JPH0786383A - 静電吸着装置及び方法 - Google Patents
静電吸着装置及び方法Info
- Publication number
- JPH0786383A JPH0786383A JP23127293A JP23127293A JPH0786383A JP H0786383 A JPH0786383 A JP H0786383A JP 23127293 A JP23127293 A JP 23127293A JP 23127293 A JP23127293 A JP 23127293A JP H0786383 A JPH0786383 A JP H0786383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- insulating film
- leak current
- electrostatic
- set value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明によれば、ウエハ搬送の信頼性を向上で
きる静電吸着装置及び方法を提供することができる。 【構成】プラズマ６によるウエハ１のエッチング処理終
了時に静電吸着電極１３上に形成されている絶縁膜１２
の両端を接地した際に、絶縁膜１２を流れるリ−ク電流
を可変抵抗１７の両端の電圧変化として検出器１９によ
り検出する。そして、この値と外部からの設定値２５を
比較器２６により比較して設定値２５以下になった後、
ウエハ押し上げ装置９を作動してウエハ１を下部電極７
から解放する。
きる静電吸着装置及び方法を提供することができる。 【構成】プラズマ６によるウエハ１のエッチング処理終
了時に静電吸着電極１３上に形成されている絶縁膜１２
の両端を接地した際に、絶縁膜１２を流れるリ−ク電流
を可変抵抗１７の両端の電圧変化として検出器１９によ
り検出する。そして、この値と外部からの設定値２５を
比較器２６により比較して設定値２５以下になった後、
ウエハ押し上げ装置９を作動してウエハ１を下部電極７
から解放する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】プラズマ等により処理される試料
を静電吸着力により支持する静電吸着装置において、ウ
エハ搬送の信頼性を向上するのに好適な静電吸着装置及
び方法に関する。
を静電吸着力により支持する静電吸着装置において、ウ
エハ搬送の信頼性を向上するのに好適な静電吸着装置及
び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】第１の従来技術としては特開昭６２−２
５５０３９号公報に記載のように静電吸着装置の正負一
対の電極間に印加されている吸着保持用の直流電圧を切
断した際に、電極間に吸着時とは正負を逆にした直流電
圧を微少時間印加することが提案されている。
５５０３９号公報に記載のように静電吸着装置の正負一
対の電極間に印加されている吸着保持用の直流電圧を切
断した際に、電極間に吸着時とは正負を逆にした直流電
圧を微少時間印加することが提案されている。
【０００３】また、第２の従来技術としては特開昭５９
−６７６２９号公報記載のように吸着力を計測する測定
手段を設け、測定手段の計測値に応じた電荷量の電荷を
吸着時とは逆方向の電圧を印加して試料台に発生させ
て、対象物を試料台から取り外すことが提案されてい
る。
−６７６２９号公報記載のように吸着力を計測する測定
手段を設け、測定手段の計測値に応じた電荷量の電荷を
吸着時とは逆方向の電圧を印加して試料台に発生させ
て、対象物を試料台から取り外すことが提案されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記、従来技術を連続
してエッチング処理されるウエハを載置する電極に適用
することを考えると次のような解決すべき課題がある。
それは、逆電圧印加による残留吸着力の低減について実
験により検討した結果、Ｓｉウエハのように抵抗が低
く、絶縁膜の誘電分極によって自由電子が移動して吸着
力を生じる場合では、逆電圧の印加時間を長くするほど
残留吸着力は小さくなり、効果があった。しかし、Ｓｉ
ウエハ裏面にＳｉＯ2膜が気相成長されたウエハのよう
に絶縁膜の誘電分極によってSiO2膜も誘電分極して吸着
力を生じる場合では、逆電圧を印加しても残留吸着力は
ほとんど除去できず、ウエハ搬送の信頼性を向上するの
が困難であった。 また、残留吸着力の大小、減衰の速
さは吸着時の印加電圧、絶縁膜の膜種、ウエハの種類、
電極温度により大きく異なり、搬送の信頼性を向上する
ためにはウエハ解放時の残留吸着力の大小を確認する必
要があった。その方法として第２の従来技術が提案され
ているがエッチング装置では残留吸着力を測定しながら
ウエハを処理することは困難であった。
してエッチング処理されるウエハを載置する電極に適用
することを考えると次のような解決すべき課題がある。
それは、逆電圧印加による残留吸着力の低減について実
験により検討した結果、Ｓｉウエハのように抵抗が低
く、絶縁膜の誘電分極によって自由電子が移動して吸着
力を生じる場合では、逆電圧の印加時間を長くするほど
残留吸着力は小さくなり、効果があった。しかし、Ｓｉ
ウエハ裏面にＳｉＯ2膜が気相成長されたウエハのよう
に絶縁膜の誘電分極によってSiO2膜も誘電分極して吸着
力を生じる場合では、逆電圧を印加しても残留吸着力は
ほとんど除去できず、ウエハ搬送の信頼性を向上するの
が困難であった。 また、残留吸着力の大小、減衰の速
さは吸着時の印加電圧、絶縁膜の膜種、ウエハの種類、
電極温度により大きく異なり、搬送の信頼性を向上する
ためにはウエハ解放時の残留吸着力の大小を確認する必
要があった。その方法として第２の従来技術が提案され
ているがエッチング装置では残留吸着力を測定しながら
ウエハを処理することは困難であった。
【０００５】本発明の目的は、残留吸着力の大小を絶縁
膜の両端を接地した際に流れるリ−ク電流により検出し
てウエハ搬送の信頼性を向上できる静電吸着装置及び方
法を提供することにある。
膜の両端を接地した際に流れるリ−ク電流により検出し
てウエハ搬送の信頼性を向上できる静電吸着装置及び方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、絶縁膜の両端を接地した際に流れるリ−ク電流を検
出する手段と検出されたリ−ク電流と外部からの設定値
を比較する手段を設け、リ−ク電流が設定値以下になっ
たことを確認してウエハを解放することにより達成され
る。
に、絶縁膜の両端を接地した際に流れるリ−ク電流を検
出する手段と検出されたリ−ク電流と外部からの設定値
を比較する手段を設け、リ−ク電流が設定値以下になっ
たことを確認してウエハを解放することにより達成され
る。
【０００７】
【作用】ウエハを静電吸着した後、絶縁膜の両端を接地
すると絶縁膜、Ｓｉウエハ裏面に気相成長されたＳｉＯ
2膜に充電されていた電荷が放電するために吸着時と逆
方向のリ−ク電流を生じ、このリ−ク電流の減少ととも
に残留吸着力が小さくなることが実験により明らかにな
った。従って、このリ−ク電流を検出することにより残
留吸着力の大小を確認することが可能となり、ウエハ搬
送の信頼性を向上できる。
すると絶縁膜、Ｓｉウエハ裏面に気相成長されたＳｉＯ
2膜に充電されていた電荷が放電するために吸着時と逆
方向のリ−ク電流を生じ、このリ−ク電流の減少ととも
に残留吸着力が小さくなることが実験により明らかにな
った。従って、このリ−ク電流を検出することにより残
留吸着力の大小を確認することが可能となり、ウエハ搬
送の信頼性を向上できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を適用した有磁場マ
イクロ波エッチング装置の構成を図１により説明する。
図１において、ウエハ１のエッチングは放電管２内に所
定の流量導入したプロセスガス３をマイクロ波４とソレ
ノイド５による磁場の相互作用によりプラズマ６化し、
さらに下部電極７に高周波電源８により高周波を印加し
てウエハ１に入射するイオンのエネルギ−を制御しなが
ら行う。
イクロ波エッチング装置の構成を図１により説明する。
図１において、ウエハ１のエッチングは放電管２内に所
定の流量導入したプロセスガス３をマイクロ波４とソレ
ノイド５による磁場の相互作用によりプラズマ６化し、
さらに下部電極７に高周波電源８により高周波を印加し
てウエハ１に入射するイオンのエネルギ−を制御しなが
ら行う。
【０００９】ウエハ１のエッチングが終了すると該エッ
チング済みウエハ１はエアシリンダ等のウエハ押し上げ
装置９の作動によりウエハ押し上げピン１０を上昇し
て、下部電極７から搬送装置（図示省略)に渡された
後、該搬送装置により他の場所に搬送される。
チング済みウエハ１はエアシリンダ等のウエハ押し上げ
装置９の作動によりウエハ押し上げピン１０を上昇し
て、下部電極７から搬送装置（図示省略)に渡された
後、該搬送装置により他の場所に搬送される。
【００１０】また、Ａｌ製の電極１１上にＡｌ2Ｏ3を減
圧雰囲気中で溶射して絶縁膜１２を形成して構成した静
電吸着電極１３が下部電極７上に固定されており、さら
に、下部電極７にスイッチ１４と直流電源１５、スイッ
チ１６と可変抵抗１７の並列回路がロ−パスフィルタ−
１８を介して接続してある。ウエハ１の吸着時にスイッ
チ１４をＯＮすることにより静電吸着電極１３に直流電
圧を印加でき、ウエハ１解放時にスイッチ１６をＯＮす
ることにより可変抵抗１７を介して接地できるようにし
てある。また、可変抵抗１７を流れるリ−ク電流は可変
抵抗１７の両端の電圧変化として検出器１９により検出
できるようにしてある。
圧雰囲気中で溶射して絶縁膜１２を形成して構成した静
電吸着電極１３が下部電極７上に固定されており、さら
に、下部電極７にスイッチ１４と直流電源１５、スイッ
チ１６と可変抵抗１７の並列回路がロ−パスフィルタ−
１８を介して接続してある。ウエハ１の吸着時にスイッ
チ１４をＯＮすることにより静電吸着電極１３に直流電
圧を印加でき、ウエハ１解放時にスイッチ１６をＯＮす
ることにより可変抵抗１７を介して接地できるようにし
てある。また、可変抵抗１７を流れるリ−ク電流は可変
抵抗１７の両端の電圧変化として検出器１９により検出
できるようにしてある。
【００１１】次に、ウエハ１の冷却方法について説明す
る。エッチングされるウエハ１の冷却は前述した方法に
よりプラズマ６を生成した状態でスイッチ１４をＯＮし
て絶縁膜１２の両端に直流電圧を印加することにより生
じる静電吸着力によりウエハ１を支持した状態でマスフ
ロ−コントロ−ラ２０を開いてＨｅガス２１をウエハ１
裏面に導入することにより行う。また、下部電極７はサ
−キュレ−タ２２により冷媒２３を循環することにより
温調されている。
る。エッチングされるウエハ１の冷却は前述した方法に
よりプラズマ６を生成した状態でスイッチ１４をＯＮし
て絶縁膜１２の両端に直流電圧を印加することにより生
じる静電吸着力によりウエハ１を支持した状態でマスフ
ロ−コントロ−ラ２０を開いてＨｅガス２１をウエハ１
裏面に導入することにより行う。また、下部電極７はサ
−キュレ−タ２２により冷媒２３を循環することにより
温調されている。
【００１２】次に、エッチング処理終了後のウエハ１の
解放方法について図２、図３により説明する。エッチン
グ処理終了後、プラズマ６を消滅する前にスイッチ１４
をＯＦＦ、スイッチ１６をＯＮして絶縁膜１２の両端を
接地することにより、絶縁膜１２に充電されていた電荷
が放電するために可変抵抗１７には図２に示すようなエ
ッチング開始時とは逆方向のリ−ク電流が流れ、残留吸
着力がしだいに小さくなる。そして、図３に示すように
このリ−ク電流を検出器１９により検出し、Ａ／Ｄ変換
器２４によりデジタル信号に変換した後、外部からの設
定値２５と比較器２６により比較し設定値２５以下にな
ったことを確認してエアシリンダ等のウエハ押し上げ装
置９を駆動してウエハ１を下部電極７から解放する。
解放方法について図２、図３により説明する。エッチン
グ処理終了後、プラズマ６を消滅する前にスイッチ１４
をＯＦＦ、スイッチ１６をＯＮして絶縁膜１２の両端を
接地することにより、絶縁膜１２に充電されていた電荷
が放電するために可変抵抗１７には図２に示すようなエ
ッチング開始時とは逆方向のリ−ク電流が流れ、残留吸
着力がしだいに小さくなる。そして、図３に示すように
このリ−ク電流を検出器１９により検出し、Ａ／Ｄ変換
器２４によりデジタル信号に変換した後、外部からの設
定値２５と比較器２６により比較し設定値２５以下にな
ったことを確認してエアシリンダ等のウエハ押し上げ装
置９を駆動してウエハ１を下部電極７から解放する。
【００１３】このように、本発明では絶縁膜１２の両端
を接地した後のリ−ク電流により残留吸着力を検出して
ウエハ１を下部電極７から解放するので吸着時の印加電
圧、絶縁膜の膜種、ウエハの種類、電極温度により残留
吸着力の大小、減衰の速さが異なってもウエハ１を確実
に搬送できる。
を接地した後のリ−ク電流により残留吸着力を検出して
ウエハ１を下部電極７から解放するので吸着時の印加電
圧、絶縁膜の膜種、ウエハの種類、電極温度により残留
吸着力の大小、減衰の速さが異なってもウエハ１を確実
に搬送できる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ搬送の信頼性を
向上できる静電吸着装置及び方法を提供することができ
る。
向上できる静電吸着装置及び方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を適用したエッチング装置の
全体構成図である。
全体構成図である。
【図２】本発明の一実施例のリ−ク電流、残留吸着力の
変化を示した説明図である。
変化を示した説明図である。
【図３】本発明の一実施例のウエハの解放方法を示した
説明図である。
説明図である。
９…ウエハ押し上げ装置、１２…絶縁膜、１３…静電吸
着電極、１７…可変抵抗、１９…検出器、２４…Ａ／Ｄ
変換器、２５…設定値、２６…比較器。
着電極、１７…可変抵抗、１９…検出器、２４…Ａ／Ｄ
変換器、２５…設定値、２６…比較器。
Claims (3)
- 【請求項１】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
装置において、 前記絶縁膜の両端を接地した際に流れるリ−ク電流を検
出する手段と該手段で検出されたリ−ク電流を外部から
の設定値と比較する手段とを設けたことを特徴とする静
電吸着装置。 - 【請求項２】前記リ−ク電流の検出手段として可変抵抗
の両端の電圧変化を検出することを特徴とする請求項１
記載の静電吸着装置。 - 【請求項３】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
方法において、前記絶縁膜の両端を接地した際に流れる
リ−ク電流が設定値以下になった後、ウエハを解放する
ことを特徴とする静電吸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23127293A JPH0786383A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 静電吸着装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23127293A JPH0786383A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 静電吸着装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786383A true JPH0786383A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16921007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23127293A Pending JPH0786383A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 静電吸着装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786383A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6517669B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of detecting endpoint of a dielectric etch |
| WO2003095868A1 (fr) | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Vehicule avec transmission a changement de vitesses continu |
| WO2006001410A1 (ja) | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | 鞍乗型車両用のベルト式無段変速機および鞍乗型車両 |
| US7662648B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inspection system |
| JP2015008269A (ja) * | 2013-05-27 | 2015-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN112976042A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-06-18 | 柯松山 | 充电式半永久静电吸附装置 |
| CN114664625A (zh) * | 2020-12-22 | 2022-06-24 | 东京毅力科创株式会社 | 除电方法和等离子体处理系统 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23127293A patent/JPH0786383A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6517669B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of detecting endpoint of a dielectric etch |
| US6844205B2 (en) | 1999-02-26 | 2005-01-18 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of detecting endpoint of a dielectric etch |
| WO2003095868A1 (fr) | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Vehicule avec transmission a changement de vitesses continu |
| WO2006001410A1 (ja) | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | 鞍乗型車両用のベルト式無段変速機および鞍乗型車両 |
| US7662648B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inspection system |
| JP2015008269A (ja) * | 2013-05-27 | 2015-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN114664625A (zh) * | 2020-12-22 | 2022-06-24 | 东京毅力科创株式会社 | 除电方法和等离子体处理系统 |
| KR20220090420A (ko) * | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제전 방법 및 플라스마 처리 시스템 |
| JP2022099116A (ja) * | 2020-12-22 | 2022-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 除電方法及びプラズマ処理システム |
| TWI895566B (zh) * | 2020-12-22 | 2025-09-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 除電方法及電漿處理系統 |
| CN114664625B (zh) * | 2020-12-22 | 2025-09-16 | 东京毅力科创株式会社 | 除电方法和等离子体处理系统 |
| CN112976042A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-06-18 | 柯松山 | 充电式半永久静电吸附装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5779807A (en) | Method and apparatus for removing particulates from semiconductor substrates in plasma processing chambers | |
| TWI479595B (zh) | 從靜電夾盤解箝制晶圓 | |
| JP2004047511A (ja) | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 | |
| EP1107282A2 (en) | Method and apparatus for semiconductor wafer process monitoring | |
| JP2007165917A (ja) | 被吸着物の処理方法 | |
| JPH08191099A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| US6628500B1 (en) | Method and apparatus for dechucking a substrate from an electrostatic chuck | |
| JPH0786383A (ja) | 静電吸着装置及び方法 | |
| JP4226101B2 (ja) | 静電チャックプレート表面からの基板離脱方法 | |
| JP2002203837A (ja) | プラズマ処理方法および装置並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP3733448B2 (ja) | プラズマ処理方法および装置並びに基板脱離方法及び印加電圧の制御装置 | |
| JPH1027780A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0878512A (ja) | 静電吸着装置及び方法 | |
| JPH0982787A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP4070974B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH0269956A (ja) | 静電チャック方法及び静電チャック装置 | |
| JP2586768B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
| JPH10163308A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JPS6325706B2 (ja) | ||
| JPH0878511A (ja) | 静電吸着装置及び方法 | |
| JP2009141014A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| JPH0691024B2 (ja) | 乾式薄膜加工装置 | |
| JP4169839B2 (ja) | 真空処理装置、及び真空処理方法 | |
| JPH04100257A (ja) | 静電吸着機構を備えた処理装置および該静電吸着機構の残留電荷除去方法 | |
| JPH08213362A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |