JPH0786241A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JPH0786241A JPH0786241A JP22546893A JP22546893A JPH0786241A JP H0786241 A JPH0786241 A JP H0786241A JP 22546893 A JP22546893 A JP 22546893A JP 22546893 A JP22546893 A JP 22546893A JP H0786241 A JPH0786241 A JP H0786241A
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- vacuum
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、スパッタやＣＶＤ装置あるいはエッ
チング装置などの真空処理装置を水分を含む外気に真空
処理室をさらすことなく内部の清掃を効率良く行い、装
置の稼動率を大巾に高めることを目的とする。 【構成】真空処理室１と下部真空室６に清掃用ガス導入
口１２，２４と、ガス排出ダクト１７と可動式電気集じ
ん機１４を設ける。真空処理を終了した後、大気圧レベ
ルの乾燥ガスを導入して反応室や真空室内の異物を舞い
上がらせ、ガス気流に乗せて排出ダクトから装置外へ除
去するか、あるいは適切に配置された電気集じん機に捕
獲させる。さらに、上記の乾燥ガスによる清掃の間に、
反応室を再度真空にもどし、反応室内に清掃用のプラズ
マを立てて壁面の反応生成物をプラズマで脱離させ、塵
埃となった生成物を再び、乾燥ガスの導入、排出により
除去する。
チング装置などの真空処理装置を水分を含む外気に真空
処理室をさらすことなく内部の清掃を効率良く行い、装
置の稼動率を大巾に高めることを目的とする。 【構成】真空処理室１と下部真空室６に清掃用ガス導入
口１２，２４と、ガス排出ダクト１７と可動式電気集じ
ん機１４を設ける。真空処理を終了した後、大気圧レベ
ルの乾燥ガスを導入して反応室や真空室内の異物を舞い
上がらせ、ガス気流に乗せて排出ダクトから装置外へ除
去するか、あるいは適切に配置された電気集じん機に捕
獲させる。さらに、上記の乾燥ガスによる清掃の間に、
反応室を再度真空にもどし、反応室内に清掃用のプラズ
マを立てて壁面の反応生成物をプラズマで脱離させ、塵
埃となった生成物を再び、乾燥ガスの導入、排出により
除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理方法及び装置
に係り、特に真空下でスパッタやＣＶＤ等で薄膜を形成
あるいはエッチング，イオン打込み等の表面の微細加工
を行うのに好適な真空処理方法及び装置に関するもので
ある。
に係り、特に真空下でスパッタやＣＶＤ等で薄膜を形成
あるいはエッチング，イオン打込み等の表面の微細加工
を行うのに好適な真空処理方法及び装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】真空処理装置の反応生成物を処理室の真
空をブレークすることなく除去する従来の技術として
は、特開昭６１−２１６３２７号公報，特開昭６３−１
２６２２５号公報，特開平１−１１５１２３号公報，特
開平１−１１５１２３号公報，特開平２−９４５２２号
公報で提案されているように、処理室に基板の真空処理
時とは別にプラズマを生成して付着物を除去する方法が
ある。
空をブレークすることなく除去する従来の技術として
は、特開昭６１−２１６３２７号公報，特開昭６３−１
２６２２５号公報，特開平１−１１５１２３号公報，特
開平１−１１５１２３号公報，特開平２−９４５２２号
公報で提案されているように、処理室に基板の真空処理
時とは別にプラズマを生成して付着物を除去する方法が
ある。
【０００３】真空処理室内に集じん機能を備えた従来の
技術の例としては、特開平３−１２７８３１号公報があ
る。また、特開昭６０−２８８４９号公報のように処理
室と真空排気ポンプ系との間に遠心集じん器を置いた例
もある。また、真空処理室内に基板処理後、ガスを導入
して清掃を行おうとする従来技術の例としては、特開昭
６３−１０３５号公報及び特開平２−５０４２３号公報
がある。いずれの技術もガスをリークして塵埃を舞上ら
せて真空ポンプ側に排気し、異物を除去しようというも
のである。
技術の例としては、特開平３−１２７８３１号公報があ
る。また、特開昭６０−２８８４９号公報のように処理
室と真空排気ポンプ系との間に遠心集じん器を置いた例
もある。また、真空処理室内に基板処理後、ガスを導入
して清掃を行おうとする従来技術の例としては、特開昭
６３−１０３５号公報及び特開平２−５０４２３号公報
がある。いずれの技術もガスをリークして塵埃を舞上ら
せて真空ポンプ側に排気し、異物を除去しようというも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術は、処理室内にクリーニング用のプラズマを生成さ
せ、堆積付着物を壁面から離脱させるだけでは処理室内
から異物を除去する効果は少ない。離脱した付着物はプ
ラズマによる電気的な力によって浮遊したり、ガスの流
れによって真空ポンプ側へ多少移送されたりするが、も
ともと真空雰囲気であるので移送される力は弱く、脱離
した異物のほとんどは処理室に残ってしまい、クリーニ
ングしたことにならない。
技術は、処理室内にクリーニング用のプラズマを生成さ
せ、堆積付着物を壁面から離脱させるだけでは処理室内
から異物を除去する効果は少ない。離脱した付着物はプ
ラズマによる電気的な力によって浮遊したり、ガスの流
れによって真空ポンプ側へ多少移送されたりするが、も
ともと真空雰囲気であるので移送される力は弱く、脱離
した異物のほとんどは処理室に残ってしまい、クリーニ
ングしたことにならない。
【０００５】また、別の従来技術にあるような、単に静
電集じんの機能を置くだけでは、処理室で発生する反応
生成物や壁面に析出する付着物を集めることができず、
やはり処理室内で発生する反応生成物はそのまま処理室
に残ってしまい、クリーニングの効果は少ない。
電集じんの機能を置くだけでは、処理室で発生する反応
生成物や壁面に析出する付着物を集めることができず、
やはり処理室内で発生する反応生成物はそのまま処理室
に残ってしまい、クリーニングの効果は少ない。
【０００６】さらに、別の従来技術にあるように、たと
え異物が舞い上がったにしても、真空ポンプを用いるた
めに使用できる圧力は大気圧よりはるかに低いレベルと
なり、異物を排除する力は弱い。また処理室内に付着し
ている反応生成物は、多少のガスのリークでは脱離せ
ず、処理室のクリーニング効果は少ない。以上のよう
に、従来の技術では、真空処理室を真空に維持したまま
清掃することは難しい。
え異物が舞い上がったにしても、真空ポンプを用いるた
めに使用できる圧力は大気圧よりはるかに低いレベルと
なり、異物を排除する力は弱い。また処理室内に付着し
ている反応生成物は、多少のガスのリークでは脱離せ
ず、処理室のクリーニング効果は少ない。以上のよう
に、従来の技術では、真空処理室を真空に維持したまま
清掃することは難しい。
【０００７】一般に真空処理装置では、反応処理室内の
プラズマ，ラジカルあるいは熱的に活性なガス分子など
によって基板表面上に薄膜の形成が行われたり、基板の
エッチングが行われたりする。この際、基板以外の反応
処理室壁面や内部部品の表面上にも反応生成物がたい積
したり、あるいは逆に表面がエッチングされたりする。
これら反応室内で形成される反応生成物は、真空処理装
置全体にわたって、塵埃あるいは異物として堆積され
る。これら異物はＬＳＩ用基板など微細加工を要する処
理過程で製品不良をひき起こす主要因となるものであ
る。したがって真空処理装置では加工不良を防ぐため、
定期的に装置を止め、反応室を開けて内部にたい積した
反応生成物や異物を除去し清掃しなければならない。こ
の清掃とその後の装置立上げ、加工の条件出し等には一
般的に長い時間を要し、このことが真空処理装置の稼動
率を向上させる上での最大の障害になっている。また清
掃のたびに反応室を水分を含む大気にさらすことが、再
立上げ後の真空処理条件を短時間でもとに戻す上で障害
になることがあり、稼動率低下の一つの原因となってい
る。
プラズマ，ラジカルあるいは熱的に活性なガス分子など
によって基板表面上に薄膜の形成が行われたり、基板の
エッチングが行われたりする。この際、基板以外の反応
処理室壁面や内部部品の表面上にも反応生成物がたい積
したり、あるいは逆に表面がエッチングされたりする。
これら反応室内で形成される反応生成物は、真空処理装
置全体にわたって、塵埃あるいは異物として堆積され
る。これら異物はＬＳＩ用基板など微細加工を要する処
理過程で製品不良をひき起こす主要因となるものであ
る。したがって真空処理装置では加工不良を防ぐため、
定期的に装置を止め、反応室を開けて内部にたい積した
反応生成物や異物を除去し清掃しなければならない。こ
の清掃とその後の装置立上げ、加工の条件出し等には一
般的に長い時間を要し、このことが真空処理装置の稼動
率を向上させる上での最大の障害になっている。また清
掃のたびに反応室を水分を含む大気にさらすことが、再
立上げ後の真空処理条件を短時間でもとに戻す上で障害
になることがあり、稼動率低下の一つの原因となってい
る。
【０００８】本発明は、真空処理装置の清掃を効率良く
行い、トータルの清掃時間を短くすることにより、装置
の稼動率を大巾に高めることを目的とする。
行い、トータルの清掃時間を短くすることにより、装置
の稼動率を大巾に高めることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の手段は、真空処理室を真空に維持したまま清掃
することである。第２の手段は、真空処理室を外の空気
に解放することなく清掃することである。第３の手段
は、反応室内に異物を集塵する機能手段を反応室内に設
けることである。第４の手段は、微小じんあいとなって
反応室内に降り積もっている異物を、不活性で乾燥した
ガスを導入することにより空間中に巻き上げ、ガスの流
れに乗せて排気口から処理装置の外へ除去する方法であ
る。第５は排気口近くのガス流路中に電気集塵機を設け
たものである。第６は、第４で述べた方法で導入した乾
燥ガスを排気するための排気口を真空ポンプの入口バル
ブの上流側に設けるようにしたものである。第７は、壁
面にたい積した反応生成物をプラズマでたたくことによ
って壁面からはがし、これを乾燥ガスの気流に乗せて排
気口に導き、外部へ除去する方法である。第８は、処理
室の外部から内部壁面上の反応生成物の形成状態をモニ
ターする共に、必要に応じて自動的に清掃するようにし
たものである。
の第１の手段は、真空処理室を真空に維持したまま清掃
することである。第２の手段は、真空処理室を外の空気
に解放することなく清掃することである。第３の手段
は、反応室内に異物を集塵する機能手段を反応室内に設
けることである。第４の手段は、微小じんあいとなって
反応室内に降り積もっている異物を、不活性で乾燥した
ガスを導入することにより空間中に巻き上げ、ガスの流
れに乗せて排気口から処理装置の外へ除去する方法であ
る。第５は排気口近くのガス流路中に電気集塵機を設け
たものである。第６は、第４で述べた方法で導入した乾
燥ガスを排気するための排気口を真空ポンプの入口バル
ブの上流側に設けるようにしたものである。第７は、壁
面にたい積した反応生成物をプラズマでたたくことによ
って壁面からはがし、これを乾燥ガスの気流に乗せて排
気口に導き、外部へ除去する方法である。第８は、処理
室の外部から内部壁面上の反応生成物の形成状態をモニ
ターする共に、必要に応じて自動的に清掃するようにし
たものである。
【００１０】
【作用】真空処理室を清掃する際に、真空を破らないで
真空を維持したまま実行すれば清掃後の真空立上げ時間
が不要になると共に、反応室内が水分を含んだ大気にさ
らされることがなくなるので処理条件の設定が短時間で
行えるようになる。清掃を行う際に大気圧レベルのガス
を用いるとして、乾燥させた不活性ガスあるいは窒素を
用いれば、反応室内が水分を含んだ大気にさらされるこ
とがなくなるので、やはり処理条件の設定を短時間で行
うことができるようになる。真空処理室内に集塵機能を
設けておくことにより大気に解放することなく処理室内
を清掃することが可能になる。清掃が必要になった時期
に真空処理室内に不活性で乾燥したガスを吹き込んで排
気口側から流出させることにより、微小塵埃となって反
応室に降り積もっている異物を空間中に巻き上げ、ガス
の流れに乗せて真空処理装置の外へ除去する。これによ
って水分を含んだ大気にさらすことなく、処理室内部に
堆積した異物を除去することができる。排気口近くに集
塵機を設置しておけば、気流に乗った異物をより効果的
に除去することができる。また、大気圧レベルの導入乾
燥ガスを排気口として真空ポンプでなく、ポンプ入口側
バルブの上流側に別のバルブ付排気口を設置しておけ
ば、前記乾燥ガス導入清掃時に真空ポンプを切り離して
おくことができる。
真空を維持したまま実行すれば清掃後の真空立上げ時間
が不要になると共に、反応室内が水分を含んだ大気にさ
らされることがなくなるので処理条件の設定が短時間で
行えるようになる。清掃を行う際に大気圧レベルのガス
を用いるとして、乾燥させた不活性ガスあるいは窒素を
用いれば、反応室内が水分を含んだ大気にさらされるこ
とがなくなるので、やはり処理条件の設定を短時間で行
うことができるようになる。真空処理室内に集塵機能を
設けておくことにより大気に解放することなく処理室内
を清掃することが可能になる。清掃が必要になった時期
に真空処理室内に不活性で乾燥したガスを吹き込んで排
気口側から流出させることにより、微小塵埃となって反
応室に降り積もっている異物を空間中に巻き上げ、ガス
の流れに乗せて真空処理装置の外へ除去する。これによ
って水分を含んだ大気にさらすことなく、処理室内部に
堆積した異物を除去することができる。排気口近くに集
塵機を設置しておけば、気流に乗った異物をより効果的
に除去することができる。また、大気圧レベルの導入乾
燥ガスを排気口として真空ポンプでなく、ポンプ入口側
バルブの上流側に別のバルブ付排気口を設置しておけ
ば、前記乾燥ガス導入清掃時に真空ポンプを切り離して
おくことができる。
【００１１】清掃時に、まず清掃用のプラズマを立てる
ことにより、壁面等に強固に付着している反応生成物を
分離させ、次いで乾燥した不活性ガスを吹き込むことに
より、分離した塵埃を気流に巻き込み、排気口から気流
と共に装置外に除去することができる。
ことにより、壁面等に強固に付着している反応生成物を
分離させ、次いで乾燥した不活性ガスを吹き込むことに
より、分離した塵埃を気流に巻き込み、排気口から気流
と共に装置外に除去することができる。
【００１２】真空処理室内の状態をモニターするように
しておくことにより、清掃の必要性が常時判断できるよ
うになると共に、最も適したタイミングでの自動清掃が
可能になる。
しておくことにより、清掃の必要性が常時判断できるよ
うになると共に、最も適したタイミングでの自動清掃が
可能になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例で、有磁場マ
イクロ波プラズマエッチング装置における事例である。
図１において、１は反応処理室，２は反応処理室を形成
する石英ベルジャー，３は反応室に磁場を与える磁石，
４はマグネトロン，５及び５０はマイクロ波の導波管，
６は下部真空室，２１はベースフランジ，７は電極で、
処理時にはウエハ８がこの上に置かれている。９は排気
ダクト，２０は真空バルブ，１０は真空ポンプ，１１は
エッチングガス供給口，２３はエッチングガスボンベ，
１２，２４は清掃用乾燥ガス導入口，１３は清掃用乾燥
ガス，１４−１，１４−２，１４−３は上下可動式電気
集じん機，１５は電極に与える高周波電源，１６は粗引
ポンプ，１７は清掃ガス用排気ダクトである。電極７及
び電気集じん機１４は、１８及び１９−１，１９−２の
シール部で真空と大気の間を可動シールされ、それぞれ
上下方向に動かすことができる。図２は図１のII−II線
断面図（反応処理室を上側から断面図で）、電気集じん
機１４は複数個設けられ、またこれと対向するように複
数個の乾燥ガス導入口１２−１，１２−２，１２−３が
設けられている。
イクロ波プラズマエッチング装置における事例である。
図１において、１は反応処理室，２は反応処理室を形成
する石英ベルジャー，３は反応室に磁場を与える磁石，
４はマグネトロン，５及び５０はマイクロ波の導波管，
６は下部真空室，２１はベースフランジ，７は電極で、
処理時にはウエハ８がこの上に置かれている。９は排気
ダクト，２０は真空バルブ，１０は真空ポンプ，１１は
エッチングガス供給口，２３はエッチングガスボンベ，
１２，２４は清掃用乾燥ガス導入口，１３は清掃用乾燥
ガス，１４−１，１４−２，１４−３は上下可動式電気
集じん機，１５は電極に与える高周波電源，１６は粗引
ポンプ，１７は清掃ガス用排気ダクトである。電極７及
び電気集じん機１４は、１８及び１９−１，１９−２の
シール部で真空と大気の間を可動シールされ、それぞれ
上下方向に動かすことができる。図２は図１のII−II線
断面図（反応処理室を上側から断面図で）、電気集じん
機１４は複数個設けられ、またこれと対向するように複
数個の乾燥ガス導入口１２−１，１２−２，１２−３が
設けられている。
【００１５】この装置では、まず通常のエッチング処理
が行われる。すなわち真空ポンプ１０と１６の作動によ
り反応室１が真空に排気され、次いで磁石３によって磁
場が印加されると共にエッチングガスが導入口１１から
真空室に導入され、さらにマグネトロン４が作動してマ
イクロ波が導波管５から反応室１へ導かれ、プラズマ着
火する。電極７の上にはウエハ８が置かれている。マイ
クロ波や磁場の強さ，エッチングガス流量，ポンプ排気
速度，高周波の強さなどが調整されることにより適切な
プラズマが形成され、この作用によりウエハ８は微細加
工される。所定の加工が終了すると一度プラズマが止め
られ、真空にロードロックされたまま、ウエハは準備室
（図示せず）に運ばれ、代りに次のウエハが電極上に搬
入される。再びプラズマが着火され、次の加工が行われ
る。このように真空処理室ではいわゆる枚葉方式で真空
を維持したまま次々とウエハのエッチング処理と交換が
行われる。ところでエッチング処理のたびに、反応処理
室内には反応生成物が形成される。これらの一部は排気
ダクト９から真空ポンプ１０で系外に排気されるが、一
部は微小な固体異物となって真空室６の内壁面や電極７
の表面に折出したり、付着したりする。エッチング処理
が繰り返されるとこの反応生成物による異物が限度以上
に蓄積される。反応生成物の蓄積が限度以上になると、
エッチングを止め、そのまま処理室を大気には開けず、
真空バルブ２０を閉じ、水分を除去した窒素など不活性
な乾燥ガスを導入口１２や１２−２から処理室及び下部
真空室へ吹き込む。圧力は大気圧レベルでよい。壁面や
電極の表面に蓄積されていた異物はこのガスによって巻
き上げられる。乾燥ガスの吹き込みと同時に電気集じん
機１４を作動させておくと、乾燥ガスに巻き上げられた
異物は電気集じん機１４に捕獲される。なお乾燥ガスの
導入に合わせて反応室内が大気圧以上になったならばバ
ルブ２２を開き、乾燥ガスを排出ダクト１７から室外に
排出するようにする。電気集じん機１４は上下方向に可
動できるようにしておき、異物の捕獲に効果的な位置に
持ってくるようにする。例えば、通常は下部真空室内に
納められているが、清掃を始めると共に上側に移動し、
電極７の様に持ってくる。あるいは電極７を下側に下げ
てもよい。このようにして清掃用乾燥ガス導入口１２か
ら導入される乾燥ガスが電極表面に直接当たるように
し、さらに図２に示すように電気集じん機１４を導入さ
れる乾燥ガスの方向に対向するようにして配置しておけ
ば、乾燥ガスに巻き上げられた異物は、効率よく電気集
じん機１４に捕獲される。また異物の蓄積され易い下部
真空室の異物を巻き上げ易くするために、乾燥ガスの導
入口を２４のように底面近くに配置することも効果的で
ある。このような清掃作業を続ければ、真空処理室を外
気にさらすことなく、内部の異物を除去できる。反応室
を開けたりすることが不要になるため清掃時間も短縮で
きる。導入するガスは大気圧のレベルであっても水分を
含まない不活性乾燥ガスであるため、清掃後の真空立上
げはごく短時間で行うことができる。また水分が浸入し
ていないため、立上げ後のエッチング処理条件も清掃前
と同じにすることにより再現性のよいエッチング加工が
実現される。このようにして清掃時間及びその後のエッ
チング処理のための立上げ時間を大巾に短縮することが
できるため、エッチング装置の稼動率を飛躍的に向上さ
せることができる。
が行われる。すなわち真空ポンプ１０と１６の作動によ
り反応室１が真空に排気され、次いで磁石３によって磁
場が印加されると共にエッチングガスが導入口１１から
真空室に導入され、さらにマグネトロン４が作動してマ
イクロ波が導波管５から反応室１へ導かれ、プラズマ着
火する。電極７の上にはウエハ８が置かれている。マイ
クロ波や磁場の強さ，エッチングガス流量，ポンプ排気
速度，高周波の強さなどが調整されることにより適切な
プラズマが形成され、この作用によりウエハ８は微細加
工される。所定の加工が終了すると一度プラズマが止め
られ、真空にロードロックされたまま、ウエハは準備室
（図示せず）に運ばれ、代りに次のウエハが電極上に搬
入される。再びプラズマが着火され、次の加工が行われ
る。このように真空処理室ではいわゆる枚葉方式で真空
を維持したまま次々とウエハのエッチング処理と交換が
行われる。ところでエッチング処理のたびに、反応処理
室内には反応生成物が形成される。これらの一部は排気
ダクト９から真空ポンプ１０で系外に排気されるが、一
部は微小な固体異物となって真空室６の内壁面や電極７
の表面に折出したり、付着したりする。エッチング処理
が繰り返されるとこの反応生成物による異物が限度以上
に蓄積される。反応生成物の蓄積が限度以上になると、
エッチングを止め、そのまま処理室を大気には開けず、
真空バルブ２０を閉じ、水分を除去した窒素など不活性
な乾燥ガスを導入口１２や１２−２から処理室及び下部
真空室へ吹き込む。圧力は大気圧レベルでよい。壁面や
電極の表面に蓄積されていた異物はこのガスによって巻
き上げられる。乾燥ガスの吹き込みと同時に電気集じん
機１４を作動させておくと、乾燥ガスに巻き上げられた
異物は電気集じん機１４に捕獲される。なお乾燥ガスの
導入に合わせて反応室内が大気圧以上になったならばバ
ルブ２２を開き、乾燥ガスを排出ダクト１７から室外に
排出するようにする。電気集じん機１４は上下方向に可
動できるようにしておき、異物の捕獲に効果的な位置に
持ってくるようにする。例えば、通常は下部真空室内に
納められているが、清掃を始めると共に上側に移動し、
電極７の様に持ってくる。あるいは電極７を下側に下げ
てもよい。このようにして清掃用乾燥ガス導入口１２か
ら導入される乾燥ガスが電極表面に直接当たるように
し、さらに図２に示すように電気集じん機１４を導入さ
れる乾燥ガスの方向に対向するようにして配置しておけ
ば、乾燥ガスに巻き上げられた異物は、効率よく電気集
じん機１４に捕獲される。また異物の蓄積され易い下部
真空室の異物を巻き上げ易くするために、乾燥ガスの導
入口を２４のように底面近くに配置することも効果的で
ある。このような清掃作業を続ければ、真空処理室を外
気にさらすことなく、内部の異物を除去できる。反応室
を開けたりすることが不要になるため清掃時間も短縮で
きる。導入するガスは大気圧のレベルであっても水分を
含まない不活性乾燥ガスであるため、清掃後の真空立上
げはごく短時間で行うことができる。また水分が浸入し
ていないため、立上げ後のエッチング処理条件も清掃前
と同じにすることにより再現性のよいエッチング加工が
実現される。このようにして清掃時間及びその後のエッ
チング処理のための立上げ時間を大巾に短縮することが
できるため、エッチング装置の稼動率を飛躍的に向上さ
せることができる。
【００１６】処理室内に付着した反応生成物は種類によ
っては乾燥ガスの吹きつけだけでは除去しにくい場合が
ある。このような場合は乾燥ガスの導入を一度止め、真
空ポンプを働かせて処理室内を真空にし、微量の乾燥ガ
スを導入しながらマイクロ波を導波管５から導入してプ
ラズマを発生させ、このプラズマを壁面に当てて付着し
た生成物を壁面から脱離させることも有力な方法であ
る。この場合は、プラズマを適切な時間当てた後で止
め、再び同じように真空バルブ２０で真空ポンプと処理
室を切り離し、乾燥ガスを導入して異物を巻き上げ、電
気集じん機で捕獲する。乾燥ガス導入による異物除去
と、プラズマ励起による付着物の脱離の操作を繰り返す
ことも有効な方法である。
っては乾燥ガスの吹きつけだけでは除去しにくい場合が
ある。このような場合は乾燥ガスの導入を一度止め、真
空ポンプを働かせて処理室内を真空にし、微量の乾燥ガ
スを導入しながらマイクロ波を導波管５から導入してプ
ラズマを発生させ、このプラズマを壁面に当てて付着し
た生成物を壁面から脱離させることも有力な方法であ
る。この場合は、プラズマを適切な時間当てた後で止
め、再び同じように真空バルブ２０で真空ポンプと処理
室を切り離し、乾燥ガスを導入して異物を巻き上げ、電
気集じん機で捕獲する。乾燥ガス導入による異物除去
と、プラズマ励起による付着物の脱離の操作を繰り返す
ことも有効な方法である。
【００１７】電気集じん機を排気ダクト１７の内部ある
いは、排気ダクト１７の入り口に近い下部真空室内に置
くことも有効である。
いは、排気ダクト１７の入り口に近い下部真空室内に置
くことも有効である。
【００１８】排気ダクト１７の先に掃除器のようなガス
吸引力のある送風機を設けることも有効である。
吸引力のある送風機を設けることも有効である。
【００１９】次に、本発明の他の実施例を図３により説
明する。
明する。
【００２０】図３において、図１で説明した内容と同様
のエッチング処理が繰り返されると、反応生成物による
塵埃が電極７の上や反応処理室１内や下部真空室６内に
蓄積する。反応生成物による塵埃の蓄積が限度以上にな
ると、本方式による清掃を開始する。すなわち、エッチ
ングを止め、そのまま反応処理室を大気に開けず、真空
バルブ２０を閉じ、乾燥させた不活性ガスあるいは窒素
をガス導入管４０及び４１から処理室及び下部真空室へ
吹き込む。ガス導入管４０及び４１はシール部４４及び
４５で真空と大気の間を可動シールされ、それぞれ前後
方向に動かすことができると共に回転もできるようにな
っている。例えばガス導入管４０は、通常は下部真空室
６内にあるが、清掃を始める際には可動機構（図では省
略）により上側のエッチング室側へ動かし、ガス導入管
の吹出し口４８がちょうど電極７の上面のすぐ横になる
位置に持ってくる。そこで乾燥ガスを吹出し、電極上や
横の塵埃を吹き飛ばす。さらにガス導入管４０を軸方向
を中心に回転させるようにしておけば、ガス吹出し口４
８から吹出されるガスは電極上にまんべんなく当たり、
塵埃を効果的に吹き飛ばすことができる。さらに上の操
作の際に同時にガス排出管４２を下側真空室６から上側
へ移動させ、ガス排出口４９が電極７の上側にあたる位
置にくるように配置し、ガス導入管４０よりのガス導入
によって処理室内の圧力が大気圧以上になったところで
排気を始め、導入ガスによって舞い上った塵埃を気流に
乗せて排気管４２から外部へ排除する。排気管４２も上
下方向だけでなく回転もできるようにしておけば、舞い
上った塵埃をより効果的に吸い込み排除することができ
る。ガスの吹きつけによって舞い上がった塵埃の一部は
下部真空室６の側へも舞い降りてくる。これら下側へ降
ってくる塵埃は、下部真空室６の底面付近に設けたガス
排気口４３によってやはり気流に乗せて外部へ除去され
る。排気口４３の吸込口は底面に平行方向に開いてい
て、かつ回転できるようにしておけば効果的に塵埃を除
去できる。またガス導入管４１は下部真空室内の塵埃を
吹き飛ばすために設けたもので、前後に動くと共に回転
もできるようになっていて、下部真空室の底面や側面に
まんべんなく導入乾燥ガスが当たるようになっている。
のエッチング処理が繰り返されると、反応生成物による
塵埃が電極７の上や反応処理室１内や下部真空室６内に
蓄積する。反応生成物による塵埃の蓄積が限度以上にな
ると、本方式による清掃を開始する。すなわち、エッチ
ングを止め、そのまま反応処理室を大気に開けず、真空
バルブ２０を閉じ、乾燥させた不活性ガスあるいは窒素
をガス導入管４０及び４１から処理室及び下部真空室へ
吹き込む。ガス導入管４０及び４１はシール部４４及び
４５で真空と大気の間を可動シールされ、それぞれ前後
方向に動かすことができると共に回転もできるようにな
っている。例えばガス導入管４０は、通常は下部真空室
６内にあるが、清掃を始める際には可動機構（図では省
略）により上側のエッチング室側へ動かし、ガス導入管
の吹出し口４８がちょうど電極７の上面のすぐ横になる
位置に持ってくる。そこで乾燥ガスを吹出し、電極上や
横の塵埃を吹き飛ばす。さらにガス導入管４０を軸方向
を中心に回転させるようにしておけば、ガス吹出し口４
８から吹出されるガスは電極上にまんべんなく当たり、
塵埃を効果的に吹き飛ばすことができる。さらに上の操
作の際に同時にガス排出管４２を下側真空室６から上側
へ移動させ、ガス排出口４９が電極７の上側にあたる位
置にくるように配置し、ガス導入管４０よりのガス導入
によって処理室内の圧力が大気圧以上になったところで
排気を始め、導入ガスによって舞い上った塵埃を気流に
乗せて排気管４２から外部へ排除する。排気管４２も上
下方向だけでなく回転もできるようにしておけば、舞い
上った塵埃をより効果的に吸い込み排除することができ
る。ガスの吹きつけによって舞い上がった塵埃の一部は
下部真空室６の側へも舞い降りてくる。これら下側へ降
ってくる塵埃は、下部真空室６の底面付近に設けたガス
排気口４３によってやはり気流に乗せて外部へ除去され
る。排気口４３の吸込口は底面に平行方向に開いてい
て、かつ回転できるようにしておけば効果的に塵埃を除
去できる。またガス導入管４１は下部真空室内の塵埃を
吹き飛ばすために設けたもので、前後に動くと共に回転
もできるようになっていて、下部真空室の底面や側面に
まんべんなく導入乾燥ガスが当たるようになっている。
【００２１】次に、本発明の他の実施例を図４により説
明する。
明する。
【００２２】図４において、レーザ光が石英ベルジャー
２と反応処理室１内を透過するようにレーザ光発光部３
０とその受光部３１を配置する。３２と３３は電波と表
示部である。反応室内の反応生成物の析出の度合いによ
って、レーザ光の透過率が変化する。したがってレーザ
光の強度の変化をモニタしておけば、反応処理室内の反
応生成物の蓄積の程度を知ることができる。変化の量が
あるレベルを越えるとエッチング処理を止め、清掃工程
に入るようにする。処理枚数によって清掃時期を決める
のではなく、汚染の進み具合を知るモニタ値によって清
掃の時期を定めるため、本実施例によれば異物が異状に
増えるようなことはなく、また不必要な清掃も不要にな
るので、信頼性が高く、しかも必要最小限の清掃時間で
装置を稼動させることができるようになる。
２と反応処理室１内を透過するようにレーザ光発光部３
０とその受光部３１を配置する。３２と３３は電波と表
示部である。反応室内の反応生成物の析出の度合いによ
って、レーザ光の透過率が変化する。したがってレーザ
光の強度の変化をモニタしておけば、反応処理室内の反
応生成物の蓄積の程度を知ることができる。変化の量が
あるレベルを越えるとエッチング処理を止め、清掃工程
に入るようにする。処理枚数によって清掃時期を決める
のではなく、汚染の進み具合を知るモニタ値によって清
掃の時期を定めるため、本実施例によれば異物が異状に
増えるようなことはなく、また不必要な清掃も不要にな
るので、信頼性が高く、しかも必要最小限の清掃時間で
装置を稼動させることができるようになる。
【００２３】また、このモニタ装置を利用すれば、真空
処理と清掃処理工程を含め人間が介在しないで完全に自
動化された装置とすることができる。
処理と清掃処理工程を含め人間が介在しないで完全に自
動化された装置とすることができる。
【００２４】以上、本発明の一実施例はエッチング装置
について述べたが、成膜装置やイオン打込装置など真空
処理装置全体にも同じように適用できる。
について述べたが、成膜装置やイオン打込装置など真空
処理装置全体にも同じように適用できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、水分を含む外気に真空
処理室をさらすことなく内部の異物の清掃を行うことが
できるので、真空処理装置の稼動率を向上させる上で、
非常に大きい効果を生むことができる。
処理室をさらすことなく内部の異物の清掃を行うことが
できるので、真空処理装置の稼動率を向上させる上で、
非常に大きい効果を生むことができる。
【００２６】また、清掃を行う時期をモニタにより特定
できるので、高い信頼性と必要最小限の度数で清掃工程
を決めることができ、装置の稼動率を向上させる効果を
生むことができる。また真空処理と清掃処理を自動的に
行うことができる効果も生む。
できるので、高い信頼性と必要最小限の度数で清掃工程
を決めることができ、装置の稼動率を向上させる効果を
生むことができる。また真空処理と清掃処理を自動的に
行うことができる効果も生む。
【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の側断面図で
ある。
ある。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の真空処理装置の側断面図
である。
である。
【図４】本発明の他の実施例の真空処理装置の側断面図
である。
である。
１…反応処理室、２…石英ベルジャー、３…磁石、４…
マグネトロン、５，５０…マイクロ波導波管、６…下部
真空室、７…電極、８…ウエハ、９…排気ダクト、１０
…真空ポンプ、１１…エッチングガス供給口、１２，２
４…清掃用乾燥ガス導入口、１３…乾燥ガス、１４…可
動式電機集じん機、１６…粗引真空ポンプ、１７…清掃
ガス用排出ダクト、２０…真空バルブ、２１…ベースフ
ランジ、２２…バルブ。
マグネトロン、５，５０…マイクロ波導波管、６…下部
真空室、７…電極、８…ウエハ、９…排気ダクト、１０
…真空ポンプ、１１…エッチングガス供給口、１２，２
４…清掃用乾燥ガス導入口、１３…乾燥ガス、１４…可
動式電機集じん機、１６…粗引真空ポンプ、１７…清掃
ガス用排出ダクト、２０…真空バルブ、２１…ベースフ
ランジ、２２…バルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (9)
- 【請求項１】真空処理加工後、清掃時期に応じて反応室
内に乾燥したガスを導入し、排気口側から乾燥ガスを連
続排気することにより清掃を行うことを特徴とする真空
処理方法。 - 【請求項２】真空処理加工後に特定時間清掃用のプラズ
マを形成して反応室の壁面や部品表面を電気的にたたく
ことにより吸着物や反応生成物を表面から脱離させ、次
いでプラズマを止め反応室のガス導入口から大気圧レベ
ルの乾燥した不活性ガスを導入して浮遊したじんあいと
共に排気口側から乾燥ガスを連続排気することにより、
前記２つの工程を繰り返して清掃を行うことを特徴とす
る真空処理方法。 - 【請求項３】排気口側のガス流路の途中に集じん機を設
けたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項４】清掃を行うために導入した乾燥ガスの排気
口を真空ポンプの入口バルブの上流側に設けたことを特
徴とする真空処理装置。 - 【請求項５】反応室の反応生成物の蓄積のレベルを検知
できるモニターを装置に配置し、該配置されたモニター
の値に応じて清掃時期を制御する制御装置を有すること
を特徴とする真空処理装置。 - 【請求項６】真空室内に乾燥ガスを導入するための可動
式ガス導入管を設け、清掃を行う際にガス導入管を自在
に動かし、真空処理室内のどの方向へ向けても乾燥ガス
を吹出すことができるように構成したことを特徴とする
真空処理装置。 - 【請求項７】可動式ガス導入管のガス吹出し口が、電極
表面に対向する場所に移動できるようにしたことを特徴
とする請求項６記載の真空処理装置。 - 【請求項８】真空室内に可動式ガス導入管と共に可動式
ガス排出管を設け、清掃を行う際にガス導入管の吹出し
口とガス排出管の吸込口を自在に動かし、真空室内に乾
燥ガスを吹込むと共に、ガスの排出を行うように構成し
たことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項９】可動式ガス排出管の出口側にファンを設
け、ガス吸引作用を持たせたことを特徴とする請求項８
記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22546893A JP3219342B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 真空処理室の清掃方法及び真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22546893A JP3219342B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 真空処理室の清掃方法及び真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786241A true JPH0786241A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3219342B2 JP3219342B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=16829797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22546893A Expired - Fee Related JP3219342B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 真空処理室の清掃方法及び真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219342B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251968A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 洗浄機能付き荷電ビーム装置 |
| US6755934B2 (en) | 2000-09-14 | 2004-06-29 | Nec Electronics Corporation | Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same |
| CN115753635A (zh) * | 2022-11-04 | 2023-03-07 | 南昌师范学院 | 一种空间微重力尘埃等离子体科学实验装置 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP22546893A patent/JP3219342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251968A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 洗浄機能付き荷電ビーム装置 |
| US6755934B2 (en) | 2000-09-14 | 2004-06-29 | Nec Electronics Corporation | Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same |
| CN115753635A (zh) * | 2022-11-04 | 2023-03-07 | 南昌师范学院 | 一种空间微重力尘埃等离子体科学实验装置 |
| CN115753635B (zh) * | 2022-11-04 | 2024-06-04 | 南昌师范学院 | 一种空间微重力尘埃等离子体科学实验装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3219342B2 (ja) | 2001-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |