JPH0787207B2 - Integrated circuit test equipment - Google Patents

Integrated circuit test equipment

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JPH0787207B2
JPH0787207B2 JP61270084A JP27008486A JPH0787207B2 JP H0787207 B2 JPH0787207 B2 JP H0787207B2 JP 61270084 A JP61270084 A JP 61270084A JP 27008486 A JP27008486 A JP 27008486A JP H0787207 B2 JPH0787207 B2 JP H0787207B2
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JP
Japan
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circuit
test
node
wiring
data
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JP61270084A
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Japanese (ja)
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JPS63124438A (en
Inventor
昭男 玉真
憲夫 久慈
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子ビーム又はレーザビームを観測の手段と
して用い、かつCADシステム内の設計データを活用する
ことにより、被試験デバイス(DUT:Device Under Tes
t)の故障の存在箇所を自動的に発見する集積回路の試
験方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention uses an electron beam or a laser beam as a means of observation and utilizes design data in a CAD system to obtain a device under test (DUT: Device). Under Tes
The present invention relates to an integrated circuit test method for automatically finding the location of a failure in step t).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

集積回路の大規模・複雑化に伴い、ゲート/ピン比が数
千にも達する状況となった今日、外部ピンのみから信号
の授受を行うことにより試験を実行する従来型の大規模
集積回路(LSI)用試験装置と、これを前提にした故障
シミュレーション法とでは、LSI内部の故障箇所を発見
する故障診断は不可能になってきた。
With the large scale and complexity of integrated circuits, the gate / pin ratio has reached a level of several thousand today, and conventional large scale integrated circuits that perform tests by exchanging signals only from external pins ( It has become impossible to detect faults inside the LSI by using the test equipment for LSI) and the fault simulation method based on this.

これに応えるものとして電子ビーム試験装置、レーザビ
ーム試験装置などの非接触試験装置が登場した。電子ビ
ーム試験装置を集積回路のCADシステムと結合し、測定
結果の比較判定に被試験集積回路の設計データを活用し
うる構成とすることにより、故障箇所の存在をゲート単
位で発見しうる装置が本発明の発明者らにより、すでに
考案されている(特願昭60−39897)。
In response to this, non-contact test equipment such as electron beam test equipment and laser beam test equipment has appeared. By combining the electron beam test equipment with the CAD system of the integrated circuit and using the design data of the integrated circuit under test for comparison and judgment of the measurement results, a device that can detect the existence of a failure point on a gate-by-gate basis It has already been devised by the inventors of the present invention (Japanese Patent Application No. 60-39897).

この電子ビーム試験装置は、走査電子顕微鏡、テス
ト信号供給回路、画像二値化回路、電子計算機、
半導体集積回路の設計支援CADシステム、該CADシステ
ムにより作成された測定対象集積回路DUTの設計デー
タ、該走査型電子顕微鏡により測定される二次元アナ
ログ画像信号を該画像二値化回路を介して一定のタイミ
ングで取り込んで、各格子点以上の画像信号を“1"、又
は“0"の論理値に変換することにより得られる、測定論
理値の二次元分布を示す「測定論理マップ」を作成する
ための測定論理マップ作成プログラム、これに対応し
て該設計データから読みだされた該DUTの配線図形情報
と、CADシステム内の論理シミュレータの起動により得
られる格配線の論理期待値とから、該測定論理マップ内
の各格子点がとるべき論理期待値の一次元分布を示す
「設計論理マップ」を作成するための設計マップ作成プ
ログラム、上記両論理マップを比較・照合するための
論理マップ照合プログラム、とを具備し、該電子顕微鏡
内に設置したDUTに該テスト信号供給回路から一定
の長さのテスト信号系列を順次印加し、該測定論理マッ
プ作成プログラムの起動により該画像二値化回路を
介してその都度測定される「測定論理マップ」と、該設
計論理マップ作成プログラムの起動により得られる対
応する「設計論理マップ」とを、該論理マップ照合プロ
グラムを用いて比較・照合することにより得られる各
配線ごとの測定論理値と設計論理値を、一方の座標軸に
理論値、他方の座標軸にテスト信号印加時間をとった論
理タイムチャートとして出力しうるようにせしめたもの
であり、また、順序回路を含むDUTに、該テスト信号供
給回路より一定の長さのテスト信号系列を印加した
後、その最終印加状態にテスト信号を固定し、該測定論
理マップ作成プログラムを起動することにより得られ
る「測定論理マップ」と、該設計論理マップ作成プログ
ラムの起動により得られる対応する「設定論理マッ
プ」とを、該論理マップ照合プログラムを用いて比較
・照合することにより、両者の差の有無から該テスト信
号の印加途中で故障が発生したかどうかの検出を行なえ
るようにせしめたものである。
This electron beam tester includes a scanning electron microscope, a test signal supply circuit, an image binarization circuit, an electronic computer,
A semiconductor integrated circuit design support CAD system, design data of a measurement target integrated circuit DUT created by the CAD system, and a two-dimensional analog image signal measured by the scanning electron microscope are fixed through the image binarization circuit. Create a "measurement logic map" that shows the two-dimensional distribution of the measurement logic values, which is obtained by capturing the image signals at each grid point or higher into a logic value of "1" or "0" at the timing of A measurement logic map creating program for the wiring pattern information of the DUT correspondingly read from the design data, and a logic expected value of the case wiring obtained by starting a logic simulator in the CAD system, A design map creation program for creating a "design logic map" that shows the one-dimensional distribution of the logic expected value that each grid point in the measurement logic map should take. And a logical map collation program for matching, which sequentially applies a test signal series of a certain length from the test signal supply circuit to the DUT installed in the electron microscope, and starts the measurement logical map creation program. The "measurement logic map" measured each time via the image binarization circuit and the corresponding "design logic map" obtained by starting the design logic map creation program are used by the logic map collation program. The measured logical value and the designed logical value for each wiring obtained by comparing and collating with each other can be output as a logical time chart with the theoretical value on one coordinate axis and the test signal application time on the other coordinate axis. In addition, after applying a test signal sequence of a certain length from the test signal supply circuit to the DUT including the sequential circuit, the test signal sequence is set to the final application state. Of the logical map of the “measurement logic map” obtained by activating the measurement logic map creation program with the fixed measurement signal and the corresponding “setting logic map” obtained by activating the design logic map creation program. By using a collation program to compare and collate, it is possible to detect whether or not a failure has occurred during the application of the test signal based on the difference between the two.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、上記の電子ビーム試験装置は以下のよう
な欠点を有していた。すなわち、上記の装置は逐次操作
方式を採用していたため、回路図を見ながらチェックす
べきノード名を定め、そのノード名を有する配線が観測
されるようにXYステージを動かし、テストパタンを印加
し、測定したいタイミングでストップさせて、論理値を
測定するなどの操作は全て人手で行う必要があった。ま
た、DUT内の多数のノードの内、どのノードをどんな順
番でチェックしていけば良いかの明確な指針がなかった
ためにDUT内の故障箇所の発見を効率的に行なうことが
できなかった。
However, the above electron beam test apparatus has the following drawbacks. That is, since the above-mentioned device adopts the sequential operation method, the node name to be checked is determined while looking at the circuit diagram, the XY stage is moved so that the wiring having the node name is observed, and the test pattern is applied. , It was necessary to manually perform all operations such as stopping at the timing of measurement and measuring the logical value. In addition, since there is no clear guideline as to which node should be checked in what order among many nodes in the DUT, the failure location in the DUT could not be found efficiently.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記問題点を解決するため、本発明の集積回路試験装置
は、 (イ) 少なくともXYステージと検出器とビーム照射器
とを有する電子ビーム又はレーザビーム試験装置と、 (ロ) テスト信号供給装置と、 (ハ) 配線論理値読取回路と、 (ニ) XYステージ制御回路と、 (ホ) 制御コンピュータと、 (ヘ) 少なくとも回路素子の識別データ、回路素子の
接続データ、回路の接続データ及びマスクパターンデー
タを有する設計データファイルを基にテストデータ生成
プログラムによって作成された少なくとも回路のノード
識別データ、配線の座標データ、DUTチップの入力端子
に加えるテストパタンデータ、テスト信号をDUTチップ
の入力端子に加えたときの各ノードの論理期待値及び回
路の経路情報とを有する設計データファイルと、 (ト) テストプログラムとを少なくとも具備し、該制
御コンピュータと該テストプログラムの制御の下に、該
XYステージを該XYステージ制御回路により該設計データ
ファイル内の該ノード識別データ、該配線座標データ及
び該経路情報に基いて移動させ、該DUTチップの入力端
子に加えるテストパタンデータを該テスト信号供給装置
を介してテストするDUTに供給し、該電子ビーム又はレ
ーザビームをDUT上の回路のテストするノードの規定さ
れた位置に照射して該テストするノードの信号を該検出
器によって検出し、検出された該信号を該配線論理値読
取回路により読取って該ノードの配線理論値を得、該論
理期待値と該配線論理値を比較することにより不良箇所
を検出せしめるようにしたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, an integrated circuit test apparatus of the present invention comprises: (a) an electron beam or laser beam test apparatus having at least an XY stage, a detector and a beam irradiator; and (b) a test signal supply apparatus. , (C) Wiring logic value reading circuit, (D) XY stage control circuit, (V) Control computer, (F) At least circuit element identification data, circuit element connection data, circuit connection data and mask pattern Add at least circuit node identification data, wiring coordinate data, test pattern data to be added to the input terminals of the DUT chip, and test signals and test signals to the input terminals of the DUT chip created by the test data generation program based on the design data file containing the data. A design data file having the logic expected value of each node and the route information of the circuit when At least and a program, under the control of the control computer and the test program, the
The XY stage is moved by the XY stage control circuit based on the node identification data, the wiring coordinate data and the route information in the design data file, and the test pattern data to be added to the input terminal of the DUT chip is supplied with the test signal. It is supplied to the DUT to be tested through the device, and the electron beam or the laser beam is applied to the defined position of the node to be tested of the circuit on the DUT, and the signal of the node to be tested is detected by the detector and detected. The signal thus read is read by the wiring logical value reading circuit to obtain the wiring theoretical value of the node, and the defective portion is detected by comparing the logical expected value with the wiring logical value.

〔作 用〕[Work]

上記(イ)〜(ト)の本装置の構成は、DUT内の故障箇
所を自動的にかつ効率的に検出せしめる。
The configuration of this device described in (a) to (g) above makes it possible to automatically and efficiently detect a failure location in the DUT.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の試験装置の実施例を示す図である。テ
スト信号供給装置11、配線論理値読取回路12、XYステー
ジ制御回路14を介して電子ビーム試験装置(EBT:E−Bea
m Tester)20が制御コンピュータ1に接続されている。
XYステージ制御回路14はXYステージ22の移動を司るモー
タ25を制御する。配線論理値読取回路12は二次電子の検
出器24と電子ビーム21の走査回路13に接続されており、
制御コンピュータ1の指令に基づいて、電子ビーム21の
走査をスタートさせ、予め設定されたタイミングでEBT2
0の画像信号をサンプリングし、その値を制御コンピュ
ータ1に転送する。テスト信号供給装置11は、制御コン
ピュータ1の指令に基づいてテスト信号をICソケット23
を介してDUT10に供給する。テスト信号供給装置11は制
御コンピュータ1により制御可能であれば通常のICテス
タのようなものでもよい。制御コンピュータ1は、端末
2、内部記憶装置3、外部記憶装置4を有し、かつ設計
データベース9を有する集積回路の設計支援(CAD)シ
ステム8と接続されている。内部記憶装置3上には、試
験手順を記述するテストプログラム6が、外部記憶装置
4上には設計データファイル7が格納されている。設計
データファイル7は、DUT10上の配線座標、テストパタ
ーンの各タイミングごとの各配線の期待論理値、各入力
端子から各出力端子に至る経路情報等からなり、設計デ
ータベース9内のデータから生成される。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the test apparatus of the present invention. Through the test signal supply device 11, the wiring logical value reading circuit 12, and the XY stage control circuit 14, an electron beam test device (EBT: E-Bea
m Tester) 20 is connected to the control computer 1.
The XY stage control circuit 14 controls a motor 25 that controls the movement of the XY stage 22. The wiring logical value reading circuit 12 is connected to the secondary electron detector 24 and the scanning circuit 13 of the electron beam 21,
Based on a command from the control computer 1, the scanning of the electron beam 21 is started, and the EBT2 is set at a preset timing.
The image signal of 0 is sampled and the value is transferred to the control computer 1. The test signal supply device 11 sends a test signal to the IC socket 23 based on a command from the control computer 1.
Supply to DUT10 via. The test signal supply device 11 may be an ordinary IC tester as long as it can be controlled by the control computer 1. The control computer 1 has a terminal 2, an internal storage device 3, an external storage device 4, and is connected to an integrated circuit design support (CAD) system 8 having a design database 9. A test program 6 describing a test procedure is stored in the internal storage device 3, and a design data file 7 is stored in the external storage device 4. The design data file 7 consists of wiring coordinates on the DUT 10, expected logic values of each wiring at each timing of the test pattern, route information from each input terminal to each output terminal, etc., and is generated from the data in the design database 9. It

経路情報ファイルは次のデータから構成されている。The route information file is composed of the following data.

(i) 被試験回路の各入力から各出力に至る全ての信
号伝播経路(第2図の71、72等)…これは、経路を区別
するための経路番号とその経路を示す1連のノード各チ
ェーン、即ち第2図の場合、51−52−53−54……60な
ど、からなる。
(I) All signal propagation paths from each input to each output of the circuit under test (71, 72, etc. in FIG. 2) ... This is a path number for distinguishing the paths and a series of nodes indicating the paths. Each chain consists of 51-52-53-54 ... 60 in the case of FIG.

(ii) 各経路上のノード名(第2図の54,57,58など) 本装置のテストプログラム6は、被試験回路全体、又は
問題となる回路ブロック内にある分岐ノードにつき、次
の手順で論理チェックを行い、故障の発生箇所を特定し
て行く。すなわち、被試験回路の、不良の検出された出
力端子につながる信号伝播経路とその経路上の分岐ノー
ドとを経路情報ファイルから順に呼び出し、各分岐ノー
ドに対応する配線座標に基づいて該XYステージを移動
し、テスト信号供給回路から順にテスト信号を被試験回
路に供給し、指定されたタイミングで論理値読取回路に
て論理値を測定し、これを期待論理値ファイル内の期待
論理値と比較して正常/不良の判定を行い、その結果を
出力する。
(Ii) Node names on each path (54, 57, 58, etc. in FIG. 2) The test program 6 of this device uses the following procedure for the entire circuit under test or a branch node in the circuit block in question. The logical check is performed to identify the location of the failure. That is, in the circuit under test, the signal propagation path connected to the output terminal where a defect is detected and the branch node on that path are sequentially called from the path information file, and the XY stage is moved based on the wiring coordinates corresponding to each branch node. Move and supply the test signal to the circuit under test in order from the test signal supply circuit, measure the logical value with the logical value reading circuit at the specified timing, and compare this with the expected logical value in the expected logical value file. Normal / defective is determined by the above, and the result is output.

次に、全ての経路上にある不良分岐ノード(測定論理値
と期待論理値が不一致で、故障している可能性のあるノ
ード)のうち、最も入力側に近い分岐ノードを選び出
す。第2図の場合は、ノード57が選ばれる。そこで、次
にノード57と隣合う分岐ノード間、この場合には(ノー
ド54、ノード57)間、及び(ノード63、ノード57)間に
つき、同様の手順で論理チェックを行う。その結果得ら
れる、入力側に最も近い論理不一致ノード、この場合に
はノード55が故障の発生箇所である。テストプログラム
6が行なう以上の処理の手順を第3図にフローチャート
で示した。
Next, the branch node closest to the input side is selected from the defective branch nodes on all paths (nodes in which the measured logic value and the expected logic value do not match and there is a possibility of a failure). In the case of FIG. 2, node 57 is selected. Therefore, next, a logical check is performed between the branch nodes adjacent to the node 57, in this case, between (node 54, node 57) and between (node 63, node 57) in the same procedure. The resulting logic-mismatch node closest to the input side, in this case node 55, is the location of the failure. The procedure of the above processing performed by the test program 6 is shown in the flow chart of FIG.

次に、論理値の測定、及び比較の具体的手順について述
べる。各テストパタンごとに走査回路13が動作して、電
子ビーム21をその観測エリア全体に渡ってラスタ・スキ
ャンする。配線論理値読取回路12は、それに同期して二
次電子検出器24により検出される電位コントラスト信号
をあるしきい値のもとで二値化し、各サンプル点の論理
値(0または1)を求める。これらの測定論理値は制御
コンピュータ1に転送され、「測定論理地図」を形成す
る。測定論理地図は、論理値0の配線図形の分布を示す
地図である。サンプル点数にもよるが、二値化回路の代
わりにA/Dコンバータを置き、アナログ信号である電位
コントラスト信号をディジタイズして制御コンピュータ
1に転送し、そこで「二値化プログラム」を用いて二値
化しても良い。ただし、二値化回路を用いる方が高速で
効率が良い。
Next, a specific procedure for measuring and comparing logical values will be described. The scanning circuit 13 operates for each test pattern and raster-scans the electron beam 21 over the entire observation area. The wiring logical value reading circuit 12 binarizes the potential contrast signal detected by the secondary electron detector 24 in synchronization with it under a certain threshold value and determines the logical value (0 or 1) of each sample point. Ask. These measured logic values are transferred to the control computer 1 and form a "measured logic map". The measurement logic map is a map showing the distribution of wiring figures having a logic value of 0. Depending on the number of sample points, an A / D converter is placed instead of the binarization circuit, the analog potential contrast signal is digitized and transferred to the control computer 1, where the "binarization program" is used. It may be valued. However, it is faster and more efficient to use the binarization circuit.

サブミクロンの位置決め精度を有する高精度なXYステー
ジを用いた場合には、DUTチップ周辺の数カ所の座標を
使って設計配線データの座標系とDUTチップの座標系を
あらかじめ合わせておけば、配線論理値の測定は容易で
ある。即ち、設計データから測定したい配線の座標を読
みだし、測定論理地図上で対応する位置の論理値を読み
取れば、それが所望の配線の論理値になる。
When using a high-precision XY stage with submicron positioning accuracy, if the coordinate system of the design wiring data and the coordinate system of the DUT chip are matched in advance using the coordinates of several locations around the DUT chip, the wiring logic The value is easy to measure. That is, if the coordinates of the wiring to be measured are read from the design data and the logical value of the corresponding position on the measurement logical map is read, that becomes the logical value of the desired wiring.

XYステージに±数μm以上の位置決め誤差がある場合に
は、測定論理地図と対応する領域の設計配線地図の間で
画像マッチングを行う必要がある。これは発明者らが既
に考案した方法(特願昭60−39897)で、重ね合わせに
要した平行移動量から両者のシフト量を算出する方法で
ある。測定論理地図と設計配線地図の間のシフト量が分
かれば、この場合にも上と同様の方法で配線の論理値を
求めることができる。
When the XY stage has a positioning error of ± several μm or more, it is necessary to perform image matching between the measurement logic map and the design wiring map of the corresponding area. This is a method already devised by the inventors (Japanese Patent Application No. 60-39897), and is a method of calculating the shift amount of both from the parallel movement amount required for superposition. If the shift amount between the measurement logic map and the design wiring map is known, the logic value of the wiring can be obtained by the same method as above also in this case.

電子ビーム試験装置の変わりにレーザビーム試験装置
(LBT:Laser Beam Tester)を用いてもLSI内部の動作状
態を非接触で測定することができる。LBTには、(a)
レーザビームを二次元的にスキャンするタイプと(b)
レーザビームは固定し、XYステージを移動するタイプの
2種類がある。EBTの代わりにLBTを用いる場合も、第1
図とほぼ同じ構成でよい。LBTの場合には、XYステージ
は大気中におかれるため、EBTのばあいと違って高精度
なXYステージをより安価に製造できる。従って、μm精
度のXYステージを前提としてよい。
Even if a laser beam tester (LBT: Laser Beam Tester) is used instead of the electron beam tester, the operating state inside the LSI can be measured without contact. For LBT, (a)
Type that scans the laser beam two-dimensionally (b)
There are two types: a type that moves the XY stage while the laser beam is fixed. When using LBT instead of EBT,
The configuration may be almost the same as that shown in the figure. In the case of LBT, the XY stage is placed in the atmosphere, so unlike the case of EBT, a highly accurate XY stage can be manufactured at a lower cost. Therefore, an XY stage with μm accuracy may be premised.

(a),(b)何れのタイプにおいても論理値の検出方
法は同じである。すなわち、逆バイアスのpn接合にレー
ザビームを照射したとき、光誘起電流が論理状態により
変化する現象を利用し、その変化がDUTに供給する電源
電流に現われるのでそれを測定することで検出してい
る。従って、設計データファイルの中から被測定ノード
につながるトランジスタのpn接合(COMSデバイスの場合
には、p−ch又はn−ch部のドレイン接合又はpチャン
ネルトランジスタを形成するためのウェルの境界)端部
の座標を読み出し、そこがレーザビームの照射点になる
ようにXYステージを移動する。テストパタンに同期して
レーザビームをチョップしてやれば、信号検出回路16を
通して各テストパタンに対応した論理値を制御コンピュ
ータ1に取込むことができる。テストプログラムは第3
図のものと全く同一でよい。
The method of detecting a logical value is the same in both types (a) and (b). That is, when a reverse-biased pn junction is irradiated with a laser beam, the photo-induced current changes according to the logic state, and the change appears in the power supply current supplied to the DUT. There is. Therefore, from the design data file, the pn junction of the transistor connected to the node under measurement (in the case of a COMS device, the drain junction of the p-ch or n-ch portion or the well boundary for forming the p-channel transistor) end The coordinates of the part are read out, and the XY stage is moved so that it becomes the irradiation point of the laser beam. If the laser beam is chopped in synchronization with the test pattern, the logic value corresponding to each test pattern can be taken into the control computer 1 through the signal detection circuit 16. Test program is third
It can be exactly the same as the one shown.

次に故障箇所の検出方法について述べる。本発明の試験
装置のような非接触試験装置のみで故障箇所の検出を行
うのは効率が悪いので、通常のICテスタを用い、何番目
のテストパタンで、どの出力端子に故障が現れたかを確
認しておく。この情報を基に非接触試験装置を用いて故
障箇所を特定する。LSIは一般に順序回路であるので、
故障箇所を突き止めるために、最も単純な方法として出
力端子から入力端子に向かって順にすべてのノードをテ
ストする方法が考えられるが、これでは効率が悪いので
ノードを飛び飛びにテストして行く方法が効率的であ
る。例えば、第2図のような論理段数D(入力ピン1か
ら出力ピン0に至る各種の経路を考えたとき、通過する
ゲート数の平均値)の回路で、時刻t=Tに、出力端子
0にフェイルが検出されたとする。この場合には、論理
段数D/2あたり(厳密でなくてもよい、1つの目安)の
ノード、例えばノード54の論理状態をt=1〜Tにかけ
てチェックする。ノード54でパスならば、次はn=3D/4
辺りのノード57、これがフェイルならばn=D/2辺りの
ノード63という具合に、順次二分法的にチェックしてい
く。最後にノード65がパスでノード56、ノード55がフェ
イルならば、故障箇所はノード55と特定される。この様
にすれば、全てのノードの論理値を測定することなく、
効率的に故障箇所を発見することができる。空間的な二
分法をとるばかりでなく、時間的にも二分法をとること
ができる。あるノードの論理値をチェックするとき、先
ずt=T/2でチェックし、フェイルがあれば次にt=T/
4、なければt=3T/4という具合にとびとびに調べるの
である。
Next, a method of detecting a failure point will be described. Since it is inefficient to detect a failure point only with a non-contact test apparatus such as the test apparatus of the present invention, a normal IC tester is used to determine which test pattern and which output terminal has a failure. Make sure. Based on this information, the failure location is specified using a non-contact test device. Since LSI is generally a sequential circuit,
The simplest method to find the failure point is to test all the nodes in order from the output terminal to the input terminal, but this is inefficient, so the method of testing the nodes in a scattered manner is efficient. Target. For example, in a circuit having the number of logic stages D as shown in FIG. 2 (an average value of the number of gates passing through when considering various paths from the input pin 1 to the output pin 0), at the time t = T, the output terminal 0 Suppose that a fail has been detected. In this case, the logical state of a node per logical stage number D / 2 (one guideline that does not have to be exact), for example, the node 54, is checked from t = 1 to T. If it is a path at node 54, then n = 3D / 4
A node 57 around the node 57, and a node 63 around n = D / 2 if this is a failure are sequentially checked by a dichotomy. Finally, if the node 65 is a path and the node 56 and the node 55 are fail, the failure point is identified as the node 55. In this way, without measuring the logical values of all nodes,
The failure location can be found efficiently. Not only can the spatial dichotomy be used, but the dichotomy can also be taken temporally. When checking the logical value of a node, first check at t = T / 2, and if there is a failure, then t = T /
If not 4, t = 3T / 4 and so on.

本装置を「経路抽出プログラム」と組み合わせると、更
に自動化を進めることができる。このプログラムは入力
端子1から出力端子0に至る全ての経路を設計データベ
ース9内の回路記述データから抽出し、外部記憶装置4
上の設計データファイル内に格納するプログラムであ
る。
If this device is combined with a "route extraction program", further automation can be promoted. This program extracts all the paths from the input terminal 1 to the output terminal 0 from the circuit description data in the design database 9, and the external storage device 4
It is a program stored in the above design data file.

該プログラムにより抽出された、出力端子0につながる
1つの経路を第2図の71で示す。出力端子0でフェイル
が検出された場合、その経路の中央部、ノード54で論理
値をチェックする。ノード54がパスならば、次はノード
54と0との中間のノード57、これがフェイルならば次は
ノード54とノード57の中間のノード、という具合に検査
を進めていう。この様に経路単位で故障追跡を行えば、
故障の発生箇所を極めて効率的に発見することができ
る。
One path connected to the output terminal 0 extracted by the program is shown by 71 in FIG. When a fail is detected at the output terminal 0, the logical value is checked at the node 54 at the center of the path. If node 54 is a path, then node
The node 57 in the middle of 54 and 0, and if this is a failure, next the node in the middle of the nodes 54 and 57, and so on. In this way, if you trace the failure on a path-by-path basis,
The location of the failure can be found extremely efficiently.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上述べたように、本発明は、集積回路の規模の増大に
伴い、ほとんど不可能となっていた集積回路の故障診断
の分野に、故障箇所の自動検出を可能ならしめる故障診
断技術を提供するもので、半導体産業界に与える影響は
極めて大である。
As described above, the present invention provides a failure diagnosis technique capable of automatically detecting a failure location in the field of failure diagnosis of an integrated circuit, which has been almost impossible with the increase of the scale of the integrated circuit. However, the impact on the semiconductor industry is extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の集積回路試験装置の実施例を示した
図、第2図は被試験デバイスの被試験回路とその経路を
示した図、第3図はテストプログラムのテスト手順を示
した図である。 1……制御コンピュータ、2……端末、3……内部記憶
装置、4……外部記憶装置、5……出力装置、6……テ
ストプログラム、7……設計データファイル、8……集
積回路設計支援(CAD)システム、9……設計データベ
ース、10……被試験デバイス(DUT)、11……テスト信
号供給装置、12……配線論理値読取回路、13……走査回
路、14……XYステージ制御回路、15……インタフェース
パス、16……信号検出回路、20……電子ビーム試験装
置、21……電子ビーム、22……XYステージ、23……ICソ
ケット、24……二次電子検出器、25……モータ、51〜69
……ノード番号
FIG. 1 shows an embodiment of an integrated circuit test apparatus of the present invention, FIG. 2 shows a circuit under test of a device under test and its path, and FIG. 3 shows a test procedure of a test program. It is a figure. 1 ... Control computer, 2 ... Terminal, 3 ... Internal storage device, 4 ... External storage device, 5 ... Output device, 6 ... Test program, 7 ... Design data file, 8 ... Integrated circuit design Support (CAD) system, 9 ... Design database, 10 ... Device under test (DUT), 11 ... Test signal supply device, 12 ... Wiring logic value reading circuit, 13 ... Scanning circuit, 14 ... XY stage Control circuit, 15 ... Interface path, 16 ... Signal detection circuit, 20 ... Electron beam tester, 21 ... Electron beam, 22 ... XY stage, 23 ... IC socket, 24 ... Secondary electron detector , 25 …… Motor, 51 to 69
...... Node number

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(イ) 少なくともXYステージと検出器と
ビーム照射器とを有する電子ビーム又はレーザビーム試
験装置と、 (ロ) テスト信号供給装置と、 (ハ) 配線論理値読取回路と、 (ニ) XYステージ制御回路と、 (ホ) 制御コンピュータと、 (ヘ) 少なくとも回路素子の識別データ、回路素子の
接続データ、回路の接続データ及びマスクパターンデー
タを有する設計データファイルを基にテストデータ生成
プログラムによって作成された少なくとも回路のノード
識別データ、配線の座標データ、被試験デバイス(DU
T)チップの入力端子に加えるテストパタンデータ、テ
スト信号をDUTチップの入力端子に加えたときの各ノー
ドの論理期待値及び回路の経路情報とを有する設計デー
タファイルと、 (ト) テストプログラムとを少なくとも具備し、該制
御コンピュータと該テストプログラムの制御の下に、該
XYステージを該XYステージ制御回路により該設計データ
ファイル内の該ノード識別データ、該配線座標データ及
び該経路情報に基いて移動させ、該DUTチップの入力端
子に加えるテストパタンデータを該テスト信号供給装置
を介してテストするDUTに供給し、該電子ビーム又はレ
ーザビームをDUT上の回路のテストするノードの規定さ
れた位置に照射して該テストするノードの信号を該検出
器によって検出し、検出された該信号を該配線論理値読
取回路により読取って該ノードの配線論理値を得、該論
理期待値と該配線論理値を比較することにより不良箇所
を検出せしめることを特徴とする集積回路試験装置。
1. An electron beam or laser beam testing device having at least an XY stage, a detector and a beam irradiator, (b) a test signal supplying device, (c) a wiring logical value reading circuit, D) XY stage control circuit, (e) Control computer, (f) Test data generation based on design data file containing at least circuit element identification data, circuit element connection data, circuit connection data and mask pattern data At least the circuit node identification data created by the program, the wiring coordinate data, the device under test (DU
T) Design data file having test pattern data applied to the input terminal of the chip, logical expected value of each node when the test signal is applied to the input terminal of the DUT chip, and circuit route information, and (g) test program And at least under the control of the control computer and the test program,
The XY stage is moved by the XY stage control circuit based on the node identification data, the wiring coordinate data and the route information in the design data file, and the test pattern data to be added to the input terminal of the DUT chip is supplied with the test signal. It is supplied to the DUT to be tested through the device, and the electron beam or the laser beam is applied to the defined position of the node to be tested of the circuit on the DUT, and the signal of the node to be tested is detected by the detector and detected. An integrated circuit test characterized in that a defective portion is detected by reading the generated signal by the wiring logical value reading circuit to obtain a wiring logical value of the node and comparing the logical expected value with the wiring logical value. apparatus.
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