教示に従って個々特定の被覆物質について
適当な流速を容易に選定し得るであろう。If a capacitive coupling device is used, the gaseous reactants entering the reactor from the central feed valve pass between the upper and lower electrodes and on the substrate to be coated. The quality of the coating on the substrate, subbing layer or interfacial layer is largely dependent on both the flow rate and the flow dynamics of the reactants, i.e. the laminar flow properties, as described below. For example, the use of excessive flow rates causes the active film-forming reaction to react and pass the zone over the deposition surface before the reactants form a coating on the deposition surface. Conversely, if the flow rate is too low, the film forming reactant will be quickly depleted, thus resulting in a non-uniform film thickness. The flow rate of the interface layer reactant such as acrylic or organosilicone monomer is about 5 sccm to about 250 sccm.
Can range from about 20 sccm to about 100 sccm is preferred. Higher flow rates for coated surfaces larger than about 10 square feet, which may require larger reaction chambers than the Plasma Therm reactor described below.
Flow rates of up to about 2000 sccm may be required, for example. The flow rate of the reactants forming the wear resistant surface layer is about 500 sccm to about 10, for each reactant when a carrier gas is used.
It is in the range of 000 sccm, while in the absence of carrier gas it is in the range of about 5 sccm to about 500 sccm. One of ordinary skill in the art could readily select an appropriate flow rate for a particular coating material according to the teachings herein.
析着方面に対するガス状反応剤の層流は被覆の厚み及び
硬度、透明性及び界面層についてはさらに接着能及び熱
膨張補償能のような性質について被覆の均一性を増大す
るので本発明にとってきわめて重要なことである。Laminar flow of the gaseous reactants to the deposition surface increases coating uniformity for properties such as coating thickness and hardness, transparency and for the interfacial layer and adhesion and thermal expansion compensation, which is very important to the present invention. It's important.
本明細書において使用する用語“層流”は円滑かつ定常
的な流れ、すなわち基体に対するガス状反応剤の実質的
に流線状の流れであってかつ反応剤分子の乱流が存在し
ないことによって特徴付けられる流れとして定義され
る。この型のガス流はたとえばこゝに参考文献として引
用するF.White著“Fluid Mechanics"(1979年McGraw Hi
ll Book Company刊)、第305頁〜に記載されている。こ
のWhiteの文献に記載されるごとく、層流は一般に約1
〜1000の範囲内のレイノズル数を示すことを特徴とす
る。本発明の好ましい実施態様において、特に好ましい
レイノズル数は約2.5である。小さい乱流域は存在する
かもしれないが、それは析着された被覆の性質に認め得
る程の影響を与えないものであることは当業者には明ら
かである。さらに、前記指摘したとおり、各ガスの質量
流れはガス状反応剤の層流特性を制御するための調整手
段によって調節され得る。As used herein, the term "laminar flow" refers to a smooth and steady flow, ie, a substantially streamlined flow of gaseous reactants to a substrate and the absence of turbulent reactant molecules. Defined as a stream to be characterized. This type of gas flow is described, for example, by F. White in "Fluid Mechanics" (1979 McGraw Hi
ll Book Company), pp. 305-. Laminar flow is generally about 1 as described in this White article.
Characterized by indicating the number of Reynolds in the range of up to 1000. In a preferred embodiment of the present invention, a particularly preferred Reynolds number is about 2.5. It will be apparent to those skilled in the art that small turbulent zones may be present, but they will not appreciably affect the properties of the deposited coating. Further, as pointed out above, the mass flow of each gas may be regulated by a regulation means for controlling the laminar flow characteristics of the gaseous reactants.
好ましい実施態様においては、プラズマ析着工程中、被
覆表面を約100゜〜130℃の範囲の温度、好ましくは100
℃、に加熱する。この加熱は種々の周知の方法によって
達成し得る。たとえば、基体を載置する下方の電極を抵
抗加熱によって加熱することによって加熱することによ
り熱を基体を通じて被覆表面に与え得る。本発明のある
実施態様においては、100℃又はそれ以上の被覆表面温
度の使用によって、下側表面が、ポリカーボネート層で
あれ界面層であれその上への上側層物質の析着速度が増
大しそして表面層中に所望の圧縮応力を生ぜしめる。さ
らに、この高温の使用によって析着された表面層の耐摩
耗性を増大し得る。しかしながら、この範囲内でのより
高い温度の使用はそれが界面層の品質に有害である場合
あるいは被覆された物品を室温まで冷却した後に表面層
と基体との間に応力を生ぜしめる場合には回避すべきで
ある。また、ほヾ室温から100℃までの間の温度に保持
された被覆表面上への析着も本発明の方法の範囲内であ
ることを理解すべきである。In a preferred embodiment, during the plasma deposition step, the coated surface is exposed to a temperature in the range of about 100 ° to 130 ° C, preferably 100 ° C.
Heat to ℃. This heating can be accomplished by various known methods. Heat may be imparted to the coated surface through the substrate by heating, for example, by heating the lower electrode upon which the substrate rests by resistive heating. In some embodiments of the invention, the use of a coating surface temperature of 100 ° C. or higher increases the deposition rate of the upper layer material onto the lower surface, whether the polycarbonate layer or the interfacial layer, and It produces the desired compressive stress in the surface layer. Moreover, the use of this elevated temperature may increase the wear resistance of the deposited surface layer. However, the use of higher temperatures within this range is either detrimental to the quality of the interfacial layer or causes stress between the surface layer and the substrate after cooling the coated article to room temperature. Should be avoided. It should also be understood that deposition on coated surfaces maintained at temperatures between about room temperature and 100 ° C is also within the scope of the present method.
本発明の好ましい実施態様においては、基体表面をつぎ
の層を施す前にイソプロパノールのようなアルコール溶
剤で洗浄して清浄化し得る。この工程によって、ほこ
り、汚染物及び湿潤剤のような添加剤を表面から除去す
る。下塗り層表面及び界面層表面もこの方法で洗浄し得
る。In a preferred embodiment of the present invention, the substrate surface may be cleaned by washing with an alcohol solvent such as isopropanol before applying the next layer. This step removes additives such as dust, contaminants and wetting agents from the surface. The subbing layer surface and the interfacial layer surface can also be cleaned in this way.
洗浄後、基体を周知の方法によって真空乾燥してその後
に析着される層の接着を妨害する表面域上又は表面域中
に存在する水分を完全に除去することができる。この乾
燥処理は下塗り層及び界面層をポリカーボネート基体に
施した後にこれらの層の表面に対しても適用し得る。乾
燥温度はほヾ室温から約120℃までの範囲であり、約80
℃〜約90℃の範囲が好ましい。乾燥時間は約2時間〜約
16時間の範囲であり、この範囲内でより低い温度に対し
てはより長い時間を使用し、より高い温度に対してはよ
り短かい時間を使用する。さらに、オルガノシリコン型
界面層についてこの乾燥処理を行なう場合には、一般に
100℃より高温の使用はオルガノシリコン中に微小亀裂
を誘発し得るので回避されるべきである。After washing, the substrate can be vacuum dried by known methods to completely remove the moisture present on or in the surface areas which interferes with the adhesion of subsequently deposited layers. This drying treatment can also be applied to the surface of these layers after applying the subbing layer and the interfacial layer to the polycarbonate substrate. Drying temperature ranges from approximately room temperature to approximately 120 ° C, approximately 80
The range of 0 ° C to about 90 ° C is preferred. Drying time is about 2 hours to about
A range of 16 hours, within this range longer times are used for lower temperatures and shorter times for higher temperatures. Furthermore, when this drying treatment is performed on the organosilicon type interface layer, generally,
The use of temperatures above 100 ° C should be avoided as it can induce microcracks in the organosilicon.
本発明の好ましい実施態様においては、下塗り層表面及
び界面層表面を反応室中に装入された後にエッチング処
理する。エッチング法は当業者に周知である。好ましい
エッチング法の一例は該表面を窒素ガス単独中で約25℃
〜約100℃でエッチングする方法である。別の有用なエ
ッチング法は該表面を四弗化炭素及び酸素(CF4中に約
8容量%のO2を含む)の混合物中で約25℃〜約100℃で
エッチングし、ついで同じ温度で窒素ガス中でエッチン
グすることからなる。本発明者は何等特別の理論に束縛
されることを望むものではないが、このエッチング法は
被覆された物質の頂部を除去し、それによって後にPECV
D法が実施される場合にPECVD法によって施される物質の
フリーラジカル種と後に結合する表面物質のフリーラジ
カル種を生成するものと考えられる。In a preferred embodiment of the present invention, the surface of the undercoat layer and the surface of the interfacial layer are charged into the reaction chamber and then etched. Etching methods are well known to those skilled in the art. An example of a preferred etching method is that the surface is about 25 ° C. in nitrogen gas alone.
This is a method of etching at about 100 ° C. Another useful etching method is to etch the surface in a mixture of carbon tetrafluoride and oxygen (containing about 8 vol% O 2 in CF 4 ) at about 25 ° C. to about 100 ° C., then at the same temperature. It consists of etching in nitrogen gas. Although the inventor does not wish to be bound to any particular theory, this etching method removes the top of the coated material, thereby allowing PECV
It is considered that when the method D is carried out, it produces free radical species of the substance to be applied by the PECVD method and free radical species of the surface substance to be bonded later.
界面層をPECVD法によって施し、ついで表面層をこれと
同一のPECVD室中で界面層に施す場合には、界面層表面
のエッチングは必要でないかもしれない。If the interface layer is applied by the PECVD method and then the surface layer is applied to the interface layer in the same PECVD chamber, etching of the interface layer surface may not be necessary.
被覆を施されるべき表面を前述のごとく処理した後に反
応剤を反応室に導入しながら、このガス混合物をイオン
化させ、それによってプラズマを生成させるように予め
設定された周波数及び出力条件下で電場を発生させる。
電極間に電場を発生させる方法は当業者に周知であり、
したがってこゝに詳細に説明する必要はないであろう。
直流電場又は50Hzから約10GHzまでの交流電場を使用し
得る。出力値は約10ワットから5000ワットの範囲であ
る。本発明の方法のために特に適当な電場発生手段はプ
ラズマを発生させかつ維持するための高周波電力供給装
置の使用である。かゝる電力供給装置を使用する場合、
好ましい作業周波数は、たとえばKubackiの米国特許第
4,096,315号明細書に記載されるごとく13.56MHzであ
る。個々特定の場合に使用される周波数及び出力値は一
部は被覆物質に要求される個々特定の析着条件に関係す
る。たとえば、オルガノシリコン単量体をプラズマ中で
反応させる場合には、前述した範囲内でより低い周波数
及び高い出力値を使用すれば、特に前述した範囲内でよ
り低い反応室圧力をさらに用いた場合に、オルガノシリ
コ単量体の重合速度及び析着速度の増加が達成される。After treating the surface to be coated as described above, the electric field is introduced under preset frequency and power conditions to ionize this gas mixture and thereby generate a plasma, while introducing the reactants into the reaction chamber. Generate.
Methods of generating an electric field between electrodes are well known to those skilled in the art,
Therefore, it need not be described in detail here.
A DC electric field or an AC electric field from 50 Hz to about 10 GHz can be used. Output values range from about 10 watts to 5000 watts. A particularly suitable electric field generating means for the method of the invention is the use of a radio frequency power supply for generating and maintaining a plasma. When using such a power supply device,
A preferred working frequency is, for example, the Kubacki U.S. Pat.
It is 13.56 MHz as described in the specification of 4,096,315. The frequencies and power values used in each particular case are related in part to the particular deposition conditions required for the coating material. For example, when reacting an organosilicon monomer in a plasma, if a lower frequency and a higher output value are used within the above range, particularly if a lower reaction chamber pressure within the above range is further used. In addition, an increase in the polymerization rate and deposition rate of the organosilicon monomer is achieved.
被覆表面を通過した後にキャリヤーガス及び基体表面上
に析着されなかったガウ反応剤又は反応生成物はいずれ
も排出弁を経て反応室から排出され、ついでガスポンプ
及び排気装置に送ることができる。これらの過剰の物質
を反応室から排出する手段は当業者に周知である。電極
が前述したごとく円形かつ平板状である場合には、排出
マニホールドは下方の電極の中央に配置し得る。さら
に、プラズマによって析着層を施した後、残留ガスは前
述したとおり、ポンプによって反応室から除去され得
る。Any gau reactant or reaction product that has not been deposited on the carrier gas and substrate surface after passing through the coated surface can be discharged from the reaction chamber via a discharge valve and then sent to a gas pump and exhaust system. Means for exhausting these excess materials from the reaction chamber are well known to those skilled in the art. If the electrodes are circular and flat as described above, the exhaust manifold may be located in the center of the lower electrode. Further, after applying the deposition layer by plasma, residual gas can be removed from the reaction chamber by a pump, as described above.
界面層の厚さは一部は物品の意図された最終用途によっ
て結成されそしてその厚さは、その施用法の以下にかゝ
わらず、一般に約0.1ミクロン〜約6.0ミクロンの範囲で
あり得る。界面層が前述したごとく慣用法により施され
たコロイド状シリカを分散状態で含有するオルガノシリ
コン物質である場合には、好ましい厚みの範囲は約2.0
ミクロン〜約6.0ミクロンである。The thickness of the interfacial layer will depend in part on the intended end use of the article and its thickness can range generally from about 0.1 micron to about 6.0 microns, albeit less than the mode of application. When the interfacial layer is an organosilicon material containing dispersed colloidal silica applied by conventional methods as described above, a preferred thickness range is about 2.0.
Micron to about 6.0 microns.
基体の表面上に界面層が施された後、この界面層上に耐
摩耗性の表面層を前記に概略的に述べたPECVD法によっ
て施す。適当な耐摩耗性物質の非限定的な例は二酸化珪
素、窒化珪素、オキシ窒化珪素、炭化珪素、炭窒化珪
素、酸化ホウ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、窒化
アルミニウム、二酸化チタン、酸化タンタル、酸化鉄、
酸化ゲルマニウム及び炭化ゲルマニウムを包含する。得
られる物品を板ガラス材料として使用すべき場合には、
二酸化珪素表面層がプラズマ析着の容易性及びその前駆
体が比較的安価であるという理由で好ましい。After the interface layer is applied on the surface of the substrate, a wear-resistant surface layer is applied on this interface layer by the PECVD method outlined above. Non-limiting examples of suitable wear resistant materials are silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, silicon carbonitride, boron oxide, boron nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium dioxide, tantalum oxide, iron oxide. ,
Includes germanium oxide and germanium carbide. When the resulting article should be used as a sheet glass material,
A silicon dioxide surface layer is preferred because it is easily plasma deposited and its precursors are relatively inexpensive.
ある特定の表面層の組成を形成するために化合せしめ得
るガス状反応剤は前述したごとくPECVD反応室に送入さ
れる。本発明の表面層の形成のために化合せしめ得る種
々の反応剤は当業者にはよく知られている。たとえば、
二酸化珪素はシランと亜酸化窒素との反応によって;四
塩化珪素と酸素との反応によって;又はテトラエトキシ
シランと酸素との反応によって形成され得る。Gaseous reactants that can be combined to form a particular surface layer composition are delivered to the PECVD reaction chamber as described above. The various reactants which can be combined to form the surface layer of the present invention are well known to those skilled in the art. For example,
Silicon dioxide may be formed by the reaction of silane with nitrous oxide; by the reaction of silicon tetrachloride with oxygen; or by the reaction of tetraethoxysilane with oxygen.
オルガノシリコンの析着の場合におけるごとく、表面層
の析着のための作業変数は使用される個々特定の表面
層、所望の被覆の厚み及び所望の表面外観に関係する。
表面層を形成するガス状反応剤の流速は前述したごとく
約50sccm〜約10,000sccmの範囲である。表面層のPECVD
工程の間の反応室の内圧は約50ミリトル〜約10トルの範
囲であり、その場合直流又は交流電場を使用し得る。交
流電場は約50Hz〜約10GHzの範囲でありかつ出力は約10
ワット〜約5,000ワットの範囲である得る。前述した作
業パラメーターの各々の調整は施される個々の特定の被
覆に応じてなし得るものであることは当業者には明らか
である。オルガノシリコン界面層で被覆された基体に二
酸化珪素被覆を施す場合には、一般に前述した範囲内で
中程度の反応室圧力、より低い出力及びより高い周波数
を使用することが好ましい。たとえば、シラン流速(ヘ
リウム中2%濃度)が約2500sccmであり、N2O流速が約1
625sccmであり、周波数が約13.56MHzであり、反応室圧
力が約1トルであり、出力値が約50ワットでありそして
基体が約100℃の温度に加熱されるという条件を採用し
た場合に、PECVD法によって又は慣用の方法によって被
覆されたオルガノシリコン界面層上にシラン及び亜酸化
窒素から高品質の、均一な二酸化珪素被覆を約500Å/
分の析着速度で形成することができる。As in the case of the deposition of organosilicon, the work variables for the deposition of the surface layer are related to the particular surface layer used, the desired coating thickness and the desired surface appearance.
The flow rate of the gaseous reactant forming the surface layer is in the range of about 50 sccm to about 10,000 sccm as described above. PECVD of surface layer
The internal pressure of the reaction chamber during the process ranges from about 50 millitorr to about 10 torr, in which case a direct or alternating electric field may be used. The AC electric field is in the range of about 50 Hz to about 10 GHz and the output is about 10
Get in the range of watts to about 5,000 watts. It will be apparent to those skilled in the art that adjustments to each of the above operating parameters may be made depending on the particular coating applied. When applying a silicon dioxide coating to a substrate coated with an organosilicon interface layer, it is generally preferred to use a moderate reaction chamber pressure, lower power and higher frequency within the ranges mentioned above. For example, the silane flow rate (2% concentration in helium) is about 2500 sccm and the N 2 O flow rate is about 1
625 sccm, a frequency of about 13.56 MHz, a reaction chamber pressure of about 1 Torr, an output value of about 50 watts, and the substrate being heated to a temperature of about 100 ° C., A high quality, uniform silicon dioxide coating from silane and nitrous oxide on an organosilicon interfacial layer coated by PECVD or by conventional methods at approximately 500Å /
It can be formed at a deposition rate of minutes.
パイレックス(Pyrex,登録商標)と同等の耐摩耗性が望
まれる場合には、表面層の厚みは約2.0ミクロン〜約5.0
ミクロンの範囲であるべきである。しかしながら、一般
には、本発明の方法によって施される表面層の厚みは約
0.025ミクロン〜約10.0ミクロンの範囲であり得る。If abrasion resistance equivalent to Pyrex® is desired, the surface layer thickness is from about 2.0 microns to about 5.0.
It should be in the micron range. However, in general, the thickness of the surface layer applied by the method of the present invention is about
It can range from 0.025 microns to about 10.0 microns.
本発明の物品の種々の性質を向上されるための添加剤は
界面層及び表面層のいずれか一方又は両方に配合するこ
とができ、また下塗り層が存在する場合には下塗り層中
に配合することもできる。利用されるべき特定の添加剤
は目的とする物品に望まれる特定の性質に関係しかつま
た特定の層の析着に使用される方法に関係する。たとえ
ば、界面層が慣用の方法によって基体上に施される場合
には、広範囲な添加剤を界面層中に配合し得る。添加剤
の例は紫外線吸収剤、酸化防止剤、充填剤、補強剤及び
湿潤剤を包含する。Additives for improving various properties of the articles of the present invention can be incorporated in either or both of the interfacial layer and the surface layer, and in the subbing layer, if present. You can also The particular additive to be utilized is related to the particular properties desired for the intended article and also to the method used to deposit the particular layer. For example, if the interfacial layer is applied on the substrate by conventional methods, a wide range of additives may be incorporated into the interfacial layer. Examples of additives include UV absorbers, antioxidants, fillers, reinforcing agents and wetting agents.
本発明の種々の実施態様は高度の硬度及びガラスと同等
の耐摩耗性を有するポリカーボネート物品の製造を達成
し得る。さらに、本発明の方法を二酸化珪素の表面層を
もつ板ガラス材料の製造のために使用する場合には、得
られる物品はきわめて平滑でありしかも微細な亀裂をも
たないものとなる。さらに界面層は表面層とポリカーボ
ネート基体との間に高度の密着性を与えかつさらに両者
間の熱膨張の差を調整し得る。Various embodiments of the present invention may achieve the production of polycarbonate articles having a high degree of hardness and abrasion resistance comparable to glass. Furthermore, when the method according to the invention is used for the production of glazing materials with a surface layer of silicon dioxide, the resulting article is very smooth and free of fine cracks. In addition, the interfacial layer can provide a high degree of adhesion between the surface layer and the polycarbonate substrate and further control the difference in thermal expansion between the two.
実施例 以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する。
たヾし、これらの実施例は本発明を例証するためのもの
であって何等本発明を限定するものではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
However, these examples are for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the present invention in any way.
いくつかの又はすべての実施例において使用される諸試
験について以下に概略説明する。The tests used in some or all of the examples are outlined below.
耐摩耗性は二つのASTM試験法の組合せによって測定し
た。テーバー摩耗試験、ASTM D1044、は2個の摩耗論
上に均等に分配された合計重量荷重1000gを用いて試験
した。後記するごとく300回転及び/又は1000回転を使
用した。第二の試験法はASTM D1003に従うものであ
り、ガードナー・ヘーズメーター・モデルUX10を使用し
た。この試験法では、試験片をテーバー摩耗試験機にか
ける前及びかけた後の光の散乱率(%)を測定する。こ
の数値が低いほど、耐摩耗性及び硬度はより良好であ
る。Abrasion resistance was measured by a combination of two ASTM test methods. The Taber Abrasion Test, ASTM D1044, was tested with two total weight loads 1000 g evenly distributed on the theory of abrasion. 300 revolutions and / or 1000 revolutions were used as described below. The second test method is according to ASTM D1003 and used a Gardner Hazemeter Model UX10. In this test method, the light scattering rate (%) is measured before and after the test piece is subjected to a Taber abrasion tester. The lower this number, the better the wear resistance and hardness.
光透過性はPerkin Elmer Corporation製の紫外線−可視
光線スペクトロメーター・モデル330上で測定した。Light transmission was measured on a UV-Visible Spectrometer Model 330 from Perkin Elmer Corporation.
析着被覆の分子構造を調べるためには紫外線スペクトル
を使用した。赤外線スペクトル測定装置はニコレット
(Nicolet)7199FT−IRスペクトロメーターであった。UV spectra were used to investigate the molecular structure of the deposits. The infrared spectrum measuring device was a Nicolet 7199FT-IR spectrometer.
接着性は二つの方法によって測定した。第一の方法はAS
TM D3359試験法によるけがき(scribed)接着試験であ
り、供試材料の0.75インチ方形(1.9cm方形)の試片を
2.0mm方形のクロスハッチにけがき、ついでこの格子模
様の表面上に3M社製のNo.610接着テープを圧着しそして
速やかかつ均一な引張り力によって剥がした。試片上に
残留する被覆物質の量がその下にある表面に対する被覆
の接着特性の尺度である。Adhesion was measured by two methods. The first method is AS
TM D3359 is a scribed adhesion test according to the test method, using a 0.75 inch square (1.9 cm square) specimen of the test material.
A 2.0 mm square crosshatch was scribed, then 3M No. 610 adhesive tape was crimped onto the checkered surface and peeled off quickly and evenly. The amount of coating material remaining on the coupon is a measure of the adhesive properties of the coating to the underlying surface.
第二の接着試験は“セバスチャンの柱接着試験(Sebast
ian Post Adhesion Test)”と呼ばれる方法であり、エ
ポキシ被覆を施されたスタッドを末端に有するアルミニ
ウム柱を0.75インチ×0.75インチの大きさの試験片の中
央又はその近くにエポキシ被覆が試験片の表面に接触す
るように配置する。この試験片をついで約125℃に約2
時間加熱してエポキシ被覆を表面に硬化させる。ついで
この柱をセバスチャン試験機中に上下を逆にして挿入
し、試験片表面に垂直な一様の引張り力を破壊が生ずる
まで作用させる。この試験機はこの柱を表面から引き離
すに要する力(ポンド/平方インチ)を自動的に計算し
かつ表示する。The second adhesion test is the “Sebastian Column Adhesion Test (Sebast
ian Post Adhesion Test) ”, an aluminum column having epoxy-coated studs at the end is attached to the surface of the test piece with an epoxy coating at or near the center of a 0.75 inch x 0.75 inch size test piece. The test piece is then placed at about 125 ° C. for about 2 minutes.
Heat for a time to cure the epoxy coating on the surface. The column is then inserted upside down into a Sebastian tester and a uniform tensile force normal to the surface of the specimen is applied until failure occurs. The tester automatically calculates and displays the force (pounds per square inch) required to pull the column away from the surface.
耐候性能は二つの別個の試験を用いて測定した。第一の
試験は65℃の水中への浸漬試験であり、被覆されたポリ
カーボネートの試験片を65℃に保持された蒸留水中に浸
漬する。試験は7日間にわたって行ない、その間に試験
片を毎日取出し、乾燥し、検査し、ついでけがき接着試
験を使用して接着性を試験した。試験片がけがき接着試
験に合格した場合には、それらをさらにQUV促進耐候試
験によって評価した。この試験はQ−Panel Company製
のモデルQUV環境室中で行なった。この環境室中に装入
された試験片を70℃で紫外線(280nm〜350nm;最大313n
m)に暴露する8時間の周期と50℃、100%相対温度にお
ける4時間の周期とからなる12時間の周期に暴露した。
第1週については毎日、第2週及び第3週については1
週間に2回そしてその後は1週間に1回、肉眼及び顕微
鏡による検査及びけがき接着試験による測定を行なっ
た。いくつかを試験片については65℃の水中での浸漬試
験を7日より長期間実施し、一方他の試験片はQUV促進
耐候試験のみについて試験したことに留意すべきであ
る。Weather resistance was measured using two separate tests. The first test is an immersion test in water at 65 ° C, in which a coated polycarbonate test piece is immersed in distilled water held at 65 ° C. The test was run for 7 days, during which test pieces were removed daily, dried, inspected and then tested for adhesion using the scribe adhesion test. If the test pieces passed the scribe adhesion test, they were further evaluated by the QUV accelerated weathering test. This test was conducted in a model QUV environment room manufactured by Q-Panel Company. The test piece loaded in this environmental chamber was exposed to UV light (280 nm to 350 nm; maximum 313 n at 70 ° C).
m) was exposed to a 12-hour cycle consisting of an 8-hour cycle and a 4-hour cycle at 50 ° C. and 100% relative temperature.
Every day for the first week, 1 for the second and third weeks
Twice a week and then weekly, macroscopic and microscopic examinations and scribe adhesion test measurements. It should be noted that some test pieces were subjected to immersion tests in water at 65 ° C. for longer than 7 days, while others were tested only for the QUV accelerated weathering test.
プラズマによる析着法によって基体に施された層の厚み
は作業条件及び作業時間によって制御されかつ決定され
た。反応剤ガス混合物の流速、基体温度、周波数及び圧
力が一旦決められれば、厚みは単に作業工程の処理時間
を選定することによって約±5%の範囲内で決定するこ
とができる。The thickness of the layer applied to the substrate by the plasma deposition method was controlled and determined by the working conditions and working time. Once the flow rate, substrate temperature, frequency and pressure of the reactant gas mixture have been determined, the thickness can be determined within a range of about ± 5% by simply selecting the processing time of the working process.
施される被覆の厚みの均一性は被覆によってもたらされ
る干渉色から評価される。かゝる方法は約0.3ミクロン
の厚みをもつ被覆に対し適当である。より大きい被覆の
厚み(約0.4ミクロン〜10ミクロン)に対しては、プロ
フイルメーター[スローン デクタク(Sloan Dektak)
II]を使用して被覆の均一性を測定する。被覆の析着前
に小さな薄いシリコンウエハーを複数の要所に置き、そ
して被覆の析着後に取除いてできた段部を露出させて厚
みの測定に使用する。Uniformity of the applied coating thickness is evaluated from the interference color provided by the coating. Such a method is suitable for coatings having a thickness of about 0.3 micron. For larger coating thicknesses (approximately 0.4 to 10 microns), the profil meter [Sloan Dektak]
II] is used to measure coating uniformity. Small thin silicon wafers are placed in multiple locations prior to depositing the coating, and the steps removed after depositing the coating are exposed and used for thickness measurements.
層の無ピンホール品質は被覆の種々のガスに対する遮断
性から評価された。かゝる測定のためには、約250Å〜1
000Åの範囲の厚みを使用した。これらの厚みは典型的
には実施例1の試験片の大部分の厚みより著しく薄いも
のであったが、作業条件により厚い表面層を形成するた
めに使用した条件と全く同一であった。したがって、こ
れからピンホールの不存在が推測される。透過性はモコ
ン(Mocon)コーポレーションから入手し得る商業的装
置を使用して測定した。走査電子顕微鏡を用いて定期的
に行なった被覆の検査はピンホールが全くないことを示
した。The pinhole-free quality of the layer was evaluated from the barrier properties of the coating for various gases. Approximately 250Å ~ 1 for such measurement
A thickness in the range of 000Å was used. These thicknesses were typically significantly less than most of the test specimens of Example 1, but were exactly the same as those used to form the thicker surface layer at the working conditions. Therefore, the absence of pinholes can be inferred from this. Permeability was measured using a commercial instrument available from Mocon Corporation. Periodic inspection of the coating using a scanning electron microscope showed no pinholes.
実施例1 試験片1〜12のすべては基体としてビスフェノールAに
基づく熱可塑性ポリカーボネートを使用したものであ
る。各基体の寸法は典型的には約4.0インチ×4.0インチ
で厚みは0.125インチ又は0.25インチのいずれかであっ
た。また後記に示した場合には、直径3.0インチ及び厚
み0.125インチをもつ円板も使用した。Example 1 All test pieces 1 to 12 use a thermoplastic polycarbonate based on bisphenol A as a substrate. The dimensions of each substrate were typically about 4.0 inches by 4.0 inches with a thickness of either 0.125 inches or 0.25 inches. Further, in the case shown below, a disc having a diameter of 3.0 inches and a thickness of 0.125 inches was also used.
試験片1〜10は本発明の範囲内のものであり、一方試験
片11〜15は対照試験又は比較試験用として使用したもの
である。Specimens 1-10 are within the scope of the present invention, while Specimens 11-15 were used for control or comparison tests.
試験片1及び2のポリカーボネート基体上には慣用の方
法でアクリル系界面層を施した。このアクリル系物質は
B.F.Goodrich社によって供給される2種類の熱硬化性ア
クリル系エマルジョン、ハイカー(Hycar)237及びハイ
カー256、の50/50重量日の混合物であった。この混合物
を水で約3.5容量%まで希釈した。この混合物に紫外線
遮断剤(2−エチルネキシル−2−シアノ−3,3−ジフ
ェニルアクリレート)2.1重量%及びクエン酸触媒0.05
重量%(50%溶液)を添加した。ついで、この混合物を
さらにOlin Chemicals社によって販売されているグリコ
ールエーテル溶剤であるポリーソルブ(Poly−Solv)EB
の30容量%中に希釈した。この最後に示した物質は界面
層の表面へのぬれ性を高めるために添加した。このアク
リル系物質を浸漬被覆によって基体に施し、ついで加熱
硬化せしめた。最終の被覆の厚みは0.8ミクロンであっ
た。An acrylic interface layer was applied on the polycarbonate substrates of test pieces 1 and 2 by a conventional method. This acrylic material
It was a 50/50 weight day mixture of two thermosetting acrylic emulsions supplied by BFGoodrich, Hycar 237 and Hiker 256. The mixture was diluted with water to about 3.5% by volume. To this mixture was added 2.1% by weight of a UV blocker (2-ethylnexyl-2-cyano-3,3-diphenylacrylate) and 0.05% citric acid catalyst.
Weight% (50% solution) was added. This mixture is then further added to Poly-Solv EB, a glycol ether solvent sold by Olin Chemicals.
Diluted to 30% by volume. This last-mentioned substance was added to enhance the wettability of the interface layer to the surface. The acrylic material was applied to the substrate by dip coating and then heat cured. The final coating thickness was 0.8 micron.
試験片3〜6はポリエチルメタクリレート約2重量%及
び紫外線遮断剤(2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン)
約4重量%を含む界面層形成用の熱可塑性アクリル系物
質でそれぞれ浸漬被覆した。このアクリル系被覆の熱硬
化後の厚みは試験片3及び4については0.2ミクロン、
試験片5及び6については0.8ミクロンであった。Test pieces 3 to 6 are about 2% by weight of polyethylmethacrylate and an ultraviolet ray blocking agent (2,4-dihydroxybenzophenone).
Each of them was dip-coated with about 4% by weight of a thermoplastic acrylic material for forming an interface layer. The thickness of this acrylic coating after thermosetting is 0.2 micron for specimens 3 and 4,
For test pieces 5 and 6, it was 0.8 micron.
試験片7及び8はアルキルシラノールの部分縮合物の溶
液中のコロイド状シリカの分散物からなるオルガノシリ
コン物質の界面層を含むものであり、この界面層はさら
に紫外線遮断剤も含有していた。この物質の熱硬化後の
厚みは約5.0ミクロンであった。Specimens 7 and 8 contained an interfacial layer of an organosilicon material consisting of a dispersion of colloidal silica in a solution of a partial condensate of alkylsilanol, which also contained a UV blocker. The heat cured thickness of this material was about 5.0 microns.
試験片9及び10は架橋性アクリル系組成物の固形分40重
量%を含むブタノール溶液からなる界面層と流し塗りに
より被覆したものである。この組成物はヘキサジオール
アクリレート及びトリメチロールプロパシトリアクリレ
ートを1:1重量比で含有するものであった。この組成物
はさらにメタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン
の加水分解生成物で官能性を付与されたコロイド状シリ
カを固形分40重量%で含有していた。この組成物はさら
に紫外線開始剤としてジエトキシアセトフエノン2重量
%及び紫外線遮断剤としてシアソルブ(Cyasorb)5411
のベンゼンスルホン酸エステル10重量%を含有してい
た。界面層を施した後、約20フィート/分の線速度で作
動し2個の中圧水銀灯を使用するPPG Industries社製の
QC 1202 UVプロセッサーに通送することによって界面
層の厚み約7.0ミクロンに紫外線−硬化した。The test pieces 9 and 10 were coated with an interface layer made of a butanol solution containing a solid content of 40% by weight of the crosslinkable acrylic composition and a flow coating. This composition contained hexadiol acrylate and trimethylolpropacytriacrylate in a 1: 1 weight ratio. The composition further contained 40 wt% solids colloidal silica functionalized with the hydrolysis product of methacryloxypropyltrimethoxysilane. The composition further comprises 2% by weight of diethoxyacetophenone as a UV initiator and Cyasorb 5411 as a UV blocker.
It contained 10% by weight of benzene sulfonate. After application of the interfacial layer, a PPG Industries company operating at a linear velocity of about 20 feet / min and using two medium pressure mercury lamps.
It was UV-cured by passing through a QC 1202 UV processor to an interface layer thickness of about 7.0 microns.
試験片1〜10をプラズマサームモデル2411のプラズマ析
着装置の反応室中で表面層被覆した。各試験片を下方の
電極上に、すなわち前述したごとく容量結合ブラズマ発
生装置のプロズマ発生部位に、載置した。ついで二酸化
珪素の表面層をつぎに示す方法によって界面層に施し
た。The test pieces 1 to 10 were coated with a surface layer in the reaction chamber of the plasma deposition apparatus of Plasma Therm Model 2411. Each test piece was placed on the lower electrode, that is, on the prosma generation site of the capacitive coupling plasma generator as described above. A surface layer of silicon dioxide was then applied to the interface layer by the method described below.
シランをヘリウムとSiH4:Heの容量比2:98で予め混合し
そして質量流量制御弁を通じて中央供給管中に供給し
た。亜酸化窒素も質量流量制御弁を通じて同一の中央供
給管中に供給した。ついで反応剤ガス混合物を反応室の
電極間に第1表に示した流速で供給した。これら試験片
の各々についてつぎのパラメーター、すなわち反応室圧
力、高周波発生器についての周波数値、プラズマ出力、
基体表面温度及び析着速度、も第I表中に示す。Silane was premixed in a volume ratio of helium to SiH 4 : He of 2:98 and fed through the mass flow control valve into the central feed tube. Nitrous oxide was also fed through the mass flow control valve into the same central feed tube. The reactant gas mixture was then fed between the electrodes in the reaction chamber at the flow rates shown in Table 1. The following parameters for each of these test pieces were used: reaction chamber pressure, frequency value for high frequency generator, plasma power,
The substrate surface temperature and deposition rate are also shown in Table I.
試験片11及び12は本発明の範囲外の対照試験片であり、
これらは前述した方法に従ってポリカーボネート基体上
に直接二酸化珪素をプラズマ−析着法によって析着させ
ることにより形成されたものである。Specimens 11 and 12 are control specimens outside the scope of the invention,
These are formed by depositing silicon dioxide directly on the polycarbonate substrate by the plasma-deposition method according to the method described above.
試験片13は被覆をもたないパイレックス(登録商標)の
0.125インチ厚の試験片であり、本発明の範囲外のもの
である。この試験片は本発明の物品と硬度及び光学的性
質について比較するために使用した。Specimen 13 is made of Pyrex® with no coating
It is a 0.125 inch thick test piece and is outside the scope of the present invention. This test piece was used to compare the article of the present invention for hardness and optical properties.
試験片14は被覆をもたないポリカーボネートの0.125イ
ンチ厚と試験片である。Specimen 14 is a 0.125 inch thick uncoated polycarbonate specimen.
試験片15は試験片7及び8について使用したオルガノシ
リコン組成物で浸漬被覆された0.125インチ厚のポリカ
ーボネート試験片である。この試験片には表面層は施さ
れていない。Specimen 15 is a 0.125 inch thick polycarbonate specimen dip coated with the organosilicon composition used for specimens 7 and 8. No surface layer was applied to this test piece.
SiO2で被覆された試験片を反応室からとり出しそして室
温まで冷却した後、これらを前述したかつ第I表に示し
た試験に供した。After removing the SiO 2 -coated specimens from the reaction chamber and cooling to room temperature, they were subjected to the tests described above and shown in Table I.
PECVD圧力は試験片1〜6,11及び12については800ミリト
ル、試験片7及び8については800〜1000ミリトル、そ
して試験片9及び10については100ミリトルであった。The PECVD pressure was 800 mTorr for specimens 1-6, 11 and 12, 800-1000 mtorr for specimens 7 and 8, and 100 mtorr for specimens 9 and 10.
PECVD出力は試験片1〜6,11及び12については80ワット
であり、試験片7〜10については50ワットであった。PECVD power was 80 watts for specimens 1-6, 11 and 12 and 50 watts for specimens 7-10.
試験片7及び8について示したデータは多数の種々のア
ルガノシリコン界面層組成物についてのデータの代表デ
ータである。The data shown for Specimens 7 and 8 are representative of data for a number of different aluminosilicon interface layer compositions.
試験片9及び10について示したデータは同一のアクリル
系界面層組成物を施した多数の試験片についてのデータ
の代表データである。The data shown for Specimens 9 and 10 are representative of the data for a number of Specimens with the same acrylic interfacial layer composition.
第I表に示したデータは、基体上に被覆された界面層を
もつ基体に適当な厚みのSiO2層をPECVD法によって施す
ことにより形成された物品は優れた硬度及び耐摩耗性を
もつ物品となることを例証している。たとえば、試験4,
6,7及び10は300回とテーバー回転後にパイレックスに匹
敵する耐摩耗性を示した。さらに、試験片2,6及び8は1
000回のテーバー回転後でさえもパイレックスに匹敵す
る耐摩耗性を示した。 Article data shown in Table I, article formed by subjecting the PECVD method SiO 2 layer of appropriate thickness to a substrate having a surface layer coated on the substrate with superior hardness and wear resistance Exemplifies that For example, test 4,
6,7 and 10 showed wear resistance comparable to Pyrex after 300 rotations and Taber rotation. Furthermore, test pieces 2, 6 and 8 are 1
It exhibited wear resistance comparable to Pyrex even after 000 Taber revolutions.
試験片7及び8の代表的な物品と同様に試験片2,4,6及
び12を光学的透過性について試験した。光透過率の測定
に基づいて、表面層及び界面層はともに可視スペクトル
域(400nm〜800nm)において完全に透過性であった。Specimens 2, 4, 6 and 12 as well as representative articles of Specimens 7 and 8 were tested for optical transmission. Based on the measurement of light transmittance, both the surface layer and the interface layer were completely transparent in the visible spectral range (400 nm-800 nm).
スプラシル(Suprasil)石英の表面上にPECVD法で析着
されたSiO2の紫外線透過率の測定は、紫外線透過率はこ
の石英の紫外線透過率と区別し得ないことを例証した。Measurement of UV transmission of SiO 2 deposited by PECVD on the surface of Suprasil quartz demonstrated that UV transmission was indistinguishable from that of this quartz.
試験片6及び12についてプルフリッチ(Pulfrich)屈折
計を使用して測定した屈折率は各試験片について1.470
の数値を与え、これはSiO2が高品質であることを示して
いる。The refractive index measured using a Pulfrich refractometer for test pieces 6 and 12 was 1.470 for each test piece.
Is given, which indicates that the SiO 2 is of high quality.
屈折率の測定はシリコンウエハ−上にPECVD法により析
着されたSiO2のより薄い被覆(1000Å)の析着中に楕円
偏光測定によって行なった。これらの測定値は典型的に
は1.469〜1.472の範囲であった。The refractive index was measured by ellipsometry while depositing a thinner coating of SiO 2 (1000Å) deposited by PECVD on a silicon wafer. These measurements were typically in the range 1.469-1.472.
試験片11についてSiO2の析着工程中に反応室内でシリコ
ンウエハー上に析着されたSiO2被覆について行なった多
重反射フーリエ変換赤外スペクトル(FT−IR)分析はSi
O2のスペクトル特性を与えた。試験片7〜10の大部分の
代表的物品に共析着されたSiO2をもつシリコンウエハー
について測定した透過FT−IRはSiO2のスペクトル特性と
同様のスペクトルを与えた。Regarding the test piece 11, the multiple reflection Fourier transform infrared spectrum (FT-IR) analysis performed on the SiO 2 coating deposited on the silicon wafer in the reaction chamber during the deposition process of SiO 2 was Si.
The spectral characteristics of O 2 are given. Transmission FT-IR measured on the silicon wafer typically article of most specimens 7-10 having an SiO 2 which is co析着gave the same spectrum as the spectral characteristics of SiO 2.
試験片2,4,6及び7〜10についての屈折率及びFT−IRの
測定は、SiO2表面層の組成が完全に化学量論的組成であ
ることを示した。さらに、SEM測定は表面層について完
全に連続的な、ピンホールのない構造を示した。Refractive index and measurement of FT-IR of the test specimen 2, 4, 6 and 7 to 10 showed that the composition of the SiO 2 surface layer is fully stoichiometric composition. Moreover, SEM measurements showed a perfectly continuous, pinhole-free structure for the surface layer.
接着性は試験片1〜12について前記のけがき接着試験に
よって測定した。結果を第II表に示す。 第 II 表 実施例1についてのけがき接着性データ 試験片No. 接着性(剥離率%) 1 0 2 5−15 3 0 4 35−65 5 0 6 15−25 7 0−90 8 0−90 9 10−100 10 10−100 11 0 12 0 13 − 14 − 15 0 試験編7〜10について接着性の大幅な変動が示されたの
は二つの理由による。第一の理由は、界面層上へSiO2の
接着性の表面の清浄化及びエッチング処理によって及び
析着工程中に界面層表面からの物質の損失が生ずること
によって(かく除去された物質は析着処理に対して本質
的に競合するので)、著しく影響されるためである。エ
チング処理は試験片7及び8の初期のいくつかの試験に
ついては最適の条件ではなかた。試験片9及び10の場合
には、界面層からの溶剤の不完全な除去のために接着性
が不良になったものと考えられる。これは析着処理前に
溶剤を完全に除去することによって修正されて高い接着
性の数値(すなわ10%)が得られた。Adhesion was measured on the test pieces 1 to 12 by the scribe adhesion test described above. The results are shown in Table II. Table II Scratch Adhesion Data for Example 1 Specimen No. Adhesion (peel rate%) 10 2 5-15 3 0 4 35-65 5 0 6 15-25 7 0-90 8 0-90 9 10-100 10 10-100 11 0 12 0 13-14-15 0 There are two reasons why the test pieces 7 to 10 showed a large change in adhesiveness. The first reason is that due to the cleaning and etching treatment of the adhesive surface of SiO 2 on the interfacial layer and the loss of material from the interfacial layer surface during the deposition process (the material thus removed is deposited This is because it is significantly competing for the landing process). Etching was not optimal for some early tests of specimens 7 and 8. In the case of test pieces 9 and 10, it is considered that the adhesion was poor due to the incomplete removal of the solvent from the interface layer. This was corrected by completely removing the solvent before the deposition process, giving a high adhesion value (ie 10%).
第二の理由は、けがき接着試験は界面層表面に対してよ
りもSiO2表面に対してより苛酷な試験となるためであ
る。この結論を裏付けるため、試験片16及び17を前述し
た柱接着試験によって試験した。各試験片はポリカーボ
ネート基体上にオルガノシリコン界面層を浸漬被覆によ
って形成し、ついでSiO2を実施例1の他の試験片につい
て使用した方法によってプラズマー析着させることによ
って製造した。柱接着性はSiO2の析着前及び析着後に測
定した。比較のため、SiO2で被覆された各試験片の表面
の別の部分をけがき接着試験によって試験した。The second reason is that the scribe adhesion test is a more severe test on the SiO 2 surface than on the interface layer surface. To support this conclusion, test pieces 16 and 17 were tested by the column adhesion test described above. Each coupon was prepared by dip coating an organosilicon interface layer on a polycarbonate substrate and then plasma depositing SiO 2 by the method used for the other coupons of Example 1. The column adhesion was measured before and after deposition of SiO 2 . For comparison, another portion of the surface of each SiO 2 coated specimen was tested by the scribe adhesion test.
第III表は試験片16及び17がいずれも柱接着試験によっ
て測定した場合にきわめて良好な接着性を示したことを
例証している。第III表はさらにけがき接着試験はSiO2
で被覆された物品について必ずしも常に信頼得る接着性
の指標を与えるものではないことを例証している。 Table III illustrates that specimens 16 and 17 both exhibited very good adhesion as measured by the column adhesion test. Table III further shows that the scribe adhesion test is SiO 2
Demonstrating that it does not always give a reliable indication of adhesion for articles coated with.
試験片7及び8の製造条件と同一又は同様の条件下で製
造された多数の試験片について耐候(QUV)試験を1〜
4か月の期間について行なった。界面層を使用した場合
に優れたSiO2の接着性が得られることを裏付ける良好の
接着保有性及び良好な光学的性質が一般に認められた。The weather resistance (QUV) test was performed on a number of test pieces manufactured under the same or similar conditions as those of the test pieces 7 and 8.
It was conducted for a period of 4 months. Good adhesion retention and good optical properties were generally observed to confirm that excellent SiO 2 adhesion was obtained when an interface layer was used.
実施例2 本実施例ではオルガノシリコン界面層をPECVD法によっ
て一連のポリカーボネート基体に施し、ついでこと界面
層上にSiO2をあECVD法によって析着させた。Example 2 In this example, an organosilicon interfacial layer was applied to a series of polycarbonate substrates by the PECVD method and then SiO 2 was deposited on the interfacial layer by the ECVD method.
試験片No.18〜25で表わされる約4.0インチ×4.0インチ
×0.125イチの寸法をもつポリカーボネート基体をそれ
ぞれ実施例1で用いたと同様の容量結合型プラズマ析着
装置の下方の電極の上面に置いた。試験片26及び27は試
験片18〜25と同様のポリカーボネート基体であるが界面
層をもたないものであり、対照試験用として使用するも
のである。A polycarbonate substrate having dimensions of about 4.0 inches × 4.0 inches × 0.125 inches represented by test pieces Nos. 18 to 25 was placed on the upper surface of the lower electrode of the same capacitively coupled plasma deposition apparatus as used in Example 1, respectively. It was Specimens 26 and 27 are polycarbonate substrates similar to Specimens 18-25 but without an interfacial layer and are used for control purposes.
ヘキサメチルジシロキサン(HMDS)単量体を弁及び供給
管を経て第IV表中に示した作業条件下で反応室に供給し
た。基体表面は析着処理中約100℃の温度に保持した。Hexamethyldisiloxane (HMDS) monomer was fed into the reaction chamber via the valve and feed tube under the operating conditions shown in Table IV. The substrate surface was kept at a temperature of about 100 ° C. during the deposition process.
析着処理後、各試験片を冷却しそして反応室からとり出
した。プロフイルメーターで測定した重合オルガノシリ
コン物質の厚みを第IV表に示し、同時にその他の関連す
るパラメータも示す。After the deposition process, each test piece was cooled and removed from the reaction chamber. The thickness of the polymerized organosilicon material measured with a profilometer is shown in Table IV, along with other relevant parameters.
試験片18〜215については界面層はかわめて平滑かつ透
明であり、400nm〜800nm域では透過率90%、300nmでは
透過率65%を示した。さらに各層の厚みの変動は該層の
平均厚みの±10%の範囲内であった。Regarding the test pieces 18 to 215, the interface layer was slightly smooth and transparent, and the transmittance was 90% in the 400 nm to 800 nm region and 65% at 300 nm. Further, the variation in the thickness of each layer was within ± 10% of the average thickness of the layer.
各界面層はSEM分析に基づいてピンホールを全くもたな
いものと考えられる。試験片24及び25について使用され
た高い析着速度においては被覆用表面上に粉末の生成及
び析着を生起し、これらは表面に若干の欠陥をもたらす
ものである点に留意すべきである。析着速度と低減又は
ヘリウム希釈の使用によりこれらの欠陥は排除された。Each interface layer is considered to have no pinholes based on SEM analysis. It should be noted that the high deposition rates used for test pieces 24 and 25 cause powder formation and deposition on the coating surface, which results in some surface defects. These defects were eliminated by the use of deposition rate and reduction or helium dilution.
各界面層のポリカーボネート表面への接着性は優れたも
のであった。たとえば、けがき接着試験を用いた場合に
は100%の接着率が認められた。The adhesion of each interface layer to the polycarbonate surface was excellent. For example, 100% adhesion was observed when using the scribe adhesion test.
試験片26及び27を包含する各試験片をついで実施例1に
述べたごときプラズマサームモデル2411装置中にそれぞ
れ装入した。試験片19〜26は窒素中100℃でエッチング
処理した。試験片27はCF4/O2中100℃でエッチング処理
した。各試験片の界面層上にSiO2の厚み2.0μmの表面
層(試験片26については厚み1.0μm)を実施例1の方
法に従ってかつつぎの条件下で施した。Each test piece, including test pieces 26 and 27, was then individually loaded into a Plasmatherm model 2411 apparatus as described in Example 1. The test pieces 19 to 26 were etched in nitrogen at 100 ° C. The test piece 27 was etched in CF 4 / O 2 at 100 ° C. A 2.0 μm thick surface layer of SiO 2 (1.0 μm thick for test piece 26) was applied on the interface layer of each test piece according to the method of Example 1 and under the following conditions.
プラズマ:周波数:13.56MHz;出力:50ワット 流速:SiH4(2%)/He:2500sccm N2O:1625secm 圧力:1000ミリトル 析着速度:0.0.325μm/分 基体表面温度:100℃ SiO2層の形成後、耐摩耗性データ及び耐候性能を第V表
に示すごとく試験片18〜27の物品について測定した。水
浸漬試験後の試験片についての“合格の評価は表面上に
層剥離又は損傷が生じなかったことを示す。Plasma: Frequency: 13.56MHz; Output: 50 watts Flow velocity: SiH 4 (2%) / He: 2500sccm N 2 O: 1625secm Pressure: 1000 mtorr Deposition rate: 0.0.325μm / min Substrate surface temperature: 100 ° C After formation of the SiO 2 layer, the abrasion resistance data and weatherability performance were measured for the article specimens 18-27 as shown in Table V. A "pass rating" for the test piece after the water immersion test indicates that no delamination or damage had occurred on the surface.
第V表のデータは本発明の各試験片についての耐摩耗性
は許容し得るものであったことを例証している。さらに
試験片18〜25の大部分については耐候性も一般に良好で
あった。 The data in Table V illustrates that the wear resistance for each of the test specimens of the present invention was acceptable. Furthermore, most of the test pieces 18 to 25 also had good weather resistance.
すべての試験片については、SiO2表面層はピンホール及
び微細亀裂の存在は認められなかった。For all test pieces, the presence of pinholes and microcracks was not observed in the SiO 2 surface layer.
界面層の使用は界面層を使用しなかったもの、すなわち
対照試験片26及び27、よりも優れた水浸漬後接着性を与
えた。したがって、界面層は、加熱及び試験期間中、ポ
リカーボネート基体とSiO2層との間の膨張補償層として
作用するものであることは明らかである。The use of the interfacial layer provided better post water immersion adhesion than the one without the interfacial layer, ie, control specimens 26 and 27. Therefore, it is clear that the interfacial layer acts as an expansion compensation layer between the polycarbonate substrate and the SiO 2 layer during heating and testing.
上述した開示事項に基づいて、本発明の種々の改良及び
変形が可能である。したがって、開示された本発明の特
定の実施態様に特許請求の範囲に規定した本発明の意図
する範囲内で種々の変更を加え得ることは勿論である。Various modifications and variations of the present invention are possible based on the above disclosure. Therefore, it is needless to say that various modifications may be made to the disclosed specific embodiments of the present invention within the intended scope of the present invention as defined in the claims.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 14/10 8414−4K 14/20 8414−4K (72)発明者 ステファン・ジャセク・ルザッド アメリカ合衆国、ニューヨーク州、レック スフォード、アップルトン・ロード、140 番 (56)参考文献 特開 昭60−29702(JP,A)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location C23C 14/10 8414-4K 14/20 8414-4K (72) Inventor Stefan Jasek-Ruzad United States, No. 140, Appleton Road, Lexford, NY (56) References JP-A-60-29702 (JP, A)
Claims (13)
ルガノシリコン物質を含んでなる粘着性樹脂質組成物の
界面層;及び該界面層上にある耐摩耗性表面層を含んで
なる耐摩耗性物品の製造法において、(a)前記界面層
を前記ポリカーボネート基体の表面に施し、そして
(b)(i)表面上に界面層を施した前記ポリカーボネ
ート基体を50ミリトル〜10トルに加圧された反応室の中
に置き、それから(ii)前記表面層の組成物を形成する
ように反応しうる少なくとも一種のガス状反応剤をキャ
リヤーガスとともに、界面層の表面に対して約2.5のレ
イノルズ数をもつ層流にて、500sccm〜10,000sccmの範
囲の流速で反応室中に送入し、その間反応室中に電場を
発生させてガス状反応剤のプラズマを形成し、このプラ
ズマを直流又は50Hz〜10GHzの範囲の周波数の交流でか
つ10ワット〜5,000ワットの範囲の出力で作動する発電
機によって形成させ、前記基体を室温から130℃までの
範囲の温度に加熱し、前記ガス状反応剤をプラズマ中で
反応させることによって前記界面層上に前記表面層を形
成させることによって、前記耐摩耗性の表面層を前記界
面層上に施す、工程を含んでなる耐摩耗性物品の製造
法。1. A wear resistant article comprising a polycarbonate substrate; an interfacial layer of a tacky resinous composition comprising an organosilicon material on the substrate; and an abrasion resistant surface layer on the interface layer. In the process of (a) applying the interfacial layer to the surface of the polycarbonate substrate and (b) (i) applying the interfacial layer on the surface of the polycarbonate substrate to a pressure of 50 millitorr to 10 torr. And (ii) at least one gaseous reactant capable of reacting to form the composition of said surface layer, together with a carrier gas, having a Reynolds number of about 2.5 with respect to the surface of the interfacial layer. In a laminar flow, it is fed into the reaction chamber at a flow rate in the range of 500 sccm to 10,000 sccm, during which an electric field is generated in the reaction chamber to form a plasma of the gaseous reactant, and this plasma is direct current or 50 Hz to 10 GHz. Range of Formed by a generator operating at alternating wave number and power output in the range of 10 watts to 5,000 watts, the substrate is heated to a temperature in the range of room temperature to 130 ° C., and the gaseous reactants are reacted in a plasma. A method of manufacturing an abrasion resistant article, comprising the step of forming the surface layer on the interface layer, thereby applying the abrasion resistant surface layer on the interface layer.
体上に施す請求項1記載の製造法。2. The method according to claim 1, wherein the adhesive resin composition is applied onto the substrate by a coating means.
H)3又はR2Si(OH)2(式中、Rは1〜3個の炭素原
子をもつアルキル基及び6〜20個の炭素原子をもつアリ
ール基からなる群から選んだ基である)をもつシラノー
ル(たヾし該シラノールの少なくとも70重量%はCH3Si
(OH)3又は(CH3)2Si(OH)2である)の部分縮合物
の溶液中のコロイド状シリカの分散物(該分散物は10〜
50重量%の固形分を含み、該固形分は10〜70重量%のコ
ロイド状シリカ及び30〜90重量%の部分縮合物から本質
的になるものである); 及び (b)式 (式中、Xは>C=O又は で あり;YはH又はOHであり;ZはH,OH,OQ又はOWであるが、
YがHである場合には少なくとも1個のZはOHであり;Q
は −CH2(CH2)nSi(R2)x(OR1)yであり;Wは−CmH
2m+1であり;x=0、1又は2、y=1、2又は3、x+
y=3であり; R1は1〜6個の炭素原子をもつアルキル又はアルカノイ
ル基であり;R2は1〜6個の炭素原子をもつアルキル基
であり;n=0、1又は2そしてm=1〜18である)をも
つ化合物からなる有効量の紫外線吸収剤; を含んでなるさらに硬化可能なオルガノポリシロキサン
組成物である請求項1または2のいづれかに記載の製造
法。3. The organosilicon material comprises the following components: (a) Formula RSi (O) in a mixture of aliphatic alcohol and water.
H) 3 or R 2 Si (OH) 2 (wherein R is a group selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms) A silanol having at least 70% by weight of the silanol is CH 3 Si.
A dispersion of colloidal silica in a solution of a partial condensate of (OH) 3 or (CH 3 ) 2 Si (OH) 2 (wherein the dispersion is 10-
50% by weight of solids, which essentially consists of 10-70% by weight of colloidal silica and 30-90% by weight of partial condensate); and (b) the formula (In the formula, X is> C = O or Y is H or OH; Z is H, OH, OQ or OW,
At least one Z is OH when Y is H; Q
It is the -CH 2 (CH 2) nSi ( R 2) x (OR 1) y; W is -CmH
2m + 1 ; x = 0, 1 or 2, y = 1, 2 or 3, x +
y = 3; R 1 is an alkyl or alkanoyl group having 1 to 6 carbon atoms; R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; n = 0, 1 or 2 and 3. A process according to claim 1 or 2 which is a further curable organopolysiloxane composition comprising an effective amount of a UV absorber comprising a compound having m = 1 to 18).
性pHをもち;そしてコロイドシリカの分散物が水酸化ア
ンモニウムで安定化されたものである請求項3記載の製
造法。4. The process according to claim 3, wherein the organopolysiloxane composition has an alkaline pH; and the dispersion of colloidal silica is stabilized with ammonium hydroxide.
す請求項3記載の製造法。5. The method according to claim 3, wherein an undercoat layer is provided between the surface of the substrate and the interface layer.
剤を含有する請求項5記載の製造法。6. The method according to claim 5, wherein the undercoat layer contains at least one ultraviolet absorber.
れる請求項6記載の製造法。7. The method according to claim 6, wherein the undercoat layer is formed of an acrylic polymer.
法によって基体上に施す請求項1記載の製造法。8. The method according to claim 1, wherein the interface layer is applied to the substrate by a plasma enhanced chemical vapor deposition method.
でなる下塗り剤層を基体表面と界面層との間に施す請求
項8記載の製造法。9. The method according to claim 8, wherein an undercoat layer containing an acrylic polymer and an ultraviolet absorber is provided between the surface of the substrate and the interface layer.
コン単量体蒸気を重合することによって形成させる請求
項8記載の製造法。10. The method of claim 8 wherein the interface layer material is formed by polymerizing organosilicon monomer vapor in plasma.
ジシラザン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメ
チルシラン及びオクタメチルシクロテトラシロキサンか
らなる群から選んだものである請求項10記載の製造法。11. The method according to claim 10, wherein the organosilicon monomer is selected from the group consisting of hexamethyldisilazane, hexamethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane and octamethylcyclotetrasiloxane.
素、オキシ窒化珪素、酸化ホウ素、窒化ホウ素、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム及び二酸化チタンからな
る群から選んだ物質である請求項1乃至11のいずれかに
記載の製造法。12. The surface layer is a material selected from the group consisting of silicon carbide, silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, boron oxide, boron nitride, aluminum oxide, aluminum nitride and titanium dioxide. The manufacturing method according to any one.
ロン〜5.0ミクロンの範囲の厚みをもつ請求項1乃至12
のいずれかに記載の製造法。13. The surface layer is silicon dioxide and has a thickness in the range of 2.0 to 5.0 microns.
The production method according to any one of 1.
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