JPH0786832A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPH0786832A JPH0786832A JP23184493A JP23184493A JPH0786832A JP H0786832 A JPH0786832 A JP H0786832A JP 23184493 A JP23184493 A JP 23184493A JP 23184493 A JP23184493 A JP 23184493A JP H0786832 A JPH0786832 A JP H0786832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain
- effect transistor
- grounded
- microwave oscillator
- open stub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界効果トランジスタを用いたマイクロ波発
振器に関し、ソース整合回路の設計上の自由度を広く
し、かつ回路パターンの小型化を図ることを目的とす
る。 【構成】 誘電体共振器と電界効果トランジスタとを用
いたドレイン接地形のマイクロ波発振器において、誘電
体基板上に形成した発振周波数の電気長 1／4 波長の開
放スタブにより電界効果トランジスタのドレイン端子を
接地し、このドレイン端子に接続されるバイアス供給用
抵抗の一方をドレイン接地点に、他方を接地コンデンサ
および開放スタブにそれぞれ接続した構成を有する。
振器に関し、ソース整合回路の設計上の自由度を広く
し、かつ回路パターンの小型化を図ることを目的とす
る。 【構成】 誘電体共振器と電界効果トランジスタとを用
いたドレイン接地形のマイクロ波発振器において、誘電
体基板上に形成した発振周波数の電気長 1／4 波長の開
放スタブにより電界効果トランジスタのドレイン端子を
接地し、このドレイン端子に接続されるバイアス供給用
抵抗の一方をドレイン接地点に、他方を接地コンデンサ
および開放スタブにそれぞれ接続した構成を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界効果トランジスタ
を用いたマイクロ波発振器に関し、とくにＣバンドの衛
星放送受信用ローノイズ・ブロックダウン・コンバンー
タ（以下、ＬＮＢ、という）に使用して好適なものであ
る。
を用いたマイクロ波発振器に関し、とくにＣバンドの衛
星放送受信用ローノイズ・ブロックダウン・コンバンー
タ（以下、ＬＮＢ、という）に使用して好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、衛星放送受信用ＬＮＢの局部発振
器としては、周波数が安定であることから、誘電体共振
器を用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）発振器が幅
広く使用されている。そして、この発振器ではＦＥＴの
ドレイン端子を接地する方式が多く使用されており、図
２にその一例を示す。
器としては、周波数が安定であることから、誘電体共振
器を用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）発振器が幅
広く使用されている。そして、この発振器ではＦＥＴの
ドレイン端子を接地する方式が多く使用されており、図
２にその一例を示す。
【０００３】同図において、誘電体基板（不図示）に実
装されたＦＥＴ１は、ドレイン端子Ｄ側にλ／４（電気
長 1／4 波長）の開放スタブ２によりドレイン接地さ
れ、さらにバイアス供給回路は発振周波数の約λ／４の
高インピーダンスライン３と開放スタブ４またはラジア
ルスタブ（不図示）をドレイン端子Ｄに接続して影響を
なくし、バイアス抵抗５を介して電源供給端子６に接続
されている。電源供給端子６には接地コンデンサ７が接
続されている。
装されたＦＥＴ１は、ドレイン端子Ｄ側にλ／４（電気
長 1／4 波長）の開放スタブ２によりドレイン接地さ
れ、さらにバイアス供給回路は発振周波数の約λ／４の
高インピーダンスライン３と開放スタブ４またはラジア
ルスタブ（不図示）をドレイン端子Ｄに接続して影響を
なくし、バイアス抵抗５を介して電源供給端子６に接続
されている。電源供給端子６には接地コンデンサ７が接
続されている。
【０００４】また、ＦＥＴ１のゲート端子Ｇはマイクロ
ストリップライン８を介して終端抵抗９に接続され、さ
らにマイクロストリップライン８の近傍には、誘電体共
振器１０が発振条件を満たすように、位置やマイクロス
トリップライン８との結合を最適化して実装されてい
る。
ストリップライン８を介して終端抵抗９に接続され、さ
らにマイクロストリップライン８の近傍には、誘電体共
振器１０が発振条件を満たすように、位置やマイクロス
トリップライン８との結合を最適化して実装されてい
る。
【０００５】また、ＦＥＴ１のソース端子Ｓはソース整
合回路１１およびソースバイアス回路１２に接続され、
ソース整合回路１１の他端には出力端子１３が接続され
ている。
合回路１１およびソースバイアス回路１２に接続され、
ソース整合回路１１の他端には出力端子１３が接続され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のドレイ
ン接地形のＦＥＴ発振器では、バイアス回路の影響を発
振周波数帯域に対してなくすように高インピーダンスラ
イン３および阻止用開放スタブ６が接続された構成とな
っている。
ン接地形のＦＥＴ発振器では、バイアス回路の影響を発
振周波数帯域に対してなくすように高インピーダンスラ
イン３および阻止用開放スタブ６が接続された構成とな
っている。
【０００７】一方、ドレイン接地を発振周波数帯域に対
して実現するように誘電体基板上にλ／4 の開放スタブ
２を設け、発振周波数に比較して極めて低い周波数や、
発振周波数の約２倍の周波数に対してドレイン端子Ｄか
ら見た負荷は、例えば約２倍の周波数に対しては開放と
なり、反射係数は１に近くなるため、回路自体が不安定
動作を起こす可能性を有しており、ソース端子Ｓの整合
回路１１の実現に制約を与えている。
して実現するように誘電体基板上にλ／4 の開放スタブ
２を設け、発振周波数に比較して極めて低い周波数や、
発振周波数の約２倍の周波数に対してドレイン端子Ｄか
ら見た負荷は、例えば約２倍の周波数に対しては開放と
なり、反射係数は１に近くなるため、回路自体が不安定
動作を起こす可能性を有しており、ソース端子Ｓの整合
回路１１の実現に制約を与えている。
【０００８】とくに、いわゆるＣバンドの場合、ローカ
ル周波数は５.1５０ＧＨｚが使用されており、マイクロ
波帯の発振器用ＦＥＴは１０ＧＨｚ帯のローカル発振器
用のＦＥＴが広く用いられているので、発振周波数帯以
外の帯域に対して回路特性は重要であり、設計上制約を
与えている。
ル周波数は５.1５０ＧＨｚが使用されており、マイクロ
波帯の発振器用ＦＥＴは１０ＧＨｚ帯のローカル発振器
用のＦＥＴが広く用いられているので、発振周波数帯以
外の帯域に対して回路特性は重要であり、設計上制約を
与えている。
【０００９】本発明は、ソース整合回路の設計上の自由
度を広くし、回路パターンの小型化を図ることを目的と
する。
度を広くし、回路パターンの小型化を図ることを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体共振器
と電界効果トランジスタとを用いたドレイン接地形のマ
イクロ波発振器において、誘電体基板上に形成した発振
周波数の電気長 1／4波長の開放スタブにより電界効果
トランジスタのドレイン端子を接地し、このドレイン端
子に接続されるバイアス供給用抵抗の一方をドレイン接
地点に、他方を接地コンデンサおよび開放スタブにそれ
ぞれ接続した構成を有する。
と電界効果トランジスタとを用いたドレイン接地形のマ
イクロ波発振器において、誘電体基板上に形成した発振
周波数の電気長 1／4波長の開放スタブにより電界効果
トランジスタのドレイン端子を接地し、このドレイン端
子に接続されるバイアス供給用抵抗の一方をドレイン接
地点に、他方を接地コンデンサおよび開放スタブにそれ
ぞれ接続した構成を有する。
【００１１】
【作用】本発明の構成において、ＦＥＴ１のドレイン端
子に接続したλ／４の開放スタブは、発振周波数におい
てドレイン端子の端面が仮想的にショート点になってい
るので、その点においては高周波電圧が零になる点であ
るので、その位置にバイアス抵抗を接続し、このバイア
ス抵抗の他方を高周波的に接地した場合、所望の発振周
波数帯に対しての影響は極めて小さくなる。
子に接続したλ／４の開放スタブは、発振周波数におい
てドレイン端子の端面が仮想的にショート点になってい
るので、その点においては高周波電圧が零になる点であ
るので、その位置にバイアス抵抗を接続し、このバイア
ス抵抗の他方を高周波的に接地した場合、所望の発振周
波数帯に対しての影響は極めて小さくなる。
【００１２】一方、接続したバイアス抵抗の位置におい
て仮想的にショートとならない周波数については、バイ
アス抵抗で接地されることでドレイン端子から見た負荷
は抵抗成分をもつことになる。
て仮想的にショートとならない周波数については、バイ
アス抵抗で接地されることでドレイン端子から見た負荷
は抵抗成分をもつことになる。
【００１３】とくに、Ｃバンド帯の発振器においては、
その発振周波数の約２倍の周波数においては、ドレイン
接地用スタブが約λ／2 になることから、ドレイン端子
はほぼ純抵抗で接地されることになり、発振回路が負性
抵抗を本質的に生じにくい回路構成を実現できるもので
ある。
その発振周波数の約２倍の周波数においては、ドレイン
接地用スタブが約λ／2 になることから、ドレイン端子
はほぼ純抵抗で接地されることになり、発振回路が負性
抵抗を本質的に生じにくい回路構成を実現できるもので
ある。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明によるマイクロ波発振器の一
実施例を示す構成図で、図２に示す構成と同一部分には
同一符号を付して説明する。本実施例では、前述の図２
に示す構成において、ＦＥＴ１にバイアスを供給するド
レイン端子Ｄにバイアス抵抗５を直接接続し、バイアス
抵抗５の他方を接地コンデンサ７および発振周波数帯の
約２倍の周波数に対してλ／4 となる開放スタブ２０を
接続する構成とし、その他の構成はドレイン接地を構成
する発振周波数帯に対して約λ／4 となる開放スタブ
２、ゲート端子Ｇ側のマイクロストリップライン８、そ
れに結合する誘電体共振器１０等の構成は図２に示す構
成と同一の構成にしている。
実施例を示す構成図で、図２に示す構成と同一部分には
同一符号を付して説明する。本実施例では、前述の図２
に示す構成において、ＦＥＴ１にバイアスを供給するド
レイン端子Ｄにバイアス抵抗５を直接接続し、バイアス
抵抗５の他方を接地コンデンサ７および発振周波数帯の
約２倍の周波数に対してλ／4 となる開放スタブ２０を
接続する構成とし、その他の構成はドレイン接地を構成
する発振周波数帯に対して約λ／4 となる開放スタブ
２、ゲート端子Ｇ側のマイクロストリップライン８、そ
れに結合する誘電体共振器１０等の構成は図２に示す構
成と同一の構成にしている。
【００１５】本実施例では、発振用ＦＥＴ１を開放スタ
ブ２でドレイン接地とし、ゲート側に接続したマイクロ
ストリップライン８に結合する誘電体共振器１０により
発振させ、ソース端子Ｓに接続した整合回路１１を経由
して局部発振信号として出力端子１３から出力される。
ブ２でドレイン接地とし、ゲート側に接続したマイクロ
ストリップライン８に結合する誘電体共振器１０により
発振させ、ソース端子Ｓに接続した整合回路１１を経由
して局部発振信号として出力端子１３から出力される。
【００１６】ここで、ドレイン側バイアス回路の開放ス
タブ２０はバイアス抵抗５を接地するものであり、例え
ば発振周波数の約２倍の周波数に対しλ／４となるよう
に選択されている。
タブ２０はバイアス抵抗５を接地するものであり、例え
ば発振周波数の約２倍の周波数に対しλ／４となるよう
に選択されている。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、発振用ＦＥＴのドレイ
ン端子に直接バイアス抵抗を接続することで、従来付加
していたバイアス用の高インピーダンスラインや阻止用
開放スタブをなくすと同時に、所望の帯域外に対しては
ドレイン端子を抵抗接地として機能する回路を付加する
ことで、ソース整合回路の自由度を広くし、回路パター
ンの小型化を図ることが可能となった。
ン端子に直接バイアス抵抗を接続することで、従来付加
していたバイアス用の高インピーダンスラインや阻止用
開放スタブをなくすと同時に、所望の帯域外に対しては
ドレイン端子を抵抗接地として機能する回路を付加する
ことで、ソース整合回路の自由度を広くし、回路パター
ンの小型化を図ることが可能となった。
【図１】本発明によるマイクロ波発振器の一実施例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】従来のマイクロ波発振器の一例を示す構成図で
ある。
ある。
１ 発振用ＦＥＴ ２ 開放スタブ ５ バイアス抵抗 ６ 電源供給端子 ７ 接地コンデンサ ８ マイクロストリップライン ９ 終端抵抗 １０ 誘電体共振器 １１ ソース整合回路 １２ ソースバイアス回路 １３ 出力端子 ２０ 開放スタブ
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体共振器と電界効果トランジスタと
を用いるドレイン接地形のマイクロ波発振器において、 誘電体基板上に形成した発振周波数の電気長 1／4 波長
の開放スタブにより前記電界効果トランジスタのドレイ
ン端子を接地し、前記ドレイン端子のバイアス供給用抵
抗の一方をドレイン接地点に、他方を接地コンデンサお
よび開放スタブにそれぞれ接続したことを特徴とするマ
イクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23184493A JPH0786832A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23184493A JPH0786832A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786832A true JPH0786832A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16929902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23184493A Pending JPH0786832A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762650B2 (en) | 2001-10-03 | 2004-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency oscillation circuit, high-frequency module, and communication apparatus |
| KR100638642B1 (ko) * | 2004-08-31 | 2006-10-30 | 한국전자통신연구원 | 결합전송선로를 이용한 유전체 공진기 |
| JP2019102827A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 京セラ株式会社 | 伝送回路、配線基板および高周波装置 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23184493A patent/JPH0786832A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762650B2 (en) | 2001-10-03 | 2004-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency oscillation circuit, high-frequency module, and communication apparatus |
| KR100638642B1 (ko) * | 2004-08-31 | 2006-10-30 | 한국전자통신연구원 | 결합전송선로를 이용한 유전체 공진기 |
| JP2019102827A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 京セラ株式会社 | 伝送回路、配線基板および高周波装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5805023A (en) | High frequency amplifier, receiver, and transmitter system | |
| US6259332B1 (en) | Microwave oscillator for obtaining the low phase noise characteristic | |
| US4713632A (en) | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator | |
| US5321374A (en) | Transverse electromagnetic mode resonator | |
| US7129804B2 (en) | Reflection loss suppression circuit | |
| US4630003A (en) | FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof | |
| JPWO2003038992A1 (ja) | フィルタ一体型偶高調波ミキサおよびそれを用いた高周波無線通信装置 | |
| KR20010106454A (ko) | 마이크로파 증폭기 | |
| JPH0786832A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JP3929254B2 (ja) | 高周波回路及びそれを用いた通信装置 | |
| JP4378835B2 (ja) | マイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバータ | |
| US6762650B2 (en) | High-frequency oscillation circuit, high-frequency module, and communication apparatus | |
| EP1137166B1 (en) | Microwave oscillation circuit using a dielectric resonator | |
| JPH118515A (ja) | 周波数変換装置 | |
| JPH0535923B2 (ja) | ||
| US6369664B1 (en) | Voltage controlled oscillator and electronic apparatus using same | |
| JPH1093348A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2700015B2 (ja) | マイクロ波発振回路 | |
| JPH0628819Y2 (ja) | マイクロストリップ線路により構成したマイクロ波発振器 | |
| JP2518544B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPS6157731B2 (ja) | ||
| JPS5846569Y2 (ja) | 超高周波トランジスタ増幅器回路 | |
| JP2633368B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPH08236700A (ja) | 高周波用集積回路 | |
| JPH10112612A (ja) | 高周波発振回路 |