JPH0792187A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH0792187A JPH0792187A JP24014593A JP24014593A JPH0792187A JP H0792187 A JPH0792187 A JP H0792187A JP 24014593 A JP24014593 A JP 24014593A JP 24014593 A JP24014593 A JP 24014593A JP H0792187 A JPH0792187 A JP H0792187A
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- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 定加速度も測定できる加速度センサの構造を
提供する。 【構成】 中空部２ａを有する基板２上に、中空部２ａ
を覆うように周辺部が基板２に支持されていると共に、
中空部２ａ上方に、片持ち梁構造のカンチレバー３ｂが
形成された熱絶縁膜３と、カンチレバー３ｂ上面に形成
され、温度変化により抵抗値が変化するサーミスタ６と
を具備した。 【効果】 定加速度の測定が可能となる。
提供する。 【構成】 中空部２ａを有する基板２上に、中空部２ａ
を覆うように周辺部が基板２に支持されていると共に、
中空部２ａ上方に、片持ち梁構造のカンチレバー３ｂが
形成された熱絶縁膜３と、カンチレバー３ｂ上面に形成
され、温度変化により抵抗値が変化するサーミスタ６と
を具備した。 【効果】 定加速度の測定が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱伝導現象を利用して
加速度を測定する加速度センサに関するものである。
加速度を測定する加速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の加速度センサとしては、Siのマイ
クロマシニング技術を利用した半導体ピエゾ抵抗型加速
度センサがある。この加速度センサの検出原理を図３に
基づいて説明する。図３は半導体ピエゾ抵抗型加速度セ
ンサ１を示す図で、（ａ）は１部分を断面図とした斜視
図で、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図において、基板
２の中央部には中空部２ａが形成されており、基板２上
には、熱絶縁膜３の層が形成されている。熱絶縁膜３の
中央部は倒立四角錐台状に形成されており、倒立四角錐
台状の部分の周囲に、支持部３ａの部分を除いてスリッ
ト４をいれて、中空部２ａの上方に、カンチレバー３ｂ
と呼ばれる、支持部３ａによって支えられた片持ち梁構
造を微細加工技術によって形成している。また、支持部
３ａの上部にはピエゾ抵抗３ｃの領域が形成されてい
る。
クロマシニング技術を利用した半導体ピエゾ抵抗型加速
度センサがある。この加速度センサの検出原理を図３に
基づいて説明する。図３は半導体ピエゾ抵抗型加速度セ
ンサ１を示す図で、（ａ）は１部分を断面図とした斜視
図で、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図において、基板
２の中央部には中空部２ａが形成されており、基板２上
には、熱絶縁膜３の層が形成されている。熱絶縁膜３の
中央部は倒立四角錐台状に形成されており、倒立四角錐
台状の部分の周囲に、支持部３ａの部分を除いてスリッ
ト４をいれて、中空部２ａの上方に、カンチレバー３ｂ
と呼ばれる、支持部３ａによって支えられた片持ち梁構
造を微細加工技術によって形成している。また、支持部
３ａの上部にはピエゾ抵抗３ｃの領域が形成されてい
る。
【０００３】上記のように形成された半導体ピエゾ抵抗
型加速度センサは、加速度の変化をカンチレバー３ｂの
支持部３ａに形成されたピエゾ抵抗３ｃの抵抗変化とし
て電気信号に変換するもので、構造が比較的簡単で、小
型・軽量・低価格が可能なため幅広い分野で使用されて
いるものである。
型加速度センサは、加速度の変化をカンチレバー３ｂの
支持部３ａに形成されたピエゾ抵抗３ｃの抵抗変化とし
て電気信号に変換するもので、構造が比較的簡単で、小
型・軽量・低価格が可能なため幅広い分野で使用されて
いるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
加速度センサの場合、ピエゾ抵抗３ｃは加速度が変化し
た時にしか抵抗が変化しないため、定加速度の測定はで
きないという問題点があった。
加速度センサの場合、ピエゾ抵抗３ｃは加速度が変化し
た時にしか抵抗が変化しないため、定加速度の測定はで
きないという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、定加速度も測定できる加
速度センサの構造を提供することにある。
で、その目的とするところは、定加速度も測定できる加
速度センサの構造を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の加速度センサは、中空部を有する基
板と、前記中空部を覆うように周辺部が基板に支持され
ていると共に、前記中空部上方に片持ち梁構造のカンチ
レバーが形成された熱絶縁膜と、前記カンチレバー上面
に形成され、温度変化により抵抗値が変化する感温抵抗
体として薄膜抵抗体を用いたサーミスタとを具備したこ
とを特徴とするものである。
め、請求項１記載の加速度センサは、中空部を有する基
板と、前記中空部を覆うように周辺部が基板に支持され
ていると共に、前記中空部上方に片持ち梁構造のカンチ
レバーが形成された熱絶縁膜と、前記カンチレバー上面
に形成され、温度変化により抵抗値が変化する感温抵抗
体として薄膜抵抗体を用いたサーミスタとを具備したこ
とを特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載の加速度センサは、請求項１
記載の加速度センサで、熱絶縁膜が複数の層を積層して
なる多層構造の薄膜であることを特徴とするものであ
る。
記載の加速度センサで、熱絶縁膜が複数の層を積層して
なる多層構造の薄膜であることを特徴とするものであ
る。
【０００８】請求項３記載の加速度センサは、請求項２
記載の加速度センサで、多層構造が酸化シリコン層と窒
化シリコン層の積層で成されていることを特徴とするも
のである。
記載の加速度センサで、多層構造が酸化シリコン層と窒
化シリコン層の積層で成されていることを特徴とするも
のである。
【０００９】請求項４記載の加速度センサは、請求項１
乃至請求項３記載の加速度センサで、薄膜抵抗体が半導
体薄膜からなる抵抗体であることを特徴とするものであ
る。
乃至請求項３記載の加速度センサで、薄膜抵抗体が半導
体薄膜からなる抵抗体であることを特徴とするものであ
る。
【００１０】請求項５記載の加速度センサは、請求項４
記載の加速度センサで、半導体薄膜がアモルファス炭化
シリコン薄膜を少なくとも含んでいることを特徴とする
ものである。
記載の加速度センサで、半導体薄膜がアモルファス炭化
シリコン薄膜を少なくとも含んでいることを特徴とする
ものである。
【００１１】
【作用】図１に基づいて、加速度測定原理について説明
する。図１に示す加速度センサ５では、カンチレバー３
ｂ上に四角い薄膜状のサーミスタ６が形成されている。
カンチレバー３ｂは、基板２の中空部２ａの上方に形成
されているため、サーミスタ６と基板２間は熱絶縁され
ており、サーミスタ６が有する熱は、基板２に拡散する
よりも空気等を媒体として直ちに、基板２の実装台であ
るシュテム７に流れるほうが支配的になる。一方、中空
部２ａに存在する気体分子の平均自由行程Ｌと、熱絶縁
膜３とシュテム７間の寸法ｄの差が、Ｌ≪ｄの関係を満
たす場合、サーミスタ６からシュテム７に伝わる熱量Ｑ
は、次式に従い、熱量Ｑはｄの変化により大きく変化す
ることになる。ここで、媒体が大気の場合は感度が下が
るため、Xe等の熱伝導率の低い気体を封入して用いる方
が望ましい。 Ｑ＝κＡ（Ｔ２−Ｔ１）／ｄ κ：熱伝導度、Ａ：熱絶縁膜３のサーミスタ６形成面
積、Ｔ１：サーミスタ６の温度、Ｔ２：シュテム７の温
度である。
する。図１に示す加速度センサ５では、カンチレバー３
ｂ上に四角い薄膜状のサーミスタ６が形成されている。
カンチレバー３ｂは、基板２の中空部２ａの上方に形成
されているため、サーミスタ６と基板２間は熱絶縁され
ており、サーミスタ６が有する熱は、基板２に拡散する
よりも空気等を媒体として直ちに、基板２の実装台であ
るシュテム７に流れるほうが支配的になる。一方、中空
部２ａに存在する気体分子の平均自由行程Ｌと、熱絶縁
膜３とシュテム７間の寸法ｄの差が、Ｌ≪ｄの関係を満
たす場合、サーミスタ６からシュテム７に伝わる熱量Ｑ
は、次式に従い、熱量Ｑはｄの変化により大きく変化す
ることになる。ここで、媒体が大気の場合は感度が下が
るため、Xe等の熱伝導率の低い気体を封入して用いる方
が望ましい。 Ｑ＝κＡ（Ｔ２−Ｔ１）／ｄ κ：熱伝導度、Ａ：熱絶縁膜３のサーミスタ６形成面
積、Ｔ１：サーミスタ６の温度、Ｔ２：シュテム７の温
度である。
【００１２】そして、熱絶縁膜３とシュテム７間の寸法
ｄによってシュテム７に伝わる熱量Ｑが大きく変化する
ということは、カンチレバー３ｂのたわみ具合によっ
て、サーミスタ６の温度が大きく変化し、サーミスタ６
の抵抗値が大きく変わることになり、この結果、サーミ
スタ６の抵抗値からカンチレバー３ｂのたわみ具合が分
かり、カンチレバー３ｂのたわみ具合から加速度を算出
することが可能となり、加速度センサとしての機能が備
わっていることが分かる。サーミスタ６は発熱体の機能
を有すると共に、加速度測定のセンサ素子としての機能
を備えている。
ｄによってシュテム７に伝わる熱量Ｑが大きく変化する
ということは、カンチレバー３ｂのたわみ具合によっ
て、サーミスタ６の温度が大きく変化し、サーミスタ６
の抵抗値が大きく変わることになり、この結果、サーミ
スタ６の抵抗値からカンチレバー３ｂのたわみ具合が分
かり、カンチレバー３ｂのたわみ具合から加速度を算出
することが可能となり、加速度センサとしての機能が備
わっていることが分かる。サーミスタ６は発熱体の機能
を有すると共に、加速度測定のセンサ素子としての機能
を備えている。
【００１３】
【実施例】図１に基づき、本発明の加速度センサ５の概
略構成について説明する。樹等委例と同等構成について
は、同符号を付すこととする。図１は加速度センサ５の
一実施例の主要部の構成を示す図で、（ａ）は１部分を
断面図とした斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図である。図
において、加速度センサ５は、中空部２ａを有する基板
２と、中空部２ａを覆って周辺が基板２に支持された熱
絶縁膜３と、熱絶縁膜３の中空部２ａを覆う領域上にス
リット４を入れて形成されたカンチレバー３ｂ上にサー
ミスタ６とを備えている。なお、７は容器の一部を構成
するシュテム（基台）である。（ａ）では、シュテム７
の図示を省略している。シュテム７は、蓋としてのキャ
ン（図示省略）と嵌合して、内部構造を保護するように
形成されている。
略構成について説明する。樹等委例と同等構成について
は、同符号を付すこととする。図１は加速度センサ５の
一実施例の主要部の構成を示す図で、（ａ）は１部分を
断面図とした斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図である。図
において、加速度センサ５は、中空部２ａを有する基板
２と、中空部２ａを覆って周辺が基板２に支持された熱
絶縁膜３と、熱絶縁膜３の中空部２ａを覆う領域上にス
リット４を入れて形成されたカンチレバー３ｂ上にサー
ミスタ６とを備えている。なお、７は容器の一部を構成
するシュテム（基台）である。（ａ）では、シュテム７
の図示を省略している。シュテム７は、蓋としてのキャ
ン（図示省略）と嵌合して、内部構造を保護するように
形成されている。
【００１４】基板２にはシリコン基板などの半導体基板
が用いられている。中空部２ａは基板２を裏側から異方
性エッチングにより堀り込むことで形成することができ
る。また、熱絶縁膜３には、半導体薄膜や誘電体薄膜な
どの熱絶縁薄膜が用いられる。好ましい熱絶縁膜３とし
ては、複数の層を積層した多層構造の薄膜が挙げられ
る。例えば、酸化シリコン（ SiN）層で形成されてなる
多層構造の場合、層間で応力のバランスがとれ、膜の機
械的強度を高くすることができる。
が用いられている。中空部２ａは基板２を裏側から異方
性エッチングにより堀り込むことで形成することができ
る。また、熱絶縁膜３には、半導体薄膜や誘電体薄膜な
どの熱絶縁薄膜が用いられる。好ましい熱絶縁膜３とし
ては、複数の層を積層した多層構造の薄膜が挙げられ
る。例えば、酸化シリコン（ SiN）層で形成されてなる
多層構造の場合、層間で応力のバランスがとれ、膜の機
械的強度を高くすることができる。
【００１５】サーミスタ６には、温度変化により抵抗値
が変化する感温抵抗体として薄膜抵抗体を用いるのであ
るが、薄膜抵抗体としては、半導体薄膜、特にシリコン
系の半導体薄膜が適当である。シリコン系の半導体薄膜
としては、アモルファスシリコン（a-Si）薄膜、アモル
ファスシリコンカーバイド（a-SiC ）薄膜などが挙げら
れるし、a-Si層とa-SiC 層など異なる半導体層が複数積
層された多層構造の半導体薄膜の場合もあり、例えば、
a-SiC 層の上下面にa-Si層が積層されてなり、上下電極
である導電薄膜がa-Si層で接している構成が挙げられ
る。
が変化する感温抵抗体として薄膜抵抗体を用いるのであ
るが、薄膜抵抗体としては、半導体薄膜、特にシリコン
系の半導体薄膜が適当である。シリコン系の半導体薄膜
としては、アモルファスシリコン（a-Si）薄膜、アモル
ファスシリコンカーバイド（a-SiC ）薄膜などが挙げら
れるし、a-Si層とa-SiC 層など異なる半導体層が複数積
層された多層構造の半導体薄膜の場合もあり、例えば、
a-SiC 層の上下面にa-Si層が積層されてなり、上下電極
である導電薄膜がa-Si層で接している構成が挙げられ
る。
【００１６】以上の構成の加速度センサは、半導体装置
製造技術を利用して製造することができる。基板２、熱
絶縁膜３、及び、サーミスタ６の材料はいずれも、半導
体装置製造で用いている材料であり、形成方法も半導体
装置製造時に用いている薄膜形成方法等が適用できる。
中空部２ａやサーミスタ６は、半導体装置製造で用いて
いる異方性エッチングや微細加工技術を適用でき、結果
として、非常にサイズの小さい加速度センサを容易に製
造することができる。また、従来の半導体ピエゾ抵抗型
加速度センサでは、高温時、ＰＮ接合でのリーク電流が
増大し、動作が不安定になるという問題点があったが、
本発明の加速度センサでは、耐熱性も改善することがで
きるようになる。
製造技術を利用して製造することができる。基板２、熱
絶縁膜３、及び、サーミスタ６の材料はいずれも、半導
体装置製造で用いている材料であり、形成方法も半導体
装置製造時に用いている薄膜形成方法等が適用できる。
中空部２ａやサーミスタ６は、半導体装置製造で用いて
いる異方性エッチングや微細加工技術を適用でき、結果
として、非常にサイズの小さい加速度センサを容易に製
造することができる。また、従来の半導体ピエゾ抵抗型
加速度センサでは、高温時、ＰＮ接合でのリーク電流が
増大し、動作が不安定になるという問題点があったが、
本発明の加速度センサでは、耐熱性も改善することがで
きるようになる。
【００１７】図２に本発明の加速度センサ５の一実施例
を示す。図は加速度センサ主要部の断面図である。スリ
ット４は図示を省略する。図において、加速度センサ５
は、熱分離空間である中空部２ａを有する基板２を備
え、基板２の表面に中空部２ａを覆って一辺が基板２に
支持された熱絶縁膜３の中央部に、カンチレバー３ｂが
設けられたダイアフラム構造をとっている。この熱絶縁
膜３のダイアフラム構造上にサーミスタ６が形成されて
いる。熱分離空間はサーミスタ６を基板２から熱絶縁す
る働きをする。なお、７は容器の一部を構成するシュテ
ムである。
を示す。図は加速度センサ主要部の断面図である。スリ
ット４は図示を省略する。図において、加速度センサ５
は、熱分離空間である中空部２ａを有する基板２を備
え、基板２の表面に中空部２ａを覆って一辺が基板２に
支持された熱絶縁膜３の中央部に、カンチレバー３ｂが
設けられたダイアフラム構造をとっている。この熱絶縁
膜３のダイアフラム構造上にサーミスタ６が形成されて
いる。熱分離空間はサーミスタ６を基板２から熱絶縁す
る働きをする。なお、７は容器の一部を構成するシュテ
ムである。
【００１８】熱絶縁膜３は、３層構造であって、厚み50
00Åの酸化シリコン（ SiO）層３ａを厚み 500Åの窒化
シリコン（SiN ）層３ｂ、３ｃで挟んだ構成であり、引
っ張り・圧縮と異なる特性の薄膜を積層し、膜間の応力
バランスをとり、反りが少なく破壊の起こりにくい、機
械的強度の高い膜であり、電気的絶縁性も有するもので
ある。もちろん、酸化シリコン層だけの単独構成の熱絶
縁薄膜であってもよい。
00Åの酸化シリコン（ SiO）層３ａを厚み 500Åの窒化
シリコン（SiN ）層３ｂ、３ｃで挟んだ構成であり、引
っ張り・圧縮と異なる特性の薄膜を積層し、膜間の応力
バランスをとり、反りが少なく破壊の起こりにくい、機
械的強度の高い膜であり、電気的絶縁性も有するもので
ある。もちろん、酸化シリコン層だけの単独構成の熱絶
縁薄膜であってもよい。
【００１９】一方、サーミスタ６は薄膜抵抗体である半
導体薄膜６ａの裏面と表面に下電極６ｂ、上電極６ｃが
設けられてなる構成である。半導体薄膜６ａとしては、
容量結合型プラズマＣＶＤ法で形成したものであって、
厚み 300Åのｐ型a-Si層６ｄ、厚み 10000Åのｐ型a-Si
C 層６ｅ、厚み 300Åのｐ型a-Si層６ｆを積層してなる
アモルファス半導体薄膜である。
導体薄膜６ａの裏面と表面に下電極６ｂ、上電極６ｃが
設けられてなる構成である。半導体薄膜６ａとしては、
容量結合型プラズマＣＶＤ法で形成したものであって、
厚み 300Åのｐ型a-Si層６ｄ、厚み 10000Åのｐ型a-Si
C 層６ｅ、厚み 300Åのｐ型a-Si層６ｆを積層してなる
アモルファス半導体薄膜である。
【００２０】上下のｐ型a-Si層６ｄ，６ｆの形成条件
は、0.25mol%のジボランを加えたモノシラン（B2H6/SiH
4=0.25% ）を用い、基板温度 180℃、ガス圧力 0.9Tor
r、放電電力20W 、周波数 13.56MHz 、電極サイズ30mm
×30mm、電極間隔25mmとした。
は、0.25mol%のジボランを加えたモノシラン（B2H6/SiH
4=0.25% ）を用い、基板温度 180℃、ガス圧力 0.9Tor
r、放電電力20W 、周波数 13.56MHz 、電極サイズ30mm
×30mm、電極間隔25mmとした。
【００２１】ｐ型a-SiC 層６ｅの形成条件は、SiH4: 10
0sccm 、B2H6(0.5%H2 ベース）:50sccm 、CH4: 400sccm
のガス供給量とし、基板温度 180℃、ガス圧力 0.9Tor
r、放電電力20W 、周波数 13.56MHz 、電極サイズ30mm
×30mm、電極間隔25mmとした。
0sccm 、B2H6(0.5%H2 ベース）:50sccm 、CH4: 400sccm
のガス供給量とし、基板温度 180℃、ガス圧力 0.9Tor
r、放電電力20W 、周波数 13.56MHz 、電極サイズ30mm
×30mm、電極間隔25mmとした。
【００２２】下電極６ｂは電子ビーム蒸着法で形成した
厚み2000Å程度の適当な導電薄膜が用いられる。導電薄
膜、特に、下電極６ｂとしては、 Ni-Cr系薄膜が適当で
あるが、Cr薄膜でもよい。上電極６ｃは電子ビーム蒸着
法で形成した厚み2000Å程度の適当な導電薄膜が用いら
れる。この導電薄膜としてはCr系薄膜などが挙げられ
る。 半導体薄膜や導電薄膜は、もちろん、微細加工技
術によるパターン化により所定のパターン形状にするこ
とは言うまでもない。なお、a-Si層６ｄとa-SiC層６ｅ
の間、a-Si層６ｆとa-SiC 層６ｅの間に、a-Si組成から
a-SiC 組成に連続ないし段階的に移行させた層（バッフ
ァ層）をそれぞれ挿入することが、良好なオーミック性
を得る上で望ましい。
厚み2000Å程度の適当な導電薄膜が用いられる。導電薄
膜、特に、下電極６ｂとしては、 Ni-Cr系薄膜が適当で
あるが、Cr薄膜でもよい。上電極６ｃは電子ビーム蒸着
法で形成した厚み2000Å程度の適当な導電薄膜が用いら
れる。この導電薄膜としてはCr系薄膜などが挙げられ
る。 半導体薄膜や導電薄膜は、もちろん、微細加工技
術によるパターン化により所定のパターン形状にするこ
とは言うまでもない。なお、a-Si層６ｄとa-SiC層６ｅ
の間、a-Si層６ｆとa-SiC 層６ｅの間に、a-Si組成から
a-SiC 組成に連続ないし段階的に移行させた層（バッフ
ァ層）をそれぞれ挿入することが、良好なオーミック性
を得る上で望ましい。
【００２３】また、a-Si層６ｄ，６ｆやa-SiC 層６ｅの
形成条件も、上記の条件に限定されず、例えば、ガス圧
力 0.1〜10Torr、放電電力10〜150W、基板温度 100〜 3
00℃、B2H6/SiH4=0.01〜1%の範囲から適当な条件を選択
する。a-SiC 層６ｅの厚みも、数百Å〜数μｍの範囲か
ら選定できる。このような薄膜を用いた場合、温度に対
する抵抗の変化率であるＢ定数が5000程度のサーミスタ
５が得られる。
形成条件も、上記の条件に限定されず、例えば、ガス圧
力 0.1〜10Torr、放電電力10〜150W、基板温度 100〜 3
00℃、B2H6/SiH4=0.01〜1%の範囲から適当な条件を選択
する。a-SiC 層６ｅの厚みも、数百Å〜数μｍの範囲か
ら選定できる。このような薄膜を用いた場合、温度に対
する抵抗の変化率であるＢ定数が5000程度のサーミスタ
５が得られる。
【００２４】普通、熱絶縁膜３及びサーミスタ６を完成
させた後、基板２の裏面側を HF-HNO3系ないし KOH等の
エッチング液を使用する異方性エッチングにより熱絶縁
膜３を残すようにして堀り込み、中空部２ａを形成し、
スリット４を入れてカンチレバー３ｂを形成する。この
後、基板２の裏面をシリコン樹脂を用いてシュテム７の
表面に接合すると加速度センサの主要部分は完成する。
また、実施例の場合、シュテム７の表面を絶縁膜３に近
接するように配置し、シュテム７表面と熱絶縁膜３との
距離ｄの変化で加速度を検出する方式としたが、サーミ
スタ６の上側でサーミスタ６表面に近接して臨む容器面
を配し、この容器面とサーミスタ６表面の間の距離の変
化で加速度を検出する構成としてもよい。
させた後、基板２の裏面側を HF-HNO3系ないし KOH等の
エッチング液を使用する異方性エッチングにより熱絶縁
膜３を残すようにして堀り込み、中空部２ａを形成し、
スリット４を入れてカンチレバー３ｂを形成する。この
後、基板２の裏面をシリコン樹脂を用いてシュテム７の
表面に接合すると加速度センサの主要部分は完成する。
また、実施例の場合、シュテム７の表面を絶縁膜３に近
接するように配置し、シュテム７表面と熱絶縁膜３との
距離ｄの変化で加速度を検出する方式としたが、サーミ
スタ６の上側でサーミスタ６表面に近接して臨む容器面
を配し、この容器面とサーミスタ６表面の間の距離の変
化で加速度を検出する構成としてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の加速度セ
ンサは、気体の熱伝導を利用したセンサであり、定加速
度の測定も可能となっている。
ンサは、気体の熱伝導を利用したセンサであり、定加速
度の測定も可能となっている。
【図１】本発明の加速度センサの一例の主要部を示す図
で、（ａ）は１部分断面図の斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ断
面図である。
で、（ａ）は１部分断面図の斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ断
面図である。
【図２】本発明に係る加速度センサの一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】半導体ピエゾ抵抗型加速度センサの一例の主要
部を示す図で、（ａ）は１部分断面図の斜視図、（ｂ）
はＡ−Ａ断面図である。
部を示す図で、（ａ）は１部分断面図の斜視図、（ｂ）
はＡ−Ａ断面図である。
１ 加速度センサ ２ 基板 ２ａ 中空部 ３ 熱絶縁膜 ４ スリット ５ 加速度センサ ６ サーミスタ ７ シュテム
Claims (5)
- 【請求項１】 中空部を有する基板と、前記中空部を覆
うように周辺部が基板に支持されていると共に、前記中
空部上方に片持ち梁構造のカンチレバーが形成された熱
絶縁膜と、前記カンチレバー上面に形成され、温度変化
により抵抗値が変化する感温抵抗体として薄膜抵抗体を
用いたサーミスタとを具備したことを特徴とする加速度
センサ。 - 【請求項２】 前記熱絶縁膜が複数の層を積層してなる
多層薄膜であることを特徴とする請求項１記載の加速度
センサ。 - 【請求項３】 前記多層薄膜が酸化シリコン層と窒化シ
リコン層とで形成されていることを特徴とする請求項２
記載の加速度センサ。 - 【請求項４】 前記薄膜抵抗体が半導体薄膜からなる抵
抗体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載
の加速度センサ。 - 【請求項５】 前記半導体薄膜がアモルファス炭化シリ
コン薄膜を少なくとも含んでいることを特徴とする請求
項４記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24014593A JPH0792187A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24014593A JPH0792187A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792187A true JPH0792187A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17055170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24014593A Withdrawn JPH0792187A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014184513A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電気部品およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP24014593A patent/JPH0792187A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014184513A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電気部品およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |