JPH0786202A - 極微細電極作製法と電子装置 - Google Patents
極微細電極作製法と電子装置Info
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- JPH0786202A JPH0786202A JP18771693A JP18771693A JPH0786202A JP H0786202 A JPH0786202 A JP H0786202A JP 18771693 A JP18771693 A JP 18771693A JP 18771693 A JP18771693 A JP 18771693A JP H0786202 A JPH0786202 A JP H0786202A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 エッチングに強い保護膜の一部をイオンビー
ムなどにより除去する方法或はレジスト膜を用いてイオ
ンビームにより保護膜の一部を除去する方法によりパタ
ーンを作製し、これらの保護膜をレジスト膜として、エ
ッチングすることにより、微細構造の電極を作製するこ
とを目的としている。 【構成】 基板１表面に金属膜２を付着させ、その表面
を陽極酸化などにより最初の金属膜と異なるレジスト膜
３に変化させた後、収束イオンビーム或はレジストパタ
ーンを作成して、陽極酸化膜の一部を除去したた後、陽
極酸化膜をレジスト膜としてウエットエッチング或はド
ライエッチングにより目的の微細構造の電極を得る。
ムなどにより除去する方法或はレジスト膜を用いてイオ
ンビームにより保護膜の一部を除去する方法によりパタ
ーンを作製し、これらの保護膜をレジスト膜として、エ
ッチングすることにより、微細構造の電極を作製するこ
とを目的としている。 【構成】 基板１表面に金属膜２を付着させ、その表面
を陽極酸化などにより最初の金属膜と異なるレジスト膜
３に変化させた後、収束イオンビーム或はレジストパタ
ーンを作成して、陽極酸化膜の一部を除去したた後、陽
極酸化膜をレジスト膜としてウエットエッチング或はド
ライエッチングにより目的の微細構造の電極を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細構造の電極を作製す
る方法とその方法を用いた電子装置に関する。
る方法とその方法を用いた電子装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来は、微細構造の電極を作製する一つの
方法として、基板表面に金属膜を付着させた後、その上
にレジストを塗布し、フォトマスクを用いてレジストを
露光現像することにより目的のパターンを作製した後、
レジストを保護膜として、金属膜をエッチングすること
により目的の金属電極を得ている。しかし、この方法で
は、レジスト膜がエッチング液或いはエッチングガスに
耐えられない場合、或いは金属膜とレジストの密着度が
悪い場合、エッチング液或いはエッチングガスが保護膜
であるレジスト膜の下に廻り込み、目的の電極構造が得
られない場合が生ずる。
方法として、基板表面に金属膜を付着させた後、その上
にレジストを塗布し、フォトマスクを用いてレジストを
露光現像することにより目的のパターンを作製した後、
レジストを保護膜として、金属膜をエッチングすること
により目的の金属電極を得ている。しかし、この方法で
は、レジスト膜がエッチング液或いはエッチングガスに
耐えられない場合、或いは金属膜とレジストの密着度が
悪い場合、エッチング液或いはエッチングガスが保護膜
であるレジスト膜の下に廻り込み、目的の電極構造が得
られない場合が生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したごと
き従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、金属
膜との密着度の良い、エッチング液或いはエッチングガ
スに強い保護膜を得ることにより、超微細構造の電極膜
を得る方法に関するものである。
き従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、金属
膜との密着度の良い、エッチング液或いはエッチングガ
スに強い保護膜を得ることにより、超微細構造の電極膜
を得る方法に関するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、従来のレジスト膜を保護膜として、金属膜をエッ
チングすることにより微細構造の電極を得る方法に対し
て、レジスト膜を１次の保護膜として用い、金属膜２を
エッチングする場合の保護膜は、最初の金属膜はエッチ
ングされるが、このエッチング液或いはエッチングガス
ではエッチングされない或いはエッチングされにくい金
属膜或いは化学変化した膜或いは最初の金属膜の陽極酸
化膜などの膜とすることにより、エッチングにより微細
構造の電極を得る方法であり、レジストの選択の自由度
を広げると共に、レジストと基板との密着性の問題を解
決した方法である。また、この方法で得られるレジスト
膜を金属膜の表面に一様に作製した後、イオンビームな
どによって除去する方法により極微細の電極が得られ
る。
めに、従来のレジスト膜を保護膜として、金属膜をエッ
チングすることにより微細構造の電極を得る方法に対し
て、レジスト膜を１次の保護膜として用い、金属膜２を
エッチングする場合の保護膜は、最初の金属膜はエッチ
ングされるが、このエッチング液或いはエッチングガス
ではエッチングされない或いはエッチングされにくい金
属膜或いは化学変化した膜或いは最初の金属膜の陽極酸
化膜などの膜とすることにより、エッチングにより微細
構造の電極を得る方法であり、レジストの選択の自由度
を広げると共に、レジストと基板との密着性の問題を解
決した方法である。また、この方法で得られるレジスト
膜を金属膜の表面に一様に作製した後、イオンビームな
どによって除去する方法により極微細の電極が得られ
る。
【０００５】
【実施例】実施例の１は、絶縁性基板或いは圧電性基板
或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或い
は半導体基板の上に、極微細構造の電極などを作製する
方法として、電極薄膜などの表面の一部を陽極酸化し、
この酸化膜をレジスト膜として用いる方法により目的の
極微細電極などを作製する方法及びこの作製法を用いて
得られる電子装置或いは電極薄膜などの表面に異なる金
属膜などを付着させ、異なる金属膜をレジスト膜として
用いる方法により目的の極微細電極などを作製する方法
及びこの作製法を用いて得られる電子装置が、実施例の
１である。実施例の２は、図．１のように、絶縁性基板
或いは圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半
絶縁性の基板或いは半導体基板１の上に、金属膜２を付
着させる第１の工程と、その金属膜を陽極酸化などによ
り第１の金属膜と異なる膜３にする第２の工程と、目的
のパターン構造の収束されたイオンビーム４或いは電子
ビーム５などにより第２の工程の異なる膜３の一部を除
去する第３の工程と、第１の工程の金属膜２はエッチン
グされるが第２の工程の異なる膜３はエッチングされな
い或いはエッチングされにくいエッチング液或いはエッ
チングガスを用いて第１の金属膜を除去する第４の工程
により目的の電極を得る作製法或いはこの作製法を用い
て得られる電子装置が実施例の２である。実施例の３
は、図．２のように、絶縁性基板或いは圧電性基板或い
は圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半
導体基板１の上に、金属膜２を付着させる第１の工程
と、第１の金属膜の上から第１の工程と異なる金属膜６
を付着させる第５の工程と、目的のパターン構造の収束
されたイオンビーム４或いは電子ビーム５などにより第
５の工程の金属膜６を除去する第６の工程と、第１の工
程の金属膜２はエッチングされるが第５の工程の金属膜
６はエッチングされない或いはエッチングされにくいエ
ッチング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属膜
を除去する第７の工程により目的の電極を得る作製法或
いはこの作製法を用いて得られる電子装置が、実施例の
３である。実施例の４は、図．３のように、絶縁性基板
或いは圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半
絶縁性の基板或いは半導体基板１の上に、金属膜を付着
させる第１の工程と、第１の工程の金属膜を陽極酸化な
どのより第１の工程の金属膜とは異なる膜３或は第１の
金属膜の上から第１の金属と異なる金属膜６を付着させ
る第８の工程と、その上にレジストなどを塗布して光露
光法などにより目的とする種々のパターン７を作製する
第９の工程と、その上から一様なイオンビーム８或は電
子ビーム９などを照射することにより、レジストに被わ
れていない第８の工程の異なる膜３或いは第８の金属膜
６を除去する第１０の工程と、レジスト膜を除去して第
１の工程の金属膜と第８工程の金属膜を露出させる第１
１の工程と、第１の工程の金属膜はエッチングされるが
第８の工程の金属膜はエッチングされない或いはエッチ
ングされにくいエッチング液或いはエッチングガスを用
いて第１の金属膜を除去する第１２の工程により目的の
電極を得る作製法或いはこの作製法を用いて得られる電
子装置、或いは第１０の工程の後、第１の工程の金属膜
はエッチングされるが第８の工程の金属膜はエッチング
されない或いはエッチングされにくいエッチング液或い
はエッチングガスを用いて第１の金属膜を除去する工程
の後、レジスト膜を除去することにより目的の電極を得
る作製法或いはこの作製法を用いて得られる電子装置
が、実施例の４である。実施例の５は、図．４のよう
に、特許請求の範囲第４項において、第１０の工程の
後、その上に金属膜２を付着させる第１３の工程と、第
１３の工程の金属膜を陽極酸化などのより第１３の工程
の金属膜とは異なる膜１１或は第１の金属膜の上から第
１の金属と異なる金属膜１２を付着させる第１４の工程
と、斜め方向から一様なイオンビーム１３或は電子ビー
ム１４などを照射することにより、レジストに被われて
いない部分及び斜め方向からのイオンビーム或は電子ビ
ームの照射された部分の第１３、１４の工程の膜１１、
１２を除去する第１５の工程と、レジスト膜を除去した
後、第１と第１３の工程の金属膜１はエッチングされる
が１１、１２の膜はエッチングされない或いはエッチン
グされにくいエッチング液或いはエッチングガスを用い
て第１の工程の金属膜と第１３の工程の金属膜を除去す
る第１６の工程により目的の電極を得る作製法或いはこ
の作製法を用いて得られる電子装置が、実施例の５であ
る。実施例の６は、特許請求の範囲第４項或は第５項の
ように、イオビーム或は電子ビームを基板面に対して、
斜め方向から入射させることにより、レジストの陰の部
分の異なる膜３或は金属膜６が除去されないような方法
により得られる電極を得る作製法或はこの作製法を用い
て得られる電子装置が、実施例の６である。本発明のレ
ジスト除去後のエッチングに用いた保護膜は、そのまま
残す場合と除去する場合のいずれも本特許に含まれる。
また、第５の工程の金属膜６は、必ずしも金属膜である
必要はなく、レジスト或いは有機薄膜その外の薄膜でも
よく、これらも本特許に含まれる。また、本発明で第１
の工程の金属膜２をエッチングする方法は、ウエットエ
ッチング或いはドライエッチング或いはその外の方法で
もよく、本特許に含まれる。
或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或い
は半導体基板の上に、極微細構造の電極などを作製する
方法として、電極薄膜などの表面の一部を陽極酸化し、
この酸化膜をレジスト膜として用いる方法により目的の
極微細電極などを作製する方法及びこの作製法を用いて
得られる電子装置或いは電極薄膜などの表面に異なる金
属膜などを付着させ、異なる金属膜をレジスト膜として
用いる方法により目的の極微細電極などを作製する方法
及びこの作製法を用いて得られる電子装置が、実施例の
１である。実施例の２は、図．１のように、絶縁性基板
或いは圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半
絶縁性の基板或いは半導体基板１の上に、金属膜２を付
着させる第１の工程と、その金属膜を陽極酸化などによ
り第１の金属膜と異なる膜３にする第２の工程と、目的
のパターン構造の収束されたイオンビーム４或いは電子
ビーム５などにより第２の工程の異なる膜３の一部を除
去する第３の工程と、第１の工程の金属膜２はエッチン
グされるが第２の工程の異なる膜３はエッチングされな
い或いはエッチングされにくいエッチング液或いはエッ
チングガスを用いて第１の金属膜を除去する第４の工程
により目的の電極を得る作製法或いはこの作製法を用い
て得られる電子装置が実施例の２である。実施例の３
は、図．２のように、絶縁性基板或いは圧電性基板或い
は圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半
導体基板１の上に、金属膜２を付着させる第１の工程
と、第１の金属膜の上から第１の工程と異なる金属膜６
を付着させる第５の工程と、目的のパターン構造の収束
されたイオンビーム４或いは電子ビーム５などにより第
５の工程の金属膜６を除去する第６の工程と、第１の工
程の金属膜２はエッチングされるが第５の工程の金属膜
６はエッチングされない或いはエッチングされにくいエ
ッチング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属膜
を除去する第７の工程により目的の電極を得る作製法或
いはこの作製法を用いて得られる電子装置が、実施例の
３である。実施例の４は、図．３のように、絶縁性基板
或いは圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半
絶縁性の基板或いは半導体基板１の上に、金属膜を付着
させる第１の工程と、第１の工程の金属膜を陽極酸化な
どのより第１の工程の金属膜とは異なる膜３或は第１の
金属膜の上から第１の金属と異なる金属膜６を付着させ
る第８の工程と、その上にレジストなどを塗布して光露
光法などにより目的とする種々のパターン７を作製する
第９の工程と、その上から一様なイオンビーム８或は電
子ビーム９などを照射することにより、レジストに被わ
れていない第８の工程の異なる膜３或いは第８の金属膜
６を除去する第１０の工程と、レジスト膜を除去して第
１の工程の金属膜と第８工程の金属膜を露出させる第１
１の工程と、第１の工程の金属膜はエッチングされるが
第８の工程の金属膜はエッチングされない或いはエッチ
ングされにくいエッチング液或いはエッチングガスを用
いて第１の金属膜を除去する第１２の工程により目的の
電極を得る作製法或いはこの作製法を用いて得られる電
子装置、或いは第１０の工程の後、第１の工程の金属膜
はエッチングされるが第８の工程の金属膜はエッチング
されない或いはエッチングされにくいエッチング液或い
はエッチングガスを用いて第１の金属膜を除去する工程
の後、レジスト膜を除去することにより目的の電極を得
る作製法或いはこの作製法を用いて得られる電子装置
が、実施例の４である。実施例の５は、図．４のよう
に、特許請求の範囲第４項において、第１０の工程の
後、その上に金属膜２を付着させる第１３の工程と、第
１３の工程の金属膜を陽極酸化などのより第１３の工程
の金属膜とは異なる膜１１或は第１の金属膜の上から第
１の金属と異なる金属膜１２を付着させる第１４の工程
と、斜め方向から一様なイオンビーム１３或は電子ビー
ム１４などを照射することにより、レジストに被われて
いない部分及び斜め方向からのイオンビーム或は電子ビ
ームの照射された部分の第１３、１４の工程の膜１１、
１２を除去する第１５の工程と、レジスト膜を除去した
後、第１と第１３の工程の金属膜１はエッチングされる
が１１、１２の膜はエッチングされない或いはエッチン
グされにくいエッチング液或いはエッチングガスを用い
て第１の工程の金属膜と第１３の工程の金属膜を除去す
る第１６の工程により目的の電極を得る作製法或いはこ
の作製法を用いて得られる電子装置が、実施例の５であ
る。実施例の６は、特許請求の範囲第４項或は第５項の
ように、イオビーム或は電子ビームを基板面に対して、
斜め方向から入射させることにより、レジストの陰の部
分の異なる膜３或は金属膜６が除去されないような方法
により得られる電極を得る作製法或はこの作製法を用い
て得られる電子装置が、実施例の６である。本発明のレ
ジスト除去後のエッチングに用いた保護膜は、そのまま
残す場合と除去する場合のいずれも本特許に含まれる。
また、第５の工程の金属膜６は、必ずしも金属膜である
必要はなく、レジスト或いは有機薄膜その外の薄膜でも
よく、これらも本特許に含まれる。また、本発明で第１
の工程の金属膜２をエッチングする方法は、ウエットエ
ッチング或いはドライエッチング或いはその外の方法で
もよく、本特許に含まれる。
【０００６】
【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、レジ
スト膜は耐エッチング性の大きいレジスト膜である必要
が無くなると共に、非常に薄いレジスト膜で微細構造の
電極が得られる。また、保護膜と金属膜との密着性が良
いので、更に狭い幅の電極が得られる。
スト膜は耐エッチング性の大きいレジスト膜である必要
が無くなると共に、非常に薄いレジスト膜で微細構造の
電極が得られる。また、保護膜と金属膜との密着性が良
いので、更に狭い幅の電極が得られる。
【０００７】
【図１】本発明の微細構造の電極を作製する方法とし
て、陽極酸化レジスト膜を収束されたイオンビームなど
を除去する方法によいパターンを作製した後、エッチン
グより、微細電極を得る工程の実施例を示す断面図であ
る。
て、陽極酸化レジスト膜を収束されたイオンビームなど
を除去する方法によいパターンを作製した後、エッチン
グより、微細電極を得る工程の実施例を示す断面図であ
る。
【図２】本発明の微細構造の電極を作製する工程の内、
図１の化学変化を用いる方法に対して、第２の工程の代
わりに、金属膜などをレジスト保護膜として用いる工程
を示す断面図である。
図１の化学変化を用いる方法に対して、第２の工程の代
わりに、金属膜などをレジスト保護膜として用いる工程
を示す断面図である。
【図３】本発明の微細構造の電極を作製する工程の内、
陽極酸化膜などの保護膜を、一様なイオンビームなどを
用いて、レジスト保護膜を除去する方法により微細電極
を得る工程を示す断面図である。
陽極酸化膜などの保護膜を、一様なイオンビームなどを
用いて、レジスト保護膜を除去する方法により微細電極
を得る工程を示す断面図である。
【図４】本発明の微細構造の電極を作製する方法とし
て、斜め方向からのイオンビームなどにより、非対象構
造の微細電極を得る方法の工程を示す断面図である。
て、斜め方向からのイオンビームなどにより、非対象構
造の微細電極を得る方法の工程を示す断面図である。
１…基板、２…金属膜、３…陽極酸化レジスト膜、４…
イオンビーム、５…電子ビーム、６…金属膜、 ７…レ
ジスト膜、８…イオンビーム、９…電子ビーム、１０…
金属膜、１１…陽極酸化レジスト膜、１２…金属膜、１
３…斜めイオンビーム、１４…斜め電子ビーム。
イオンビーム、５…電子ビーム、６…金属膜、 ７…レ
ジスト膜、８…イオンビーム、９…電子ビーム、１０…
金属膜、１１…陽極酸化レジスト膜、１２…金属膜、１
３…斜めイオンビーム、１４…斜め電子ビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 21/3065
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性
薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板
の上に、極微細構造の電極などを作製する方法として、
電極薄膜などの表面の一部を陽極酸化し、この酸化膜を
レジスト膜として用いる方法により目的の極微細電極な
どを作製する方法及びこの作製法を用いて得られる電子
装置或いは電極薄膜などの表面に異なる金属膜などを付
着させ、異なる金属膜をレジスト膜として用いる方法に
より目的の極微細電極などを作製する方法及びこの作製
法を用いて得られる電子装置。 - 【請求項２】絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性
薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板
１の上に、金属膜２を付着させる第１の工程と、その金
属膜を陽極酸化などにより第１の金属膜と異なる膜３に
する第２の工程と、目的のパターン構造の収束されたイ
オンビーム４或いは電子ビーム５などにより第２の工程
の異なる膜３の一部を除去する第３の工程と、第１の工
程の金属膜２はエッチングされるが第２の工程の異なる
膜３はエッチングされない或いはエッチングされにくい
エッチング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属
膜を除去する第４の工程により目的の電極を得る作製法
或いはこの作製法を用いて得られる電子装置。 - 【請求項３】絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性
薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板
１の上に、金属膜２を付着させる第の工程と、第１の金
属膜の上から第１の工程と異なる金属膜６を付着させる
第５の工程と、目的のパターン構造の収束されたイオン
ビーム４或いは電子ビーム５などにより第５の工程の金
属膜６を除去する第６の工程と、第１の工程の金属膜２
はエッチングされるが第５の工程の金属膜６はエッチン
グされない或いはエッチングされにくいエッチング液或
いはエッチングガスを用いて第１の金属膜を除去する第
７の工程により目的の電極を得る作製法或いはこの作製
法を用いて得られる電子装置。 - 【請求項４】絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性
薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板
１の上に、金属膜を付着させる第１の工程と、第１の工
程の金属膜を陽極酸化などのより第１の工程の金属膜と
は異なる膜３或は第１の金属膜の上から第１の金属と異
なる金属膜６を付着させる第８の工程と、その上にレジ
ストなどを塗布して光露光法などにより目的とする種々
のパターン７を作製する第９の工程と、その上から一様
なイオンビーム８或は電子ビーム９などを照射すること
により、レジストに被われていない第８の工程の異なる
膜３或いは第８の金属膜６を除去する第１０の工程と、
レジスト膜を除去して第１の工程の金属膜と第８工程の
金属膜を露出させる第１１の工程と、第１の工程の金属
膜はエッチングされるが第８の工程の金属膜はエッチン
グされない或いはエッチングされにくいエッチング液或
いはエッチングガスを用いて第１の金属膜を除去する第
１２の工程により目的の電極を得る作製法或いはこの作
製法を用いて得られる電子装置、或いは第１０の工程の
後、第１の工程の金属膜はエッチングされるが第８の工
程の金属膜はエッチングされない或いはエッチングされ
にくいエッチング液或いはエッチングガスを用いて第１
の金属膜を除去する工程の後、レジスト膜を除去するこ
とにより目的の電極を得る作製法或いはこの作製法を用
いて得られる電子装置。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項において、第１０の
工程の後、その上に金属膜２を付着させる第１３の工程
と、第１３の工程の金属膜を陽極酸化などのより第１３
の工程の金属膜とは異なる膜１１或は第１の金属膜の上
から第１の金属と異なる金属膜１２を付着させる第１４
の工程と、斜め方向から一様なイオンビーム１３或は電
子ビーム１４などを照射することにより、レジストに被
われていない部分及びイオンビーム或は電子ビームの照
射された部分の第１３、１４の工程の膜１１、１２を除
去する第１５の工程と、レジスト膜を除去した後、第１
と第１３の工程の金属膜１はエッチングされるが、１
１、１２の膜はエッチングされない或いはエッチングさ
れにくいエッチング液或いはエッチングガスを用いて第
１の工程の金属膜と第１３の工程の金属膜を除去する第
１６の工程により目的の電極を得る作製法或いはこの作
製法を用いて得られる電子装置。 - 【請求項６】特許請求の範囲第４項或は第５項のよう
に、イオビーム或は電子ビームを基板面に対して、斜め
方向から入射させることにより、レジストの陰の部分の
異なる膜３或は金属膜６が除去されないような方法によ
り得られる電極を得る作製法或はこの作製法を用いて得
られる電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18771693A JPH0786202A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 極微細電極作製法と電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18771693A JPH0786202A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 極微細電極作製法と電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786202A true JPH0786202A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16210931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18771693A Pending JPH0786202A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 極微細電極作製法と電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522323A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种ito图案化方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP18771693A patent/JPH0786202A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522323A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种ito图案化方法 |
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