JPH0785994A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理物の形状やサイズに捕らわれることな
くプラズマ処理を行い得るプラズマ処理装置を提供す
る。 【構成】 誘電体容器内にアンテナを収容した高周波発
生部２を真空容器３３内に配置し，処理ガスが導入され
た真空容器３３内に高周波発生部２から電磁波を放射さ
せると，真空容器３３内に誘起される高周波電場により
処理ガスがプラズマ化され，真空容器３３内にプラズマ
を発生させることができる。このプラズマはアンテナに
よる高周波電場が及ぶ範囲に集中的に発生するので，高
周波発生部２真空容器３３内に配置された被処理物３６
に対して最もプラズマ処理に適した位置に配することに
よって適切なプラズマ処理を行うことができる。高周波
発生部２をロボット７により移動させると，処理表面積
が広い被処理物，あるいは被処理物の角度が異なる各面
にプラズマ処理を施すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，プラズマ処理装置に係
り，詳しくは，半導体ウェハー等の平面形状の被処理物
だけでなく，変形形状あるいは大型の被処理物に対して
もプラズマによる表面処理を行うことができるプラズマ
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空容器内に導入した処理ガスを然るべ
きプラズマ発生手段によりプラズマ化し，該プラズマに
よって生成されたプラズマ生成物によって真空容器内に
配設した被処理物に対してエッチング，ＣＶＤ等の処理
を行うことができる。このようなプラズマ処理装置とし
て，平行平板電極型プラズマ処理装置，ＥＣＲプラズマ
処理装置等が知られている。図７に平行平板電極型プラ
ズマ発生装置によりＣＶＤ（Cemical Vapor Deposition
−化学的気相堆積）を行う平行平板電極型プラズマＣＶ
Ｄ装置２０を模式図として示す。同図において，真空容
器２１内に平板状に形成された上部電極２２は下部電極
２３とが平行に向かい合って配置され，上部電極２２と
下部電極２３との間に高周波電源から高周波電力が印加
される。下部電極２３上にはＣＶＤ処理を行う試料２４
が載置され，真空容器２１内にＣＶＤ材料ガスが導入さ
れると，高周波電力が印加された各電極２２，２３間に
プラズマが発生し，該プラズマにより生成されたＣＶＤ
材料ガスの分解生成物が試料２４上に堆積され，試料２
４の表面にＣＶＤによる成膜がなされる。又，プラズマ
ＣＶＤを行う他の従来例として，ＥＣＲ（Electron Cyc
lotron Resonance−電子サイクロトロン共鳴）プラズマ
を用いたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を図８に模式図とし
て示す。同図において，ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置２６
は，円筒状に形成された真空容器２７の軸方向に設けら
れた誘電体窓２８からマイクロ波が真空容器２７内に導
入されると共に，真空容器２７と同軸に配設された磁場
発生コイル３１から真空容器２７内に磁場が印加され
る。真空容器２７の軸方向の所定位置に配設された試料
台３０上に試料２９を載置して，真空容器２７内にＣＶ
Ｄ材料ガスを導入すると，真空容器２７内にＥＣＲプラ
ズマが発生し，該プラズマにより生成されたＣＶＤ材料
ガスの分解生成物が試料２９上に堆積され，試料２９の
表面にＣＶＤによる成膜がなされる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のごときプラズマ
処理を行うには，高密度のプラズマを被処理物面に対し
て均一な密度で発生させなければならない。しかしなが
ら，高密度プラズマを均一に発生させ得る面積には限度
があり，そのため，プラズマ処理を行い得る被処理物は
半導体ウェハー等の比較的小型のものに限定される。
又，被処理物が変形形状物である場合には，プラズマと
処理表面との距離が部位によって異なるため，処理の進
行に差が生じて均一な処理がなされず，平板形状のもの
に限定される。例えば，平行平板電極型プラズマＣＶＤ
装置２０によって，図９に示すように凹凸面を有する試
料２４ａに対してＣＶＤ処理を行うと，試料２４ａの凹
凸形状によって，試料２４ａと上部電極２２との距離が
一定とならないため，上部電極２２と試料２４ａの表面
との間の電界強度が不均一となり，同図に示すようにプ
ラズマ密度が凸部付近に偏って発生し，ＣＶＤ膜の堆積
が不均一になされる不具合が生じる。本発明は，上記従
来のプラズマ処理装置の課題に鑑みて創案されたもの
で，被処理物の形状やサイズに捕らわれることなくプラ
ズマ処理を行い得るプラズマ処理装置を提供することを
目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用する第１の手段は，高周波電力が印加さ
れたアンテナの電磁誘導作用により真空容器内に導入さ
れた処理ガスをプラズマ化し，該プラズマにより上記真
空容器内に配置された被処理物をプラズマ処理するプラ
ズマ処理装置において，上記アンテナを誘電体容器内に
収容して上記真空容器内に配置したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置として構成される。又，第２の手段は，
高周波電力が印加されたアンテナの電磁誘導作用により
真空容器内に導入された処理ガスをプラズマ化し，該プ
ラズマにより上記真空容器内に配置された被処理物をプ
ラズマ処理するプラズマ処理装置において，上記アンテ
ナを収容した誘電体容器を上記真空容器内に配置すると
共に，該誘電体容器を上記真空容器内で移動させる第１
の移動手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置
として構成される。更に，第３の手段は，高周波電力が
印加されたアンテナの電磁誘導作用により真空容器内に
導入された処理ガスをプラズマ化し，該プラズマにより
上記真空容器内に配置された被処理物をプラズマ処理す
るプラズマ処理装置において，上記アンテナを収容した
誘電体容器を上記真空容器内に配置すると共に，該誘電
体容器の周囲に上記処理ガスを供給する処理ガス供給手
段を上記真空容器内に配設したことを特徴とするプラズ
マ処理装置として構成される。

【０００５】更に，第４の手段は，高周波電力が印加さ
れたアンテナの電磁誘導作用により真空容器内に導入さ
れた処理ガスをプラズマ化し，該プラズマにより上記真
空容器内に配置された被処理物をプラズマ処理するプラ
ズマ処理装置において，上記アンテナを収容した誘電体
容器を上記真空容器内に配置すると共に，該誘電体容器
の周囲に上記処理ガスを供給する処理ガス供給手段を上
記真空容器内に配設し，更に上記誘電体容器及び上記処
理ガス供給手段を一体的に上記真空容器内で移動させる
第２の移動手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理
装置として構成される。更に，第５の手段は，高周波電
力が印加されたアンテナの電磁誘導作用により真空容器
内に導入された処理ガスをプラズマ化し，該プラズマに
より上記真空容器内に配置された被処理物をプラズマ処
理するプラズマ処理装置において，一方端が開放された
外筒部内に，一方端が開放され排気真空度が異なる差動
排気筒を形成し，上記外筒部及び差動排気筒の開放端を
上記被処理物の表面と略気密状態に且つ相対移動可能に
接触させることにより，上記外筒部及び差動排気筒と被
処理物表面とによって内側ほど真空度の高い多重真空容
器を形成し，上記差動排気筒内に上記アンテナを収容し
た誘電体容器を配置したことを特徴とするプラズマ処理
装置として構成される。

【０００６】

【作用】処理ガスが導入された真空容器内にアンテナか
ら電磁波を印加すると，真空容器内に誘起される高周波
電場により処理ガスがプラズマ化され，ＩＣＰ（Induc-
tively Coupled Plasma ）によるプラズマを真空容器内
に発生させることができる。このプラズマはアンテナに
よる高周波電場が及ぶ範囲に集中的に発生するので，ア
ンテナを誘電体容器内に収容して真空容器内に配置する
と，上記誘電体容器の近傍にプラズマが集中的に発生す
る。従って，このアンテナを収容した誘電体容器を真空
容器内に配置された被処理物に対して最もプラズマ処理
に適した位置に配することによって，集中的に適切なプ
ラズマ処理を行うことができる。請求項１がこれに該当
する。又，上記アンテナを収容した誘電体容器を移動手
段（第１の移動手段）によって真空容器内で移動可能に
構成することによって，処理表面積が広い被処理物，あ
るいは被処理物の角度が異なる各面にプラズマ処理を施
すことができる。上記移動手段を教示再生型ロボットに
より構成することにより，被処理物の形状及びサイズに
対応した処理時間で上記誘電体容器を順次移動させて自
動的にプラズマ処理を行うことができる。請求項２及び
5 がこれに該当する。又，処理ガス供給手段により上記
アンテナを収容した誘電体容器の周囲に処理ガスを重点
的に供給することにより，高周波電場と処理ガスとが同
一位置に集約化されるため，効率的なプラズマ発生がな
される。請求項３がこれに該当する。更に，上記誘電体
容器及び上記処理ガス供給手段を一体的に移動手段（第
２の移動手段）により真空容器内で移動可能に構成する
ことによって，効率的なプラズマ発生位置を任意位置に
移動させてプラズマ処理を行うことができる。請求項４
がこれに該当する。更に，被処理物の表面と略気密状態
で接する外筒部内に差動排気筒を形成して，被処理物と
の間で相対移動できる多重真空容器を構成し，この内部
に上記アンテナを収容した誘電体容器を配置すると，真
空容器内に配設できない大きな被処理物に対してプラズ
マ処理を実施することができる。請求項６がこれに該当
する。

【０００７】

【実施例】以下，添付図面を参照して本発明を具体化し
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は本発明を具体化した一例であって，本発明
の技術的範囲を限定するものではない。本実施例は，Ｉ
ＣＰ（Inductively Cupled Plasma ）によるプラズマ発
生手段を利用して真空容器内にプラズマを発生させ，真
空容器内に配置した被処理物の表面にプラズマＣＶＤに
よる成膜を行うプラズマ処理装置を構成した例について
示すものである。ここに，図１は本発明の第１実施例に
係るプラズマ処理装置の構成を示す模式図，図２は高周
波発生部の構成を示す断面図，図３は第２実施例に係る
プラズマ処理装置の構成を平面（ａ）と側面（ｂ）で示
す模式図，図４は第３実施例に係るプラズマ処理装置の
構成を平面（ａ）と側面（ｂ）で示す模式図，図５は第
４実施例に係るプラズマ処理装置の構成を断面で示す模
式図，図６はＩＣＰによるプラズマ処理装置の従来構成
を示す参考図である。

【０００８】図１において，プラズマ処理装置１は，真
空容器３と，該真空容器３内に配置された高周波発生部
２と，該高周波発生部２に高周波電力を供給する高周波
電源４と，真空容器３内に配設する被処理物６を所定位
置に載置する試料台１１とを備えて構成されている。上
記真空容器３には，真空排気ポート９と処理ガス導入ポ
ート８とが設けられており，真空排気ポート９から排気
することにより真空容器３内を所定の真空度に保ち，処
理ガス導入ポート８からＣＶＤ材料ガス（処理ガス）が
導入される。真空容器３内にＣＶＤ材料ガスが導入され
た状態で，上記高周波発生部２に高周波電源４から同軸
ケーブル５を通じて高周波電力を供給すると，高周波発
生部２から放射される電磁波により真空容器３内に高周
波電界が誘起され，導入されたＣＶＤ処理ガスがプラズ
マ化する。上記高周波発生部２は，図２に示すように，
誘電体容器１２内に１ループに形成されたアンテナ１３
が配置され，該アンテナ１３に高周波電源４からの高周
波電力を供給する同軸ケーブル５が接続されている。ア
ンテナ１３からの電磁波が石英ガラス等によって形成さ
れた誘電体容器１２を通して真空容器３内に放射される
ことにより，真空容器２内に高周波電界を誘起させる。
この高周波電界により真空容器３内に導入されたＣＶＤ
処理ガスがプラズマ化される。尚，上記アンテナ１３の
形状は，図２に示す１ループ形状に限定されることな
く，構成するプラズマ処理装置に適合させた形状のもの
を採用することができる。

【０００９】上記のごとく，アンテナ１３から放射され
る電磁波によりプラズマを発生させるＩＣＰの動作原理
について，図６に示す従来構成を参考にして説明する。
従来，主としてプラズマ・エッチング装置として用いる
べく開発されたＩＰＣは，図６に示すように真空容器５
１の所要位置に設けられた誘電体窓５２の外側至近位置
にアンテナ５３を配置して，該アンテナ５３から誘電体
窓５２を通して真空容器５１内に電磁波を放射するよう
に構成されていた。図６に示す構成おいて，真空容器５
１内に処理ガスを導入して，アンテナ５３に高周波電力
を供給すると，アンテナ５３からの電磁波が誘電体窓５
２を通して真空容器５１内に放射され，真空容器５１内
に高周波電界が誘起される。この高周波電界は自然放射
線等によって真空容器５１内に発生した電子を加速し，
処理ガス中の中性原子と衝突して該中性原子をイオン化
し，イオンと電子とを生成する。新たに発生した電子は
高周波電界により加速され，イオンと電子を生成する過
程を繰り返す。このようにしプラズマ密度がある程度以
上上昇すると，プラズマ中の電子密度が上昇してプラズ
マ中の電子の応答周波数を上昇させる。プラズマはあた
かも導電体のように作用して高周波電界を遮断するかの
ように電流が流れて電磁波を遮断し始める。このとき，
プラズマ固有の特殊なモード以外はプラズマ内部に電磁
波が入らないため，表面のプラズマのみがアンテナ５３
からの電磁波のエネルギーを得てプラズマ密度を更に上
昇させ，プラズマ内部に拡散する。従って，このＩＣＰ
によるプラズマでは，誘電体窓５２の近傍でのプラズマ
密度が高く，遠ざかるにつれてプラズマ密度が低い状態
となる。ＩＣＰによるプラズマ発生は，上記したごとく
磁場を用いることなくアンテナからの電磁波放射のみを
プラズマ発生源として，高密度のプラズマが得られる特
徴を有しているため，本発明の基本構成であるアンテナ
を真空容器内に配置することが実現できる。アンテナの
真空容器内への配置は，上記実施例に示したごとく，誘
電体容器１２内にアンテナ１３を収容した高周波発生部
２として構成される。アンテナを任意の位置に配置する
ことで，任意部位を重点的に処理することができる。図
１に示す第１実施例では，高周波発生部２を図示するよ
うに支持部材１７によって支持し，被処理物６の処理対
象表面に最も適切なＣＶＤ処理がなされる位置に配置す
ることができる。この高周波発生装置２を真空容器３内
で自由に移動できるよう構成すると，被処理物のサイズ
の大きい場合，あるいは角度が異なる各面に処理を施す
場合にも対処できる。高周波発生部２を移動自在に構成
した実施例を第２及び第３実施例として以下に説明す
る。第２及び第３実施例は，Ｌ字状に形成された鋼材に
対して耐腐食性表面処理を施すため，シリコン酸化膜を
表面に成膜させる実施例構成である。図３において，第
２実施例に係るプラズマ処理装置１４は，真空容器３３
内に配置される高周波発生部２を第１のロボット（第１
の移動手段）７のアーム先端に支持させて構成される。
第１のロボット７は真空容器３３内に敷設されたレール
１０上を移動でき，且つ多関節ロボットとして構成され
ているので，被処理物（鋼材３６）が図示するように変
形且つ大型のものであっても処理対象表面の任意面に対
してＣＶＤ処理を行う最適位置に高周波発生部２を移動
させることができる。

【００１０】本実施例では，真空容器３３は，導電体材
料によって幅：２ｍ，奥行：１ｍ，高さ：１．５ｍに形
成され，最大幅１．２ｍの上記鋼材３６が収容できるよ
う構成されている。鋼材３６は真空容器３３の床面に配
置された試料台３５上に載置され，試料台３５内に設け
られたヒータによって約４５０℃まで加熱することがで
きる。又，図示しないが真空容器３３には外部から真空
容器３３内が観察できるよう観察窓を設けて構成した。
上記構成によって，鋼材３６表面にシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ）を成膜させる成膜プロセスは，次のように実施し
た。真空容器３３内に鋼材３６を配置し，真空排気ポー
ト９から排気して真空容器３３内を所定の真空度に保っ
た後，処理ガス導入ポート８からシランガス（Ｓｉ
Ｈ₄ ）と亜酸化窒素ガス（Ｎ₂ Ｏ）とをそれぞれ流量制
御して，１０００ｓｃｃｍ，５０００ｓｃｃｍの流量で
導入すると共に，高周波電源４から１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を１０Ｗから１０００Ｗで同軸ケーブル５を
通じて高周波発生部２に供給した。高周波発生部２内の
アンテナ１３から放射される電磁波により真空容器内に
導入された上記組成になるＣＶＤ材料ガスがプラズマ化
され，高周波発生部２の周囲に高密度のプラズマが発生
する。そこで，高周波発生部２を第１のロボット７によ
って鋼材３６に接触させないよう観測窓からモニターし
ながら移動させる。鋼材３６との距離を１０〜３０cmに
保って広い処理対象表面に順次移動させると，プラズマ
ＣＶＤによって鋼材３６表面にシリコン酸化膜が成膜さ
れる。上記ロボット７を教示再生型ロボットにより構成
すると，予め設定された成膜条件に基づく移動軌跡の教
示プログラムによって再生動作させることができるの
で，上記したごとく観察窓からモニターしながらロボッ
ト７を操作することなく，高周波発生部２の移動を自動
化，もしくは遠隔操作することができる。

【００１１】次いで，図４を用いて本発明の第３実施例
について説明する。上記第２実施例と共通する要素には
同一の符号を付して，その説明は省略する。第３実施例
に係るプラズマ処理装置１５は，処理ガス導入ポート８
から真空容器３３内に導入するＣＶＤ材料ガスを高周波
発生部２の近傍に集中的に供給できるよう構成されたも
のである。図示するように，処理ガス導入ポート８と高
周波発生部２の周囲に設けた処理ガス放出口３９との間
をフレキシブルチューブ３８で接続し，処理ガス放出口
３９は高周波発生部２と共に第２のロボット７ａによっ
て移動させることができる。この構成によって，プラズ
マ発生領域に集中的にＣＶＤ材料ガスが供給できるの
で，広い容積を有する真空容器３３内に無駄にＣＶＤ材
料ガスが導入されることがなく，必要な位置に所要圧の
ＣＶＤガスが供給され，効率的なプラズマＣＶＤ処理が
実行できる。上記第２及び第３実施例の構成によれば，
従来のプラズマ処理装置では対応できない形状及びサイ
ズの被処理物にプラズマ処理を実施することができる
が，真空容器３３に収容不可能な形状・サイズの被処理
物には対応することはできない。そこで，第４実施例と
して，真空容器に収容できない大きな被処理物に対して
プラズマ処理を行う実施例構成について説明する。

【００１２】図５において，第４実施例に係るプラズマ
処理装置１６は，差動排気筒によって形成された多重真
空容器４５の内部に高周波発生部２を配置して，該多重
真空容器４５の開放端側と被処理物４０の表面とによっ
てプラズマ処理を行い得る真空空間が形成できるように
構成され，被処理物４０を移動させることにより大きな
処理対象表面に対して順次プラズマ処理が実施できる。
上記多重真空容器４５は，開放端が被処理物４０の表面
と略気密状態で接触する外筒部４３の内部に，中筒部４
６と内筒部４７とを設けて構成される。上記外筒部４３
と中筒部４６とによって第１排気筒４１，中筒部４６と
内筒部４７とによって第２排気筒４２が形成され，第１
排気筒４１内は１０〜１００Ｔｏｒｒ，第２排気筒４２
内は１０ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒの真空度にそれぞれ排
気され，内側の第２排気筒４２の方が高真空度にした差
動排気筒４４が構成される。この差動排気筒４４が構成
された多重真空容器４５内は，開放された一方端が被処
理物４０表面によって閉じられた状態の真空空間となっ
ているので，ここに処理ガス供給筒４８からＣＶＤ材料
ガスを導入し，高周波発生部２に同軸ケーブル５を通じ
て高周波電源４からの高周波電力を供給すると，高周波
発生部２から放射される電磁波によりＣＶＤ処理ガスが
プラズマ化する。このプラズマにより，多重真空容器４
５の内部と接する被処理物４０の表面にプラズマＣＶＤ
処理がなされる。上記多重真空容器４５は，外筒部４３
の開放端側に設けられたコロ４９によって，被処理物４
０の表面と略気密状態に接するように構成されているの
で，被処理物４０を矢印方向に移動させると，プラズマ
ＣＶＤ処理が施される面を変えることができる。従っ
て，処理面積の大きい被処理物４０でもプラズマ処理が
可能となる。尚，処理面の変更は，プラズマ処理装置１
６の側を移動させることによっても可能であるが，プラ
ズマ処理装置１６には図示するように真空排気，処理ガ
ス供給等の管路が接続されているので，その移動は困難
であるため，被処理物４０側を移動させるのが適切とい
える。

【００１３】

【発明の効果】以上の説明の通り本発明によれば，アン
テナを収容した誘電体容器を真空容器内に配置された被
処理物に対して最もプラズマ処理に適した位置に配する
ことによって，適切なプラズマ処理を行うことができ
る。（請求項１） 又，上記アンテナを収容した誘電体容器を移動手段（第
１の移動手段）によって真空容器内で移動可能に構成す
ることによって，処理表面積が広い被処理物，あるいは
被処理物の角度が異なる各面にプラズマ処理を施すこと
ができる。上記移動手段を教示再生型ロボットにより構
成することにより，被処理物の形状及びサイズに対応し
た処理時間で上記誘電体容器を順次移動させて自動的に
プラズマ処理を行うことができる。（請求項２及び５） 又，処理ガス供給手段により上記アンテナを収容した誘
電体容器の周囲に処理ガスを重点的に供給することによ
り，高周波電場と処理ガスとが同一位置に集約化される
ため，効率的なプラズマ発生がなされる。（請求項３） 更に，上記誘電体容器及び上記処理ガス供給手段を一体
的に移動手段（第２の移動手段）により真空容器内で移
動可能に構成することによって，効率的なプラズマ発生
位置を任意位置に移動させてプラズマ処理を行うことが
できる。（請求項４） 更に，被処理物の表面と略気密状態で接する外筒部内に
差動排気筒を形成して，被処理物との間で相対移動でき
る多重真空容器を構成し，この内部に上記アンテナを収
容した誘電体容器を配置すると，真空容器内に配設でき
ない大きな被処理物に対してプラズマ処理を実施するこ
とができる。（請求項６）

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例に係るプラズマ処理装置
の構成を示す模式図。

【図２】 実施例に係る高周波発生部の構成を示す模式
図。

【図３】 本発明の第２実施例に係るプラズマ処理装置
の構成を平面（ａ）及び側面（ｂ）で示す模式図。

【図４】 本発明の第３実施例に係るプラズマ処理装置
の構成を平面（ａ）及び側面（ｂ）で示す模式図。

【図５】 本発明の第４実施例に係るプラズマ処理装置
の構成を示す模式図。

【図６】 ＩＣＰを用いたプラズマ処理装置の従来構成
を示す模式図。

【図７】 従来例に係る平行平板電極型プラズマＣＶＤ
装置の構成を示す模式図。

【図８】 従来例に係るＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の構
成を示す模式図。

【図９】 平行平板電極型プラズマＣＶＤ装置による動
作を示す模式図。

【符号の説明】

１，１４，１５，１６…プラズマ処理装置 ２…高周波発生部 ３，３３…真空容器 ４…高周波電源 ６，３６，４０…被処理物 ７…第１のロボット（第１の移動手段） ７ａ…第２のロボット（第２の移動手段） ８…処理ガス導入ポート ９…真空排気ポート １２…誘電体容器 １３…アンテナ ３８…フレキシブルチューブ（処理ガス供給手段） ３９…処理ガス放出口（処理ガス供給手段） ４３…外筒部 ４４…差動排気筒 ４５…多重真空容器

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波電力が印加されたアンテナの電磁
   誘導作用により真空容器内に導入された処理ガスをプラ
   ズマ化し，該プラズマにより上記真空容器内に配置され
   た被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
   て，上記アンテナを誘電体容器内に収容して上記真空容
   器内に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 高周波電力が印加されたアンテナの電磁
   誘導作用により真空容器内に導入された処理ガスをプラ
   ズマ化し，該プラズマにより上記真空容器内に配置され
   た被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
   て，上記アンテナを収容した誘電体容器を上記真空容器
   内に配置すると共に，該誘電体容器を上記真空容器内で
   移動させる第１の移動手段を設けたことを特徴とするプ
   ラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 高周波電力が印加されたアンテナの電磁
   誘導作用により真空容器内に導入された処理ガスをプラ
   ズマ化し，該プラズマにより上記真空容器内に配置され
   た被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
   て，上記アンテナを収容した誘電体容器を上記真空容器
   内に配置すると共に，該誘電体容器の周囲に上記処理ガ
   スを供給する処理ガス供給手段を上記真空容器内に配設
   したことを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 高周波電力が印加されたアンテナの電磁
   誘導作用により真空容器内に導入された処理ガスをプラ
   ズマ化し，該プラズマにより上記真空容器内に配置され
   た被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
   て，上記アンテナを収容した誘電体容器を上記真空容器
   内に配置すると共に，該誘電体容器の周囲に上記処理ガ
   スを供給する処理ガス供給手段を上記真空容器内に配設
   し，更に上記誘電体容器及び上記処理ガス供給手段を一
   体的に上記真空容器内で移動させる第２の移動手段を設
   けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 上記移動手段が教示再生型ロボットであ
   る請求項２及び請求項４記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 高周波電力が印加されたアンテナの電磁
   誘導作用により真空容器内に導入された処理ガスをプラ
   ズマ化し，該プラズマにより上記真空容器内に配置され
   た被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
   て，一方端が開放された外筒部内に，一方端が開放され
   排気真空度が異なる差動排気筒を形成し，上記外筒部及
   び差動排気筒の開放端を上記被処理物の表面と略気密状
   態に且つ相対移動可能に接触させることにより，上記外
   筒部及び差動排気筒と被処理物表面とによって内側ほど
   真空度の高い多重真空容器を形成し，上記差動排気筒内
   に上記アンテナを収容した誘電体容器を配置したことを
   特徴とするプラズマ処理装置。