JPH0783031B2 - ▲ｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の薄膜又は結晶の製造方法 - Google Patents
▲ｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の薄膜又は結晶の製造方法Info
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- JPH0783031B2 JPH0783031B2 JP59045307A JP4530784A JPH0783031B2 JP H0783031 B2 JPH0783031 B2 JP H0783031B2 JP 59045307 A JP59045307 A JP 59045307A JP 4530784 A JP4530784 A JP 4530784A JP H0783031 B2 JPH0783031 B2 JP H0783031B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、II−Ｖ族化合物半導体の薄膜又は結晶の製造
方法の技術分野に属し、電子デバイス（太陽電池、セン
サ、レーザ、トランジスタ、ダイオード等）用としての
実用に供し得る程度までにその電気的・光学的特性を改
善したII−Ｖ族化合物半導体の薄膜または結晶を製造す
る方法に関するものである。
方法の技術分野に属し、電子デバイス（太陽電池、セン
サ、レーザ、トランジスタ、ダイオード等）用としての
実用に供し得る程度までにその電気的・光学的特性を改
善したII−Ｖ族化合物半導体の薄膜または結晶を製造す
る方法に関するものである。
〈従来の技術〉 II−Ｖ族化合物、中でもリン化亜鉛は、その豊富な地表
における埋蔵量からみて、低価格、高効率の太陽電池、
センサ、レーザ、トランジスタ、ダイオード等の電子デ
バイス材料の可能性を有するものとして注目され始めて
いるが、II−Ｖ族化合物半導体は欠陥半導体であって、
完全結晶であっても結晶単位胞の中に数個の空原子（空
孔）が存在する。例えば、ヒ素化カドミウム、リン化亜
鉛は擬螢石構造で、ヒ素カドミウムの場合にはカドミウ
ムの格子位置は４つ目ごとに空原子（空孔）がある。
又、リン化亜鉛では単位胞40原子のうち亜鉛原子８個が
空原子（空孔）である。（第６図、第７図参照） この空原子（空孔）はキャリア（電子・正孔）に対する
波動関数を乱すため、深い欠陥準位を形成している。し
たがって、II−Ｖ族化合物半導体は空原子（空孔）を原
子で埋めて結晶周期性を保つことにより、波動関数の乱
れを修復しなければ電子デバイス材料としては実用に供
し得なかった。
における埋蔵量からみて、低価格、高効率の太陽電池、
センサ、レーザ、トランジスタ、ダイオード等の電子デ
バイス材料の可能性を有するものとして注目され始めて
いるが、II−Ｖ族化合物半導体は欠陥半導体であって、
完全結晶であっても結晶単位胞の中に数個の空原子（空
孔）が存在する。例えば、ヒ素化カドミウム、リン化亜
鉛は擬螢石構造で、ヒ素カドミウムの場合にはカドミウ
ムの格子位置は４つ目ごとに空原子（空孔）がある。
又、リン化亜鉛では単位胞40原子のうち亜鉛原子８個が
空原子（空孔）である。（第６図、第７図参照） この空原子（空孔）はキャリア（電子・正孔）に対する
波動関数を乱すため、深い欠陥準位を形成している。し
たがって、II−Ｖ族化合物半導体は空原子（空孔）を原
子で埋めて結晶周期性を保つことにより、波動関数の乱
れを修復しなければ電子デバイス材料としては実用に供
し得なかった。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明が解決しようとする課題は、上記技術分野におい
て、電子デバイス材料として実用に供し得るまでに、II
−Ｖ族化合物半導体の空原子（空孔）に起因する固有欠
陥準位密度を減少せしめることである。
て、電子デバイス材料として実用に供し得るまでに、II
−Ｖ族化合物半導体の空原子（空孔）に起因する固有欠
陥準位密度を減少せしめることである。
〈課題を解決するための手段〉 上記課題を解決するため、本発明は、II−Ｖ族化合物半
導体の薄膜又は結晶を製造した後に、該薄膜又は結晶に
水素又はハロゲン元素の少なくとも一種類を添加（注
入、拡散）する、という手段を構じた。
導体の薄膜又は結晶を製造した後に、該薄膜又は結晶に
水素又はハロゲン元素の少なくとも一種類を添加（注
入、拡散）する、という手段を構じた。
II−Ｖ族化合物半導体の薄膜又は結晶に水素又はハロゲ
ン元素の添加（注入、拡散）する方法としては、プラズ
マ法（ラジカルビーム法、電子サイクロトロン共鳴法を
含む）、イオンビーム法、拡散法、イオン注入法、光化
学法、又はイオンプレーティング法を用いることができ
る。
ン元素の添加（注入、拡散）する方法としては、プラズ
マ法（ラジカルビーム法、電子サイクロトロン共鳴法を
含む）、イオンビーム法、拡散法、イオン注入法、光化
学法、又はイオンプレーティング法を用いることができ
る。
また、II−Ｖ族化合物半導体の薄膜又は結晶を製造する
方法としては、減圧気相成長法（有機金属法、原子層エ
ピタキシー法を含む）、常圧気相成長法（有機金属法を
含む）、光気相成長法（レーザ法、光原子層エピタキシ
ー法を含む）、プラズマ気相成長法（ラジカルビーム
法、電子サイクロトロン共鳴法を含む）、グロー放電
法、スパッター法、イオンビーム法（イオン化蒸着法を
含む）、イオンプレーティング法、イオン化クラスタビ
ーム法、分子線エピタキシー法（ガスソース法を含
む）、またはプラズマ・アシステッド・エピタキシー法
がある。
方法としては、減圧気相成長法（有機金属法、原子層エ
ピタキシー法を含む）、常圧気相成長法（有機金属法を
含む）、光気相成長法（レーザ法、光原子層エピタキシ
ー法を含む）、プラズマ気相成長法（ラジカルビーム
法、電子サイクロトロン共鳴法を含む）、グロー放電
法、スパッター法、イオンビーム法（イオン化蒸着法を
含む）、イオンプレーティング法、イオン化クラスタビ
ーム法、分子線エピタキシー法（ガスソース法を含
む）、またはプラズマ・アシステッド・エピタキシー法
がある。
〈作用〉 文言のみでは説明が極めて困難につき、実施例における
実験的内容の説明を以て作用の説明に代えることとす
る。
実験的内容の説明を以て作用の説明に代えることとす
る。
〈実施例〉 本発明の実施例では、リン化亜鉛結晶を減圧気相成長法
を用いて製造し、その後、プラズマ法によって該結晶に
水素を添加（注入、拡散）した。
を用いて製造し、その後、プラズマ法によって該結晶に
水素を添加（注入、拡散）した。
まず、水素の添加されていないリン化亜鉛結晶の特性
と、該結晶にプラズマ法で水素が添加されたものの特性
とを対比して実験結果を説明する。なお、これらリン化
亜鉛結晶は１〜6mmの粒径の多結晶からなるが、粒径が
大きいためにその電気的特性は単結晶でもほぼ同様であ
る。
と、該結晶にプラズマ法で水素が添加されたものの特性
とを対比して実験結果を説明する。なお、これらリン化
亜鉛結晶は１〜6mmの粒径の多結晶からなるが、粒径が
大きいためにその電気的特性は単結晶でもほぼ同様であ
る。
第１図の曲線１は水素を添加していないII−Ｖ族化合物
半導体であるリン化亜鉛結晶を用いて製作したショット
キーダイオードの特性を示している。また、減圧気相成
長法によるリン化亜鉛結晶製造後に、後記の条件で行っ
たプラズマ法によって水素を添加したリン化亜鉛結晶を
用いて製作したショットキーダイオード（第１試料）の
欠陥準位密度が曲線２として示されている。
半導体であるリン化亜鉛結晶を用いて製作したショット
キーダイオードの特性を示している。また、減圧気相成
長法によるリン化亜鉛結晶製造後に、後記の条件で行っ
たプラズマ法によって水素を添加したリン化亜鉛結晶を
用いて製作したショットキーダイオード（第１試料）の
欠陥準位密度が曲線２として示されている。
この測定では、欠陥準位密度をレート・ウィンドウ128/
秒でDLTS（ディープレベル・トランジェント・スペクト
ロスコピー）測定して水素の添加されているリン化亜鉛
結晶ショットキーダイオードと水素の添加されていない
リン化亜鉛結晶ショットキーダイオードとを比較してい
る。図の横軸は温度（°Ｋ）、縦軸は欠陥準位密度（任
意単位）を示している。水素を添加していない曲線１の
密度の大きい深い欠陥準位を示すH1 H2 H3はｐ型リン化
亜鉛中にある３個の正孔準位であって、価電子帯の頂上
からH1は0.20eV（電子ボルト）、H2は0.36eV（電子ボル
ト）、H3は0.48eV（電子ボルト）に存在している。この
H1準位の密度は3.9×1013／cm3、H2準位の密度は2.1×1
014／cm3、H3準位の密度は8.0×1013／cm3である。リン
化亜鉛結晶製造後にプラズマ電力密度0.13W/cm2で40分
間、水素プラズマ中（圧力15Pa、水素流量100ml/分、基
板温度100℃）で水素を添加されたリン化亜鉛結晶を用
いて製作したショットキーダイオード（第１試料）は、
曲線２に示すごとく、曲線１のH1、H3準位の密度が、そ
れぞれ、1.8×1012／cm3、4.2×1012／cm3と、元の約1/
20となり、H2準位もその密度は7.9×1013／cm3と約1/3
となっている。リン化亜鉛結晶ショットキーダイオード
を測定した結果から、水素を添加したリン化亜鉛結晶
は、水素の添加されていないリン化亜鉛結晶より、電子
デバイスとして利用した場合の特性が大きく改善されて
いる事が明らかとなった。
秒でDLTS（ディープレベル・トランジェント・スペクト
ロスコピー）測定して水素の添加されているリン化亜鉛
結晶ショットキーダイオードと水素の添加されていない
リン化亜鉛結晶ショットキーダイオードとを比較してい
る。図の横軸は温度（°Ｋ）、縦軸は欠陥準位密度（任
意単位）を示している。水素を添加していない曲線１の
密度の大きい深い欠陥準位を示すH1 H2 H3はｐ型リン化
亜鉛中にある３個の正孔準位であって、価電子帯の頂上
からH1は0.20eV（電子ボルト）、H2は0.36eV（電子ボル
ト）、H3は0.48eV（電子ボルト）に存在している。この
H1準位の密度は3.9×1013／cm3、H2準位の密度は2.1×1
014／cm3、H3準位の密度は8.0×1013／cm3である。リン
化亜鉛結晶製造後にプラズマ電力密度0.13W/cm2で40分
間、水素プラズマ中（圧力15Pa、水素流量100ml/分、基
板温度100℃）で水素を添加されたリン化亜鉛結晶を用
いて製作したショットキーダイオード（第１試料）は、
曲線２に示すごとく、曲線１のH1、H3準位の密度が、そ
れぞれ、1.8×1012／cm3、4.2×1012／cm3と、元の約1/
20となり、H2準位もその密度は7.9×1013／cm3と約1/3
となっている。リン化亜鉛結晶ショットキーダイオード
を測定した結果から、水素を添加したリン化亜鉛結晶
は、水素の添加されていないリン化亜鉛結晶より、電子
デバイスとして利用した場合の特性が大きく改善されて
いる事が明らかとなった。
第２図は、リン化亜鉛結晶製造後にプラズマ電力0.39W/
cm2で40分間、水素プラズマ中（上記と同条件）で水素
を添加したリン化亜鉛結晶を用いて製作したショットキ
ーダイオードである第２試料について、レート・ウイン
ドウ128/秒でDLTS測定した欠陥準位密度スペクトルを示
している。
cm2で40分間、水素プラズマ中（上記と同条件）で水素
を添加したリン化亜鉛結晶を用いて製作したショットキ
ーダイオードである第２試料について、レート・ウイン
ドウ128/秒でDLTS測定した欠陥準位密度スペクトルを示
している。
曲線３で示したのは、水素添加をしていない状態のリン
化亜鉛結晶を用いて製作したショットキーダイオードの
欠陥準位密度スペクトルであり、曲線１と同一スペクト
ルでスケールが異なるものである。一方、水素を添加し
たリン化亜鉛結晶を用いて製作したショットキーダイオ
ードの第２試料の場合が曲線４で示されている。曲線４
では、H2準位の密度は1.7×1013／cm3と約1/12に減少し
た。また、曲線３のH1、H3準位の密度は曲線４では1011
／cm3、3.5×1012／cm3と1/20以下に減少した。ただ
し、このようにプラズマ電力密度が大きい場合（0.39W/
cm2）には、プラズマによる水素添加のダメージによっ
て、曲線４では曲線３のH1より少し低温側に新たにHp準
位が価電子帯の頂上から0.13eVに現れたが、その密度は
1.2×1013／cm3であった。
化亜鉛結晶を用いて製作したショットキーダイオードの
欠陥準位密度スペクトルであり、曲線１と同一スペクト
ルでスケールが異なるものである。一方、水素を添加し
たリン化亜鉛結晶を用いて製作したショットキーダイオ
ードの第２試料の場合が曲線４で示されている。曲線４
では、H2準位の密度は1.7×1013／cm3と約1/12に減少し
た。また、曲線３のH1、H3準位の密度は曲線４では1011
／cm3、3.5×1012／cm3と1/20以下に減少した。ただ
し、このようにプラズマ電力密度が大きい場合（0.39W/
cm2）には、プラズマによる水素添加のダメージによっ
て、曲線４では曲線３のH1より少し低温側に新たにHp準
位が価電子帯の頂上から0.13eVに現れたが、その密度は
1.2×1013／cm3であった。
このように、II−Ｖ族化合物半導体結晶に水素が添加さ
れれば、上記H1 H2 H3準位の挙動から分かるように、全
ての深い準位の密度が大幅に減少する。プラズマ電力が
大きくなると、プラズマダメージによる新たな欠陥準位
（Hp準位）も生じるが、電子デバイス用としての特性を
大きく改善できることが明らかにされている。
れれば、上記H1 H2 H3準位の挙動から分かるように、全
ての深い準位の密度が大幅に減少する。プラズマ電力が
大きくなると、プラズマダメージによる新たな欠陥準位
（Hp準位）も生じるが、電子デバイス用としての特性を
大きく改善できることが明らかにされている。
第３図は、前述の減圧気相成長法を用いて製造したリン
化亜鉛結晶にCdS（硫化カドミウム）を蒸着してリン化
亜鉛/CdSヘテロ接合の太陽電池を作った例のバイアス電
圧−電流密度の特性を示すものである。曲線５、６は水
素添加を行っていない場合の順方向特性、逆方向特性を
示し、曲線７、８はリン化亜鉛結晶製造後に、プラズマ
電力密度0.25W/cm2で40分間、水素プラズマ中（圧力15P
a、水素流量100ml/分、基板温度100℃）で水素添加を行
った場合の順方向特性、逆方向特性を示している。図示
のように、曲線８は曲線６に対し逆方向のリーク電流が
３桁程度も大幅に改善されている。また、第４図はこの
太陽電池の分光感度特性を示すもので、曲線９は水素添
加を行っていない場合、曲線10は曲線７、８と同条件の
水素プラズマ中で水素添加を行った場合であり、図示の
ごとく、曲線10の方が長波長側のレスポンス特性が格段
に良くなっている。第３図、第４図に見られる改善効果
は、リン化亜鉛結晶中の前記正孔準位H1 H2 H3の密度の
大幅な減少によるものと考えられる。
化亜鉛結晶にCdS（硫化カドミウム）を蒸着してリン化
亜鉛/CdSヘテロ接合の太陽電池を作った例のバイアス電
圧−電流密度の特性を示すものである。曲線５、６は水
素添加を行っていない場合の順方向特性、逆方向特性を
示し、曲線７、８はリン化亜鉛結晶製造後に、プラズマ
電力密度0.25W/cm2で40分間、水素プラズマ中（圧力15P
a、水素流量100ml/分、基板温度100℃）で水素添加を行
った場合の順方向特性、逆方向特性を示している。図示
のように、曲線８は曲線６に対し逆方向のリーク電流が
３桁程度も大幅に改善されている。また、第４図はこの
太陽電池の分光感度特性を示すもので、曲線９は水素添
加を行っていない場合、曲線10は曲線７、８と同条件の
水素プラズマ中で水素添加を行った場合であり、図示の
ごとく、曲線10の方が長波長側のレスポンス特性が格段
に良くなっている。第３図、第４図に見られる改善効果
は、リン化亜鉛結晶中の前記正孔準位H1 H2 H3の密度の
大幅な減少によるものと考えられる。
次に、リン化亜鉛結晶を減圧気相成長法を用いて製造し
たあとで、プラズマ法（水素流量100ml/分、圧力25Pa、
プラズマ電力密度0.25W/cm2で40分間、基板温度100℃）
によって該結晶に水素添加をしたのち、該結晶にITO
（インジウム−スズ−オキサイド）を蒸着して、リン化
亜鉛/ITOヘテロ接合の太陽電池を作った。
たあとで、プラズマ法（水素流量100ml/分、圧力25Pa、
プラズマ電力密度0.25W/cm2で40分間、基板温度100℃）
によって該結晶に水素添加をしたのち、該結晶にITO
（インジウム−スズ−オキサイド）を蒸着して、リン化
亜鉛/ITOヘテロ接合の太陽電池を作った。
第５図は、上記のリン化亜鉛/ITOヘテロ接合の太陽電池
にAMI（太陽が天頂に達したとき）の擬似太陽光を照射
した場合の負荷特性を示す。図中の曲線11はスパッタエ
ッチングもせず、水素添加もしない場合を示し、曲線12
はプラズマ電力密度0.25W/cm2で10分間スパッタエッチ
ングのみをした場合を示し、曲線13はスパッタエッチン
グをしたうえ、更に水素プラズマ法により水素添加をし
た場合を示している。図示のごとく、本発明を用いた曲
線13は、何等の処理もしない場合の曲線11に比べ格段の
改善が見られ、スパッタエッチングのみ行われた場合の
曲線12に比べても大幅に改善されている。
にAMI（太陽が天頂に達したとき）の擬似太陽光を照射
した場合の負荷特性を示す。図中の曲線11はスパッタエ
ッチングもせず、水素添加もしない場合を示し、曲線12
はプラズマ電力密度0.25W/cm2で10分間スパッタエッチ
ングのみをした場合を示し、曲線13はスパッタエッチン
グをしたうえ、更に水素プラズマ法により水素添加をし
た場合を示している。図示のごとく、本発明を用いた曲
線13は、何等の処理もしない場合の曲線11に比べ格段の
改善が見られ、スパッタエッチングのみ行われた場合の
曲線12に比べても大幅に改善されている。
一般に、リン化亜鉛結晶では多結晶、単結晶にかかわら
ず、その表面は厚さ100Å程度にリン原子が抜けている
ため、リン化亜鉛を電子デバイス用に使用する場合、そ
の表面を100Å程度スパッタエッチング等で削り取ると
電気的・光学的特性が相当改善される。これに加えてリ
ン化亜鉛結晶に水素添加すると、スパッタエッチングの
みの場合に比べて少なくとも30％以上変換効率が上昇
し、かつこれに伴い開放端電圧の向上も認められた。
ず、その表面は厚さ100Å程度にリン原子が抜けている
ため、リン化亜鉛を電子デバイス用に使用する場合、そ
の表面を100Å程度スパッタエッチング等で削り取ると
電気的・光学的特性が相当改善される。これに加えてリ
ン化亜鉛結晶に水素添加すると、スパッタエッチングの
みの場合に比べて少なくとも30％以上変換効率が上昇
し、かつこれに伴い開放端電圧の向上も認められた。
なお、前記各実施例では、II−Ｖ族化合物半導体として
リン化亜鉛の例を示したが、同族の他の化合物（例えば
ヒ素化カドミウムなど）に対しても、同様に実施でき
る。また、前記各実施例ではリン化亜鉛結晶に水素原子
を添加した例のみを示したが、水素原子と同様に、その
ラジカル寿命、イオン寿命の長いハロゲン原子を添加し
ても同様の実施が可能である。
リン化亜鉛の例を示したが、同族の他の化合物（例えば
ヒ素化カドミウムなど）に対しても、同様に実施でき
る。また、前記各実施例ではリン化亜鉛結晶に水素原子
を添加した例のみを示したが、水素原子と同様に、その
ラジカル寿命、イオン寿命の長いハロゲン原子を添加し
ても同様の実施が可能である。
〈発明の効果〉 本発明によれば、半導体の薄膜又は結晶を製造する従来
からの方法を用いて製造したII−Ｖ族化合物半導体の薄
膜又は結晶中の、II族原子の空原子（空孔）を水素又は
ハロゲン元素（フッ素、塩素、臭素、沃素）の添加（注
入、拡散）により埋めることにより、これら空原子（空
孔）に起因する固有欠陥準位密度が、II−Ｖ族化合物半
導体の薄膜又は結晶を電子デバイス（太陽電池、セン
サ、レーザ、トランジスタ、ダイオード等）用として実
用に供し得る程度までに減少されるため、今までは電子
デバイス用としては欠陥半導体であるために実用に供し
得ずとして見過ごされてきた地球上に豊富に埋蔵されて
いるリン化亜鉛等のII−Ｖ族化合物半導体を、電子デバ
イス用として実用に供し得る程度までにその電気的・光
学的特性を改善できるという効果を生ずる。
からの方法を用いて製造したII−Ｖ族化合物半導体の薄
膜又は結晶中の、II族原子の空原子（空孔）を水素又は
ハロゲン元素（フッ素、塩素、臭素、沃素）の添加（注
入、拡散）により埋めることにより、これら空原子（空
孔）に起因する固有欠陥準位密度が、II−Ｖ族化合物半
導体の薄膜又は結晶を電子デバイス（太陽電池、セン
サ、レーザ、トランジスタ、ダイオード等）用として実
用に供し得る程度までに減少されるため、今までは電子
デバイス用としては欠陥半導体であるために実用に供し
得ずとして見過ごされてきた地球上に豊富に埋蔵されて
いるリン化亜鉛等のII−Ｖ族化合物半導体を、電子デバ
イス用として実用に供し得る程度までにその電気的・光
学的特性を改善できるという効果を生ずる。
第１図及び第２図は、本発明の二つの実施例に係るもの
で、減圧気相成長法を用いて結晶を製造した後に、水素
原子を添加しないリン化亜鉛多結晶と、その後、プラズ
マ法によって水素原子を添加したリン化亜鉛半導体多結
晶とのショットキーダイオードの欠陥準位密度スペクト
ル図、第３図及び第４図は本発明の１番目の実施例によ
り作られたリン化亜鉛結晶とCdSとのヘテロ接合太陽電
池の電流−電圧特性及び分光感度特性を示す図、第５図
は本発明の２番目の実施例により作られたリン化亜鉛と
ITOとのヘテロ接合太陽電池におけるAMI照射負荷特性を
示す図、第６図はリン化亜鉛の結晶構造を正方晶と捉え
た場合を示す図、第７図は第６図を45度回転しリン化亜
鉛を擬ホタル石構造と捉えた場合を示す図である。
で、減圧気相成長法を用いて結晶を製造した後に、水素
原子を添加しないリン化亜鉛多結晶と、その後、プラズ
マ法によって水素原子を添加したリン化亜鉛半導体多結
晶とのショットキーダイオードの欠陥準位密度スペクト
ル図、第３図及び第４図は本発明の１番目の実施例によ
り作られたリン化亜鉛結晶とCdSとのヘテロ接合太陽電
池の電流−電圧特性及び分光感度特性を示す図、第５図
は本発明の２番目の実施例により作られたリン化亜鉛と
ITOとのヘテロ接合太陽電池におけるAMI照射負荷特性を
示す図、第６図はリン化亜鉛の結晶構造を正方晶と捉え
た場合を示す図、第７図は第６図を45度回転しリン化亜
鉛を擬ホタル石構造と捉えた場合を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−95318（ＪＰ，Ａ) 固体物理15（1980年）〔７〕（７月) Ｐ．37−47 第29回応用物理学関係連合講演会講演予 稿集（1982年４月）Ｐ．665−666 第30回応用物理学関係連合講演会講演予 稿集（1983年４月）Ｐ．467
Claims (1)
- 【請求項１】II−Ｖ族化合物半導体の薄膜又は結晶を製
造した後に、該薄膜又は結晶に、水素又はハロゲン元素
の少なくとも一種類を添加（注入、拡散）したII−Ｖ族
化合物半導体の薄膜又は結晶の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045307A JPH0783031B2 (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | ▲ｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の薄膜又は結晶の製造方法 |
| US06/708,406 US4629514A (en) | 1984-03-08 | 1985-03-05 | Method of producing II-V compound semiconductors |
| DE8585301514T DE3562634D1 (en) | 1984-03-08 | 1985-03-05 | Semiconductor production method |
| EP85301514A EP0161747B1 (en) | 1984-03-08 | 1985-03-05 | Semiconductor production method |
| AU39609/85A AU571815B2 (en) | 1984-03-08 | 1985-03-06 | Producing 2-5 compound semi conductors |
| CA000476104A CA1250209A (en) | 1984-03-08 | 1985-03-08 | Method of producing ii-v compound semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045307A JPH0783031B2 (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | ▲ｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の薄膜又は結晶の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6154141A Division JP2514169B2 (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | Ｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216535A JPS60216535A (ja) | 1985-10-30 |
| JPH0783031B2 true JPH0783031B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=12715654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59045307A Expired - Lifetime JPH0783031B2 (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | ▲ｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の薄膜又は結晶の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4629514A (ja) |
| EP (1) | EP0161747B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0783031B2 (ja) |
| AU (1) | AU571815B2 (ja) |
| CA (1) | CA1250209A (ja) |
| DE (1) | DE3562634D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3609503A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Heizwiderstandselement und heizwiderstand unter verwendung desselben |
| US4845513A (en) * | 1985-03-23 | 1989-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal recording head |
| US4783369A (en) * | 1985-03-23 | 1988-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat-generating resistor and heat-generating resistance element using same |
| DE3609691A1 (de) * | 1985-03-23 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Thermischer schreibkopf |
| DE3609975A1 (de) * | 1985-03-25 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Thermoaufzeichnungskopf |
| GB2176443B (en) * | 1985-06-10 | 1990-11-14 | Canon Kk | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| WO1987003740A1 (fr) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Procede de formation d'une fine pellicule de semiconducteur compose |
| EP0308814B1 (en) * | 1987-09-21 | 1993-01-27 | National Semiconductor Corporation | Modification of interfacial fields between dielectrics and semiconductors |
| GB2280309B (en) * | 1993-06-22 | 1997-05-07 | Mitsubishi Chem Ind | Method of manufacturing a group II-VI compound semiconductor |
| US5518935A (en) * | 1994-06-17 | 1996-05-21 | At&T Corp. | Hydrogenation of photoresponsive semiconductor devices |
| US5541118A (en) * | 1995-05-22 | 1996-07-30 | Midwest Research Institute | Process for producing cadmium sulfide on a cadmium telluride surface |
| US5744202A (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-28 | Xerox Corporation | Enhancement of hydrogenation of materials encapsulated by an oxide |
| CN101861213A (zh) * | 2008-01-15 | 2010-10-13 | 第一太阳能有限公司 | 等离子体处理的光伏器件 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3230044A (en) * | 1962-08-10 | 1966-01-18 | Rca Corp | Monoclinic zinc phosphide preparation |
| US3297403A (en) * | 1964-03-26 | 1967-01-10 | American Cyanamid Co | Method for the preparation of intermetallic compounds |
| JPS5595318A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Production of amorphous film |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP59045307A patent/JPH0783031B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-05 US US06/708,406 patent/US4629514A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-03-05 EP EP85301514A patent/EP0161747B1/en not_active Expired
- 1985-03-05 DE DE8585301514T patent/DE3562634D1/de not_active Expired
- 1985-03-06 AU AU39609/85A patent/AU571815B2/en not_active Ceased
- 1985-03-08 CA CA000476104A patent/CA1250209A/en not_active Expired
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 固体物理１５（１９８０年）〔７〕（７月）Ｐ．３７−４７ |
| 第２９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集（１９８２年４月）Ｐ．６６５−６６６ |
| 第３０回応用物理学関係連合講演会講演予稿集（１９８３年４月）Ｐ．４６７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0161747B1 (en) | 1988-05-11 |
| DE3562634D1 (en) | 1988-06-16 |
| CA1250209A (en) | 1989-02-21 |
| AU3960985A (en) | 1985-09-12 |
| AU571815B2 (en) | 1988-04-21 |
| US4629514A (en) | 1986-12-16 |
| JPS60216535A (ja) | 1985-10-30 |
| EP0161747A1 (en) | 1985-11-21 |
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