JPH078324B2 - 沈降機能を備えた沈殿装置 - Google Patents
沈降機能を備えた沈殿装置Info
- Publication number
- JPH078324B2 JPH078324B2 JP3138589A JP13858991A JPH078324B2 JP H078324 B2 JPH078324 B2 JP H078324B2 JP 3138589 A JP3138589 A JP 3138589A JP 13858991 A JP13858991 A JP 13858991A JP H078324 B2 JPH078324 B2 JP H078324B2
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- Japan
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- settling
- inclined plate
- accelerator
- water
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、上水，産業用水，下
水，し尿，産業廃水等の各種水処理における固液分離操
作を行うための沈殿装置に関するものである。
水，し尿，産業廃水等の各種水処理における固液分離操
作を行うための沈殿装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種水処理において用いられる沈
殿装置として、槽内に傾斜板又は傾斜管等の傾斜沈降促
進体を多数配設し、沈降面積を増大すると共に流れ状況
を改善し、ＳＳ沈降促進機能をもたせて処理効率を向上
させた沈殿装置が利用されている。ところで、傾斜板又
は傾斜管等によるＳＳ沈降の促進効果は著しいものがあ
るものの、傾斜面上に沈降堆積した汚泥の下方部への落
下は容易でなく、堆積汚泥による傾斜板間の間隙や傾斜
管内部の閉塞、堆積汚泥の腐敗によって、かえって処理
水の水質が悪化することが欠点であり、堆積汚泥の定期
的な洗浄操作に要する設備、労力は大なるものがあり、
特に活性汚泥の沈殿装置においてその傾向が著しいもの
があった。
殿装置として、槽内に傾斜板又は傾斜管等の傾斜沈降促
進体を多数配設し、沈降面積を増大すると共に流れ状況
を改善し、ＳＳ沈降促進機能をもたせて処理効率を向上
させた沈殿装置が利用されている。ところで、傾斜板又
は傾斜管等によるＳＳ沈降の促進効果は著しいものがあ
るものの、傾斜面上に沈降堆積した汚泥の下方部への落
下は容易でなく、堆積汚泥による傾斜板間の間隙や傾斜
管内部の閉塞、堆積汚泥の腐敗によって、かえって処理
水の水質が悪化することが欠点であり、堆積汚泥の定期
的な洗浄操作に要する設備、労力は大なるものがあり、
特に活性汚泥の沈殿装置においてその傾向が著しいもの
があった。
【０００３】さらに、他の大きな欠点として、藻類，細
菌類が発生、繁殖することが挙げられている。これらの
藻類等は、十分な太陽光線等の照射を受け、ほどよい水
温となる液面下の光線入射部分付近において発生、繁殖
し、ＳＳ沈降機能を損ない、処理水水質を悪化させる。
このような藻類等の障害を除くには照射光線をさえぎる
覆蓋を設けることが有効であるが、覆蓋を設けることは
設備費が膨大になるほか、沈殿装置の維持管理を困難に
する。また、定期的に流入原水に対して、加熱殺菌，紫
外線殺菌，超音波細胞破壊，電気殺菌，ガス殺菌，高磁
場殺菌，凍結殺菌，放射線殺菌，ハロゲン系・界面活性
剤系による薬剤殺菌等によって藻類，細菌類の発生を抑
制又は死滅させることができるが、そのための設備は大
がかりとなり、処理水の用途によっては殺菌方法に制限
を受けることになる。
菌類が発生、繁殖することが挙げられている。これらの
藻類等は、十分な太陽光線等の照射を受け、ほどよい水
温となる液面下の光線入射部分付近において発生、繁殖
し、ＳＳ沈降機能を損ない、処理水水質を悪化させる。
このような藻類等の障害を除くには照射光線をさえぎる
覆蓋を設けることが有効であるが、覆蓋を設けることは
設備費が膨大になるほか、沈殿装置の維持管理を困難に
する。また、定期的に流入原水に対して、加熱殺菌，紫
外線殺菌，超音波細胞破壊，電気殺菌，ガス殺菌，高磁
場殺菌，凍結殺菌，放射線殺菌，ハロゲン系・界面活性
剤系による薬剤殺菌等によって藻類，細菌類の発生を抑
制又は死滅させることができるが、そのための設備は大
がかりとなり、処理水の用途によっては殺菌方法に制限
を受けることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
沈殿装置の問題点を解決し、水中における藻類，細菌類
の発生を抑制又は死滅させ、処理水中に有害物質を含ま
ず、処理水の用途に制限を受けることなく、沈降促進効
果をさらに向上させることができる経済的な沈降機能を
備えた沈殿装置を提供することを目的としている。
沈殿装置の問題点を解決し、水中における藻類，細菌類
の発生を抑制又は死滅させ、処理水中に有害物質を含ま
ず、処理水の用途に制限を受けることなく、沈降促進効
果をさらに向上させることができる経済的な沈降機能を
備えた沈殿装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、沈殿槽内に傾
斜沈降促進体を配設した沈殿装置において、前記傾斜沈
降促進体の表面に溶射による光半導体被膜を直接又は転
写して形成するか、前記光半導体被膜が施された材料を
貼着、固定したことを特徴とする沈降機能を備えた沈殿
装置である。
斜沈降促進体を配設した沈殿装置において、前記傾斜沈
降促進体の表面に溶射による光半導体被膜を直接又は転
写して形成するか、前記光半導体被膜が施された材料を
貼着、固定したことを特徴とする沈降機能を備えた沈殿
装置である。
【０００６】
【作用】本発明の沈殿装置では、沈殿槽内に配設された
傾斜板又は傾斜管等の傾斜沈降促進体の水面下の表面に
被膜として形成されている光半導体の殺菌作用により、
太陽光線等の光照射による藻類，細菌類の発生を抑制又
は死滅させ、処理水水質の悪化を防ぎ、また傾斜沈降促
進体表面の光半導体被膜は溶射により形成されているの
で、表面粗度が小さくなっており、被膜上に到達したＳ
Ｓ分は容易に滑り落ち、沈降促進機能はさらに向上す
る。なお、光半導体被膜は研磨加工等が容易であり、さ
らに表面を平滑にすることができる。また、光半導体
は、全く薬剤等を必要とせず、有毒物質を溶出すること
なく、藻類，細菌類の発生を抑制又は死滅させる効果が
あるため、処理水の用途如何にかかわらず使用すること
ができる。
傾斜板又は傾斜管等の傾斜沈降促進体の水面下の表面に
被膜として形成されている光半導体の殺菌作用により、
太陽光線等の光照射による藻類，細菌類の発生を抑制又
は死滅させ、処理水水質の悪化を防ぎ、また傾斜沈降促
進体表面の光半導体被膜は溶射により形成されているの
で、表面粗度が小さくなっており、被膜上に到達したＳ
Ｓ分は容易に滑り落ち、沈降促進機能はさらに向上す
る。なお、光半導体被膜は研磨加工等が容易であり、さ
らに表面を平滑にすることができる。また、光半導体
は、全く薬剤等を必要とせず、有毒物質を溶出すること
なく、藻類，細菌類の発生を抑制又は死滅させる効果が
あるため、処理水の用途如何にかかわらず使用すること
ができる。
【０００７】光半導体は、光を当てると価電子帯の電子
が伝導体に励起され、価電子帯に正孔が生じる。伝導体
に励起された電子は価電子帯の電子よりバンドギャップ
分だけエネルギーが高いために還元力が強く、価電子帯
の正孔は伝導体の空準位よりバンドギャップ分だけ電子
親和力が大きいので酸化能力が高い。そして、光照射を
施すことによって、通常熱エネルギーでは容易に起こせ
ない化学作用を誘起でき、生物の活性抑制、殺滅機能を
果たすことができるのである。従って、傾斜沈降促進体
表面に光半導体被膜を形成するに際しては、沈殿槽の設
置が屋外、屋内を問わず、水中の光線が入射する部分の
傾斜沈降促進体表面に形成するとよい。
が伝導体に励起され、価電子帯に正孔が生じる。伝導体
に励起された電子は価電子帯の電子よりバンドギャップ
分だけエネルギーが高いために還元力が強く、価電子帯
の正孔は伝導体の空準位よりバンドギャップ分だけ電子
親和力が大きいので酸化能力が高い。そして、光照射を
施すことによって、通常熱エネルギーでは容易に起こせ
ない化学作用を誘起でき、生物の活性抑制、殺滅機能を
果たすことができるのである。従って、傾斜沈降促進体
表面に光半導体被膜を形成するに際しては、沈殿槽の設
置が屋外、屋内を問わず、水中の光線が入射する部分の
傾斜沈降促進体表面に形成するとよい。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照しながら説明す
れば、図１は沈殿槽１内に傾斜沈降促進体として傾斜板
２を配設した傾斜板沈殿装置の一例を示し、架台３に取
り付けられた吊下げロッド４に傾斜板２を載荷する網状
の支持枠５が吊下げアングル６を介して沈殿槽１内に吊
下げられ、支持枠５の区画された部分に傾斜板２がそれ
ぞれ傾斜して支持されている。７は水面を示す。さら
に、各傾斜板２の表面には、図２に示すように光半導体
被膜Ｃが形成されている。光半導体被膜Ｃは、TiO2,CdS
e, SrTiO2 などの酸化還元の電位を有する半導体を微粉
末とし、塩化ビニール等の高温弱体の傾斜板２の表面上
にも溶射可能な低温溶射技術により溶射して形成する。
例えば、TiO2の微粉末又はこれに白金等の貴金属を添加
した融点が約２０００℃以下の材料を、溶融エネルギー
としてガス燃焼炎を使用して約３０００℃で瞬間的に溶
融し、布や金属箔などの基材上に厚さ１０〜３００μｍ
の被膜を大気中でバインダなどの介在なしで形成し、こ
れを傾斜板２の表面に接着、固定したり、あるいは直接
傾斜板２に光半導体被膜Ｃを形成し、あるいはプラスチ
ックフィルム基材等の上に溶射した光半導体被膜を傾斜
板２の表面に接着剤を利用して転写する。傾斜板２は重
量をできるだけ小さくするために、軽量材料にて薄手に
作られている高温弱体のものが多いが、この場合には低
温溶射法によって傾斜板２の表面に光半導体被膜Ｃを形
成することもできる。溶射により、形成される光半導体
被膜Ｃは、微粉末粒子間の溶融結合により形成されるも
ので、表面粗度においてすぐれており、傾斜板２の表面
に沈降したＳＳが滑りやすく、傾斜板２への汚泥堆積防
止効果も期待することができる。
れば、図１は沈殿槽１内に傾斜沈降促進体として傾斜板
２を配設した傾斜板沈殿装置の一例を示し、架台３に取
り付けられた吊下げロッド４に傾斜板２を載荷する網状
の支持枠５が吊下げアングル６を介して沈殿槽１内に吊
下げられ、支持枠５の区画された部分に傾斜板２がそれ
ぞれ傾斜して支持されている。７は水面を示す。さら
に、各傾斜板２の表面には、図２に示すように光半導体
被膜Ｃが形成されている。光半導体被膜Ｃは、TiO2,CdS
e, SrTiO2 などの酸化還元の電位を有する半導体を微粉
末とし、塩化ビニール等の高温弱体の傾斜板２の表面上
にも溶射可能な低温溶射技術により溶射して形成する。
例えば、TiO2の微粉末又はこれに白金等の貴金属を添加
した融点が約２０００℃以下の材料を、溶融エネルギー
としてガス燃焼炎を使用して約３０００℃で瞬間的に溶
融し、布や金属箔などの基材上に厚さ１０〜３００μｍ
の被膜を大気中でバインダなどの介在なしで形成し、こ
れを傾斜板２の表面に接着、固定したり、あるいは直接
傾斜板２に光半導体被膜Ｃを形成し、あるいはプラスチ
ックフィルム基材等の上に溶射した光半導体被膜を傾斜
板２の表面に接着剤を利用して転写する。傾斜板２は重
量をできるだけ小さくするために、軽量材料にて薄手に
作られている高温弱体のものが多いが、この場合には低
温溶射法によって傾斜板２の表面に光半導体被膜Ｃを形
成することもできる。溶射により、形成される光半導体
被膜Ｃは、微粉末粒子間の溶融結合により形成されるも
ので、表面粗度においてすぐれており、傾斜板２の表面
に沈降したＳＳが滑りやすく、傾斜板２への汚泥堆積防
止効果も期待することができる。
【０００９】傾斜板２以外の傾斜沈降促進体としては、
図３に示すようなフィン付傾斜板２1 、図４に示すよう
なハニカム状の傾斜管２2 があり、これらの傾斜沈降促
進体表面（図４では各傾斜管２2 の内面）に光半導体被
膜Ｃを形成する。
図３に示すようなフィン付傾斜板２1 、図４に示すよう
なハニカム状の傾斜管２2 があり、これらの傾斜沈降促
進体表面（図４では各傾斜管２2 の内面）に光半導体被
膜Ｃを形成する。
【００１０】
【表１】
【００１１】なお、このような光半導体被膜Ｃは、傾斜
沈降促進体のみに形成させるだけではなく、傾斜沈降促
進体を支持する支持部材や槽内壁面にも設けることがで
き、沈殿槽１が屋外に設置される場合は太陽光線が入射
する水面下の部分、また屋内に設置される場合は屋内照
明が入射する水面下の部分に限定して形成することがで
きる。
沈降促進体のみに形成させるだけではなく、傾斜沈降促
進体を支持する支持部材や槽内壁面にも設けることがで
き、沈殿槽１が屋外に設置される場合は太陽光線が入射
する水面下の部分、また屋内に設置される場合は屋内照
明が入射する水面下の部分に限定して形成することがで
きる。
【００１２】次に実験例を示す。本発明の実験条件を表
１に、傾斜板に付着した藻類に関する実験結果を表２
に、傾斜板に付着した細菌類に関する実験結果を表３に
示し、傾斜板に光半導体被膜を形成しない従来例の実験
結果も表２及び表３に併記した。
１に、傾斜板に付着した藻類に関する実験結果を表２
に、傾斜板に付着した細菌類に関する実験結果を表３に
示し、傾斜板に光半導体被膜を形成しない従来例の実験
結果も表２及び表３に併記した。
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、沈
殿装置に配設された傾斜沈降促進体の表面に溶射による
光半導体被膜を形成したために、光照射による水中にお
ける藻類，細菌類の発生を抑制又は死滅を行い、有害物
質の溶出もなく処理水の用途如何にかかわらず使用する
ことができ、さらに光半導体被膜の表面粗度が小さく、
沈降したＳＳ分が容易に滑り落ち、沈降促進効果を一層
向上させることができるという極めて有益なる効果を奏
するものである。
殿装置に配設された傾斜沈降促進体の表面に溶射による
光半導体被膜を形成したために、光照射による水中にお
ける藻類，細菌類の発生を抑制又は死滅を行い、有害物
質の溶出もなく処理水の用途如何にかかわらず使用する
ことができ、さらに光半導体被膜の表面粗度が小さく、
沈降したＳＳ分が容易に滑り落ち、沈降促進効果を一層
向上させることができるという極めて有益なる効果を奏
するものである。
【図１】傾斜板沈殿装置の一例を示す一部省略縦断面図
である。
である。
【図２】本発明の傾斜板の横断面図である。
【図３】フィン付傾斜板の一部を示す斜視図である。
【図４】ハニカム状傾斜管の一部を示す斜視図である。
１ 沈殿槽 ２ 傾斜板 ２1 フィン付傾斜板 ２2 ハニカム状傾斜管 ３ 架台 ４ 吊下げロッド ５ 支持枠 ６ 吊下げアングル ７ 水面 Ｃ 光半導体被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜田 司 長野県木曽郡上松町大字荻原字川向諸原 1391番地３ 株式会社信州セラミックス内
Claims (2)
- 【請求項１】 沈殿槽内に傾斜沈降促進体を配設した沈
殿装置において、前記傾斜沈降促進体の表面に溶射によ
る光半導体被膜を直接又は転写して形成したことを特徴
とする沈降機能を備えた沈殿装置。 - 【請求項２】 沈殿槽内に傾斜沈降促進体を配設した沈
殿装置において、前記傾斜沈降促進体の表面に溶射によ
る光半導体被膜が施された材料を貼着、固定したことを
特徴とする沈降機能を備えた沈殿装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138589A JPH078324B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 沈降機能を備えた沈殿装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3138589A JPH078324B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 沈降機能を備えた沈殿装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04338202A JPH04338202A (ja) | 1992-11-25 |
| JPH078324B2 true JPH078324B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15225639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3138589A Expired - Fee Related JPH078324B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 沈降機能を備えた沈殿装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH078324B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2858942B1 (fr) * | 2003-08-19 | 2006-03-03 | Otv Sa | Module et bloc de decantation lamellaire a plaques pouvant etre verticales |
| KR100799763B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2008-02-01 | 주식회사 젠트로 | 침전지 격벽장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57184709U (ja) * | 1981-05-20 | 1982-11-24 | ||
| JPS61190062A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-23 | Shinshu Ceramic:Kk | 溶射処理物 |
| JPS61190063A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-23 | Shinshu Ceramic:Kk | 高温弱体に対する溶射方法 |
| JPS62254873A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-06 | Shinshu Ceramics:Kk | 溶射皮膜形成方法 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP3138589A patent/JPH078324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04338202A (ja) | 1992-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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