JPH0782991B2 - 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 - Google Patents
化合物半導体単結晶薄膜の成長法Info
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- JPH0782991B2 JPH0782991B2 JP59153977A JP15397784A JPH0782991B2 JP H0782991 B2 JPH0782991 B2 JP H0782991B2 JP 59153977 A JP59153977 A JP 59153977A JP 15397784 A JP15397784 A JP 15397784A JP H0782991 B2 JPH0782991 B2 JP H0782991B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はIII−Ｖ族化合物半導体の単結晶成長層を単分
子層単位で半導体単結晶基板上にエピタキシャル形成す
るのに好適な化合物半導体単結晶薄膜の成長法に関す
る。特に少なく共２種類の原料ガスを交互に導入し、表
面交換反応でIII−Ｖ族化合物半導体単結晶をエピタキ
シャル成長する方法に関する。
子層単位で半導体単結晶基板上にエピタキシャル形成す
るのに好適な化合物半導体単結晶薄膜の成長法に関す
る。特に少なく共２種類の原料ガスを交互に導入し、表
面交換反応でIII−Ｖ族化合物半導体単結晶をエピタキ
シャル成長する方法に関する。
従来から半導体の薄膜結晶を得るための気相エピタキシ
ー技術として、有機金属気相成長法（以下、MO−CVD法
と呼ぶ）、分子線エピタキシー法（以下、MBE法と呼
ぶ）、原子層エピタキシー（以下、ALE法と呼ぶ）など
が知られている。しかし、MO−CVD法はソースとしてIII
族、Ｖ族元素を水素ガス等をキャリアとして、同時に反
応室へ導入し、熱分解によって成長させるため、成長層
の品質が悪い。また、単分子層オーダーの制御が困難で
ある等の欠点がある。
ー技術として、有機金属気相成長法（以下、MO−CVD法
と呼ぶ）、分子線エピタキシー法（以下、MBE法と呼
ぶ）、原子層エピタキシー（以下、ALE法と呼ぶ）など
が知られている。しかし、MO−CVD法はソースとしてIII
族、Ｖ族元素を水素ガス等をキャリアとして、同時に反
応室へ導入し、熱分解によって成長させるため、成長層
の品質が悪い。また、単分子層オーダーの制御が困難で
ある等の欠点がある。
一方、超高真空を利用した結晶成長法としてよく知られ
るMBE法は、物理吸着を第一段階とするために、結晶の
品質は化学反応を利用した気相成長法に劣る。GaAsのよ
うなIII−Ｖ族間の化合物半導体を成長させる時には、I
II族、Ｖ族元素をソースとして用い、ソース源自体を成
長室の中に設置している。このため、ソース源を加熱し
て得られる放出ガスと蒸発量の制御、および、ソースの
補給が困難であり、成長速度を長時間一定に保つことが
困難である。また、蒸発物の排気など真空装置が複雑に
なる。更には、化合物半導体の化学量論的組成（ストイ
キオメトリー）を精密に制御することが困難で、結局、
高品質の結晶を得ることができない欠点がある。
るMBE法は、物理吸着を第一段階とするために、結晶の
品質は化学反応を利用した気相成長法に劣る。GaAsのよ
うなIII−Ｖ族間の化合物半導体を成長させる時には、I
II族、Ｖ族元素をソースとして用い、ソース源自体を成
長室の中に設置している。このため、ソース源を加熱し
て得られる放出ガスと蒸発量の制御、および、ソースの
補給が困難であり、成長速度を長時間一定に保つことが
困難である。また、蒸発物の排気など真空装置が複雑に
なる。更には、化合物半導体の化学量論的組成（ストイ
キオメトリー）を精密に制御することが困難で、結局、
高品質の結晶を得ることができない欠点がある。
更にALE法は、T.Suntola（ツオモ・サントラ）がU.S.P.
No.4058430（1977）（特開昭51−77589号公報）で説明
しているように、MBE法を改良し半導体元素のそれぞれ
をパルス状に交互に供給し、単原子層をガラス基板に交
互に付着させ、薄膜を原子層ずつ成長させるもので、原
子層のオーダーで膜厚を制御できる利点があるが、MBE
法の延長でありMBEと同様に結晶性が良くない。また成
長した薄膜もCdTe、ZnTe等のII−IV族化合物半導体に限
られ、現在超LSI等の半導体装置の主力であるSiやGaAs
に関しては成功していない。GaAs等のIII−Ｖ族化合物
半導体で成功していないのはII−VI族化合物半導体はそ
の構成元素の蒸気圧が高いため、単原子層吸着が比較的
容易に実現されるが、III−Ｖ族化合物半導体について
はIII族元素の蒸気圧が極端に低いため、III族元素の単
分子層吸着条件が実現されにくいという問題もそのひと
つの理由である。ALEを改良して単原子層の上にガス状
化合物分子を導入し、表面での化学反応を利用した成長
も特開昭55−130896号公報に示されるように試みられて
はいるがZnSの多結晶もしくはTa2O5のアモルファスの薄
膜の成長であり単結晶エピタキシャル成長技術とはなっ
ていない。
No.4058430（1977）（特開昭51−77589号公報）で説明
しているように、MBE法を改良し半導体元素のそれぞれ
をパルス状に交互に供給し、単原子層をガラス基板に交
互に付着させ、薄膜を原子層ずつ成長させるもので、原
子層のオーダーで膜厚を制御できる利点があるが、MBE
法の延長でありMBEと同様に結晶性が良くない。また成
長した薄膜もCdTe、ZnTe等のII−IV族化合物半導体に限
られ、現在超LSI等の半導体装置の主力であるSiやGaAs
に関しては成功していない。GaAs等のIII−Ｖ族化合物
半導体で成功していないのはII−VI族化合物半導体はそ
の構成元素の蒸気圧が高いため、単原子層吸着が比較的
容易に実現されるが、III−Ｖ族化合物半導体について
はIII族元素の蒸気圧が極端に低いため、III族元素の単
分子層吸着条件が実現されにくいという問題もそのひと
つの理由である。ALEを改良して単原子層の上にガス状
化合物分子を導入し、表面での化学反応を利用した成長
も特開昭55−130896号公報に示されるように試みられて
はいるがZnSの多結晶もしくはTa2O5のアモルファスの薄
膜の成長であり単結晶エピタキシャル成長技術とはなっ
ていない。
このように、MO−CVD法やMBE法では化学量論的組成を満
足する高品質の結晶を単分子層オーダーで形成すること
が困難な一方、ALE法では単結晶が得られない欠点があ
った。また特開昭55−130896号公報に示されるALEにお
いてはガス導入2500サイクルで1000ÅのTa2O5の成長、4
500サイクルで4000ÅのZnSの成長、あるいは2800サイク
ルで2200ÅのA2lO3の成長というように、ガス導入−サ
イクルで一分子層膜厚相当以下の成長しか実現できず、
単分子層膜厚に自己停止機能を有したエピタキシャル成
長技術になっていないため膜厚制御性や再現性、均一性
が悪いという欠点があった。前述したALEにおいては不
活性ガスをガス相拡散バリアとして用いないと表面交換
反応における反応工程の分離ができないものであるが、
この不活性ガスが原料のガス状化合物分子の表面吸着を
阻害する欠点があった。
足する高品質の結晶を単分子層オーダーで形成すること
が困難な一方、ALE法では単結晶が得られない欠点があ
った。また特開昭55−130896号公報に示されるALEにお
いてはガス導入2500サイクルで1000ÅのTa2O5の成長、4
500サイクルで4000ÅのZnSの成長、あるいは2800サイク
ルで2200ÅのA2lO3の成長というように、ガス導入−サ
イクルで一分子層膜厚相当以下の成長しか実現できず、
単分子層膜厚に自己停止機能を有したエピタキシャル成
長技術になっていないため膜厚制御性や再現性、均一性
が悪いという欠点があった。前述したALEにおいては不
活性ガスをガス相拡散バリアとして用いないと表面交換
反応における反応工程の分離ができないものであるが、
この不活性ガスが原料のガス状化合物分子の表面吸着を
阻害する欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点を除き、化学量論的組成を
制御することにより結晶成長層の品質を改善し、ガス導
入−サイクルに付き１分子層もしくは２分子層のエピタ
キシャル成長膜を形成することができる化合物半導体，
とくにIII−Ｖ族化合物半導体の単結晶薄膜の成長法を
提供することを目的とする。
制御することにより結晶成長層の品質を改善し、ガス導
入−サイクルに付き１分子層もしくは２分子層のエピタ
キシャル成長膜を形成することができる化合物半導体，
とくにIII−Ｖ族化合物半導体の単結晶薄膜の成長法を
提供することを目的とする。
このため、ALE法では、単元素の１原子層をガラス基板
上に形成したのに対し、本発明は半導体単結晶基板上に
成長させたいIII族、Ｖ族の成分元素を含む分子のガス
を外部から交互に導入するサイクルを繰り返すことによ
り半導体単結晶基板上に単結晶をエピタキシャル成長さ
せるが、その際、成長槽内の圧力、基板加熱温度、導入
するガス量の１サイクル１分子層もしくは１サイクル２
分子層の単結晶エピタキシャル成長するための最適値を
実験的に見い出し、半導体単結晶基板上に単結晶をIII
族元素とＶ族元素の蒸気圧の差に関係なく成長できるよ
うにしたことを特徴としている。また、本発明は半導体
単結晶基板の表面に波長180〜600nmの光を照射し、光の
エネルギーで表面泳動等の表面反応を促進し、より定温
で高品質な化合物半導体単結晶がエピタキシャル成長で
きるようにしたことを特徴としている。
上に形成したのに対し、本発明は半導体単結晶基板上に
成長させたいIII族、Ｖ族の成分元素を含む分子のガス
を外部から交互に導入するサイクルを繰り返すことによ
り半導体単結晶基板上に単結晶をエピタキシャル成長さ
せるが、その際、成長槽内の圧力、基板加熱温度、導入
するガス量の１サイクル１分子層もしくは１サイクル２
分子層の単結晶エピタキシャル成長するための最適値を
実験的に見い出し、半導体単結晶基板上に単結晶をIII
族元素とＶ族元素の蒸気圧の差に関係なく成長できるよ
うにしたことを特徴としている。また、本発明は半導体
単結晶基板の表面に波長180〜600nmの光を照射し、光の
エネルギーで表面泳動等の表面反応を促進し、より定温
で高品質な化合物半導体単結晶がエピタキシャル成長で
きるようにしたことを特徴としている。
以下、本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る化合物半導体単結晶成
長装置の構成図を示したもので、１は成長槽で材質はス
テンレス等の金属、２はゲートバルブ、３は成長槽１内
を超高真空に排気するための排気装置、4,5はIII−Ｖ族
化合物半導体のIII族、Ｖ族の成分元素のガス状の化合
物を導入するノズル、6,7はノズル4,5を開閉するバル
ブ、８はIII族の成分元素を含むガス状の化合物、９は
Ｖ族の成分元素を含むガス状の化合物、10は基板加熱用
のヒーターで石英ガラスに封入したタングステン（Ｗ）
線であり、電線等は省略して図示しているもの、11は測
温用の熱電対、12は化合物半導体の単結晶基板、13は成
長槽内の真空度を測るための圧力計である。
長装置の構成図を示したもので、１は成長槽で材質はス
テンレス等の金属、２はゲートバルブ、３は成長槽１内
を超高真空に排気するための排気装置、4,5はIII−Ｖ族
化合物半導体のIII族、Ｖ族の成分元素のガス状の化合
物を導入するノズル、6,7はノズル4,5を開閉するバル
ブ、８はIII族の成分元素を含むガス状の化合物、９は
Ｖ族の成分元素を含むガス状の化合物、10は基板加熱用
のヒーターで石英ガラスに封入したタングステン（Ｗ）
線であり、電線等は省略して図示しているもの、11は測
温用の熱電対、12は化合物半導体の単結晶基板、13は成
長槽内の真空度を測るための圧力計である。
以上の構成で、成長槽１内の圧力、単結晶基板12の加熱
温度、ガスの導入量等をパラメータとして結晶成長状態
を調べた結果、下記の条件にて結晶成長させると、高品
質の単結晶薄膜を単分子層の単位でエピタキシャル形成
できることが実験的に確認できた。即ち、GaAsの単結晶
をGaAs単結晶基板12上にエピタキシャル成長させるに
は、先ずゲートバルブ２を開けて超高真空排気装置３に
より、成長槽１内を10-7〜10-8Pascal（以下、Paと略
す）程度に排気する。次に、GaAs単結晶基板12を300〜6
00℃にヒーター10により加熱し、Gaを含むガスとしてTM
G（トリメチルガリウム）８を成長槽１内の圧力が、10
-1〜107Paになる範囲で、より好ましくは10-1〜10-4Pa
になる範囲で、0.5〜10秒間バルブ６を開けて導入す
る。その後、バルブ６を閉じて成長槽１内のガスを排気
後、今後はAsを含むガスとしてAsH3（アルシン）９を成
長槽１内の圧力が10-1〜107Paになる範囲で、より好ま
しくは10-1〜10-2Paになる範囲で、２〜200秒間バルブ
７を開けて導入する。これにより、GaAs単結晶基板12上
にGaAsが少なくとも１分子層成長できる。ガス導入の低
圧側の限界値は、GaAs基板表面を100％の被着率で覆う
ための分子の個数から容易に決定できる。ガス導入圧力
とガス導入時間の積がGaAs基板表面に被着する分子の個
数を与えるので、導入圧力が低ければ導入時間を長くす
る必要がある。以上の操作を繰り返し、単分子層を次々
と成長させることにより、所望の分子層数のGaAsの単結
晶成長層を単分子層の単位で成長させることができる。
温度、ガスの導入量等をパラメータとして結晶成長状態
を調べた結果、下記の条件にて結晶成長させると、高品
質の単結晶薄膜を単分子層の単位でエピタキシャル形成
できることが実験的に確認できた。即ち、GaAsの単結晶
をGaAs単結晶基板12上にエピタキシャル成長させるに
は、先ずゲートバルブ２を開けて超高真空排気装置３に
より、成長槽１内を10-7〜10-8Pascal（以下、Paと略
す）程度に排気する。次に、GaAs単結晶基板12を300〜6
00℃にヒーター10により加熱し、Gaを含むガスとしてTM
G（トリメチルガリウム）８を成長槽１内の圧力が、10
-1〜107Paになる範囲で、より好ましくは10-1〜10-4Pa
になる範囲で、0.5〜10秒間バルブ６を開けて導入す
る。その後、バルブ６を閉じて成長槽１内のガスを排気
後、今後はAsを含むガスとしてAsH3（アルシン）９を成
長槽１内の圧力が10-1〜107Paになる範囲で、より好ま
しくは10-1〜10-2Paになる範囲で、２〜200秒間バルブ
７を開けて導入する。これにより、GaAs単結晶基板12上
にGaAsが少なくとも１分子層成長できる。ガス導入の低
圧側の限界値は、GaAs基板表面を100％の被着率で覆う
ための分子の個数から容易に決定できる。ガス導入圧力
とガス導入時間の積がGaAs基板表面に被着する分子の個
数を与えるので、導入圧力が低ければ導入時間を長くす
る必要がある。以上の操作を繰り返し、単分子層を次々
と成長させることにより、所望の分子層数のGaAsの単結
晶成長層を単分子層の単位で成長させることができる。
第２図（ａ）は、導入ガスとて、TMGとGaAsを用いた時
の成長温度600℃での１サイクル当りのTMGの導入量をパ
ラメーターとして１サイクル当りのGaAs膜の成長膜厚を
示すものである。１サイクル当りのTMGの導入量が増え
ると成長膜厚がGaAsの１分子層膜厚もしくは２分子層膜
厚で飽和する。第２図（ａ）は飽和直前まで示している
が、導入量をこれ以上１〜２桁増しても１分子層膜厚も
しくは２分子層膜厚で飽和し、一定膜厚となる。GaAs
（100）面の一分子層の厚さは2.83Åで、GaAs（111）面
の一分子層の厚さは3.26Åである。この飽和値以上のガ
スの導入量で成長してやれば、たとえ、ガス導入量やガ
ス導入圧力あるいはGaAs単結晶基板温度等が多小変動し
ても、確実に１サイクル１分子層もしくは１サイクル２
分子層に自己停止機能を持って成長するため、分子層単
位の精度の膜厚が制御できる。本発明は基板表面での交
換表面反応および表面吸着反応を用いているので単分子
層吸着反応を用いれば１サイクル１分子層、２分子層吸
着反応を用いれば１サイクル２分子層の成長が実現でき
る。２分子層吸着反応は単分子層吸着反応の飽和領域の
圧力よりガス導入圧力をさらに高くし、基板温度も高く
すれば良い。もちろんさらに圧力を高くすれば３分子層
以上の多分子層吸着となり１サイクル３分子層等の成長
も可能である。基板温度が高い方が多分子層吸着は容易
である。この飽和する条件でTMGとAsH3を交互に導入
し、その導入回数と、GaAsエピタキシャル成長層の膜厚
の関係を示したものが第２図（ｂ）である。この図から
明らかなように、非常によい直線性を示すことから任意
の膜厚が完全に制御できることが判る。このようにし
て、得られたGaAsのエピタキシャル成長層を電子線回析
およびＸ線回析で調べたところ、非常に完全性の高い薄
膜単結晶となっていることが判明した。
の成長温度600℃での１サイクル当りのTMGの導入量をパ
ラメーターとして１サイクル当りのGaAs膜の成長膜厚を
示すものである。１サイクル当りのTMGの導入量が増え
ると成長膜厚がGaAsの１分子層膜厚もしくは２分子層膜
厚で飽和する。第２図（ａ）は飽和直前まで示している
が、導入量をこれ以上１〜２桁増しても１分子層膜厚も
しくは２分子層膜厚で飽和し、一定膜厚となる。GaAs
（100）面の一分子層の厚さは2.83Åで、GaAs（111）面
の一分子層の厚さは3.26Åである。この飽和値以上のガ
スの導入量で成長してやれば、たとえ、ガス導入量やガ
ス導入圧力あるいはGaAs単結晶基板温度等が多小変動し
ても、確実に１サイクル１分子層もしくは１サイクル２
分子層に自己停止機能を持って成長するため、分子層単
位の精度の膜厚が制御できる。本発明は基板表面での交
換表面反応および表面吸着反応を用いているので単分子
層吸着反応を用いれば１サイクル１分子層、２分子層吸
着反応を用いれば１サイクル２分子層の成長が実現でき
る。２分子層吸着反応は単分子層吸着反応の飽和領域の
圧力よりガス導入圧力をさらに高くし、基板温度も高く
すれば良い。もちろんさらに圧力を高くすれば３分子層
以上の多分子層吸着となり１サイクル３分子層等の成長
も可能である。基板温度が高い方が多分子層吸着は容易
である。この飽和する条件でTMGとAsH3を交互に導入
し、その導入回数と、GaAsエピタキシャル成長層の膜厚
の関係を示したものが第２図（ｂ）である。この図から
明らかなように、非常によい直線性を示すことから任意
の膜厚が完全に制御できることが判る。このようにし
て、得られたGaAsのエピタキシャル成長層を電子線回析
およびＸ線回析で調べたところ、非常に完全性の高い薄
膜単結晶となっていることが判明した。
尚、Gaを含む原料ガスとしてはTMGのみに限られずTEG,D
EGaCl,DMGaClやCaCl3,GaBr3,GaIのようなガスを用いて
も同様に結晶性のよいGaAs薄膜が得られた。
EGaCl,DMGaClやCaCl3,GaBr3,GaIのようなガスを用いて
も同様に結晶性のよいGaAs薄膜が得られた。
第３図は本発明の他の実施例を示したものであり、不純
物添加をするためのものである。14,15は不純物添加に
用いるガス状化合物を導入するノズル、16,17はノズル1
4,15を開閉するバルブ、18はII族の成分元素を含むガス
状の化合物、19はVI族の成分元素を含むガス状の化合物
である。不純物を添加する以外の部分は第１図の実施例
と同一であるので説明は省略する。
物添加をするためのものである。14,15は不純物添加に
用いるガス状化合物を導入するノズル、16,17はノズル1
4,15を開閉するバルブ、18はII族の成分元素を含むガス
状の化合物、19はVI族の成分元素を含むガス状の化合物
である。不純物を添加する以外の部分は第１図の実施例
と同一であるので説明は省略する。
この構成で、ｐ型成長層を形成する場合は、導入ガスと
してTMG（トリメチルガリウム）８、AsH3（アルシン）
９と添加する不純物ガスとしてDMZn（ジメチル亜鉛）18
の３つのガスをそれぞれ別個の時間に循環式に導入す
る。また、別の方法としてはDMG8とDMZn18を同時にAsH3
9とは交互に導入するか、AsH39とDMZn18を同時にTMG8と
は交互に導入することによって不純物添加ができる。更
にまた、別の方法としてはTMGとDMZnとを同時に導入、
真空排気、AsH3導入、真空排気という第１のサイクル
と、TMGのみ導入、真空排気、AsH3導入、真空排出とい
う第２のサイクルとを交互に繰り返すことによって、Zn
のドープされた層とドープされていない層を交互に、ま
たは多層ずつ交互に形成することもできる。
してTMG（トリメチルガリウム）８、AsH3（アルシン）
９と添加する不純物ガスとしてDMZn（ジメチル亜鉛）18
の３つのガスをそれぞれ別個の時間に循環式に導入す
る。また、別の方法としてはDMG8とDMZn18を同時にAsH3
9とは交互に導入するか、AsH39とDMZn18を同時にTMG8と
は交互に導入することによって不純物添加ができる。更
にまた、別の方法としてはTMGとDMZnとを同時に導入、
真空排気、AsH3導入、真空排気という第１のサイクル
と、TMGのみ導入、真空排気、AsH3導入、真空排出とい
う第２のサイクルとを交互に繰り返すことによって、Zn
のドープされた層とドープされていない層を交互に、ま
たは多層ずつ交互に形成することもできる。
尚、不純物ガスとしてはDMCd（ジメチルカドミウム）、
DMMg（ジメチルマグネシウム）、SiH4（モノシラン）、
GeH4（ゲルマン）などでもよい。また、DMCdとDMZnとを
同時に導入しても良い。
DMMg（ジメチルマグネシウム）、SiH4（モノシラン）、
GeH4（ゲルマン）などでもよい。また、DMCdとDMZnとを
同時に導入しても良い。
次に、ｎ型成長層の形成は、添加する不純物ガスとして
DMSe19（ジメチルセレン）をTMG8、AsH39とそれぞれ別
個の時間に循環式に導入する。別の方法としてはTMG8と
DMSe19を同時にAsH39とDMSe19とは交互に導入すること
によって不純物添加ができる。AsH39とDMSe19とを同時
に、TMG8とDMSe19とを交互に導入しても良い。
DMSe19（ジメチルセレン）をTMG8、AsH39とそれぞれ別
個の時間に循環式に導入する。別の方法としてはTMG8と
DMSe19を同時にAsH39とDMSe19とは交互に導入すること
によって不純物添加ができる。AsH39とDMSe19とを同時
に、TMG8とDMSe19とを交互に導入しても良い。
尚、このときの不純物ガスとしてはDMS（ジメチル硫
黄）、H2S（硫化水素）、H2Se（セレン化水素）などを
用いることができる。
黄）、H2S（硫化水素）、H2Se（セレン化水素）などを
用いることができる。
この場合、不純物ガスの導入圧力をAsH39、TMG8に比
べ、例えば10-3〜10-6程小さく取り、導入時間は0.5〜1
0秒にすることにより、厚さ方向に所望の不純物濃度分
布を有する分子層エピタキシャル成長層が形成できる。
また、添加する不純物ガスの量と時間を調整することに
より、pn接合、不均一不純物密度分布、npn、npin、pn
p、pnip等のバイポーラトランジスタ構造、npinp、npn-
np等の電界効果トランジスタや静電誘導トランジスタ、
pnpnのサイリスタ構造等を実現できることは勿論であ
る。
べ、例えば10-3〜10-6程小さく取り、導入時間は0.5〜1
0秒にすることにより、厚さ方向に所望の不純物濃度分
布を有する分子層エピタキシャル成長層が形成できる。
また、添加する不純物ガスの量と時間を調整することに
より、pn接合、不均一不純物密度分布、npn、npin、pn
p、pnip等のバイポーラトランジスタ構造、npinp、npn-
np等の電界効果トランジスタや静電誘導トランジスタ、
pnpnのサイリスタ構造等を実現できることは勿論であ
る。
第４図は本発明の更に別の実施例を示したものであり、
混晶化合物半導体を成長させるものである。混晶として
Ga1-xAlxAsを例にとって説明する。20はIII族のAlのガ
ス状化合物を導入するノズル、21は20を開閉するバル
ブ、22はIII族のAlを含むガス状化合物である。50〜52
については後述する。他の部分は第１図の実施例と同一
であるので説明は省略する。
混晶化合物半導体を成長させるものである。混晶として
Ga1-xAlxAsを例にとって説明する。20はIII族のAlのガ
ス状化合物を導入するノズル、21は20を開閉するバル
ブ、22はIII族のAlを含むガス状化合物である。50〜52
については後述する。他の部分は第１図の実施例と同一
であるので説明は省略する。
導入ガスとしてAsH38、TMG9、TMAl22（トリメチルアル
ミニウム）を用い、AsH38、TMG9およびTMAl22をそれぞ
れ別個の時間に循環式に基板温度300〜600℃で導入でき
る。このとき、TMAl22の導入圧力および導入時間をTMG9
に対して調節することによって、厚さ方向に所望の成分
比を有する混晶分子層エピタキシャル成長層をガス導入
１サイクルに付き１分子層膜厚もしくは２分子層膜厚で
形成できる。
ミニウム）を用い、AsH38、TMG9およびTMAl22をそれぞ
れ別個の時間に循環式に基板温度300〜600℃で導入でき
る。このとき、TMAl22の導入圧力および導入時間をTMG9
に対して調節することによって、厚さ方向に所望の成分
比を有する混晶分子層エピタキシャル成長層をガス導入
１サイクルに付き１分子層膜厚もしくは２分子層膜厚で
形成できる。
尚、TMG9とTMAl22は同時に導入しても良い。また、導入
ガス20にはTMGとTMAlを混合したガスでも良い。また、G
a1-xAlxAsを例にとったが、Ga1-xPx、InxGa1-xP、InxGa
1-xAs等の他のIII−Ｖ族の混晶でも良い。
ガス20にはTMGとTMAlを混合したガスでも良い。また、G
a1-xAlxAsを例にとったが、Ga1-xPx、InxGa1-xP、InxGa
1-xAs等の他のIII−Ｖ族の混晶でも良い。
また、第５図（ａ）に示すようなGa1-xAlxAs超格子構造
を成長するには第５図（ｂ）に示すようなシーケンスを
用いれば良い。つまり、最初の２サイクルはTMG9とAsH3
8との交互導入、次の５サイクルはTMAl22とAsH38との交
互導入、次の２サイクルはTMG9とAsH38との交互導入す
る。次の４サイクルは不純物導入のサイクルで、ノズル
50を用い、バルブ51の開閉により、SiH4（シラン）52を
AsH38と同時にTMG9と交互に導入する。つまり、バルブ5
1とバルブ６との開閉の位相を一致させて４サイクル導
入する。次の２サイクルはアンドープGaAsの成長で、TM
G9とAsH38との交互導入、次の２サイクルはアンドープA
lAsの成長で、TMAl22とAsH38との交互導入をすれば良
い。
を成長するには第５図（ｂ）に示すようなシーケンスを
用いれば良い。つまり、最初の２サイクルはTMG9とAsH3
8との交互導入、次の５サイクルはTMAl22とAsH38との交
互導入、次の２サイクルはTMG9とAsH38との交互導入す
る。次の４サイクルは不純物導入のサイクルで、ノズル
50を用い、バルブ51の開閉により、SiH4（シラン）52を
AsH38と同時にTMG9と交互に導入する。つまり、バルブ5
1とバルブ６との開閉の位相を一致させて４サイクル導
入する。次の２サイクルはアンドープGaAsの成長で、TM
G9とAsH38との交互導入、次の２サイクルはアンドープA
lAsの成長で、TMAl22とAsH38との交互導入をすれば良
い。
第６図は本発明の更に別の実施例を示したものであり、
禁制帯幅と格子定数を独立に制御できる４元混晶以上の
格子歪補正された混晶化合物半導体を成長させるもので
ある。一例としてGa0.7Al0.3As0.99Ｐ0.01でGaAs基板上
に成長させると格子歪補正されることが知られているの
で混晶にGa1-xAlxAs1-yPyを例にとって説明する。
禁制帯幅と格子定数を独立に制御できる４元混晶以上の
格子歪補正された混晶化合物半導体を成長させるもので
ある。一例としてGa0.7Al0.3As0.99Ｐ0.01でGaAs基板上
に成長させると格子歪補正されることが知られているの
で混晶にGa1-xAlxAs1-yPyを例にとって説明する。
23,24は液晶元素を含むIII族のAl、Ｖ族のＰのガス状化
合物を導入するノズル、25,26はノズル23,24のそれぞれ
を開閉するバルブ、27,28はIII族のAl、Ｖ族のｐの成分
を元素に含むガス状化合物である。他の部分は第１図と
同一であるので説明は省略する。導入ガスとしてAsH
38、TMG9、TMAl27,PH3（ホスフィン）28を用い、これら
のガスを循環式に導入する。このとき、III族同志、Ｖ
族同志は同時に導入しても良い。また、あらかじめガス
を混合しておいても良い。成長温度、成長圧力などは第
１図に示す実施例とほぼ同様であり、ガス混合比又は導
入圧力、導入時間を調整することによって格子歪補正さ
れた液晶化合物半導体エピタキシャル成長層を形成でき
る。
合物を導入するノズル、25,26はノズル23,24のそれぞれ
を開閉するバルブ、27,28はIII族のAl、Ｖ族のｐの成分
を元素に含むガス状化合物である。他の部分は第１図と
同一であるので説明は省略する。導入ガスとしてAsH
38、TMG9、TMAl27,PH3（ホスフィン）28を用い、これら
のガスを循環式に導入する。このとき、III族同志、Ｖ
族同志は同時に導入しても良い。また、あらかじめガス
を混合しておいても良い。成長温度、成長圧力などは第
１図に示す実施例とほぼ同様であり、ガス混合比又は導
入圧力、導入時間を調整することによって格子歪補正さ
れた液晶化合物半導体エピタキシャル成長層を形成でき
る。
尚、以上の各実施例においては、いずれも半導体単結晶
基板12の加熱源を成長槽１内に設けた例について述べて
きたが、例えば第７図に示すように、加熱源として赤外
線ランプ30を用い、これを成長槽１外のランプハウス31
内に設け、そのランプハウス31から出力する赤外線を石
英ガラス32を介して半導体単結晶基板12に照射すること
により、サセプター33に保持させた半導体結晶基板12を
加熱するようにしてもよい。このようにすれば、成長槽
１内から単結晶の成長に必要ない部材を除くことがで
き、ヒーター加熱に伴う重金属等の不要なガス成分の発
生を未然に防止することができる。
基板12の加熱源を成長槽１内に設けた例について述べて
きたが、例えば第７図に示すように、加熱源として赤外
線ランプ30を用い、これを成長槽１外のランプハウス31
内に設け、そのランプハウス31から出力する赤外線を石
英ガラス32を介して半導体単結晶基板12に照射すること
により、サセプター33に保持させた半導体結晶基板12を
加熱するようにしてもよい。このようにすれば、成長槽
１内から単結晶の成長に必要ない部材を除くことがで
き、ヒーター加熱に伴う重金属等の不要なガス成分の発
生を未然に防止することができる。
また、成長槽１には、光学系40を取り付け、その外部に
水銀ランプ、重水素ランプ、Xeランプ、エキシマーレー
ザ、Arレーザ等の光源41を設け、波長180〜600nmの光を
半導体結晶基板12に照射するようにしてもよい。このよ
うにした場合には表面マイグレーション（泳動）、吸着
・離脱・吸着分子の分解等の表面反応が促進され、半導
体単結晶基板温度を下げることができ、その結果、表面
モルフォロジーや電気的特性等に関し更に高品質の単結
晶をエピタキシャル成長させることができるようにな
る。単分子吸着層が180〜600nmの光のエネルギーで基板
表面を泳動し、より安定な格子位置に取り込まれるので
高品質な結晶が得られる。
水銀ランプ、重水素ランプ、Xeランプ、エキシマーレー
ザ、Arレーザ等の光源41を設け、波長180〜600nmの光を
半導体結晶基板12に照射するようにしてもよい。このよ
うにした場合には表面マイグレーション（泳動）、吸着
・離脱・吸着分子の分解等の表面反応が促進され、半導
体単結晶基板温度を下げることができ、その結果、表面
モルフォロジーや電気的特性等に関し更に高品質の単結
晶をエピタキシャル成長させることができるようにな
る。単分子吸着層が180〜600nmの光のエネルギーで基板
表面を泳動し、より安定な格子位置に取り込まれるので
高品質な結晶が得られる。
ところで、以上述べてきた実施例においては、超高真空
装置等はイオンポンプ等周知なものを使用することがで
きる。また、半導体単結晶基板を出し入れするための補
助真空槽、結晶引出し装置等を付加することは容易にで
き、量産性の優れたものにできることは言う迄もない。
また、単結晶成長に用いるガスは主にGaAsについて説明
をしてきたがInP、AlP、InGaAs、GaP等他のIII−Ｖ族化
合物に適用できることは勿論である。更に、単結晶基板
はGaAsに限らず他の化合物半導体単結晶基板に成長させ
るヘテロエピタキシャル成長等でも良い。
装置等はイオンポンプ等周知なものを使用することがで
きる。また、半導体単結晶基板を出し入れするための補
助真空槽、結晶引出し装置等を付加することは容易にで
き、量産性の優れたものにできることは言う迄もない。
また、単結晶成長に用いるガスは主にGaAsについて説明
をしてきたがInP、AlP、InGaAs、GaP等他のIII−Ｖ族化
合物に適用できることは勿論である。更に、単結晶基板
はGaAsに限らず他の化合物半導体単結晶基板に成長させ
るヘテロエピタキシャル成長等でも良い。
以上のように本発明によれば、ノズルを用いて単結晶基
板表面のみに原料ガスを導入しているので、余分なとこ
ろにまわり込んだ残渣ガスや成長槽壁面に吸着し、再脱
離するガスの影響も少なく表面交換反応が容易に実現で
きる。本発明によればキャリアガス等の不活性ガスを用
いていないので、不活性ガスが基板表面に吸着し、原料
ガスの表面吸着を阻害することもなく、100％の被覆率
で原料ガスが吸着できる。また本発明によれば、ガス導
入１サイクルに付き１分子層ずつ自己停止機能を持って
エピタキシャル成長できるため、ガス導入サイクルを数
えるだけで、何ら特別な膜厚モニターを用いたり、精密
なガス導入量制御機構等を用いたりしなくても単分子層
単位で分子層数を数えることのできる精度を有した半導
体単結晶薄膜のエピタキシャル成長が実現できる。また
III−Ｖ族化合物半導体の場合のようにIII族元素の蒸気
圧が極端に低い場合でも、化学量論的組成を満たすこと
が容易で半導体単結晶基板上に良質な単結晶を形成させ
ることができる。本発明によればTMG、TEGのような表面
吸着時に立体障害を起こすような大きい分子サイズの原
料ガスを用いても表面反応の結果分子層で表面を100％
覆うことが可能な導入圧力および基板温度を用いている
ので、従来技術のMOCVDで用いられていた原料ガスがす
べて本発明に適用できるという利点がある。また、不純
物の添加を一層ずつ行なうことができるので、非常に急
峻な不純物密度分布を得ることができる等の利点を有し
ている。特に、GaAs等のIII−Ｖ族化合物半導体薄膜の
極限精度の膜厚制御が可能なので非常に高速なトランジ
スタ、集積回路、ダイオード発光素子等の製作に対して
優れた作用効果を発揮する。本発明によればガス導入１
サイクルに付き１分子層もしくは２分子層ずつエピタキ
シャル成長するので、ALE法に比して短時間でかつ高精
度・高再現性で所望の膜厚を得ることができる。本発明
によれば、MBE法やMBE法を基礎としたALE法のようにソ
ース源が成長槽の内部に設置されていないので、残渣ガ
スやソース源からの余分な放出ガスの問題もなく、また
操作も容易である。本発明によれば光照射により表面泳
動等の表面反応が促進されているので、より低温で高品
質の単結晶が得られる。
板表面のみに原料ガスを導入しているので、余分なとこ
ろにまわり込んだ残渣ガスや成長槽壁面に吸着し、再脱
離するガスの影響も少なく表面交換反応が容易に実現で
きる。本発明によればキャリアガス等の不活性ガスを用
いていないので、不活性ガスが基板表面に吸着し、原料
ガスの表面吸着を阻害することもなく、100％の被覆率
で原料ガスが吸着できる。また本発明によれば、ガス導
入１サイクルに付き１分子層ずつ自己停止機能を持って
エピタキシャル成長できるため、ガス導入サイクルを数
えるだけで、何ら特別な膜厚モニターを用いたり、精密
なガス導入量制御機構等を用いたりしなくても単分子層
単位で分子層数を数えることのできる精度を有した半導
体単結晶薄膜のエピタキシャル成長が実現できる。また
III−Ｖ族化合物半導体の場合のようにIII族元素の蒸気
圧が極端に低い場合でも、化学量論的組成を満たすこと
が容易で半導体単結晶基板上に良質な単結晶を形成させ
ることができる。本発明によればTMG、TEGのような表面
吸着時に立体障害を起こすような大きい分子サイズの原
料ガスを用いても表面反応の結果分子層で表面を100％
覆うことが可能な導入圧力および基板温度を用いている
ので、従来技術のMOCVDで用いられていた原料ガスがす
べて本発明に適用できるという利点がある。また、不純
物の添加を一層ずつ行なうことができるので、非常に急
峻な不純物密度分布を得ることができる等の利点を有し
ている。特に、GaAs等のIII−Ｖ族化合物半導体薄膜の
極限精度の膜厚制御が可能なので非常に高速なトランジ
スタ、集積回路、ダイオード発光素子等の製作に対して
優れた作用効果を発揮する。本発明によればガス導入１
サイクルに付き１分子層もしくは２分子層ずつエピタキ
シャル成長するので、ALE法に比して短時間でかつ高精
度・高再現性で所望の膜厚を得ることができる。本発明
によれば、MBE法やMBE法を基礎としたALE法のようにソ
ース源が成長槽の内部に設置されていないので、残渣ガ
スやソース源からの余分な放出ガスの問題もなく、また
操作も容易である。本発明によれば光照射により表面泳
動等の表面反応が促進されているので、より低温で高品
質の単結晶が得られる。
第１図は本発明の一実施例に係る結晶成長装置の構成
図、第２図（ａ）は第１図における１サイクル当りのTM
G導入量と成長膜厚との関係を示すグラフ図、第２図
（ｂ）は第１図における成長槽膜厚とバルブ開閉数との
関係を示すグラフ図、第３図、第４図はそれぞれ本発明
の他の実施例に係る結晶成長装置の構成図、第５図は第
４図の装置を用いて超格子構造を形成する場合の説明図
で、同図（ａ）は超格子構造説明図、同図（ｂ）はガス
導入シーケンス図、第６図、第７図はそれぞれ本発明の
更に別の実施例に係る結晶成長装置の構成図である。 １……成長槽、２……ゲートバルブ、３……排気装置、
4,5,14,15,20,23,24……ノズル、6,7,16,17,21,25,26…
…バルブ、8,9,18,19,22,27,28……ガス状化合物、10…
…ヒーター、11……熱電対、12……半導体単結晶基板、
13……圧力計
図、第２図（ａ）は第１図における１サイクル当りのTM
G導入量と成長膜厚との関係を示すグラフ図、第２図
（ｂ）は第１図における成長槽膜厚とバルブ開閉数との
関係を示すグラフ図、第３図、第４図はそれぞれ本発明
の他の実施例に係る結晶成長装置の構成図、第５図は第
４図の装置を用いて超格子構造を形成する場合の説明図
で、同図（ａ）は超格子構造説明図、同図（ｂ）はガス
導入シーケンス図、第６図、第７図はそれぞれ本発明の
更に別の実施例に係る結晶成長装置の構成図である。 １……成長槽、２……ゲートバルブ、３……排気装置、
4,5,14,15,20,23,24……ノズル、6,7,16,17,21,25,26…
…バルブ、8,9,18,19,22,27,28……ガス状化合物、10…
…ヒーター、11……熱電対、12……半導体単結晶基板、
13……圧力計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 999999999 鈴木 壮兵衛 宮城県仙台市霊屋下１番３号 (72)発明者 西澤 潤一 宮城県仙台市米ヶ袋１丁目６番16号 (72)発明者 阿部 仁志 宮城県仙台市緑ヶ丘１−22―11 (72)発明者 鈴木 壮兵衛 宮城県仙台市霊屋下１番３号 (56)参考文献 特開 昭58−98917（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−130896（ＪＰ，Ａ) 「日経エレクトロニクス」，1981年11月 ９日号，Ｐ．86−88
Claims (14)
- 【請求項１】III族元素を含むガス状化合物分子のみを
成長槽内の圧力が10-1〜10-7パスカルになる範囲で0.5
〜10秒間半導体単結晶基板上に前記成長槽外部より挿入
して先端を該半導体結晶基板上に向けた第１のノズルを
介して導入し、排気後、Ｖ族元素を含むガス状化合物分
子のみを前記成長槽内の圧力が10-1〜10-7パスカルにな
る範囲で２〜200秒間前記半導体単結晶基板上に前記成
長槽外部より挿入して先端を前記半導体単結晶基板上に
向けた第２のノズルを介して導入する一連の操作を前記
半導体単結晶基板を300〜600℃に加熱して繰り返すこと
により、化合物半導体の単結晶薄膜を前記一連の操作一
サイクルに付き単分子槽の厚み単位で成長させ、これを
繰り返すことにより所望の分子層数の化合物半導体の単
結晶薄膜を成長させることを特徴とする化合物半導体単
結晶薄膜の成長法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載において、前記
半導体結晶基板に180〜600nmの光を照射することを特徴
とする化合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載において、前記
半導体単結晶基板上には少なくとも２種類の化合物半導
体の単結晶薄膜を連続的に成長させる化合物半導体単結
晶薄膜の成長法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第３項記載において、少な
くとも２種類以上の化合物半導体の一つがGaAsであり、
他がGa1-xAlxAsである化合物半導体単結晶薄膜成長法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項記載において、前記
ガス状化合物分子の少なくとも一方と同時または別個に
前記化合物半導体の不純物元素となる元素を含むガス状
分子を第３のノズルを介し導入することにより、厚さ方
向に所望の不純物濃度分布を有する化合物半導体の単結
晶薄膜を単分子層の単位で連続的に成長させる化合物半
導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項記載において、所定
の繰り返しサイクル毎に少なくとも１回、前記ガス状化
合物分子の少なくとも一方と同時に、不純物元素を含む
ガス状分子を導入することにより、不純物元素を含む分
子層と不純物元素を含まない分子層とを周期的に連続的
に形成する化合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項７】特許請求の範囲第６項記載において、少な
くとも２種類以上の化合物半導体の不純物元素を含むガ
ス状分子を導入する化合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項８】特許請求の範囲第６項記載において、少な
くとも２種類以上の化合物半導体の不純物元素を混合し
た化合物半導体の成分元素を含む前記ガス状化合物分子
を個別にそれぞれ異なったサイクルもしくは同じサイク
ルで異なる時間導入することにより異なった分子層に異
なった不純物元素を含ませる化合物半導体単結晶薄膜の
成長法。 - 【請求項９】特許請求の範囲第１項記載において、前記
化合物半導体がGaAsである化合物半導体単結晶薄膜の成
長法。 - 【請求項１０】特許請求の範囲第９項において、Ga元素
を含むガス状化合物分子としてTMG,TEG,DEGaCl,GaBr3,G
aI3のうちのいずれかを用い、As元素を含むガス状化合
物分子としてTMAs,AsCl3,AsBr3,AsH3のうちいずれかを
用いることを特徴とする化合物半導体単結晶薄膜の成長
法。 - 【請求項１１】特許請求の範囲第１項において前記化合
物半導体がAlを含むIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜で
あり、Alを含むガス状化合物分子にTMAl,TEAl,DMACl、A
lCl3,AlBr3,AlI3のうちいずれかを用い、前記化合物半
導体のAl以外の成分を含む前記ガス状化合物分子と同時
にまたは別個に前記成長槽に所定の圧力で所定の時間導
入し排気することによって少なくとも１分子層を成長さ
せ、更に以上のサイクルを繰り返すことにより所望の分
子層数の単結晶薄膜を単分子層の単位で成長させること
を特徴とする化合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項１２】特許請求の範囲第10項あるいは第11項記
載において、前記化合物半導体のｐ型不純物元素を含む
ガス状分子としてDMZn,DEZn,DECd,DMHg,DEHg,B2H6のう
ちいずれかを、またｎ型不純物元素を含むガス状分子と
してSiH4,GeH4,SnH4,PbH4,ZnSe,ZnTe,H2S,HzSe,H2Teの
いずれかを前記化合物半導体の成分元素を含む前記ガス
状化合物分子の少なくとも一方と同時または別個に導入
することにより、厚さ方向に所望の不純物濃度分布を有
する前記化合物半導体の単結晶薄膜を単分子層の単位で
成長させる化合物半導体単結晶薄膜の成長法。 - 【請求項１３】特許請求の範囲第10項、第11項、第12項
のいずれかの記載において、所定の繰り返しサイクル毎
に少なくとも１回、前記化合物半導体の成分元素を含む
前記ガス状化合物分子の少なくとも一方と同時に、前記
化合物半導体の不純物元素を含むガス状分子を導入する
ことにより、不純物元素を含む分子層と不純物元素を含
まない分子層とを周期的に形成する化合物半導体単結晶
薄膜の成長法。 - 【請求項１４】特許請求の範囲第12項あるいは第13項記
載において、少なくとも２種類以上の化合物半導体の不
純物元素を混合した化合物半導体の成分元素を含む前記
ガス状化合物分子を個別にそれぞれ異なったサイクルも
しくは同じサイクルで異なる時間導入することにより異
なった分子層に異なった不純物元素を含ませる化合物半
導体単結晶薄膜の成長法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153977A JPH0782991B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
| GB08518834A GB2162862B (en) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | A method of growing a thin film single crystalline semiconductor |
| FR858511517A FR2578680B1 (fr) | 1984-07-26 | 1985-07-26 | Procede pour former une couche mince monocristalline de compose semi-conducteur |
| DE19853526824 DE3526824A1 (de) | 1984-07-26 | 1985-07-26 | Verfahren zum bilden eines monokristallinen duennen films aus einem verbindungshalbleiter |
| US08/077,119 US5693139A (en) | 1984-07-26 | 1993-06-15 | Growth of doped semiconductor monolayers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153977A JPH0782991B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4322680A Division JP2567331B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134927A JPS6134927A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0782991B2 true JPH0782991B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=15574213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59153977A Expired - Lifetime JPH0782991B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782991B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2652630B2 (ja) * | 1986-04-02 | 1997-09-10 | 理化学研究所 | 結晶成長方法 |
| JPH0777200B2 (ja) * | 1986-10-02 | 1995-08-16 | 日本電信電話株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法 |
| JP2620578B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1997-06-18 | 新技術事業団 | 化合物半導体のエピタキシャル層の製造方法 |
| JP2620546B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1997-06-18 | 新技術事業団 | 化合物半導体のエピタキシヤル層の製造方法 |
| JP2587623B2 (ja) * | 1986-11-22 | 1997-03-05 | 新技術事業団 | 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法 |
| JP2587624B2 (ja) * | 1986-11-28 | 1997-03-05 | 新技術事業団 | 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法 |
| JPH0462834A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Nec Corp | 半導体薄膜の製造方法 |
| JPH0817161B2 (ja) * | 1992-11-06 | 1996-02-21 | 新技術事業団 | 超格子半導体装置の製造方法 |
| JP2567331B2 (ja) * | 1992-11-06 | 1996-12-25 | 新技術事業団 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 |
| JP3468866B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | ３次元量子閉じ込めを利用した半導体装置 |
| JP3045115B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2000-05-29 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| CN107902695A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-13 | 红河砷业有限责任公司 | 一种高效制备高纯砷化铝的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI57975C (fi) * | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
| JPS5898917A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | 原子層エビタキシヤル装置 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59153977A patent/JPH0782991B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「日経エレクトロニクス」，１９８１年１１月９日号，Ｐ．８６−８８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6134927A (ja) | 1986-02-19 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |