JPH0785471B2 - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH0785471B2 JPH0785471B2 JP27518690A JP27518690A JPH0785471B2 JP H0785471 B2 JPH0785471 B2 JP H0785471B2 JP 27518690 A JP27518690 A JP 27518690A JP 27518690 A JP27518690 A JP 27518690A JP H0785471 B2 JPH0785471 B2 JP H0785471B2
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- roller
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H10P72/0426—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複数のウエーハを支持した状態でこれらをエ
ッチング液に浸漬して該ウエーハ表面をエッチング処理
するためのエッチング装置に関する。
ッチング液に浸漬して該ウエーハ表面をエッチング処理
するためのエッチング装置に関する。
（従来の技術） 半導体デバイスの基板として用いられる半導体ウエーハ
は、例えばシリコン等の単結晶インゴットをその棒軸方
向に略直角にスライスし、スライスして得られたものに
対してラッピング、エッチング、ポリッシング等の処理
を施すことによって得られる。
は、例えばシリコン等の単結晶インゴットをその棒軸方
向に略直角にスライスし、スライスして得られたものに
対してラッピング、エッチング、ポリッシング等の処理
を施すことによって得られる。
ところで、半導体ウエーハのエッチング処理はエッチン
グ装置によってなされるが、このエッチング装置は、ウ
エーハを支持すべき係合溝を軸方向に複数形成して成る
少なくとも２本のメインローラと、ウエーハを支持すべ
き係合溝を軸方向に複数形成して成る押さえ部材とをド
ラム枠状のケーシング内に互いに平行に配するととも
に、前記メインローラを駆動機構により回転自在とした
ものである。
グ装置によってなされるが、このエッチング装置は、ウ
エーハを支持すべき係合溝を軸方向に複数形成して成る
少なくとも２本のメインローラと、ウエーハを支持すべ
き係合溝を軸方向に複数形成して成る押さえ部材とをド
ラム枠状のケーシング内に互いに平行に配するととも
に、前記メインローラを駆動機構により回転自在とした
ものである。
而して、上記エッチング装置のメインローラと押え部材
に形成された各係合溝に１枚のウエーハを係合させてこ
れを垂直に支持することによってケーシングに多数のウ
エーハを適当な間隔をあけて長さ方向に整然と支持せし
め、ケーシングをウエーハと共に槽内のエッチング液中
に浸漬させる。このとき、駆動機構によってメインロー
ラを回転駆動すれば、メインローラに支持される全ウエ
ーハがエッチング液中で回転し、各ウエーハの表面は一
様にエッチングされる。
に形成された各係合溝に１枚のウエーハを係合させてこ
れを垂直に支持することによってケーシングに多数のウ
エーハを適当な間隔をあけて長さ方向に整然と支持せし
め、ケーシングをウエーハと共に槽内のエッチング液中
に浸漬させる。このとき、駆動機構によってメインロー
ラを回転駆動すれば、メインローラに支持される全ウエ
ーハがエッチング液中で回転し、各ウエーハの表面は一
様にエッチングされる。
（発明が解決しようとする課題） ところで、一般に半導体ウエーハにはその外周の一部に
結晶方位を示すオリエンテーションフラット（以下、OF
と略称する）が形成されるが、斯かるOFが形成された半
導体フエーハを従来のエッチング装置によってエッチン
グ処理する場合には次のような問題が生ずる。
結晶方位を示すオリエンテーションフラット（以下、OF
と略称する）が形成されるが、斯かるOFが形成された半
導体フエーハを従来のエッチング装置によってエッチン
グ処理する場合には次のような問題が生ずる。
即ち、半導体ウエーハのOF部がメインローラに当接する
毎に半導体ウエーハがケーシング内で径方向に移動する
ため、ウエーハの外周部が衝撃によってダメージを受け
たり、或いはウエーハの回転にムラが生じて不均一なエ
ッチングが行なわれ、ウエーハの歩留りが悪くなるとい
う問題が発生する。
毎に半導体ウエーハがケーシング内で径方向に移動する
ため、ウエーハの外周部が衝撃によってダメージを受け
たり、或いはウエーハの回転にムラが生じて不均一なエ
ッチングが行なわれ、ウエーハの歩留りが悪くなるとい
う問題が発生する。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的と
する処は、回転中のウエーハの径方向の移動を阻止して
該ウエーハが受けるダエージを最小限に抑えるととも
に、ウエーハの厚さ方向の動きをも拘束し、ウエーハの
回転ムラを防いで均一なエッチングを可能とするエッチ
ング装置を提供することにある。
する処は、回転中のウエーハの径方向の移動を阻止して
該ウエーハが受けるダエージを最小限に抑えるととも
に、ウエーハの厚さ方向の動きをも拘束し、ウエーハの
回転ムラを防いで均一なエッチングを可能とするエッチ
ング装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するべく本発明は、ウエーハを支持すべ
き係合溝を軸方向に複数形成して成る少なくとも２本の
メインローラと、ウエーハを支持すべき係合溝を軸方向
に複数形成して成る押え部材とをドラム枠状のケーシン
グ内に互いに平行に配するとともに、前記メインローラ
を駆動機構により回転自在としたエッチング装置におい
て、前記ケーシング内の前記メインローラ間及び該メイ
ンローラと前記押え部材間の適当な角度位置に、前記駆
動機構によって回転される補助ローラを前記メインロー
ラと平行に配し、２本の前記メインローラの各々の外周
にリング状の櫛歯を軸方向に複数設け、これら複数の櫛
歯間には、ウエーハの外周が係合すべき係合溝を形成
し、各櫛歯には複数のスリットを放射状に形成するとと
もに、前記係合溝は前記スリットを介して互いに連通さ
せ、ウエーハのオリエンテーションフラットを除く外周
部を前記メインローラ及び／又は補助ローラにより支持
しつつ、該ウエーハを回転させるようにしたことをその
特徴とする。
き係合溝を軸方向に複数形成して成る少なくとも２本の
メインローラと、ウエーハを支持すべき係合溝を軸方向
に複数形成して成る押え部材とをドラム枠状のケーシン
グ内に互いに平行に配するとともに、前記メインローラ
を駆動機構により回転自在としたエッチング装置におい
て、前記ケーシング内の前記メインローラ間及び該メイ
ンローラと前記押え部材間の適当な角度位置に、前記駆
動機構によって回転される補助ローラを前記メインロー
ラと平行に配し、２本の前記メインローラの各々の外周
にリング状の櫛歯を軸方向に複数設け、これら複数の櫛
歯間には、ウエーハの外周が係合すべき係合溝を形成
し、各櫛歯には複数のスリットを放射状に形成するとと
もに、前記係合溝は前記スリットを介して互いに連通さ
せ、ウエーハのオリエンテーションフラットを除く外周
部を前記メインローラ及び／又は補助ローラにより支持
しつつ、該ウエーハを回転させるようにしたことをその
特徴とする。
（作用） 本発明によれば、OFを有するウエーハであっても、OFが
どの角度位置にあっても該ウエーハはその外周部（OF部
を除く円弧状外周部）の少なくとも２点をメインローラ
及び／又は補助ローラによって支持されるため、ウエー
ハの軸心は変化せず、該ウエーハの径方向の移動が阻止
されてその外周部がダメージを受けず、ウエーハの回転
ムラが防がれて均一なエッチングが可能となる。
どの角度位置にあっても該ウエーハはその外周部（OF部
を除く円弧状外周部）の少なくとも２点をメインローラ
及び／又は補助ローラによって支持されるため、ウエー
ハの軸心は変化せず、該ウエーハの径方向の移動が阻止
されてその外周部がダメージを受けず、ウエーハの回転
ムラが防がれて均一なエッチングが可能となる。
また本発明では、メインローラに所定の態様で設けたリ
ング状櫛歯が、メインローラの隣接する二つの係合溝間
の仕切り壁として作用するので、何らかの原因でケーシ
ングに比較的大きな衝撃力が作用したときにも、ウエー
ハがその厚さ方向に移動してその外周部が隣の係合溝に
係合する不具合が防止され、ウエーハ外周部をメインロ
ーラの所定位置の係合溝に確実に係合・拘束することが
できる。
ング状櫛歯が、メインローラの隣接する二つの係合溝間
の仕切り壁として作用するので、何らかの原因でケーシ
ングに比較的大きな衝撃力が作用したときにも、ウエー
ハがその厚さ方向に移動してその外周部が隣の係合溝に
係合する不具合が防止され、ウエーハ外周部をメインロ
ーラの所定位置の係合溝に確実に係合・拘束することが
できる。
さらに本発明では、メインローラの隣接する二つの係合
溝同士を、前記リング状櫛歯に形成したスリットを介し
て互いに連通させたもので、ウエーハ外周部近傍におけ
るエッチング液の流通が円滑になり、エッチングの均一
性が向上する。
溝同士を、前記リング状櫛歯に形成したスリットを介し
て互いに連通させたもので、ウエーハ外周部近傍におけ
るエッチング液の流通が円滑になり、エッチングの均一
性が向上する。
（実施例） 以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るエッチング装置のケーシングの縦
断面図、第２図は第１図のII−II線拡大断面図、第３図
は第１図の矢視III−III線方向の図、第４図は第３図の
IV−IV線断面図、第５図はエッチング装置の模式的平面
図である。
断面図、第２図は第１図のII−II線拡大断面図、第３図
は第１図の矢視III−III線方向の図、第４図は第３図の
IV−IV線断面図、第５図はエッチング装置の模式的平面
図である。
第１図において、１はポリ塩化ビニール（PVC）製のケ
ーシングであって、これは両端の側板2,2とこれら側板
2,2間に配される３枚の支持板３…を丸棒状の３本の補
強バー４…によって連結一体化して枠状に成形されてい
る。
ーシングであって、これは両端の側板2,2とこれら側板
2,2間に配される３枚の支持板３…を丸棒状の３本の補
強バー４…によって連結一体化して枠状に成形されてい
る。
そして、上記ケーシング１の側板2,2と支持板３…には
２本のメインローラA,Bが互いに平行に、且つ回転自在
に挿通して支持されており、これらは第２図に示すよう
に水平面から角度αA,αＢの位置に配されている。これ
らメインローラA,Bの各々の外周にはリング状の櫛歯５
が軸方向に複数形成されており、これら複数の櫛歯５…
の間には後述のウエーハＷ（第２図参照）の外周部が係
合すべき係合溝６…が形成されている。換言すると、隣
接する二つの係合溝6,6が、区画壁としての櫛歯５によ
って仕切られている。また、各櫛歯５には第２図に示す
ように８つのスリット5a…が放射状に形成されており、
前記係合溝６…はスリット5a…を介して互いに連通して
いる。
２本のメインローラA,Bが互いに平行に、且つ回転自在
に挿通して支持されており、これらは第２図に示すよう
に水平面から角度αA,αＢの位置に配されている。これ
らメインローラA,Bの各々の外周にはリング状の櫛歯５
が軸方向に複数形成されており、これら複数の櫛歯５…
の間には後述のウエーハＷ（第２図参照）の外周部が係
合すべき係合溝６…が形成されている。換言すると、隣
接する二つの係合溝6,6が、区画壁としての櫛歯５によ
って仕切られている。また、各櫛歯５には第２図に示す
ように８つのスリット5a…が放射状に形成されており、
前記係合溝６…はスリット5a…を介して互いに連通して
いる。
又、ケーシング１の上半部であって、水平面からα７の
角度位置（第２図参照）には、ポリ塩化ビニール製のプ
レート状の押え部材７が前記メインローラA,Bと平行に
架設されており、該押え部材７の内側部分には第４図に
示すように複数の櫛歯８…が長さ方向に形成されてお
り、これらの櫛歯８…の間にはウエーハＷの外周部が係
合すべき係合溝９…が形成されている。尚、この係合溝
９…の数とピッチはメインローラA,Bに形成された前記
係合溝６…のそれらと同一に設定されている。
角度位置（第２図参照）には、ポリ塩化ビニール製のプ
レート状の押え部材７が前記メインローラA,Bと平行に
架設されており、該押え部材７の内側部分には第４図に
示すように複数の櫛歯８…が長さ方向に形成されてお
り、これらの櫛歯８…の間にはウエーハＷの外周部が係
合すべき係合溝９…が形成されている。尚、この係合溝
９…の数とピッチはメインローラA,Bに形成された前記
係合溝６…のそれらと同一に設定されている。
而して、本実施例では、第２図に示すように、ケーシン
グ１内におけるメインローラA,Bの間、メインローラＢ
と押え部材７の間、押え部材７とメインローラＡとの間
にはそれぞれポリ塩化ビニール製の補助ローラa,b,cが
メインローラA,B及び押え部材７に対して平行、且つ回
転自在に配されている。尚、これら補助ローラa,,b,cと
メインローラA,Bとはその軸心が略同一ピッチ円上に位
置するように配され、補助ローラa,b,cは第２図に示す
βａ（＝90゜）、βb,βｃの角度位置にそれぞれ配され
ている。
グ１内におけるメインローラA,Bの間、メインローラＢ
と押え部材７の間、押え部材７とメインローラＡとの間
にはそれぞれポリ塩化ビニール製の補助ローラa,b,cが
メインローラA,B及び押え部材７に対して平行、且つ回
転自在に配されている。尚、これら補助ローラa,,b,cと
メインローラA,Bとはその軸心が略同一ピッチ円上に位
置するように配され、補助ローラa,b,cは第２図に示す
βａ（＝90゜）、βb,βｃの角度位置にそれぞれ配され
ている。
一方、第１図に示すようにケーシング１の前記側板2,2
には軸10,11が水平に突設されており、一方の軸11には
駆動ギヤ12及びセンターギヤ13が自由回転自在に遊嵌さ
れており、センターギヤ13は第３図に示すように前記メ
インローラA,Bの端部に結着されたローラギヤ14,14と前
記補助ローラa,b,cの端部に結着されたローラギヤ15…
に噛合している。尚、駆動ギヤ12はモータ等の不図示の
駆動源の出力軸に結着されたギヤに噛合している。又、
上記駆動ギヤ12、センターギヤ13及びローラギヤ14,1
4、15…の材質としては全てポリ塩化ビニール（PVC）が
採用されている。
には軸10,11が水平に突設されており、一方の軸11には
駆動ギヤ12及びセンターギヤ13が自由回転自在に遊嵌さ
れており、センターギヤ13は第３図に示すように前記メ
インローラA,Bの端部に結着されたローラギヤ14,14と前
記補助ローラa,b,cの端部に結着されたローラギヤ15…
に噛合している。尚、駆動ギヤ12はモータ等の不図示の
駆動源の出力軸に結着されたギヤに噛合している。又、
上記駆動ギヤ12、センターギヤ13及びローラギヤ14,1
4、15…の材質としては全てポリ塩化ビニール（PVC）が
採用されている。
次に、本実施例に係るエッチング装置によるエッチング
作業を説明する。
作業を説明する。
先ず、ケーシング１内には多数枚（本実施例では、100
枚）のウエーハＷ…がセットされるが、このセットに先
立って、補助ローラｃがケーシング１の側板2,2に設け
られた不図示のセット治具を取り外すことにより、ケー
シング１から分離される。すると、ウエーハＷ…をケー
シング１内にセットすることが可能となり、各ウエーハ
ＷはメインローラA,Bに形成された係合溝6,6と押え部材
７に形成された係合溝９にその外周部を係合されること
によって垂直に支持され、斯くてケーシング１内には多
数枚のウエーハＷ…が適当な間隔をあけて長さ方向に整
然と収納セットされる。
枚）のウエーハＷ…がセットされるが、このセットに先
立って、補助ローラｃがケーシング１の側板2,2に設け
られた不図示のセット治具を取り外すことにより、ケー
シング１から分離される。すると、ウエーハＷ…をケー
シング１内にセットすることが可能となり、各ウエーハ
ＷはメインローラA,Bに形成された係合溝6,6と押え部材
７に形成された係合溝９にその外周部を係合されること
によって垂直に支持され、斯くてケーシング１内には多
数枚のウエーハＷ…が適当な間隔をあけて長さ方向に整
然と収納セットされる。
その後、補助ローラｃをセット治具を使用して元の位置
にセットすると、第２図に示すように各ウエーハＷはそ
の外周縁をメインローラA,B及び補助ローラa,bによって
４点支持される。尚、ウエーハＷの外周部と補助ローラ
ｃとの間には微妙隙間δが形成されている。
にセットすると、第２図に示すように各ウエーハＷはそ
の外周縁をメインローラA,B及び補助ローラa,bによって
４点支持される。尚、ウエーハＷの外周部と補助ローラ
ｃとの間には微妙隙間δが形成されている。
以上の説明では、補助ローラｃをセット治具の該当特定
位置において単に着脱可能に取り付けるように配してい
るが、ケーシング１の側板2,2に形成された不図示のガ
イド溝に沿って補助ローラｃを回動させるようにしても
よい。又、支持板３は側板２と同一外径寸法の円板とし
てもよい。
位置において単に着脱可能に取り付けるように配してい
るが、ケーシング１の側板2,2に形成された不図示のガ
イド溝に沿って補助ローラｃを回動させるようにしても
よい。又、支持板３は側板２と同一外径寸法の円板とし
てもよい。
以上のようにして多数のウエーハＷ…が収納セットされ
たケーシング１は第５図に示す槽16内に収容されたエッ
チング液中に浸漬されるが、このときケーシング１の側
端に設けられた駆動ギヤ12には不図示の駆動源から回転
動力が入力され、該駆動ギヤ12とセンターギヤ13は所定
方向に所定速度で回転駆動される。すると、これら駆動
ギヤ12とセンターギヤ13の回転はローラギヤ14,14,15…
を介してメインローラA,B及び補助ローラa,b,cに伝達さ
れ、これらが第２図の矢印方向（時間方向）にそれぞれ
回転駆動されて全ウエーハＷ…が反時計方向に回転せし
められる。
たケーシング１は第５図に示す槽16内に収容されたエッ
チング液中に浸漬されるが、このときケーシング１の側
端に設けられた駆動ギヤ12には不図示の駆動源から回転
動力が入力され、該駆動ギヤ12とセンターギヤ13は所定
方向に所定速度で回転駆動される。すると、これら駆動
ギヤ12とセンターギヤ13の回転はローラギヤ14,14,15…
を介してメインローラA,B及び補助ローラa,b,cに伝達さ
れ、これらが第２図の矢印方向（時間方向）にそれぞれ
回転駆動されて全ウエーハＷ…が反時計方向に回転せし
められる。
ところで、各ウエーハＷにはOF部Waが形成されている
が、本実施例ではOF部Waがどこに位置しようともウエー
ハＷは径方向に移動せず、その軸心は固定されて変化し
ない。このことを第６図乃至第10図に基づいて説明す
る。尚、第６図乃至第10図はウエーハＷの支持状態を示
す第２図と同様の図である。
が、本実施例ではOF部Waがどこに位置しようともウエー
ハＷは径方向に移動せず、その軸心は固定されて変化し
ない。このことを第６図乃至第10図に基づいて説明す
る。尚、第６図乃至第10図はウエーハＷの支持状態を示
す第２図と同様の図である。
第６図に示すようにウエーハＷのOF部Waがメインローラ
Ａの位置に来た場合には、ウエーハＷは補助ローラa,c
によって支持されるため、これの軸心は変化しない。
Ａの位置に来た場合には、ウエーハＷは補助ローラa,c
によって支持されるため、これの軸心は変化しない。
次に、ウエーハＷのOF部Waが第７図に示すように補助ロ
ーラａの位置に来た場合には、該ウエーハＷはメインロ
ーラA,Bによって支持されるため、これの軸心は変化し
ない。
ーラａの位置に来た場合には、該ウエーハＷはメインロ
ーラA,Bによって支持されるため、これの軸心は変化し
ない。
そして、第８図に示すようにウエーハＷのOF部Waがメイ
ンローラＢの位置に来た場合には該ウエーハＷは補助ロ
ーラa,bによって支持されるため、これの軸心は変化し
ない。
ンローラＢの位置に来た場合には該ウエーハＷは補助ロ
ーラa,bによって支持されるため、これの軸心は変化し
ない。
又、ウエーハＷのOF部Waが第９図に示すように補助ロー
ラｂの位置に来た場合には、該ウエーハＷはメインロー
ラＢと補助ローラｃによって支持されるため、これ軸心
は変化しない。
ラｂの位置に来た場合には、該ウエーハＷはメインロー
ラＢと補助ローラｃによって支持されるため、これ軸心
は変化しない。
更に、第10図に示すようにウエーハＷのOF部Waが補助ロ
ーラｃの位置に来た場合には、該ウエーハＷはメインロ
ーラA,Bと補助ローラa,bによって支持され、反応熱によ
るエッチング液の対流によってウエーハＷが上方へ動こ
うとしても、このウエーハＷの動きは補助ローラｃによ
って規制され、ウエーハＷは僅かにOF部Waと補助ローラ
ｃとのクリアランスδ′分（本実施例では、約1mm）だ
けしか動かないため、その軸心は殆ど変化しない。この
場合、別の補助ローラｄ（図示せず）を補助ローラb,c
の間に設ければ、ウエーハＷの軸心を完全に固定するこ
とができる。
ーラｃの位置に来た場合には、該ウエーハＷはメインロ
ーラA,Bと補助ローラa,bによって支持され、反応熱によ
るエッチング液の対流によってウエーハＷが上方へ動こ
うとしても、このウエーハＷの動きは補助ローラｃによ
って規制され、ウエーハＷは僅かにOF部Waと補助ローラ
ｃとのクリアランスδ′分（本実施例では、約1mm）だ
けしか動かないため、その軸心は殆ど変化しない。この
場合、別の補助ローラｄ（図示せず）を補助ローラb,c
の間に設ければ、ウエーハＷの軸心を完全に固定するこ
とができる。
以上のように、OF部Waがどの位置にあってもウエーハＷ
の軸心は変化せず、該ウエーハＷは径方向に移動しない
ため、これの外周部がメインローラA,Bや補助ローラa,
b,c,に強く衝突してダメージを破ることが避けられる。
の軸心は変化せず、該ウエーハＷは径方向に移動しない
ため、これの外周部がメインローラA,Bや補助ローラa,
b,c,に強く衝突してダメージを破ることが避けられる。
又、本実施例では、第５図に示すように槽16内にはバブ
リング装置17が設置されており、該バブリング装置17か
らはクリーンなエアーバブルがケーシング１に向かって
吹き付けられているため、このエアーバブルによってエ
ッチング液が撹拌され、該エッチング液の槽16内での温
度分布が均一となってウエーハＷ…の表面が均一にエッ
チングされるとともに、エッチング液の劣化が防がれ
る。
リング装置17が設置されており、該バブリング装置17か
らはクリーンなエアーバブルがケーシング１に向かって
吹き付けられているため、このエアーバブルによってエ
ッチング液が撹拌され、該エッチング液の槽16内での温
度分布が均一となってウエーハＷ…の表面が均一にエッ
チングされるとともに、エッチング液の劣化が防がれ
る。
又、本実施例では複数のスリット5aを放射状に形成した
リング状の櫛歯５（第２図参照）をメインローラA,Bの
外周に、且つ該メインローラと同心状に複数設けること
により、該メインローラの隣合う係合溝６と６を区画し
たため、ウェーハＷの厚さ方向の動きを拘束して、ウエ
ーハＷの外周部をメインローラの所定位置の係合溝６に
確実に係合させることができるので、複数のウエーハを
互いに所定の間隔を保った状態でエッチングすることが
できる。
リング状の櫛歯５（第２図参照）をメインローラA,Bの
外周に、且つ該メインローラと同心状に複数設けること
により、該メインローラの隣合う係合溝６と６を区画し
たため、ウェーハＷの厚さ方向の動きを拘束して、ウエ
ーハＷの外周部をメインローラの所定位置の係合溝６に
確実に係合させることができるので、複数のウエーハを
互いに所定の間隔を保った状態でエッチングすることが
できる。
更に、メインローラの隣接する係合溝6,6を、前記スリ
ット5aを介して互いに連通させたので、ウエーハ外周部
近傍におけるエッチング液の流通が円滑になり、エッチ
ングの均一性が向上するうえ、各ウエーハＷと櫛歯５と
の接触面積を小さくすることができる。
ット5aを介して互いに連通させたので、ウエーハ外周部
近傍におけるエッチング液の流通が円滑になり、エッチ
ングの均一性が向上するうえ、各ウエーハＷと櫛歯５と
の接触面積を小さくすることができる。
（発明の効果） 以上の説明で明らかな如く、本発明では、回転しつつエ
ッチングされる、OFを有するウエーハにおいて、OFがど
の角度位置にあっても該ウエーハはその外周部のOF以外
の少なくとも２点がメインローラ及び／又は補助ローラ
により支持されるので、ウエーハの径方向の移動が阻止
されてその外周部のダメージが最小限に抑えられるとと
もに、ウエーハの回転ムラが防止される。
ッチングされる、OFを有するウエーハにおいて、OFがど
の角度位置にあっても該ウエーハはその外周部のOF以外
の少なくとも２点がメインローラ及び／又は補助ローラ
により支持されるので、ウエーハの径方向の移動が阻止
されてその外周部のダメージが最小限に抑えられるとと
もに、ウエーハの回転ムラが防止される。
また、本発明では、メインローラに所定の態様で設けた
リング状櫛歯が、メインローラに隣接する二つの係合溝
間の仕切り壁として作用するため、ウエーハの厚さ方向
の動きを拘束して、ウエーハ外周部をメインローラの所
定位置の係合溝に確実に係合させることができるので、
複数のウエーハを互いに所定の間隔を保った状態でエッ
チングすることができるうえ、メインローラの隣接する
二つの係合溝同士を、前記リング状櫛歯に形成したスリ
ットを介して互いに連通させたので、ウエーハ外周部近
傍におけるエッチング液の流通が円滑になり、エッチン
グの均一性が向上する効果がある。
リング状櫛歯が、メインローラに隣接する二つの係合溝
間の仕切り壁として作用するため、ウエーハの厚さ方向
の動きを拘束して、ウエーハ外周部をメインローラの所
定位置の係合溝に確実に係合させることができるので、
複数のウエーハを互いに所定の間隔を保った状態でエッ
チングすることができるうえ、メインローラの隣接する
二つの係合溝同士を、前記リング状櫛歯に形成したスリ
ットを介して互いに連通させたので、ウエーハ外周部近
傍におけるエッチング液の流通が円滑になり、エッチン
グの均一性が向上する効果がある。
第１図は本発明に係るエッチング装置のケーシングの縦
断面図、第２図は第１図のII−II線拡大断面図、第３図
は第１図の矢視III−III線方向の図、第４図は第３図の
IV−IV線断面図、第５図はエッチング装置の模式的平面
図、第６図乃至第10図はウエーハの支持状態を示す第２
図と同様の図である。 １……ケーシング、５……櫛歯、5a……スリット、6,9
……係合溝、７……押え部材、16……槽、17……バブリ
ング装置、A,B……メインローラ、a,b,c……補助ローラ
断面図、第２図は第１図のII−II線拡大断面図、第３図
は第１図の矢視III−III線方向の図、第４図は第３図の
IV−IV線断面図、第５図はエッチング装置の模式的平面
図、第６図乃至第10図はウエーハの支持状態を示す第２
図と同様の図である。 １……ケーシング、５……櫛歯、5a……スリット、6,9
……係合溝、７……押え部材、16……槽、17……バブリ
ング装置、A,B……メインローラ、a,b,c……補助ローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 祢津 茂義 マレーシア国 セランゴール州 ウル ク ラン フリー トレイドゾーン ロロング エンガング 35，ロットナンバー ２ エス・イー・エイチ・マレーシア センデ ィリアン ベルハット内 (56)参考文献 特開 昭54−33676（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−221128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−110782（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ウエーハを支持すべき係合溝を軸方向に複
数形成して成る少なくとも２本のメインローラと、ウエ
ーハを支持すべき係合溝を軸方向に複数形成して成る押
さえ部材とをドラム枠状のケーシング内に互いに平行に
配するとともに、前記メインローラを回転駆動機構によ
り回転自在としたエッチング装置において、前記ケーシ
ング内の前記メインローラ間及び該メインローラと前記
押さえ部材間の適当な角度位置に、前記駆動機構によっ
て回転される補助ローラを前記メインローラと平行に配
し、２本の前記メインローラの各々の外周にリング状の
櫛歯を軸方向に複数設け、これら複数の櫛歯間には、ウ
エーハの外周が係合すべき係合溝を形成し、各櫛歯には
複数のスリットを放射状に形成するとともに、前記係合
溝は前記スリットを介して互いに連通させ、ウエーハの
オリエンテーションフラットを除く外周部を前記メイン
ローラ及び／又は補助ローラにより支持しつつ、該ウエ
ーハを回転させるようにしたことを特徴とするエッチン
グ装置。 - 【請求項２】前記ケーシングが浸漬されるエッチング液
を収容して成る槽内に、前記ケーシングに向かってエア
ーバブルを吹き付けるバブリング装置を設けたことを特
徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27518690A JPH0785471B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | エッチング装置 |
| EP91309478A EP0481723B1 (en) | 1990-10-16 | 1991-10-15 | A wafer etching apparatus |
| DE69108838T DE69108838T2 (de) | 1990-10-16 | 1991-10-15 | Vorrichtung zum Ätzen von Plättchen. |
| US07/776,787 US5211794A (en) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | Wafer etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27518690A JPH0785471B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | エッチング装置 |
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|---|---|
| JPH04151837A JPH04151837A (ja) | 1992-05-25 |
| JPH0785471B2 true JPH0785471B2 (ja) | 1995-09-13 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27518690A Expired - Fee Related JPH0785471B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | エッチング装置 |
Country Status (4)
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| EP (1) | EP0481723B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0785471B2 (ja) |
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| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| JPH10223585A (ja) | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Canon Inc | ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法 |
| US6457929B2 (en) | 1998-11-03 | 2002-10-01 | Seh America, Inc. | Apparatus and method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment |
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| KR100644054B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 세정 장치 및 게이트 산화막의 전세정 방법 |
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| EP2359390A1 (en) * | 2008-11-19 | 2011-08-24 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
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| JP6842300B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2021-03-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板位置アライナ |
| CN117735846B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-09-17 | 赛德半导体有限公司 | 一种玻璃蚀刻设备 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5433676A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-12 | Hitachi Ltd | Wafer processing unit |
| JPS5437581A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Nec Corp | Wafer etching device |
| DE2837611A1 (de) * | 1978-08-29 | 1980-03-20 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum aetzen von halbleiterscheiben |
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| JPS58166726A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエ−ハエツチング装置 |
| JPS59110782A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-26 | Toshiba Corp | エツチング装置 |
| JPS62221128A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 処理装置 |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27518690A patent/JPH0785471B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-10-15 EP EP91309478A patent/EP0481723B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-15 DE DE69108838T patent/DE69108838T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-16 US US07/776,787 patent/US5211794A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0481723B1 (en) | 1995-04-12 |
| JPH04151837A (ja) | 1992-05-25 |
| DE69108838D1 (de) | 1995-05-18 |
| DE69108838T2 (de) | 1995-12-14 |
| EP0481723A1 (en) | 1992-04-22 |
| US5211794A (en) | 1993-05-18 |
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