JPH0786578B2 - 光結合回路 - Google Patents
光結合回路Info
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- JPH0786578B2 JPH0786578B2 JP63137418A JP13741888A JPH0786578B2 JP H0786578 B2 JPH0786578 B2 JP H0786578B2 JP 63137418 A JP63137418 A JP 63137418A JP 13741888 A JP13741888 A JP 13741888A JP H0786578 B2 JPH0786578 B2 JP H0786578B2
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- JP
- Japan
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- optical
- circuit
- guide hole
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- optical fiber
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は集積化に適した、光回路どうしの光結合回路に
関する。
関する。
＜従来の技術＞ 光回路どうしの光結合に関しては、光回路間でパワー分
布が相違するので、種々の問題がある。
布が相違するので、種々の問題がある。
例えば半導体レーザの光出力を光ファイバに結合させる
場合、従来は次のような方法が採られている。
場合、従来は次のような方法が採られている。
即ち、半導体レーザからの出射ビームのパワー分布（ビ
ーム形状）と、光ファイバの固有モードのパワー分布が
大きく異なるため、光ファイバの入射端面と半導体レー
ザの出射端面とを直接近づけても結合損失が大きくなる
ので、途中に何らかの光パワー分布整合回路の介在を必
要とした。
ーム形状）と、光ファイバの固有モードのパワー分布が
大きく異なるため、光ファイバの入射端面と半導体レー
ザの出射端面とを直接近づけても結合損失が大きくなる
ので、途中に何らかの光パワー分布整合回路の介在を必
要とした。
第３図は従来の技術の一例を示し、半導体レーザ１の出
射端面に空間をあけて光ファイバ４の入射端面を向き合
せ、これらの間に収束用レンズ３を配置する。２は光導
波路のコアであり、この例の場合には活性層に相当して
いる。
射端面に空間をあけて光ファイバ４の入射端面を向き合
せ、これらの間に収束用レンズ３を配置する。２は光導
波路のコアであり、この例の場合には活性層に相当して
いる。
第３図の従来技術では、今レンズ３を20倍の対物レンズ
とし、光ファイバ４を単一モードファイバとすると、各
々の相互位置を適切に調整することにより、結合損失を
1dB程度とすることができる。
とし、光ファイバ４を単一モードファイバとすると、各
々の相互位置を適切に調整することにより、結合損失を
1dB程度とすることができる。
しかし、レンズ３、光ファイバ４ともにミクロンオーダ
の位置の微調整が必要とされ、実現は非常に困難であ
る。また、半導体レーザ１、レンズ３、光ファイバ４の
相互の位置関係を固定して、これらを一体化したモジュ
ールを製造するに際しては、レンズ３が元来別物である
からモジュール全体が大きくなること、及び位置精度が
厳しすぎるという欠点があった。
の位置の微調整が必要とされ、実現は非常に困難であ
る。また、半導体レーザ１、レンズ３、光ファイバ４の
相互の位置関係を固定して、これらを一体化したモジュ
ールを製造するに際しては、レンズ３が元来別物である
からモジュール全体が大きくなること、及び位置精度が
厳しすぎるという欠点があった。
一方、第４図は従来技術の他の例を示し、光ファイバ５
の先端をテーパ状で且つ球面状に加工して、半導体レー
ザ１のコア２に近づける。
の先端をテーパ状で且つ球面状に加工して、半導体レー
ザ１のコア２に近づける。
第４図の従来技術では、結合部分をコンパクトに構成す
ることができる。
ることができる。
しかし、半導体レーザ１と光ファイバ５の相互位置の許
容度が非常に厳しく、光軸方向と、それとの直交面内で
の２方向、それぞれに対してサブミクロンオーダの位置
の微調整が必要となるという欠点があった。
容度が非常に厳しく、光軸方向と、それとの直交面内で
の２方向、それぞれに対してサブミクロンオーダの位置
の微調整が必要となるという欠点があった。
＜発明が解決しようとする課題＞ 上述した従来技術に鑑み、本発明の目的は、光結合特性
の改善と、光回路の集積化に適した光結合回路を提供す
ることにある。
の改善と、光回路の集積化に適した光結合回路を提供す
ることにある。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明による光結合回路は、光導波回路の入射または出
射端面の近傍に形成した、光導波回路の導波路の光軸を
該光導波回路の基板内の基板厚み方向の光軸に方向転換
する反射面と、光導波回路に結合する他の回路を挿入す
るガイド穴であって、同ガイド穴の底面には該他の光回
路のパワー分布と整合する形状を有する、基板厚み方向
の出射または入射手段が形成されているガイド穴とを具
備することを特徴とするものである。
射端面の近傍に形成した、光導波回路の導波路の光軸を
該光導波回路の基板内の基板厚み方向の光軸に方向転換
する反射面と、光導波回路に結合する他の回路を挿入す
るガイド穴であって、同ガイド穴の底面には該他の光回
路のパワー分布と整合する形状を有する、基板厚み方向
の出射または入射手段が形成されているガイド穴とを具
備することを特徴とするものである。
＜作用＞ 上記構成において、基板厚み方向の入射または出射手段
がビーム形状を制御し、他の光回路とのパワー分布の整
合をとる。また、パワー分布を整合する入射または出射
手段とガイド穴が一体であるため、他の光回路をガイド
穴に挿入すると自動的に光軸が合う。
がビーム形状を制御し、他の光回路とのパワー分布の整
合をとる。また、パワー分布を整合する入射または出射
手段とガイド穴が一体であるため、他の光回路をガイド
穴に挿入すると自動的に光軸が合う。
＜実 施 例＞ 第１図、第２図を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例として、三次元光導波回路
６と単一モード光ファイバ13との結合を行う場合につい
て、光結合回路の断面構造を示す。三次元光導波回路６
のうち、２はコア、10は基板、11はクラッディングであ
る。14は光ファイバ13のコアである。
６と単一モード光ファイバ13との結合を行う場合につい
て、光結合回路の断面構造を示す。三次元光導波回路６
のうち、２はコア、10は基板、11はクラッディングであ
る。14は光ファイバ13のコアである。
三次元導波回路６には、コア２の近傍に、出射ビームを
基板10の厚み方向に反射する反射面７を形成してある。
また基板10の反射光軸上に光ファイバ13挿入用のテーパ
状ガイド穴９を明け、ガイド穴９の底部に出射面として
レンズ面８を形成してある。なお、出射と入射を逆にし
ても同じである。
基板10の厚み方向に反射する反射面７を形成してある。
また基板10の反射光軸上に光ファイバ13挿入用のテーパ
状ガイド穴９を明け、ガイド穴９の底部に出射面として
レンズ面８を形成してある。なお、出射と入射を逆にし
ても同じである。
今、三次元光導波回路６をInP系の半導体で作成した場
合について説明する。コア２はInGaAsPで厚さ0.1μm,巾
３μｍのものであり、クラッディング11はInPで厚さ３
μｍのものをInPの基板10に通常の液相成長法で作成し
た。この光導波回路６の固有スポットサイズは約１μｍ
であり、一方単一モード光ファイバ13の固有モードスポ
ットサイズは約10μｍである。したがってこのビームス
ポットサイズの不整合を何らかの手段で整合させてやる
必要がある。
合について説明する。コア２はInGaAsPで厚さ0.1μm,巾
３μｍのものであり、クラッディング11はInPで厚さ３
μｍのものをInPの基板10に通常の液相成長法で作成し
た。この光導波回路６の固有スポットサイズは約１μｍ
であり、一方単一モード光ファイバ13の固有モードスポ
ットサイズは約10μｍである。したがってこのビームス
ポットサイズの不整合を何らかの手段で整合させてやる
必要がある。
第１図はその一例を示したものであり、プレーナ型光集
積回路としてある。反射面７が45度の傾き角で形成され
ているとすると導波された光は反射面７で反射され、基
板10の厚さ方向に放射モードとして拡がりながら伝搬す
る。導波モードから空気中に放射する場合には、光パワ
が1/eに減少するまでの放射角として定義する角度が約2
0度である。したがって、InP基板10の屈折率を波長1.3
μｍ帯で約3.2とすると、基板10内の放射角は約6.2度と
なる。今導波路２の反射面７から基板10の出射面８まで
の距離が約92μｍあるとすると、基板10内での放射ビー
ム15は拡がり、出射面８で約10μｍのスポットサイズと
なる。したがって、このスポットサイズのビームを空気
中に平行ビームとして出射させることができれば、光フ
ァイバ13と対向させるだけで非常に高い効率で結合させ
る事ができる。第１図の出射面８はその為のコリメート
用レンズ面であり、この場合には半径約63μｍの球面で
出射光は平行ビームとなる。この球面の有効径は約15μ
ｍ以上であれば良い。
積回路としてある。反射面７が45度の傾き角で形成され
ているとすると導波された光は反射面７で反射され、基
板10の厚さ方向に放射モードとして拡がりながら伝搬す
る。導波モードから空気中に放射する場合には、光パワ
が1/eに減少するまでの放射角として定義する角度が約2
0度である。したがって、InP基板10の屈折率を波長1.3
μｍ帯で約3.2とすると、基板10内の放射角は約6.2度と
なる。今導波路２の反射面７から基板10の出射面８まで
の距離が約92μｍあるとすると、基板10内での放射ビー
ム15は拡がり、出射面８で約10μｍのスポットサイズと
なる。したがって、このスポットサイズのビームを空気
中に平行ビームとして出射させることができれば、光フ
ァイバ13と対向させるだけで非常に高い効率で結合させ
る事ができる。第１図の出射面８はその為のコリメート
用レンズ面であり、この場合には半径約63μｍの球面で
出射光は平行ビームとなる。この球面の有効径は約15μ
ｍ以上であれば良い。
第１図のガイド穴９は光ファイバ13の光軸を自動的に合
わせるためのテーパ状の穴であり、外径125μｍの光フ
ァイバが挿入されるようにしてある。外径130μｍ、深
さ約50μｍのゆるいテーパ状ガイド穴９で単一モード光
ファイバ13と上記光導波回路６との結合を行ったとこ
ろ、結合損失が3dB以下の良好な特性が容易に得られ
た。これは後で述べるフォトリソグラフィの製造法で作
製されたガイド穴９の中心と光軸がサブミクロンのオー
ダーで一致している事と、レンズ面８からの出射ビーム
が平行ビームになっているので軸合わせの許容度が大き
いことのためである。
わせるためのテーパ状の穴であり、外径125μｍの光フ
ァイバが挿入されるようにしてある。外径130μｍ、深
さ約50μｍのゆるいテーパ状ガイド穴９で単一モード光
ファイバ13と上記光導波回路６との結合を行ったとこ
ろ、結合損失が3dB以下の良好な特性が容易に得られ
た。これは後で述べるフォトリソグラフィの製造法で作
製されたガイド穴９の中心と光軸がサブミクロンのオー
ダーで一致している事と、レンズ面８からの出射ビーム
が平行ビームになっているので軸合わせの許容度が大き
いことのためである。
次に上述した光結合回路の製造法について第２図を参照
して説明する。即ち、第２図は製造法のブロック図を示
したもので（ａ）から（ｄ）の四工程で回路を作製し
た。
して説明する。即ち、第２図は製造法のブロック図を示
したもので（ａ）から（ｄ）の四工程で回路を作製し
た。
工程（ａ）は導波路２に反射面７を設ける工程であり、
三次元光導波回路６の光軸に直角な方向にスリット巾約
10μｍのレジスト12−１を付け、BCl3のリアクティブイ
オンビームに対して45度に傾けてドライエッチングを行
った。その結果を右側に示す。エッチングレートは約0.
6μm/分であり、溝は深さ４μｍ以上とした。
三次元光導波回路６の光軸に直角な方向にスリット巾約
10μｍのレジスト12−１を付け、BCl3のリアクティブイ
オンビームに対して45度に傾けてドライエッチングを行
った。その結果を右側に示す。エッチングレートは約0.
6μm/分であり、溝は深さ４μｍ以上とした。
次に工程（ｂ）は光ファイバ用のガイド穴９を開ける工
程であり、直径130μｍの穴あき円形パターンを基板10
の裏に、両面マスクアライナを使用して三層レジスト幕
12−２を形成した。エッチングはBCl3ガスにArガスを混
入したリアクティブイオンビームで行い、約50μｍ以上
の深さをエッチングした。エッチングレートは0.8μm/
分以上取ることができ、マスクの後退によって自然にゆ
るいテーパ状の穴とすることができた。
程であり、直径130μｍの穴あき円形パターンを基板10
の裏に、両面マスクアライナを使用して三層レジスト幕
12−２を形成した。エッチングはBCl3ガスにArガスを混
入したリアクティブイオンビームで行い、約50μｍ以上
の深さをエッチングした。エッチングレートは0.8μm/
分以上取ることができ、マスクの後退によって自然にゆ
るいテーパ状の穴とすることができた。
工程（ｃ）は光ファイバのストッパ用段差16を形成する
ことを、導波路からの距離を精密に制御してエッチング
するための工程であり、直径80μｍの円形パターンを持
つレジスト12−３を形成して同様にエッチングした。
ことを、導波路からの距離を精密に制御してエッチング
するための工程であり、直径80μｍの円形パターンを持
つレジスト12−３を形成して同様にエッチングした。
工程（ｄ）はガイド穴９の底部に出射面としてレンズ面
８を形成する工程であり、直径30μｍの円形レジスト12
−４を形成し、現像条件を調整することによって半径約
64μｍの球面を持つレジストパタンを形成する。その後
同様にBCl3でドライエッチングして所期の球面を形成す
ることができた。
８を形成する工程であり、直径30μｍの円形レジスト12
−４を形成し、現像条件を調整することによって半径約
64μｍの球面を持つレジストパタンを形成する。その後
同様にBCl3でドライエッチングして所期の球面を形成す
ることができた。
これらの工程（ａ）〜（ｄ）はマスクとマスクアライナ
で決定される精度で位置合わせが行なえるため、位置精
度はサブミクロンのオーダで達成できているものと思わ
れる。なお、レンズ面８はレジストそのものを用いても
良いし、ポリイミド等のプラスチック材料で形成するこ
ともできる事は言うまでもない。
で決定される精度で位置合わせが行なえるため、位置精
度はサブミクロンのオーダで達成できているものと思わ
れる。なお、レンズ面８はレジストそのものを用いても
良いし、ポリイミド等のプラスチック材料で形成するこ
ともできる事は言うまでもない。
実施例の場合には平行ビームとして取り出すようにレン
ズ面８を形成したが、ある距離で焦点を結ぶようなレン
ズ面を形成することができる事は言うまでもない。
ズ面８を形成したが、ある距離で焦点を結ぶようなレン
ズ面を形成することができる事は言うまでもない。
更に、出射面（または入射面）８は球面レンズに形成す
る他、凹面に形成しても良く、あるいは、グレーティン
グ（回折格子）を形成しても良く、更には、フラット面
に誘電体膜を形成するなど、光パワー分布を整合する形
状に加工すれば良い。
る他、凹面に形成しても良く、あるいは、グレーティン
グ（回折格子）を形成しても良く、更には、フラット面
に誘電体膜を形成するなど、光パワー分布を整合する形
状に加工すれば良い。
また更に、上記実施例では光ファイバ13を結合対象とし
たが、光導波回路どうしの結合であっても良くその場合
には必ずしもガイド穴９を必要としない。
たが、光導波回路どうしの結合であっても良くその場合
には必ずしもガイド穴９を必要としない。
＜発明の効果＞ 以上説明したように本発明によれば、導波路の光軸を基
板厚み方向に変える反射面と、光パワー分布を整合させ
るレンズ面等の出射または入射手段を底面に有するガイ
ド穴とを備え、これらはフォトリソグラフィ技術で形成
できるため以下に記すような利点がある。
板厚み方向に変える反射面と、光パワー分布を整合させ
るレンズ面等の出射または入射手段を底面に有するガイ
ド穴とを備え、これらはフォトリソグラフィ技術で形成
できるため以下に記すような利点がある。
（ｉ） プレーナ型光集積回路の入出力回路を容易に形
成することができる。
成することができる。
（ii） ビームスポットサイズの異なる光回路どうしを
容易に、光軸を自動的に合わせて、かつ結合損失少なく
スタックできる。
容易に、光軸を自動的に合わせて、かつ結合損失少なく
スタックできる。
（iii） 光集積回路を上下に何枚もスタックして相互
に光の結合を行うことができる。
に光の結合を行うことができる。
（iv） 精度良く、大量生産が容易である。
第１図は本発明による光結合回路の一実施例の構成図、
第２図はその製造法を示す工程図、第３図と第４図はそ
れぞれ従来の光結合法を示す説明図である。 図面中、２はコア、６は三次元光導波回路、７は反射
面、８は出射または入射手段としてのレンズ面、９はガ
イド穴、10は基板、11はクラッディング、12−１から12
−４はレジスト、13は光ファイバ、14はコア、15は基板
内のビーム、16は段差である。
第２図はその製造法を示す工程図、第３図と第４図はそ
れぞれ従来の光結合法を示す説明図である。 図面中、２はコア、６は三次元光導波回路、７は反射
面、８は出射または入射手段としてのレンズ面、９はガ
イド穴、10は基板、11はクラッディング、12−１から12
−４はレジスト、13は光ファイバ、14はコア、15は基板
内のビーム、16は段差である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥 哲 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−101906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−241712（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−115050（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】光導波回路の入射または出射端面の近傍に
形成した、光導波回路の導波路の光軸を該光導波回路の
基板内の基板厚み方向の光軸に方向転換する反射面と、 光導波回路に結合する他の光回路を挿入するガイド穴で
あって、同ガイド穴の底面には該他の光回路のパワー分
布と整合する形状を有する、基板厚み方向の出射または
入射手段が形成されているガイド穴とを具備することを
特徴とする光結合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137418A JPH0786578B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 光結合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137418A JPH0786578B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 光結合回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307707A JPH01307707A (ja) | 1989-12-12 |
| JPH0786578B2 true JPH0786578B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=15198167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63137418A Expired - Fee Related JPH0786578B2 (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 光結合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786578B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0658784A3 (de) * | 1991-02-08 | 1995-08-23 | Siemens Ag | Optoelektronisches Bauelement zum Ein- und Auskoppeln von Strahlung. |
| DE4137625C1 (ja) * | 1991-11-15 | 1992-10-15 | Jenoptik Carl Zeiss Jena Gmbh, O-6900 Jena, De | |
| FR2685098B1 (fr) * | 1991-12-12 | 1995-02-10 | Andre Schiltz | Procede de montage et de couplage optique sur un substrat et substrat equipe d'une fibre optique. |
| JP2591723Y2 (ja) * | 1992-07-06 | 1999-03-10 | 京セラ株式会社 | 光導波路と光デバイスの接続構造 |
| JPH0786555A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Hitachi Ltd | ３次元光・電子集積回路 |
| JP3895250B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-03-22 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| US7389013B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-06-17 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and system for vertical optical coupling on semiconductor substrate |
| JP4796951B2 (ja) | 2006-02-03 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | 光デバイス |
| JP4796950B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-10-19 | 日本碍子株式会社 | 光デバイス |
| JP2010286549A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Nec Corp | 光信号処理回路、光信号処理回路付半導体装置および光信号処理回路の製造方法 |
| JP5338652B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-11-13 | 日本電気株式会社 | 光結合器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50115050A (ja) * | 1974-02-20 | 1975-09-09 | ||
| JPS5922205B2 (ja) * | 1979-01-31 | 1984-05-25 | 沖電気工業株式会社 | 光平面回路 |
| JPS61241712A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導波光入出力装置 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP63137418A patent/JPH0786578B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01307707A (ja) | 1989-12-12 |
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