JPH0786134A - アッシング方法及びその装置 - Google Patents
アッシング方法及びその装置Info
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- JPH0786134A JPH0786134A JP5228534A JP22853493A JPH0786134A JP H0786134 A JPH0786134 A JP H0786134A JP 5228534 A JP5228534 A JP 5228534A JP 22853493 A JP22853493 A JP 22853493A JP H0786134 A JPH0786134 A JP H0786134A
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- resist
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- ashing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、低温で実用レベルのアッシングレー
トを達成する。 【構成】水酸基をもつ有機化合物を貯溜槽(7) に収容
し、オゾンを含む酸素ガスと貯溜槽(7) に収容されてい
る有機化合物のガスとを配管系(9,10)により混入し、こ
のガスをチャンバ(1) 内に収納されたレジストの塗布さ
れた被処理基板(3)に対して供給する。これにより、被
処理基板(3) に塗布されているレジストは、低温でも除
去される。
トを達成する。 【構成】水酸基をもつ有機化合物を貯溜槽(7) に収容
し、オゾンを含む酸素ガスと貯溜槽(7) に収容されてい
る有機化合物のガスとを配管系(9,10)により混入し、こ
のガスをチャンバ(1) 内に収納されたレジストの塗布さ
れた被処理基板(3)に対して供給する。これにより、被
処理基板(3) に塗布されているレジストは、低温でも除
去される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウエハ等
の被処理基板に塗布されているレジストを除去するため
のアッシング方法及びその装置に関する。
の被処理基板に塗布されているレジストを除去するため
のアッシング方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】かかるアッシング方法には、例えば特開
平１−２５８４２４号公報に記載されている技術があ
る。このアッシング方法は、チャンバ内に設けられたヒ
ータ兼用のステージ上にレジストの塗布された被処理基
板を載置し、このチャンバ内にオゾンを含有する酸素を
供給するとともに被処理基板に対して紫外線を照射して
レジストを除去するものである。
平１−２５８４２４号公報に記載されている技術があ
る。このアッシング方法は、チャンバ内に設けられたヒ
ータ兼用のステージ上にレジストの塗布された被処理基
板を載置し、このチャンバ内にオゾンを含有する酸素を
供給するとともに被処理基板に対して紫外線を照射して
レジストを除去するものである。
【０００３】この方法において、オゾンは紫外線により
励起酸素原子という非常に活発な原子に分離され、これ
がレジスト膜に作用して酸化反応を起こし、レジストを
ＣＯ2 やＨ2 Ｏに変化して除去し、かつヒータはこの反
応を促進するために被処理基板を加熱、例えば２５０〜
３００℃の高温に加熱している。
励起酸素原子という非常に活発な原子に分離され、これ
がレジスト膜に作用して酸化反応を起こし、レジストを
ＣＯ2 やＨ2 Ｏに変化して除去し、かつヒータはこの反
応を促進するために被処理基板を加熱、例えば２５０〜
３００℃の高温に加熱している。
【０００４】しかしながら、上記方法では、ヒータによ
り被処理基板を反応促進のために加熱しているが、この
加熱がなければ実用レベルのアッシングレートに達成さ
せることが出来ないものとなっている。
り被処理基板を反応促進のために加熱しているが、この
加熱がなければ実用レベルのアッシングレートに達成さ
せることが出来ないものとなっている。
【０００５】ところが、被処理基板を加熱すると、被処
理基板に対する影響を無視することが出来ず、低温でア
ッシングレートを低下させずにアッシング処理を行うこ
とが要求されている。
理基板に対する影響を無視することが出来ず、低温でア
ッシングレートを低下させずにアッシング処理を行うこ
とが要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにオゾンを
含む酸素ガスを用いたアッシングを、低温でそのアッシ
ングレートを低下させずに行うことが要求されている。
そこで本発明は、低温で実用レベルのアッシングレート
を達成できるアッシング方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
含む酸素ガスを用いたアッシングを、低温でそのアッシ
ングレートを低下させずに行うことが要求されている。
そこで本発明は、低温で実用レベルのアッシングレート
を達成できるアッシング方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段と作用】請求項１によれ
ば、オゾンを含む酸素ガスに対して水酸基をもつ有機化
合物のガスを混入し、この混入したガスをレジストの塗
布された被処理基板に供給してレジストを除去する。こ
れにより、レジストは、二重結合しながらオゾンで酸化
分解され、かつ水酸基を持つ有機化合物によりその水素
原子がレジストの二重結合に付加し、ラジカルを生成し
て酸化分解を促進し、低温でのアッシングレートを高く
できる。
ば、オゾンを含む酸素ガスに対して水酸基をもつ有機化
合物のガスを混入し、この混入したガスをレジストの塗
布された被処理基板に供給してレジストを除去する。こ
れにより、レジストは、二重結合しながらオゾンで酸化
分解され、かつ水酸基を持つ有機化合物によりその水素
原子がレジストの二重結合に付加し、ラジカルを生成し
て酸化分解を促進し、低温でのアッシングレートを高く
できる。
【０００８】請求項２によれば、オゾンを含む酸素ガス
に対してアルコールのガスを混入し、この混入したガス
をレジストの塗布された被処理基板に供給してレジスト
を除去する。
に対してアルコールのガスを混入し、この混入したガス
をレジストの塗布された被処理基板に供給してレジスト
を除去する。
【０００９】請求項３によれば、オゾンを含む酸素ガス
に対してアンモニア水の蒸気を混入し、この混入したガ
スをレジストの塗布された被処理基板に供給してレジス
トを除去する。
に対してアンモニア水の蒸気を混入し、この混入したガ
スをレジストの塗布された被処理基板に供給してレジス
トを除去する。
【００１０】請求項４によれば、オゾンを含む酸素ガス
に対してアルコール又はアンモニアのガスを混入する場
合、被処理基板に有機物が塗布されて形成された被膜で
あっても除去できる。
に対してアルコール又はアンモニアのガスを混入する場
合、被処理基板に有機物が塗布されて形成された被膜で
あっても除去できる。
【００１１】請求項５によれば、オゾンを含む酸素ガス
に対して混入するガスは、水酸基をもつ有機化合物のガ
ス、アンモニアのガス、又はアルコールのガスのうち少
なくとも１つのガスでよい。
に対して混入するガスは、水酸基をもつ有機化合物のガ
ス、アンモニアのガス、又はアルコールのガスのうち少
なくとも１つのガスでよい。
【００１２】請求項６によれば、水酸基をもつ有機化合
物のガス、アンモニアのガス、又はアルコールのガスの
うち少なくとも１つのガスを貯溜槽に収容し、オゾンを
含む酸素ガスと貯溜槽に収容されているガスとを配管系
により混入し、このガスをチャンバ内に収納されたレジ
ストの塗布された被処理基板に対して供給する。これに
より、被処理基板に塗布されているレジストは除去され
る。
物のガス、アンモニアのガス、又はアルコールのガスの
うち少なくとも１つのガスを貯溜槽に収容し、オゾンを
含む酸素ガスと貯溜槽に収容されているガスとを配管系
により混入し、このガスをチャンバ内に収納されたレジ
ストの塗布された被処理基板に対して供給する。これに
より、被処理基板に塗布されているレジストは除去され
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例について図面を
参照して説明する。図１はアッシング装置の構成図であ
る。チャンバ１は、その内部が大気圧に維持され、かつ
その内部にホットプレート２が回転及び上下動自在に設
けられている。このホットプレート２には、レジストの
塗布された被処理基板３が載置されている。
参照して説明する。図１はアッシング装置の構成図であ
る。チャンバ１は、その内部が大気圧に維持され、かつ
その内部にホットプレート２が回転及び上下動自在に設
けられている。このホットプレート２には、レジストの
塗布された被処理基板３が載置されている。
【００１４】又、チャンバ１の下部には、排気口４が形
成され、これに排気系６が連結されている。一方、貯溜
槽７が設けられ、この貯溜槽７に水酸基を持つ有機化合
物、例えばメタノール（ＣＨ3 ＯＨ）８が貯溜されてい
る。
成され、これに排気系６が連結されている。一方、貯溜
槽７が設けられ、この貯溜槽７に水酸基を持つ有機化合
物、例えばメタノール（ＣＨ3 ＯＨ）８が貯溜されてい
る。
【００１５】この貯溜槽７には、酸素のガス供給管９が
挿入され、かつ混合ガスのガス供給管１０が接続され、
このガス供給管１０の他端がチャンバ１内に挿入されて
いる。
挿入され、かつ混合ガスのガス供給管１０が接続され、
このガス供給管１０の他端がチャンバ１内に挿入されて
いる。
【００１６】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。被処理基板３がホットプレート２上に載
置され、この状態でホットプレート２が回転するととも
に被処理基板３を加熱する。
いて説明する。被処理基板３がホットプレート２上に載
置され、この状態でホットプレート２が回転するととも
に被処理基板３を加熱する。
【００１７】一方、オゾンを含む酸素ガス（Ｏ3 ／Ｏ
2 ）がガス供給管９を通して貯溜槽７に送られる。この
貯溜槽７では、重メタノール８の発揮分があり、酸素ガ
スとメタノール８の発揮分とが混入する。
2 ）がガス供給管９を通して貯溜槽７に送られる。この
貯溜槽７では、重メタノール８の発揮分があり、酸素ガ
スとメタノール８の発揮分とが混入する。
【００１８】これら酸素ガスとメタノール８との混合し
たガスは、ガス供給管１０を通してチャンバ１内に供給
される。そして、このガスが被処理基板３に対してその
上方から供給される。
たガスは、ガス供給管１０を通してチャンバ１内に供給
される。そして、このガスが被処理基板３に対してその
上方から供給される。
【００１９】この混合したガスの供給によりチャンバ１
内では、被処理基板３に対するアッシング処理が行われ
る。ここで、被処理基板３のレジストが、例えばポジ型
ノボラック系フォトレジストの場合、二重結合を有しな
がらオゾンで酸化分解される。ここで、メタノール８に
よりその水素原子がレジストの二重結合に付加し、ラジ
カルを生成して酸化分解を促進し、この結果としてアッ
シングレートは増加する。
内では、被処理基板３に対するアッシング処理が行われ
る。ここで、被処理基板３のレジストが、例えばポジ型
ノボラック系フォトレジストの場合、二重結合を有しな
がらオゾンで酸化分解される。ここで、メタノール８に
よりその水素原子がレジストの二重結合に付加し、ラジ
カルを生成して酸化分解を促進し、この結果としてアッ
シングレートは増加する。
【００２０】図２はオゾンにメタノールの代わりに重メ
タノール（ＣＤ3 ＯＤ）８を混入してアッシングした途
中でのレジストの赤外吸収スペクトルを示す。同図に示
すようにＣ−Ｄ結合由来のピーク（図示矢印）が示さ
れ、アルコールの水素原子がレジストに取り込まれてい
ることが分かる。
タノール（ＣＤ3 ＯＤ）８を混入してアッシングした途
中でのレジストの赤外吸収スペクトルを示す。同図に示
すようにＣ−Ｄ結合由来のピーク（図示矢印）が示さ
れ、アルコールの水素原子がレジストに取り込まれてい
ることが分かる。
【００２１】次にチャンバ１に供給するガスの流量を１
０（ｌ／分）、メタノールの濃度を６％で一定とし、か
つ発生オゾン濃度を８０（ｇ／Ｎｍ3 ）又は１３０（ｇ
／Ｎｍ3 ）とし、この状態にホットプレート２により被
処理基板３の基板温度を変化させると、そのアッシング
レートは図３に示す如く変化する。なお、レジストはポ
ジ型ノボラック系フォトレジストであり、５インチのシ
リコンウエハ上に塗布されている。
０（ｌ／分）、メタノールの濃度を６％で一定とし、か
つ発生オゾン濃度を８０（ｇ／Ｎｍ3 ）又は１３０（ｇ
／Ｎｍ3 ）とし、この状態にホットプレート２により被
処理基板３の基板温度を変化させると、そのアッシング
レートは図３に示す如く変化する。なお、レジストはポ
ジ型ノボラック系フォトレジストであり、５インチのシ
リコンウエハ上に塗布されている。
【００２２】同図に示すようにオゾンを含む酸素ガスに
メタノールを混入すれば、混入しない場合と比較して、
アッシングレートが高くなっていることが分かる。又、
図４には、チャンバ１に供給するガスの流量を５（ｌ／
分）、メタノールの濃度を６％で一定とし、かつ発生オ
ゾン濃度を８０（ｇ／Ｎｍ3 ）、１３０（ｇ／Ｎｍ3 ）
とし、この状態にホットプレート２により被処理基板３
の基板温度を変化させたときのアッシングレートの変化
を示す。なお、レジストは、上記同様にポジ型ノボラッ
ク系フォトレジストであり、５インチのシリコンウエハ
上に塗布されている。同図においてもオゾンを含む酸素
ガスにメタノールを混入すれば、混入しない場合と比較
して、アッシングレートが高くなっていることが分か
る。
メタノールを混入すれば、混入しない場合と比較して、
アッシングレートが高くなっていることが分かる。又、
図４には、チャンバ１に供給するガスの流量を５（ｌ／
分）、メタノールの濃度を６％で一定とし、かつ発生オ
ゾン濃度を８０（ｇ／Ｎｍ3 ）、１３０（ｇ／Ｎｍ3 ）
とし、この状態にホットプレート２により被処理基板３
の基板温度を変化させたときのアッシングレートの変化
を示す。なお、レジストは、上記同様にポジ型ノボラッ
ク系フォトレジストであり、５インチのシリコンウエハ
上に塗布されている。同図においてもオゾンを含む酸素
ガスにメタノールを混入すれば、混入しない場合と比較
して、アッシングレートが高くなっていることが分か
る。
【００２３】この後、チャンバ１に供給されたガス及び
レジストが分解したガスは、排気口５を通って排気系６
に導かれる。このように上記第１の実施例においては、
メタノール８を貯溜槽７に収容し、オゾンを含む酸素ガ
スと貯溜槽７に収容されているガスとを混入し、このガ
スをチャンバ１内に収納された被処理基板３に対して供
給するようにしたので、オゾンを含む酸素ガスにメタノ
ールを含ませなかった場合と比較してアッシングレート
を高くすることができる。
レジストが分解したガスは、排気口５を通って排気系６
に導かれる。このように上記第１の実施例においては、
メタノール８を貯溜槽７に収容し、オゾンを含む酸素ガ
スと貯溜槽７に収容されているガスとを混入し、このガ
スをチャンバ１内に収納された被処理基板３に対して供
給するようにしたので、オゾンを含む酸素ガスにメタノ
ールを含ませなかった場合と比較してアッシングレート
を高くすることができる。
【００２４】従って、オゾンを含む酸素ガスにメタノー
ルを混入した場合と混入しない場合とで、同一のアッシ
ングレートを得ようとするならば、メタノールを含ませ
た方がより低温でアッシング処理ができる。
ルを混入した場合と混入しない場合とで、同一のアッシ
ングレートを得ようとするならば、メタノールを含ませ
た方がより低温でアッシング処理ができる。
【００２５】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。この実施例では、図１に示すアッシング装置の貯溜
槽７に２〜２５％のアンモニア水（ＮＨ3 ）が貯溜され
ている。
る。この実施例では、図１に示すアッシング装置の貯溜
槽７に２〜２５％のアンモニア水（ＮＨ3 ）が貯溜され
ている。
【００２６】かかる構成であれば、オゾンを含む酸素ガ
スがガス供給管９を通して貯溜槽７に送られ、ここで、
アンモニア水の揮発分と酸素ガスとが混入する。これら
酸素ガスとアンモニア水の揮発分との混合したガスは、
ガス供給管１０を通してチャンバ１内に供給される。そ
して、このガスが被処理基板３に対してその上方から供
給され、これにより、被処理基板３に対するアッシング
処理が行われる。
スがガス供給管９を通して貯溜槽７に送られ、ここで、
アンモニア水の揮発分と酸素ガスとが混入する。これら
酸素ガスとアンモニア水の揮発分との混合したガスは、
ガス供給管１０を通してチャンバ１内に供給される。そ
して、このガスが被処理基板３に対してその上方から供
給され、これにより、被処理基板３に対するアッシング
処理が行われる。
【００２７】ここで、被処理基板３のレジストが、上記
同様にポジ型ノボラック系フォトレジストの場合、二重
結合を有しながらオゾンで酸化分解される。ここで、ア
ンモニアによりその水素原子がレジストの二重結合に付
加し、ラジカルを生成して酸化分解を促進し、この結果
としてアッシングレートは増加する。
同様にポジ型ノボラック系フォトレジストの場合、二重
結合を有しながらオゾンで酸化分解される。ここで、ア
ンモニアによりその水素原子がレジストの二重結合に付
加し、ラジカルを生成して酸化分解を促進し、この結果
としてアッシングレートは増加する。
【００２８】次にチャンバ１に供給するガスの流量を１
０（ｌ／分）、アンモニアの濃度を１０％で一定とし、
かつ発生オゾン濃度を１３０（ｇ／Ｎｍ3 ）とし、この
状態にホットプレート２により被処理基板３の基板温度
を変化させると、そのアッシングレートは図５に示す如
く変化する。なお、レジストは、上記同様に５インチの
シリコンウエハ上に塗布されている。同図に示すように
オゾンを含む酸素ガスにアンモニアを混入すれば、混入
しない場合と比較して、アッシングレートが高くなって
いることが分かる。
０（ｌ／分）、アンモニアの濃度を１０％で一定とし、
かつ発生オゾン濃度を１３０（ｇ／Ｎｍ3 ）とし、この
状態にホットプレート２により被処理基板３の基板温度
を変化させると、そのアッシングレートは図５に示す如
く変化する。なお、レジストは、上記同様に５インチの
シリコンウエハ上に塗布されている。同図に示すように
オゾンを含む酸素ガスにアンモニアを混入すれば、混入
しない場合と比較して、アッシングレートが高くなって
いることが分かる。
【００２９】この後、チャンバ１に供給されたガス及び
レジストが分解したガスは、排気口５を通って排気系６
に導かれる。このように上記第２の実施例においては、
アンモニアを貯溜槽７に収容し、オゾンを含む酸素ガス
とアンモニアのガスとを混入し、このガスをチャンバ１
内の被処理基板３に供給するようにしたので、上記第１
の実施例と同様にアッシングレートを高くでき、アンモ
ニアを混入した場合と混入しない場合とで、同一のアッ
シングレートを得ようとするならば、アンモニアを含ま
せた方がより低温でアッシング処理ができる。
レジストが分解したガスは、排気口５を通って排気系６
に導かれる。このように上記第２の実施例においては、
アンモニアを貯溜槽７に収容し、オゾンを含む酸素ガス
とアンモニアのガスとを混入し、このガスをチャンバ１
内の被処理基板３に供給するようにしたので、上記第１
の実施例と同様にアッシングレートを高くでき、アンモ
ニアを混入した場合と混入しない場合とで、同一のアッ
シングレートを得ようとするならば、アンモニアを含ま
せた方がより低温でアッシング処理ができる。
【００３０】なお、本発明は上記各実施例に限定される
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、上記各実施例では、貯溜槽７にメタノー
ル、又はアンモニア水を貯溜させているが、これらに代
えてアルコールを貯溜させ、このアルコールの揮発分を
オゾンを含む酸素ガスに混入してチャンバ１内の被処理
基板に供給してもよい。
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、上記各実施例では、貯溜槽７にメタノー
ル、又はアンモニア水を貯溜させているが、これらに代
えてアルコールを貯溜させ、このアルコールの揮発分を
オゾンを含む酸素ガスに混入してチャンバ１内の被処理
基板に供給してもよい。
【００３１】オゾンを含む酸素ガスに混入するガスは、
メタノール、アンモニア、又はアルコールの揮発分のう
ち少なくとも１つの揮発分を混入するようにしてもよ
く、さらにはアンモニア水に代えてアンモニアガスと水
蒸気との混合ガスを用いてもよい。
メタノール、アンモニア、又はアルコールの揮発分のう
ち少なくとも１つの揮発分を混入するようにしてもよ
く、さらにはアンモニア水に代えてアンモニアガスと水
蒸気との混合ガスを用いてもよい。
【００３２】又、被処理基板３が、例えば液晶ディスプ
レイに使用されているような大型基板の場合には、ガス
流量を１５〜４０（ｌ／分）の比較的大流量とし、かつ
オゾンを含む酸素ガス、又はオゾンを含む酸素ガスと窒
素ガスとの混合ガスを使用する。
レイに使用されているような大型基板の場合には、ガス
流量を１５〜４０（ｌ／分）の比較的大流量とし、かつ
オゾンを含む酸素ガス、又はオゾンを含む酸素ガスと窒
素ガスとの混合ガスを使用する。
【００３３】又、チャンバ１の上部に３００ｎｍ以下の
スペクトルの紫外線光源を配置し、オゾンを励起酸素原
子という非常に活発な原子に分離し、これをレジスト膜
に作用して酸化反応を起こさせて、レジスト除去の反応
を促進するようにしてもよい。
スペクトルの紫外線光源を配置し、オゾンを励起酸素原
子という非常に活発な原子に分離し、これをレジスト膜
に作用して酸化反応を起こさせて、レジスト除去の反応
を促進するようにしてもよい。
【００３４】又、オゾンを含む酸素ガスにアンモニア水
又はアルコールを混入してアッシングを行う場合、レジ
ストの除去に限らず、基板に塗布されている有機物であ
れば、これを除去できる。
又はアルコールを混入してアッシングを行う場合、レジ
ストの除去に限らず、基板に塗布されている有機物であ
れば、これを除去できる。
【００３５】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、低
温で実用レベルのアッシングレートを達成できるアッシ
ング方法及びその装置を提供できる。
温で実用レベルのアッシングレートを達成できるアッシ
ング方法及びその装置を提供できる。
【図１】本発明に係わるアッシング装置の第１の実施例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】オゾンと重メタノールとのを混入ガスによるア
ッシング途中でのレジストの赤外吸収スペクトルを示す
図。
ッシング途中でのレジストの赤外吸収スペクトルを示す
図。
【図３】酸素ガスにメタノールを混入した場合のアッシ
ングレートの実験結果を示す図。
ングレートの実験結果を示す図。
【図４】酸素ガスにメタノールを混入した場合のアッシ
ングレートの実験結果を示す図。
ングレートの実験結果を示す図。
【図５】酸素ガスにアンモニア水を混入した場合のアッ
シングレートの実験結果を示す図。
シングレートの実験結果を示す図。
１…チャンバ、２…ホットプレート、３…被処理基板、
７…貯溜槽、８…重メタノール、９，１０…ガス供給
管。
７…貯溜槽、８…重メタノール、９，１０…ガス供給
管。
Claims (6)
- 【請求項１】 オゾンを含む酸素ガスをレジストの塗布
された被処理基板に供給して前記レジストを除去するア
ッシング方法において、 前記酸素ガスに対して水酸基をもつ有機化合物のガスを
混入させることを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項２】 オゾンを含む酸素ガスをレジストの塗布
された被処理基板に供給して前記レジストを除去するア
ッシング方法において、 前記酸素ガスに対してアルコールのガスを混入させるこ
とを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項３】 オゾンを含む酸素ガスをレジストの塗布
された被処理基板に供給して前記レジストを除去するア
ッシング方法において、 前記酸素ガスに対してアンモニア水の蒸気を混入させる
ことを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項４】 有機物が塗布されている被処理基板に対
してアッシングを行うことを特徴とする請求項２又は３
記載のアッシング方法。 - 【請求項５】 オゾンを含む酸素ガスをレジストの塗布
された被処理基板に供給して前記レジストを除去するア
ッシング方法において、 前記酸素ガスに対して水酸基をもつ有機化合物のガス、
アンモニア水の蒸気、又はアルコールのガスのうち少な
くとも１つのガスを混入させることを特徴とするアッシ
ング方法。 - 【請求項６】 チャンバ内に収納されたレジストの塗布
された被処理基板に対してオゾンを含む酸素ガスを供給
して前記レジストを除去するアッシング装置において、 水酸基をもつ有機化合物のガス、アンモニア水の蒸気、
又はアルコールのガスのうち少なくとも１つのガスを収
容する貯溜槽と、 この貯溜槽に収容されているガスと前記酸素ガスとを混
入して前記チャンバ内の前記被処理基板に供給する配管
系と、を具備したことを特徴とするアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5228534A JPH0786134A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | アッシング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5228534A JPH0786134A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | アッシング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786134A true JPH0786134A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16877915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5228534A Pending JPH0786134A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | アッシング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052163A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Applied Materials, Inc. | Cvd or etching process using 02/03 gas mixture |
| JP2008294170A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | レジスト除去方法及びその装置 |
| JP2009157355A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-07-16 | Meidensha Corp | レジスト除去方法及びその装置 |
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1993
- 1993-09-14 JP JP5228534A patent/JPH0786134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052163A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Applied Materials, Inc. | Cvd or etching process using 02/03 gas mixture |
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