JPH0786485A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0786485A JPH0786485A JP5230685A JP23068593A JPH0786485A JP H0786485 A JPH0786485 A JP H0786485A JP 5230685 A JP5230685 A JP 5230685A JP 23068593 A JP23068593 A JP 23068593A JP H0786485 A JPH0786485 A JP H0786485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- die pad
- particles
- back surface
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 不定形のダイパッド７裏面等に固着された粒
子５を有する樹脂封止型半導体装置。 【効果】 ダイパッド７裏面等に粒子５を固着すること
で、複雑な形状の突起部を形成し、封止樹脂の喰い付き
を良くする。この結果、封止樹脂２とダイパッド７等と
の密着性が向上し、リフロー等の高温処理を経ても、水
分の気化膨張による封止樹脂のクラックを有効に防止で
きる。
子５を有する樹脂封止型半導体装置。 【効果】 ダイパッド７裏面等に粒子５を固着すること
で、複雑な形状の突起部を形成し、封止樹脂の喰い付き
を良くする。この結果、封止樹脂２とダイパッド７等と
の密着性が向上し、リフロー等の高温処理を経ても、水
分の気化膨張による封止樹脂のクラックを有効に防止で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームを用いて半導体チップを
マウントした場合、リードフレームの裏面が直接封止樹
脂に接している。このような構造では、封止樹脂とリー
ドフレームの間の密着性が悪く、リードフレームのダイ
パッドと、封止樹脂との間に吸湿した水分が留まりやす
い。
マウントした場合、リードフレームの裏面が直接封止樹
脂に接している。このような構造では、封止樹脂とリー
ドフレームの間の密着性が悪く、リードフレームのダイ
パッドと、封止樹脂との間に吸湿した水分が留まりやす
い。
【０００３】近年、樹脂封止型半導体のパッケージは小
型化が進んでおり、パッケージに対する半導体チップ、
即ちダイパッドが占める割合が大きくなっている。ダイ
パットサイズの大きなパッケージでは実装時のリフロー
時にパッケージ内の水分が気化膨張し、この蒸気圧に封
止樹脂が耐えられず、クラックを起こすことから、製品
の信頼性を下げる原因となっていた。
型化が進んでおり、パッケージに対する半導体チップ、
即ちダイパッドが占める割合が大きくなっている。ダイ
パットサイズの大きなパッケージでは実装時のリフロー
時にパッケージ内の水分が気化膨張し、この蒸気圧に封
止樹脂が耐えられず、クラックを起こすことから、製品
の信頼性を下げる原因となっていた。
【０００４】従来、このダイパッド裏面からのクラック
対策として、特公昭61-3100 に開示されるように、ダイ
パッド裏面部にディンプル加工し、凹部を多数形成した
り、また、ダイパッドに穴を開ける等して、ダイパッド
と封止樹脂との密着力を向上させる方法がある。これ
は、図８に示すように、凹部１２を設けたダイパッド７
上に半導体チップ８を搭載し、ボンディングワイヤ９で
リード６と導通を取っている。このような構成では、樹
脂封止された後にダイパッド７と封止樹脂の樹脂の収縮
係数の違いにより樹脂部に発生した収縮応力は、ダイパ
ッド７裏面に形成された凹部１２により吸収分散され
る。また、リフロー時の高温処理でダイパッドの裏面の
水分が気化膨張したときの蒸気圧も分散し、クラックを
起こさないように強度をもたせてきた。
対策として、特公昭61-3100 に開示されるように、ダイ
パッド裏面部にディンプル加工し、凹部を多数形成した
り、また、ダイパッドに穴を開ける等して、ダイパッド
と封止樹脂との密着力を向上させる方法がある。これ
は、図８に示すように、凹部１２を設けたダイパッド７
上に半導体チップ８を搭載し、ボンディングワイヤ９で
リード６と導通を取っている。このような構成では、樹
脂封止された後にダイパッド７と封止樹脂の樹脂の収縮
係数の違いにより樹脂部に発生した収縮応力は、ダイパ
ッド７裏面に形成された凹部１２により吸収分散され
る。また、リフロー時の高温処理でダイパッドの裏面の
水分が気化膨張したときの蒸気圧も分散し、クラックを
起こさないように強度をもたせてきた。
【０００５】このような凹部１２をエッチングによって
形成した場合、図９に示すように、半球状ないしは凹部
１２の開口部にオーバーハング部１３を持つ形となって
いる。このため、封止樹脂が凹部１２内に入り込み、硬
化することで、特にオーバーハング部１３に喰い付き、
物理的密着力を生み出すことができる。
形成した場合、図９に示すように、半球状ないしは凹部
１２の開口部にオーバーハング部１３を持つ形となって
いる。このため、封止樹脂が凹部１２内に入り込み、硬
化することで、特にオーバーハング部１３に喰い付き、
物理的密着力を生み出すことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチングに
よる方法ではコスト高であり、また、形成される凹部の
形状が一定ではないため、密着の強度に製品毎のばらつ
きがあった。そこで、リードフレームにプレス加工を施
し、凹部を形成する方法が行われている。このプレスに
よる方法では、凹部が円錐状の、即ち、凹部開口部に比
べて底部が細い単純な形状しか形成できず、エッチング
による凹部のようなオーバーハングを持つ形状を形成す
るこはプレスの構造上不可能である。従って、凹部に封
止樹脂が入り込むことで密着面積は増加するが、喰い付
きはなく、物理的な密着力は期待できない。また、喰い
付きの良い加工ができたとしても、そのためのプレスヘ
ッドに微細なパターンが必要となり、プレスヘッドの摩
耗等に対する耐久性に問題が生じる。
よる方法ではコスト高であり、また、形成される凹部の
形状が一定ではないため、密着の強度に製品毎のばらつ
きがあった。そこで、リードフレームにプレス加工を施
し、凹部を形成する方法が行われている。このプレスに
よる方法では、凹部が円錐状の、即ち、凹部開口部に比
べて底部が細い単純な形状しか形成できず、エッチング
による凹部のようなオーバーハングを持つ形状を形成す
るこはプレスの構造上不可能である。従って、凹部に封
止樹脂が入り込むことで密着面積は増加するが、喰い付
きはなく、物理的な密着力は期待できない。また、喰い
付きの良い加工ができたとしても、そのためのプレスヘ
ッドに微細なパターンが必要となり、プレスヘッドの摩
耗等に対する耐久性に問題が生じる。
【０００７】この他、ダイパッドに穴を設ける場合に
は、半導体チップをダイパッド上にエポキシペーストで
接着する際のペースト濡れに問題が生じる。以上の他、
封止工程後にアウターリードを切断、整形するが、フレ
ームと封止樹脂との密着性が悪いと、放熱フィンを持つ
ような半導体装置ではフィン根本部で封止樹脂に剥がれ
が生じ、開口が形成されることがある。いうまでもな
く、開口部が形成されると、そこから水分が浸透し、半
導体チップ自身や配線に悪影響を及し、信頼性の低下を
招く。
は、半導体チップをダイパッド上にエポキシペーストで
接着する際のペースト濡れに問題が生じる。以上の他、
封止工程後にアウターリードを切断、整形するが、フレ
ームと封止樹脂との密着性が悪いと、放熱フィンを持つ
ような半導体装置ではフィン根本部で封止樹脂に剥がれ
が生じ、開口が形成されることがある。いうまでもな
く、開口部が形成されると、そこから水分が浸透し、半
導体チップ自身や配線に悪影響を及し、信頼性の低下を
招く。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述のような問題点を解
決するため、本発明では、半導体チップと、前記半導体
チップを表面に搭載するダイパッドと、前記半導体チッ
プ上の電極と電気的に接続するリードとを備えたリード
フレームと、前記リードフレーム表面に固着させた不定
形の粒子と、前記リードの前記粒子を固着した部分をモ
ールドした樹脂とを有することを特徴とする樹脂封止型
半導体装置を提供する。また、前記粒子はインナーリー
ド根本部または前記リードフレーム中央のダイパッドの
裏面に固着させてもよい。
決するため、本発明では、半導体チップと、前記半導体
チップを表面に搭載するダイパッドと、前記半導体チッ
プ上の電極と電気的に接続するリードとを備えたリード
フレームと、前記リードフレーム表面に固着させた不定
形の粒子と、前記リードの前記粒子を固着した部分をモ
ールドした樹脂とを有することを特徴とする樹脂封止型
半導体装置を提供する。また、前記粒子はインナーリー
ド根本部または前記リードフレーム中央のダイパッドの
裏面に固着させてもよい。
【０００９】
【作用】リードフレーム、特に、半導体チップを搭載す
るダイパッド裏面に不定形の粒子を固着させることによ
り、ダイパッド裏面に複雑な形状の突起を形成して、ダ
イパッドと封止樹脂との密着性向上する。
るダイパッド裏面に不定形の粒子を固着させることによ
り、ダイパッド裏面に複雑な形状の突起を形成して、ダ
イパッドと封止樹脂との密着性向上する。
【００１０】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例を
図１から図４を参照しながら詳細に説明する。図１はリ
ードフレームを示す平面図、図２は図１中ＡＡ’に沿う
断面のうちダイパッド部分を示す断面図、図３は樹脂封
止後の半導体装置の断面図、図４はダイパッド裏面で水
分が気化膨張した時の様子を示す図である。
図１から図４を参照しながら詳細に説明する。図１はリ
ードフレームを示す平面図、図２は図１中ＡＡ’に沿う
断面のうちダイパッド部分を示す断面図、図３は樹脂封
止後の半導体装置の断面図、図４はダイパッド裏面で水
分が気化膨張した時の様子を示す図である。
【００１１】まず、図１のように、中央部に半導体チッ
プを搭載するダイパッド７、半導体チップと接続するリ
ード６、リード６の内部、外部の中間で、リード６を連
結しているダイバー１６を設けたリードフレーム１を従
来同様に形成する。
プを搭載するダイパッド７、半導体チップと接続するリ
ード６、リード６の内部、外部の中間で、リード６を連
結しているダイバー１６を設けたリードフレーム１を従
来同様に形成する。
【００１２】次に、図２に示すように、セラミック、ガ
ラス、高強度樹脂、金属等でできた不定型な粒子５を、
プレス下型に吹き込むことで供給しておく。または、予
め粒子５を簡単に剥がせる程度に付着させた帯状シート
を連続的に引き込むことによってプレス下型に供給して
も良い。続いて、この供給した粒子５にかぶせるように
リードフレーム１を乗せ、ポンチで叩き、後に半導体チ
ップを搭載するダイパッド７の裏面に粒子５を圧着させ
る。ここではポンチで叩き、粒子５を圧着したが、この
他、ダイパッド７裏面に接着剤を塗布またはプリント
し、粒子５をダイパッド７裏面に接着しても、また、ブ
ラストによってダイパッド７裏面に食い込ませるように
付着させても良い。さらに、粒子５にポリイミド等の封
止樹脂と密着性の良い物質をまぶした後に、粒子５を上
述のような方法でダイパッド７に固着する、ないしはダ
イパッド７に固着した粒子５に封止樹脂と密着性の良い
物質を吹き付けるなどして、一層密着性を向上させるこ
とができる。
ラス、高強度樹脂、金属等でできた不定型な粒子５を、
プレス下型に吹き込むことで供給しておく。または、予
め粒子５を簡単に剥がせる程度に付着させた帯状シート
を連続的に引き込むことによってプレス下型に供給して
も良い。続いて、この供給した粒子５にかぶせるように
リードフレーム１を乗せ、ポンチで叩き、後に半導体チ
ップを搭載するダイパッド７の裏面に粒子５を圧着させ
る。ここではポンチで叩き、粒子５を圧着したが、この
他、ダイパッド７裏面に接着剤を塗布またはプリント
し、粒子５をダイパッド７裏面に接着しても、また、ブ
ラストによってダイパッド７裏面に食い込ませるように
付着させても良い。さらに、粒子５にポリイミド等の封
止樹脂と密着性の良い物質をまぶした後に、粒子５を上
述のような方法でダイパッド７に固着する、ないしはダ
イパッド７に固着した粒子５に封止樹脂と密着性の良い
物質を吹き付けるなどして、一層密着性を向上させるこ
とができる。
【００１３】この後、粒子を裏面に固着させたダイパッ
ド７表面に半導体チップを従来のようにエポキシペース
トで接着し、ボンディング工程、封止工程、切断・ベン
ド工程を経て、樹脂封止型半導体装置を完成する。
ド７表面に半導体チップを従来のようにエポキシペース
トで接着し、ボンディング工程、封止工程、切断・ベン
ド工程を経て、樹脂封止型半導体装置を完成する。
【００１４】図３に樹脂封止後の半導体装置の断面図を
示す。ダイパッド７上に半導体チップ８を接着し、樹脂
２によって封止されている。半導体チップ８はボンディ
ングワイヤ９によってリード６と導通が取られている。
示す。ダイパッド７上に半導体チップ８を接着し、樹脂
２によって封止されている。半導体チップ８はボンディ
ングワイヤ９によってリード６と導通が取られている。
【００１５】ここで、ダイパッド７裏面に粒子５が固着
されているので、樹脂２はダイパッド７に沿う方向にず
れることはなく、また、垂直方向に剥がれることなく、
密着している。
されているので、樹脂２はダイパッド７に沿う方向にず
れることはなく、また、垂直方向に剥がれることなく、
密着している。
【００１６】これによって、図４に示すように、半導体
装置実装工程でリフロー等の高温処理を経て、樹脂２と
ダイパッド７との間の水分が気化膨張しても、各粒子５
がダイパッド７と樹脂２を強力に接着させ、気化膨張領
域４を細分化するので、樹脂２のダイパッド７全体に及
ぶような大きな剥がれを防止する。従って、樹脂２のク
ラックを良好に抑えることが可能で、品質を向上させる
ことができる。また、金属で粒子を形成した場合には放
熱効率を向上させることができる。 （実施例２）以下、本発明の第２の実施例を図１、図５
を用いて詳細に説明する。
装置実装工程でリフロー等の高温処理を経て、樹脂２と
ダイパッド７との間の水分が気化膨張しても、各粒子５
がダイパッド７と樹脂２を強力に接着させ、気化膨張領
域４を細分化するので、樹脂２のダイパッド７全体に及
ぶような大きな剥がれを防止する。従って、樹脂２のク
ラックを良好に抑えることが可能で、品質を向上させる
ことができる。また、金属で粒子を形成した場合には放
熱効率を向上させることができる。 （実施例２）以下、本発明の第２の実施例を図１、図５
を用いて詳細に説明する。
【００１７】本実施例は、粒子を付着させたシートを用
いて、ダイパッド７裏面に凹部を形成する方法である。
図５は、凹部を設けたダイパッドとシートの断面の一部
を示す図である。
いて、ダイパッド７裏面に凹部を形成する方法である。
図５は、凹部を設けたダイパッドとシートの断面の一部
を示す図である。
【００１８】従来の方法により、リードフレーム１を形
成する。予め、セラミック、ガラス、高強度樹脂、金属
等でできた不定型粒子５２をシート１１に剥がれないよ
うに接着しておく。このシート１１をプレス加工の下型
に供給し、シート１１上にリードフレーム１を乗せて、
ダイパッド７をポンチで叩き、図５に示すように、ダイ
パッド７裏面に複雑な形状をした微細な凹部１５を形成
する。
成する。予め、セラミック、ガラス、高強度樹脂、金属
等でできた不定型粒子５２をシート１１に剥がれないよ
うに接着しておく。このシート１１をプレス加工の下型
に供給し、シート１１上にリードフレーム１を乗せて、
ダイパッド７をポンチで叩き、図５に示すように、ダイ
パッド７裏面に複雑な形状をした微細な凹部１５を形成
する。
【００１９】この後、実施例１と同様にして、マウント
工程、ボンディング工程、封止工程、切断・ベンド工程
を経て、樹脂封止型半導体装置を完成する。この方法に
より、容易に、また、安価にダイパッド裏面に複雑な形
状の凹部を形成することができ、プレスヘッドを形成す
る必要はない。 （実施例３）以下、本発明の第３の実施例を図１、図
６、図７を参照しながら詳細に説明する。
工程、ボンディング工程、封止工程、切断・ベンド工程
を経て、樹脂封止型半導体装置を完成する。この方法に
より、容易に、また、安価にダイパッド裏面に複雑な形
状の凹部を形成することができ、プレスヘッドを形成す
る必要はない。 （実施例３）以下、本発明の第３の実施例を図１、図
６、図７を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】本実施例は、粒子をインナーリードに固着
するものである。図６は樹脂封止後の半導体装置の断面
の一部を示し、図７は樹脂封止後の半導体装置の断面図
である。
するものである。図６は樹脂封止後の半導体装置の断面
の一部を示し、図７は樹脂封止後の半導体装置の断面図
である。
【００２１】従来の方法により、リードフレーム１を形
成する。次に、セラミック、ガラス、高強度樹脂、金属
等でできた不定型に成形した微粒子５３をタイバー１６
のインナー側根元のパッケージ内側と成る部分に、実施
例１と同様にして固着し、図８に示すように、樹脂封止
する。ここで、微粒子５３はリードピッチに比べて十分
小く、リード変形やリード同士の絶縁不良を引き起こさ
ないものを用いる。
成する。次に、セラミック、ガラス、高強度樹脂、金属
等でできた不定型に成形した微粒子５３をタイバー１６
のインナー側根元のパッケージ内側と成る部分に、実施
例１と同様にして固着し、図８に示すように、樹脂封止
する。ここで、微粒子５３はリードピッチに比べて十分
小く、リード変形やリード同士の絶縁不良を引き起こさ
ないものを用いる。
【００２２】この後、実施例１と同様にして、マウント
工程、ボンディング工程、封止工程、切断・ベンド工程
を経て、図７に示すような樹脂封止型半導体装置を完成
する。
工程、ボンディング工程、封止工程、切断・ベンド工程
を経て、図７に示すような樹脂封止型半導体装置を完成
する。
【００２３】このようにして、リード６のパッケージ内
側に微粒子５３を固着しておくと、樹脂２の密着性が向
上する。従って、後のアウターリードの切断、整形によ
る応力にも十分耐え、パッケージのリード根元部の口開
きを有効に抑えることができる。特に、放熱用の幅広い
フィンを有する樹脂封止型半導体装置では、一般に放熱
フィンが他のリードに比べて幅広になっているので、整
形時に大きな力がかかり、封止樹脂の口開きを起こしや
すいが、本実施例のように微粒子５３をリード６に固着
させておくと、上述のような口開きの不良を良好に抑え
るのに有効である。合わせて、実施例１、２のように、
ダイパッド裏面に粒子を固着させると一層信頼性を向上
させることができる。
側に微粒子５３を固着しておくと、樹脂２の密着性が向
上する。従って、後のアウターリードの切断、整形によ
る応力にも十分耐え、パッケージのリード根元部の口開
きを有効に抑えることができる。特に、放熱用の幅広い
フィンを有する樹脂封止型半導体装置では、一般に放熱
フィンが他のリードに比べて幅広になっているので、整
形時に大きな力がかかり、封止樹脂の口開きを起こしや
すいが、本実施例のように微粒子５３をリード６に固着
させておくと、上述のような口開きの不良を良好に抑え
るのに有効である。合わせて、実施例１、２のように、
ダイパッド裏面に粒子を固着させると一層信頼性を向上
させることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、リード
フレームに粒子を固着させることによって、タイパッド
裏面に複雑な形状の突起を形成して、ダイパッドと封止
樹脂との密着性を向上させることができる。このため、
封止後の実装工程でリフロー等の高温処理を経る際に、
リードフレームと封止樹脂との間に含まれる水分が気化
膨張しても、封止樹脂にクラックが生じることを有効に
抑えることができる。更に、金属で粒子を形成した場合
には放熱効率を向上させることができる。
フレームに粒子を固着させることによって、タイパッド
裏面に複雑な形状の突起を形成して、ダイパッドと封止
樹脂との密着性を向上させることができる。このため、
封止後の実装工程でリフロー等の高温処理を経る際に、
リードフレームと封止樹脂との間に含まれる水分が気化
膨張しても、封止樹脂にクラックが生じることを有効に
抑えることができる。更に、金属で粒子を形成した場合
には放熱効率を向上させることができる。
【００２５】また、パッケージ側部のリード根本部に微
粒子を固着させておくと、リードと樹脂との密着性を向
上させ、リード根本部での口開きを防止する。また、密
着性の向上は外気からの水分の浸透を抑えることもでき
る。
粒子を固着させておくと、リードと樹脂との密着性を向
上させ、リード根本部での口開きを防止する。また、密
着性の向上は外気からの水分の浸透を抑えることもでき
る。
【図１】リードフレームを示す平面図である。
【図２】図１中のＡＡ’に沿う断面のうちダイパッド部
分を示す断面図である。
分を示す断面図である。
【図３】樹脂封止後の半導体装置の断面図である。
【図４】ダイパッド裏面で水分が気化膨張したときの様
子を示す図である。
子を示す図である。
【図５】凹部を設けたダイパッドとシートの断面の一部
を示す図である。
を示す図である。
【図６】樹脂封止後の半導体装置の断面の一部を示す図
である。
である。
【図７】樹脂封止後の半導体装置の断面図である。
【図８】従来のエッチング法によるダイパッドの断面を
示す図である。
示す図である。
【図９】図８のダイパッドの断面の一部を示す図であ
る。
る。
１ リードフレーム ２ 樹脂 ４ 気化膨張領域 ５ 粒子 ５２ 不定形粒子 ５３ 微粒子 ６ リード ７ ダイパッド ８ 半導体チップ ９ ボンディングワイヤ １０ 接着剤 １１ シート １２、１５ 凹部 １３ オーバーハング部 １６ タイバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 8617−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップと、 前記半導体チップを表面に搭載するダイパッドと、前記
半導体チップ上の電極と電気的に接続するリードとを備
えたリードフレームと、 前記リードフレーム表面に固着させた不定形の粒子と、 前記リードの前記粒子を固着した部分をモールドした樹
脂とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】前記粒子をインナーリード根本部または前
記リードフレーム中央のダイパッドの裏面に固着させた
ことを特徴とする特許請求の範囲請求項１記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230685A JPH0786485A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230685A JPH0786485A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786485A true JPH0786485A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16911712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230685A Pending JPH0786485A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786485A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101490751B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2015-02-06 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| CN106384731A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-08 | 广东美的制冷设备有限公司 | 基板、基板的制备方法和智能功率模块 |
| JP2023038753A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5230685A patent/JPH0786485A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101490751B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2015-02-06 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| CN106384731A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-08 | 广东美的制冷设备有限公司 | 基板、基板的制备方法和智能功率模块 |
| JP2023038753A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970011649B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| US6777265B2 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| US5976964A (en) | Method of improving interconnect of semiconductor device by utilizing a flattened ball bond | |
| JP3285815B2 (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| CN100380614C (zh) | 部分构图的引线框架及其制造方法以及在半导体封装中的使用 | |
| US20060192274A1 (en) | Semiconductor package having double layer leadframe | |
| JP2008160148A (ja) | 電子パッケージの形成方法 | |
| KR20110015047A (ko) | 포일계 반도체 패키지 | |
| EP0989608A3 (en) | Plastic integrated circuit device package and method of making the same | |
| JPH1131776A (ja) | 半導体チップパッケージ | |
| JP3129169B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH098186A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0567722A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| EP4425537A2 (en) | Hybrid multi-die qfp-qfn package | |
| JP3575945B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000082759A (ja) | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法、ｂｇａ型半導体装置用ｔａｂテ―プおよびｂｇａ型半導体装置 | |
| JPH07273256A (ja) | 半導体装置および該装置用ヒートスプレッダー | |
| JP2002368165A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60120543A (ja) | 半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPH06132442A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002134654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS61237458A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3229816B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2003007933A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH10284648A (ja) | 半導体装置 |